專利名稱：多圈排列無載體雙ic芯片封裝件及其生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子信息自動(dòng)化元器件制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及到四邊扁平無弓丨腳IC 芯片封裝，具體說是一種多圈排列無載體雙IC芯片封裝件，本發(fā)明還包括該封裝件的生產(chǎn)方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨著移動(dòng)通信和移動(dòng)計(jì)算機(jī)領(lǐng)域便捷式電子元器件的迅猛發(fā)展，小型封裝和高密度組裝技術(shù)得到了長足的發(fā)展；同時(shí)，也對小型封裝技術(shù)提出了一系列嚴(yán)格要求，諸如，要求封裝外形尺寸盡量縮小，尤其是封裝高度小于1 mm。封裝后的連接可靠性盡可能提高，適應(yīng)無鉛化焊接(保護(hù)環(huán)境)和有效降低成本。QFN(Quad Flat No Lead Package)型多圈IC芯片倒裝封裝的集成電路封裝技術(shù)是近幾年發(fā)展起來的一種新型微小形高密度封裝技術(shù)，是最先進(jìn)的表面貼裝封裝技術(shù)之一。由于無引腳、貼裝占有面積小，安裝高度低等特點(diǎn)，為滿足移動(dòng)通信和移動(dòng)計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的便捷式電子機(jī)器，如PDA、3G手機(jī)、MP3、MP4、MP5等超薄型電子產(chǎn)品發(fā)展的需要應(yīng)用而生并迅速成長起來的一種新型封裝技術(shù)。目前的四邊扁平無引腳封裝件，由于引腳少，即I/O 少，滿足不了高密度、多I/O封裝的需要，同時(shí)焊線長，影響高頻應(yīng)用。而且QFN—般厚度控制在0. 82mm 1. 0 mm，滿足不了超薄型封裝產(chǎn)品的需要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種能實(shí)現(xiàn)引腳間距為0.65mm 0. 50 mm, I/O數(shù)達(dá)200個(gè)的高密度封裝四邊扁平無引腳的一種多圈排列無載體雙IC芯片封裝件，本發(fā)明還提供該封裝件的生產(chǎn)方法。本發(fā)明的技術(shù)問題采用下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)
一種多圈排列無載體雙IC芯片封裝件，包括引線框架、內(nèi)引腳、IC芯片及塑封體，引線框架四邊呈數(shù)圈排列有引線框架內(nèi)引腳，所述引線框架采用無載體引線框架，所述IC芯片設(shè)有帶凸點(diǎn)的IC芯片和不帶凸點(diǎn)的IC芯片，帶凸點(diǎn)的IC芯片的凸點(diǎn)設(shè)置在第一圈內(nèi)引腳上，帶凸點(diǎn)的IC芯片背面設(shè)有粘片膠或膠膜片，粘片膠或膠膜片上粘接不帶凸點(diǎn)的IC芯片，不帶凸點(diǎn)的IC芯片上的焊盤與第二圈內(nèi)引腳之間焊線連接，形成鍵合線。所述的繞圈排列的內(nèi)引腳包括第一圈內(nèi)引腳、第二圈內(nèi)引腳、第三圈內(nèi)引腳及第四圈內(nèi)引腳，每圈之間通過中筋和邊筋相連接，同一圈的內(nèi)引腳之間相連接。所述弓I線框架每邊的內(nèi)弓I腳平行排列。所述弓I線框架每邊的內(nèi)弓I腳交錯(cuò)排列。所述的IC芯片為倒裝上芯。上述多圈排列無載體雙IC芯片封裝件的生產(chǎn)步驟如下 步驟1:減薄
晶圓減薄厚度ΙΟΟμπι 250μπι，其中帶凸點(diǎn)芯片的晶圓厚度為250μπι，粗磨速度 3ym/ s 6ym/s，精磨速度0. 6 μ m/s 1. 0 μ m/s ；不帶凸點(diǎn)芯片晶圓厚度100 μ m，粗磨速度:2ym/ s ~ 4 μ m/s ；精磨速度0. 4ym/s 0. 8 μ m/s ； 步驟2 劃片
彡8吋的晶圓采用DISC 3350雙刀劃片機(jī)，8吋到12吋晶圓采用A-WD-300TXB劃片機(jī)， 劃片進(jìn)刀速度控制在< lOmm/s ； 步驟3 上芯
一次上芯選用無載體框架和帶凸點(diǎn)的IC芯片，采用倒裝上芯；針對一次倒裝上芯的半成品，進(jìn)行不帶凸點(diǎn)的IC芯片二次上芯，采用AD828/^9上芯機(jī)，在第一層帶凸點(diǎn)的IC 芯片背面先點(diǎn)上粘片膠QMI538，再將芯片吸附粘在其上面，第二層上芯的半成品在150°C 下烘烤3小時(shí)；
步驟4 底部填充&固化
對一次倒裝上芯的半成品，選用熱膨脹系數(shù)低α 1 < 1的絕緣材料，將下填料加熱到 80°C 110°C，采用抽真空技術(shù)，將凸點(diǎn)與框架焊盤進(jìn)行底部填充，最后在QFN通用烘箱中將下填料結(jié)束后的產(chǎn)品烘烤約15分鐘 30分鐘； 步驟5 壓焊
對第二層無凸點(diǎn)芯片進(jìn)行焊線壓焊，與第二圈內(nèi)引腳之間采用低弧度鍵合方法焊接， 弧高控制在100 μ m以內(nèi)，形成鍵合線，所采用弧形是防止塑封沖線的高低弧或反打方法； 步驟6 塑封
選用吸水率彡0. 25%、應(yīng)力膨脹系數(shù)α 1彡1的低吸濕、低應(yīng)力環(huán)保型塑封； 步驟7:后固化
使用ESPEC烘箱將塑封后的產(chǎn)品進(jìn)行后固化，采用QFN防翹曲固化夾具，固化條件溫度為150°C，時(shí)間5小時(shí)； 步驟8 打印同常規(guī)QFN打?。?步驟9:分離引腳磨削法分離
先將打印完的產(chǎn)品框架底部進(jìn)行腐蝕，腐蝕深度0. 04mm 0. 06mm，然后磨削，磨削深度0. 065mm 0. 045mm，使相鄰引腳分離； 步驟10 電鍍
采用化學(xué)鍍系統(tǒng)，先電鍍一層8μπι IOym的銅，然后再鍍7μπι 15μπι的純錫；其烘烤設(shè)備和工藝同普通QFN; 步驟11 分離產(chǎn)品
采用雙刀切割機(jī)，將單元型產(chǎn)品分離成單個(gè)產(chǎn)品； 步驟12 產(chǎn)品測試、包裝入庫產(chǎn)品測試、包裝入庫同普通QFN產(chǎn)品。所述步驟9分離引腳采用激光法分離，從激光切口將內(nèi)外引腳的連筋激光切斷， 以分離內(nèi)圈、外圈上的引腳，激光切割深度大于0. Ilmm + 0. 02mm。所述步驟10電鍍，對于激光切割分離引腳間連筋的半成品，電鍍7 μ m 15 μ m的純錫。本發(fā)明的多圈QFN引線框架設(shè)計(jì)，可以比同樣面積的單排引線框架的引腳數(shù)設(shè)計(jì)增加40%以上；雙IC芯片封裝件倒裝上芯，由于凸點(diǎn)與框架直接接觸，其特點(diǎn)是熱傳導(dǎo)距離短，具有較好的熱性能，減小了電路內(nèi)部焊接電感和電容，使信號(hào)傳輸快，失真小，具有良好的電性能，具有良好的高頻性能。另外，倒裝上芯的凸點(diǎn)+助焊劑的高度遠(yuǎn)小于焊線弧高， 因此，封裝產(chǎn)品厚度可以低于0. 5mm，避免了焊線的交絲和開路，提高了測試良率和可靠性。


圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖2為本發(fā)明腐蝕后的剖面示意圖； 圖3為本發(fā)明磨削分離引腳后剖面示意圖； 圖4為激光分離引腳后剖面示意圖； 圖5為本發(fā)明內(nèi)引腳平行排列俯視圖； 圖6為本發(fā)明內(nèi)引腳交錯(cuò)排列俯視圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明
一種多圈排列無載體雙IC芯片封裝件，包括引線框架、內(nèi)引腳、IC芯片及塑封體，引線框架采用無載體引線框架，無載體引線框架的四邊呈數(shù)圈排列有引線框架內(nèi)引腳，包括第一圈內(nèi)引腳8、第二圈內(nèi)引腳9、第三圈內(nèi)引腳16及第四圈內(nèi)引腳18，每圈之間通過中筋g 和邊筋f相連接，同一圈的內(nèi)引腳之間相連接。引線框架四邊a、b、c、d的每邊區(qū)域的內(nèi)引腳平行排列，或者交錯(cuò)排列。IC芯片設(shè)有帶凸點(diǎn)的IC芯片3和不帶凸點(diǎn)的IC芯片7，帶凸點(diǎn)的IC芯片3為倒裝上芯，凸點(diǎn)4粘接在第一圈內(nèi)引腳8上。在帶凸點(diǎn)的IC芯片3背面用粘片膠或膠膜片上粘接不帶凸點(diǎn)的IC芯片7，不帶凸點(diǎn)的IC芯片7上的焊盤與第二圈內(nèi)引腳9之間焊線連接，形成鍵合線11。首先，在帶凸點(diǎn)的IC芯片3印刷上焊料2，接著進(jìn)行帶凸點(diǎn)的IC芯片3倒裝上芯并回流焊，使帶凸點(diǎn)的IC芯片3上的凸點(diǎn)4及焊料2和第一內(nèi)引腳8進(jìn)行充分結(jié)合；其次， 使用下填料將帶凸點(diǎn)的IC芯片3上的凸點(diǎn)4及第一內(nèi)引腳8包裹并烘烤；然后，在帶凸點(diǎn)的IC芯片3背面使用絕緣膠13進(jìn)行不帶凸點(diǎn)的IC芯片7的第二次上芯；接著，使用傳統(tǒng)壓焊工藝，通過鍵合線11將不帶凸點(diǎn)的IC芯片7上的焊點(diǎn)和第二內(nèi)引腳9導(dǎo)通連接；由帶凸點(diǎn)的IC芯片3及凸點(diǎn)4、第一圈內(nèi)引腳8、不帶凸點(diǎn)的IC芯片7、鍵合線11、第二圈內(nèi)引腳9、第三圈內(nèi)引腳16及第四圈內(nèi)引腳18構(gòu)成電路的電源和信號(hào)通道。通過塑封，塑封體12包圍了引線框架載體1、焊料2、帶凸點(diǎn)的IC芯片3、凸點(diǎn)4、絕緣膠13、第一圈內(nèi)引腳 8、第二圈內(nèi)引腳9、、凹坑14、鍵合線11構(gòu)成電路整體，并對帶凸點(diǎn)的IC芯片3和不帶凸點(diǎn)的IC芯片7、鍵合線11起到保護(hù)和支撐作用。然后進(jìn)行后固化、打印。將打印完的產(chǎn)品框架底部進(jìn)行腐蝕和磨削結(jié)合方法或激光切割，達(dá)到分離互相連接引腳的目的。最后通過切割分離產(chǎn)品入盤，測試、編帶完成四邊扁平無引腳多圈排列的產(chǎn)品生產(chǎn)。實(shí)施例1(1)、晶圓減薄
使用8吋 12吋減薄機(jī)，采用粗磨、細(xì)精磨拋光防翹曲工藝，帶凸點(diǎn)芯片的晶圓減薄到250μπι，粗磨速度6ym/s，精磨速度1. 0 μ m/s ；不帶凸點(diǎn)的晶圓減薄為100 μ m，粗磨速度4 μ m/s，精磨速度0. 8 μ m/s，采用防止芯片翹曲工藝；
(2)、劃片
彡8吋的晶圓采用DISC 3350雙刀劃片機(jī)，8吋到12吋晶圓采用A-WD-300TXB劃片機(jī)， 劃片進(jìn)刀速度控制在< lOmm/s ；
(3)、上芯
一次上芯選用無載體框架和帶凸點(diǎn)的IC芯片3，采用倒裝上芯；針對一次倒裝上芯的半成品，進(jìn)行不帶凸點(diǎn)的IC芯片7 二次上芯，采用AD828/^9上芯機(jī)，在第一層帶凸點(diǎn)的 IC芯片3背面先點(diǎn)上粘片膠13QMI538，再將芯片7吸附粘在其上面，第二層上芯的半成品在150°C下烘烤3小時(shí)；
(4)、底部填充&固化
對二次倒裝上芯的半成品，選用熱膨脹系數(shù)低α 1 < 1的絕緣材料，將下填料加熱到 110°C，采用抽真空技術(shù)，將凸點(diǎn)與框架焊盤進(jìn)行底部填充，最后在QFN通用烘箱中將下填料10結(jié)束后的產(chǎn)品烘烤約15分鐘；
(5)、壓焊
對第二層無凸點(diǎn)芯片7進(jìn)行焊線壓焊，與第二圈內(nèi)引腳9之間采用低弧度鍵合方法焊接，弧高控制在IOOym以內(nèi)，形成鍵合線11，所采用弧形是防止塑封沖線；
(6)、塑封
使用自動(dòng)塑封系統(tǒng)和線膨脹系數(shù)α 1 ( 1、吸水率< 0. 25%的低應(yīng)力、低吸水
率環(huán)保塑封，采用本公司的多段注塑模型軟件、QFN防翹曲模型軟件控制的超薄型封裝防翹曲工藝；
(7)、后固化
使用ESPEC烘箱將塑封后的產(chǎn)品進(jìn)行后固化，采用螺旋形QFN防翹曲固化夾具。固化條件溫度為150°C，時(shí)間5小時(shí)；
(8)、打印
同常規(guī)QFN打??；
(9)、分離引腳
采用磨削法分離，先將打印完的半成品引線框架底部進(jìn)行腐蝕，腐蝕深度0. 06mm，然后磨削，磨削深度0. 045mm，使相鄰引腳分離；
(10)、電鍍
采用化學(xué)鍍系統(tǒng)，先化學(xué)鍍一層8 μ m 10 μ m的銅，然后再化學(xué)鍍7 μ m 15 μ m的純錫。其烘烤設(shè)備和工藝同普通QFN;
(11)、分離產(chǎn)品
采用雙刀切割機(jī)，將單元型產(chǎn)品切割分離成單個(gè)產(chǎn)品，在切割分離過程中考慮防膠體裂紋技術(shù)；
本方法切割分離采用切割刀，應(yīng)用防膠體裂紋控制技術(shù)生產(chǎn)，從產(chǎn)品設(shè)計(jì)和生產(chǎn)上共同預(yù)防沖切分離時(shí)造成膠體碎裂的隱患；(12)產(chǎn)品測試、包裝入庫產(chǎn)品測試、包裝入庫同普通QFN產(chǎn)品。實(shí)施例2
(1)、晶圓減薄
使用8吋 12吋減薄機(jī)，采用粗磨、細(xì)精磨拋光防翹曲工藝，帶凸點(diǎn)芯片的晶圓減薄到200 μ m，粗磨速度3μπι/ s，精磨速度0.6ym/s ；不帶凸點(diǎn)的晶圓減薄為100 μ m，粗磨速度2 μ m/s，精磨速度0. 4 μ m/s，采用防止芯片翹曲工藝；
(2)、劃片
同實(shí)施例1 ；
(3)、上芯
同實(shí)施例1 ；
(4)、底部填充&固化
對二次倒裝上芯的半成品，選用熱膨脹系數(shù)低α 1 < 1的絕緣材料，將下填料加熱到 80°C，采用抽真空技術(shù)，將凸點(diǎn)與框架焊盤進(jìn)行底部填充，最后在QFN通用烘箱中將下填料 10結(jié)束后的產(chǎn)品烘烤約30分鐘；
(5)、壓焊
同實(shí)施例1 ；
(6)、塑封
同實(shí)施例1 ；
(7)、后固化同實(shí)施例1 ；
(8)、打印
同實(shí)施例1 ；
(9)、分離引腳
采用磨削法分離，先將打印完的半成品引線框架底部進(jìn)行腐蝕，腐蝕深度0. 04mm，然后磨削，磨削深度0. 065mm，使相鄰引腳分離；
(10)、電鍍同實(shí)施例1 ；
(11)、分離產(chǎn)品同實(shí)施例1 ；
(12)產(chǎn)品測試、包裝入庫同實(shí)施例1。實(shí)施例3
(1)、晶圓減薄
使用8吋 12吋減薄機(jī)，采用粗磨、細(xì)精磨拋光防翹曲工藝，帶凸點(diǎn)芯片的晶圓減薄到200 μ m，粗磨速度3μπι/ s，精磨速度0. 6 μ m/s ；不帶凸點(diǎn)的晶圓減薄為100 μ m，粗磨速度2 μ m/s，精磨速度0. 4 μ m/s，采用防止芯片翹曲工藝；
(2)、劃片
同實(shí)施例1 ；(3)、上芯
一次上芯選用無載體框架和帶凸點(diǎn)的IC芯片3，采用倒裝上芯；二次上芯是在帶凸點(diǎn)的IC芯片3的背面進(jìn)行，使用不帶凸點(diǎn)的IC芯片7和膠膜片6，不帶凸點(diǎn)的IC芯片7劃片前的背面已貼好膠膜片6。采用帶膠膜片粘片功能的上芯機(jī)，根據(jù)使用的膠膜片類型先設(shè)定襯底加熱溫度。將已貼好膠膜片6的IC芯片7晶圓固定在晶圓承片臺(tái)，已回流焊的裝成品引線框架傳遞盒送到上芯機(jī)上料臺(tái)。開啟上料開關(guān)，引線框架傳遞盒被送到設(shè)定位置， 推進(jìn)一條半成品框架到軌道，軌道將半成品框架傳送至上芯片工作臺(tái)加熱，上芯機(jī)吸嘴取1 只IC芯片7自動(dòng)對準(zhǔn)放置于IC芯片3背面的中央，依此方法粘完整條框架上的IC芯片7， 傳送到收料傳遞盒；
(4)、底部填充&固化
對一次倒裝上芯的半成品，選用熱膨脹系數(shù)低α 1 < 1的絕緣材料，將下填料加熱到 80°C，采用抽真空技術(shù)，將凸點(diǎn)與框架焊盤進(jìn)行底部填充，最后在QFN通用烘箱中將下填料 10結(jié)束后的產(chǎn)品烘烤約15分鐘；
(5)、壓焊
同實(shí)施例1 ；
(6)、塑封
同實(shí)施例1 ；
(7)、后固化同實(shí)施例1 ；
(8)、打印
同實(shí)施例1 ；
(9)、分離引腳
激光法分離使用激光方法從切口 15將內(nèi)外引腳的連筋切斷，激光切割深度0. Ilmm, 分離相連的引腳；
(10)、電鍍
直接化學(xué)鍍7 μ m 15 μ m的純錫；
(11)、分離產(chǎn)品同實(shí)施例1 ；
(12)產(chǎn)品測試、包裝入庫同實(shí)施例1。 實(shí)施例4
步驟(1) (9)同實(shí)施例3; (10)分離引腳
激光法分離使用激光方法從切口 15將內(nèi)外引腳的連筋切斷，激光切割深度0. 13mm, 分離相連的引腳；
步驟(11) (13)同實(shí)施例3。
權(quán)利要求
1.一種多圈排列無載體雙IC芯片封裝件，包括引線框架、內(nèi)引腳、IC芯片及塑封體， 引線框架四邊呈數(shù)圈排列有引線框架內(nèi)引腳，其特征在于所述引線框架采用無載體引線框架，所述IC芯片設(shè)有帶凸點(diǎn)的IC芯片(3)和不帶凸點(diǎn)的IC芯片(7)，帶凸點(diǎn)的IC芯片(3) 的凸點(diǎn)(4)設(shè)置在第一圈內(nèi)引腳(8)上，帶凸點(diǎn)的IC芯片(3)背面設(shè)有粘片膠(13)，粘片膠 (13)上粘接不帶凸點(diǎn)的IC芯片(7)，不帶凸點(diǎn)的IC芯片(7)上的焊盤與第二圈內(nèi)引腳(9) 之間焊線連接，形成鍵合線(11 )。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多圈排列無載體雙IC芯片封裝件，其特征在于所述的繞圈排列的內(nèi)引腳包括第一圈內(nèi)引腳(8)、第二圈內(nèi)引腳(9)、第三圈內(nèi)引腳(16)及第四圈內(nèi)引腳 (18)，每圈之間通過中筋(g)和邊筋(f)相連接，同一列的內(nèi)引腳之間相連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多圈排列無載體雙IC芯片封裝件，其特征在于所述引線框架每邊(a、b、c、d)的內(nèi)引腳平行排列。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多圈排列無載體雙IC芯片封裝件，其特征在于所述弓I線框架每邊(a、b、c、d)的內(nèi)引腳交錯(cuò)排列。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多圈排列無載體雙IC芯片封裝件，其特征在于所述的 IC芯片(3)的凸點(diǎn)(4)連接在第一圈內(nèi)引腳(8)上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多圈排列無載體雙IC芯片封裝件，其特征在于所述的IC芯片(3)為倒裝上芯。
7.—種如權(quán)利要求1所述多圈排列無載體雙IC芯片封裝件的生產(chǎn)方法，其工藝步驟如下步驟1:減薄晶圓減薄厚度IOOym 250μπι，其中帶凸點(diǎn)芯片的晶圓厚度為250μπι，粗磨速度 3 μ m/ s 6 μ m/s，精磨速度0. 6 μ m/s 1. 0 μ m/s ；不帶凸點(diǎn)芯片晶圓厚度100 μ m,粗磨速度2 μ m/ s 4 μ m/s ；精磨速度0. 4 μ m/s 0. 8 μ m/s ；步驟2 劃片彡8吋的晶圓采用DISC 3350雙刀劃片機(jī)，8吋到12吋晶圓采用A-WD-300TXB劃片機(jī)， 劃片進(jìn)刀速度控制在< lOmm/s ；步驟3 上芯一次上芯選用無載體框架和帶凸點(diǎn)的IC芯片(3)，采用倒裝上芯；針對一次倒裝上芯的半成品，進(jìn)行不帶凸點(diǎn)的IC芯片(7) 二次上芯，采用AD828/^9上芯機(jī)，在第一層帶凸點(diǎn)的IC芯片(3)背面先點(diǎn)上粘片膠(13)QMI538，再將芯片(7)吸附粘在其上面，第二層上芯的半成品在150°C下烘烤3小時(shí)；步驟4 底部填充&固化對二次倒裝上芯的半成品，選用熱膨脹系數(shù)低α 1 < 1的絕緣材料，將下填料加熱到 80°C 110°C，采用抽真空技術(shù)，將凸點(diǎn)(4)與框架焊盤進(jìn)行底部填充，最后在QFN通用烘箱中將下填料(10)結(jié)束后的產(chǎn)品烘烤約15分鐘 30分鐘；步驟5 壓焊對第二層無凸點(diǎn)芯片(7)進(jìn)行焊線壓焊，與第二圈內(nèi)引腳(9)之間采用低弧度鍵合方法焊接，弧高控制在100 μ m以內(nèi)，形成鍵合線(11 )，所采用弧形是防止塑封沖線的高低弧或反打方法；步驟6 塑封選用吸水率彡0. 25%、應(yīng)力膨脹系數(shù)α 1彡1的低吸濕、低應(yīng)力環(huán)保型塑封； 步驟7:后固化使用ESPEC烘箱將塑封后的產(chǎn)品進(jìn)行后固化，采用QFN防翹曲固化夾具，固化條件溫度為150°C，時(shí)間5小時(shí)； 步驟8 打印同常規(guī)QFN打??； 步驟9:分離引腳磨削法分離先將打印完的產(chǎn)品框架底部進(jìn)行腐蝕，腐蝕深度0. 04mm 0. 06mm，然后磨削，磨削深度0. 065mm 0. 045mm，使相鄰引腳分離； 步驟10 電鍍采用化學(xué)鍍系統(tǒng)，先電鍍一層8μπι IOym的銅，然后再鍍7μπι 15μπι的純錫；其烘烤設(shè)備和工藝同普通QFN; 步驟11 分離產(chǎn)品采用雙刀切割機(jī)，將單元型產(chǎn)品分離成單個(gè)產(chǎn)品； 步驟12 產(chǎn)品測試、包裝入庫產(chǎn)品測試、包裝入庫同普通QFN產(chǎn)品。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述一種多圈排列無載體雙IC芯片封裝件的生產(chǎn)方法，其特征在于所述步驟9分離引腳采用激光法分離，從激光切口(15)將內(nèi)外引腳的連筋激光切斷，以分離每一圈上的引腳，激光切割深度為0. Ilmm 0. 13mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述一種多圈排列無載體雙IC芯片封裝件的生產(chǎn)方法，其特征在于所述步驟10電鍍，對于激光切割分離引腳間連筋的半成品，電鍍7μπι 15μπι的純錫。
全文摘要
多圈排列無載體雙IC芯片封裝件及其生產(chǎn)方法，包括引線框架、內(nèi)引腳、IC芯片及塑封體，引線框架四邊呈數(shù)圈排列有引線框架內(nèi)引腳，設(shè)有帶凸點(diǎn)的IC芯片和不帶凸點(diǎn)的IC芯片，帶凸點(diǎn)的IC芯片的凸點(diǎn)設(shè)置在第一圈內(nèi)引腳上，帶凸點(diǎn)的IC芯片背面設(shè)有粘片膠，粘接不帶凸點(diǎn)的IC芯片，不帶凸點(diǎn)的IC芯片上的焊盤與第二圈內(nèi)引腳之間焊線連接，形成鍵合線。本發(fā)明比同樣面積的單排引線框架的引腳數(shù)設(shè)計(jì)增加40%以上；雙IC芯片封裝件倒裝上芯，熱傳導(dǎo)距離短，具有較好的熱性能，減小了電路內(nèi)部焊接電感和電容，使信號(hào)傳輸快，失真小，具有良好的電性能。倒裝上芯的凸點(diǎn)＋助焊劑的高度遠(yuǎn)小于焊線弧高，避免了焊線的交絲和開路，提高了測試良率和可靠性。
文檔編號(hào)H01L23/495GK102231376SQ201110181830
公開日2011年11月2日 申請日期2011年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月30日
發(fā)明者慕蔚, 朱文輝, 李習(xí)周, 郭小偉 申請人:華天科技(西安)有限公司, 天水華天科技股份有限公司