專利名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，尤其涉及ー種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
目前發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)封裝結(jié)構(gòu)通常包括ー個反射杯結(jié)構(gòu)，所述反射杯常設(shè)于基板的上方，該反射杯的中央設(shè)有ー收容該發(fā)光二極管于其內(nèi)的通孔，該通孔內(nèi)設(shè)有封裝層。然而，這種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，由于制成該反射杯的材料與制成基板的材料之間的附著力通常較小，基板與反射杯之間的結(jié)合不緊密而容易形成縫隙，使得水汽和灰塵等雜質(zhì)容易沿該縫隙進入封裝后的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，從而造成發(fā)光二極管的失效，影響該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的壽命。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供ー種密封性更好的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。ー種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括電極、反射杯、發(fā)光二極管芯片和封裝層。所述反射杯的中央形成一通孔，所述發(fā)光二極管芯片位于該通孔內(nèi)，并與所述電極電性連接。該封裝層填充于通孔內(nèi)而將發(fā)光二極管芯片封裝于其內(nèi)部。該封裝層包括與電極連接的ー結(jié)合部及與結(jié)合部連接的一本體部。該結(jié)合部與電極之間的接觸面積的大小大于該結(jié)合部于任意位置處的橫截面面積的大小。該本體部從與結(jié)合部連接的位置處向遠(yuǎn)離結(jié)合部的方向逐漸增加。ー種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟
提供兩電極，兩電極相互間隔設(shè)置，且相互絕緣，在兩電極上分別形成阻擋結(jié)構(gòu)；在兩電極ー側(cè)形成反射杯，所述反射杯的底端與該阻擋結(jié)構(gòu)連接，所述反射杯與所述電極圍設(shè)形成一容置空間；
去除所述阻擋結(jié)構(gòu)，在所述反射杯底端于設(shè)有所述阻擋結(jié)構(gòu)的部位對應(yīng)形成凹陷部；將發(fā)光二極管芯片設(shè)于所述容置空間中，并將發(fā)光二極管芯片與所述電極電性連接；在容置空間內(nèi)形成一封裝層，覆蓋所述發(fā)光二極管芯片，所述封裝層同時填滿所述凹陷部。上述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法中，所述反射杯底部與所述電極接觸的部分形成有凹陷部，所述封裝層填滿所述凹陷部，采用該制造方法所制造的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的封裝層包括與電極連接的結(jié)合部及與結(jié)合部連接的本體部，該結(jié)合部與電極之間的接觸面積的大小大于該結(jié)合部于任意位置處的橫截面面積的大小，從而增大了封裝層與電極的接觸面積。由于封裝層對金屬的附著力大于反射杯對金屬的附著力，更大的接觸面積使得封裝層與電極之間的密封性能進ー步增強，從而使外界的水汽和雜質(zhì)難以進入到封裝體內(nèi)部，起到有效的防塵、防水的作用。同時封裝層的本體部從與結(jié)合部連接的位置處向遠(yuǎn)離結(jié)合部的方向逐漸增加，使得發(fā)光二極管芯片的光線可順利穿透所述封裝層向外出射。


圖I是本發(fā)明第一實施方式提供的ー種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖2至圖8是本發(fā)明第一實施方式提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法示意圖。圖9是本發(fā)明第二實施方式提供的ー種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖10是本發(fā)明第三實施方式提供的ー種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖11是本發(fā)明第四實施方式提供的ー種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)示意圖。
主要元件符號說明
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括電極、反射杯、發(fā)光二極管芯片和封裝層，所述反射杯的中央形成一通孔，所述發(fā)光二極管芯片位于該通孔內(nèi)，并與所述電極電性連接，該封裝層填充于通孔內(nèi)而將發(fā)光二極管芯片封裝于其內(nèi)部，其特征在于，該封裝層包括與電極連接的一結(jié)合部及與結(jié)合部連接的一本體部，結(jié)合部具有一個與電極接觸的接觸面，該結(jié)合部與電極之間的接觸面積的大小大于該結(jié)合部任意與接觸面平行的橫截面的面積大小，該本體部從與結(jié)合部連接的位置處向遠(yuǎn)離結(jié)合部的方向逐漸增加。
2.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述結(jié)合部的尺寸從靠近電極的方向從下往上逐漸減小。
3.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述通孔包括靠近電極的第一部分及遠(yuǎn)離電極的第二部分，該第一部分的尺寸從靠近電極的方向從下往上逐漸減小，該第二部分的尺寸從第一部分的頂端向遠(yuǎn)離電極的方向從下往上逐漸增加。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一部分的深度小于第二部分的深度。
5.如權(quán)利要求I至4任一項所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于還包括一基板，所述反射杯與基板分別位于電極的相對兩側(cè)，該基板上設(shè)有一絕緣部，所述電極的數(shù)量為兩個，每一電極呈薄片狀，分別位于絕緣部的相對兩側(cè)。
6.如權(quán)利要求I至4任一項所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于還包括一基板，所述反射杯與基板分別位于電極的相對兩側(cè)，該基板上設(shè)有一絕緣部，所述電極的數(shù)量為兩個，每一電極呈U形，分別位于絕緣部的相對兩側(cè)。
7.如權(quán)利要求I至4任一項所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述電極的數(shù)量為兩個，每一電極分別呈平板狀，兩電極之間通過一絕緣部連接。
8.如權(quán)利要求7項所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述絕緣部靠近封裝部的一端的相對兩側(cè)與電極接觸的部分之間形成有凹陷部，所述封裝層同時填滿所述凹陷部。
9.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟 提供兩電極，兩電極相互間隔設(shè)置，且相互絕緣，在兩電極上分別形成阻擋結(jié)構(gòu)； 在兩電極一側(cè)形成反射杯，所述反射杯的底端與該阻擋結(jié)構(gòu)連接，所述反射杯與所述電極圍設(shè)形成一容置空間； 去除所述阻擋結(jié)構(gòu)，在所述反射杯底端于設(shè)有所述阻擋結(jié)構(gòu)的部位對應(yīng)形成凹陷部； 將發(fā)光二極管芯片設(shè)于所述容置空間中，并將發(fā)光二極管芯片與所述電極電性連接； 在容置空間內(nèi)形成一封裝層，覆蓋所述發(fā)光二極管芯片，所述封裝層同時填滿所述凹陷部。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于采用化學(xué)蝕刻的方法去除所述阻擋結(jié)構(gòu)。
全文摘要
一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括電極、反射杯、發(fā)光二極管芯片和封裝層。所述反射杯的中央形成一通孔，所述發(fā)光二極管芯片位于該通孔內(nèi)，并與所述電極電性連接。該封裝層填充于通孔內(nèi)而將發(fā)光二極管芯片封裝于其內(nèi)部。該封裝層包括與電極連接的一結(jié)合部及與結(jié)合部連接的一本體部。該結(jié)合部與電極之間的接觸面積的大小大于該結(jié)合部于任意位置處的橫截面面積的大小。該本體部從與結(jié)合部連接的位置處向遠(yuǎn)離結(jié)合部的方向逐漸增加。本發(fā)明還涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。
文檔編號H01L33/48GK102856468SQ20111018176
公開日2013年1月2日 申請日期2011年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月30日
發(fā)明者陳濱全, 林新強 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司