專利名稱：使用高透明電極改善擷取的離子束的品質(zhì)的技術(shù)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造裝置，且特別是涉及一種使用高透明電極改善擷取的離子束的品質(zhì)的技術(shù)。
背景技術(shù)：
離子植入(ion implantation)是一種利用高能化離子來直接轟擊 (bombardment)基板來將化學(xué)物種沉積到基板的制程。在半導(dǎo)體制造中，離子植入機(jī)主要被用于改變目標(biāo)材料的導(dǎo)電類型與導(dǎo)電程度的摻雜制程中。集成電路基板以及其薄膜組態(tài)中的精確摻雜輪廓(doping profile)通常對(duì)于集成電路(integrated circuit, IC)效能而言是很重要的。為了獲得理想的摻雜輪廓，一個(gè)或者多個(gè)離子物種能夠以不同的能量位準(zhǔn)以及不同的劑量(dose)被植入。圖1顯示已知的離子植入系統(tǒng)100。離子植入機(jī)100包括電源101、離子源 102、擷取電極 104、90° 磁鐵分析器(magnet analyzer) 106、第一減速(Dl)級(jí)(first deceleration (Dl) stage) 108、70° 磁鐵分析器 110 以及第二減速(D2)級(jí) 112。Dl 以及 D2 減速級(jí)(亦稱為“減速透鏡(deceleration lens)”)中的每一個(gè)都由多個(gè)具有已定義的孔徑(aperture)的電極組成，以允許離子束10通過。藉由對(duì)多個(gè)電極施加不同組合的電壓電位，Dl以及D2減速透鏡可調(diào)節(jié)離子能量，以及使離子束10以理想的能量撞擊目標(biāo)工件 114。多個(gè)測(cè)量元件116(例如，劑量控制法拉第杯(dose control Faraday cup)、移動(dòng)法拉第杯(traveling Faraday cup)或者組態(tài)法拉第杯(setup Faraday cup))可以被用于監(jiān)視以及控制離子束情況。離子源102及擷取電極104為離子植入機(jī)系統(tǒng)100的關(guān)鍵組件。需要離子源102 及擷取電極104以產(chǎn)生各種不同的離子物種及擷取電壓(extraction voltage)的穩(wěn)定及可靠的離子束10。圖2顯示已知的離子源及擷取電極組態(tài)200。請(qǐng)參照?qǐng)D2，其為已知的離子源及擷取電極組態(tài)200的示意圖，離子源102位于外殼201內(nèi)。離子源102具有面板203，面板203 具有孔徑，且擷取電極104可經(jīng)由孔徑擷取來自離子源102的等離子中的離子。擷取電極 104包括抑制電極205及接地電極207。如圖2所顯示，抑制電極205及接地電極207通常為具有不同狹縫尺寸的雙狹縫，其中大狹縫用于高能量植入應(yīng)用(諸如> 20keV)，以及小狹縫用于低能量植入應(yīng)用(諸如< 20keV)。值得注意的是圖2中的箭頭是用來表示真空泵取方向。如箭頭所示的真空泵取必須提供足夠低的壓力位準(zhǔn)，以穩(wěn)定抑制電極205及接地電極207之間的束線-擷取操作，以進(jìn)行離子束擷取。圖3A至圖;3B顯示已知的接地電極207。圖3A顯示已知的接地電極207的三維示意圖300A。在此實(shí)例中，接地電極207為雙狹縫，具有第一狹縫309a與第二狹縫309b。圖 :3B顯示已知的接地電極207的剖面示意圖300B。接地電極207具有總高度H，總高度H包括基底高度b與狹縫高度a。接地電極207亦具有基底角α與狹縫角β。在已知的接地電極207中，基底高度b大于狹縫高度a且基底對(duì)狹縫的高度的比值以b/a表示且b/a > 1。已知的離子植入所存在的問題在于當(dāng)來自于離子源102的擷取電流增加時(shí)，會(huì)在目標(biāo)工件114處觀察到非期望的離子束形狀。這樣的非期望的離子束形狀可能會(huì)提供“離子束擺動(dòng)(beam wiggles) ”，而降低離子束10中的均勻度(uniformity)。即使此問題可能與離子源102內(nèi)部的等離子不穩(wěn)性(plasma instability)和/或等離子振蕩(plasma oscillation)相關(guān)，但擷取電極104在此問題中可能也扮演了重要的角色及可能惡化上述問題。舉例來說，擷取電極104的機(jī)械缺陷(mechanical imperfections)及高背景壓力 (background pressure)可能會(huì)大幅地增加“離子束擺動(dòng)”及降低離子束的品質(zhì)。圖4顯示擷取的離子束輪廓的示意圖400。在此實(shí)例中，顯示了擺動(dòng)形 (wiggle-shaped)擷取的離子束輪廓410。虛線所顯示的是理想的擷取的離子束輪廓420。 即使擺動(dòng)形擷取的離子束輪廓410與理想的擷取的離子束輪廓420具有相似的輪廓，但理想的離子束輪廓420具有平滑的輪廓，此平滑輪廓可以傳送至目標(biāo)處并在目標(biāo)處調(diào)整為高品質(zhì)離子束。如上所述，擷取電極104所產(chǎn)生和/或增加的“離子束擺動(dòng)”可能在目標(biāo)工件114 處導(dǎo)致離子束均勻度的降低及較差的離子束10品質(zhì)。為了改善離子束的品質(zhì)，必須降低擷取的離子束輪廓410中的“離子束擺動(dòng)”，以形成與理想的擷取的離子束輪廓420較為相近的離子束輪廓。然而，已知的系統(tǒng)與方法無法提供合適的解決方法來降低擷取的離子束輪廓中的“離子束擺動(dòng)”。鑒于上述，可以理解現(xiàn)有的離子束擷取技術(shù)仍有嚴(yán)重的問題及缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
揭示一種使用高透明電極改善擷取的離子束的品質(zhì)的技術(shù)。在一特定的示例實(shí)施例中，技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)為一種用于離子植入的裝置。裝置可包括用以產(chǎn)生離子束的離子源，離子源包括具有孔徑的面板，且離子束行進(jìn)通過所述孔徑。裝置亦可包括擷取電極組，擷取電極組包括至少一抑制電極與一高透明接地電極，其中擷取電極組可經(jīng)由面板從離子源擷取離子束，以及其中高透明接地電極可經(jīng)組態(tài)以最佳化抑制電極與高透明接地電極之間的氣體傳導(dǎo)，以改善擷取的離子束的品質(zhì)。根據(jù)此示例實(shí)施例的其他方面，高透明接地電極可經(jīng)組態(tài)成具有總高度H、一或多個(gè)狹縫部、基底角θ以及狹縫角δ，其中總高度包括基底高度y以及狹縫高度χ，使得基底高度y小于狹縫高度X，且基底對(duì)狹縫的高度的比值y/χ等于或小于1。根據(jù)此示例實(shí)施例的其他方面，基底角θ可為20°。根據(jù)此示例實(shí)施例的其他方面，基底角θ可大于20°，例如是40°。根據(jù)此示例實(shí)施例的其他方面，高透明接地電極可以是單狹縫高透明接地電極或雙狹縫高透明接地電極。根據(jù)此示例實(shí)施例的其他方面，離子源可以裝設(shè)在具有錐形組態(tài)的外殼中。根據(jù)此示例實(shí)施例的其他方面，面板可為凸出型面板。根據(jù)此示例實(shí)施例的其他方面，抑制電極可為凸出型抑制電極。根據(jù)此示例實(shí)施例的其他方面，高透明接地電極可還包括一或多個(gè)固著部，固著部定位于高透明接地電極的一或多個(gè)擷取狹縫附近，以界定出位于高透明接地電極內(nèi)的穩(wěn)定等離子邊界。在另一特定的示例實(shí)施例中，技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)為一種用以改善離子束的品質(zhì)的方法。此方法可包括提供離子源，離子源包括用以產(chǎn)生離子束的等離子產(chǎn)生器以及具有孔徑的面板，其中離子束行進(jìn)通過所述孔徑。此方法亦可包括提供擷取電極組，擷取電極組包括至少一抑制電極與一高透明接地電極，其中擷取電極組可經(jīng)由面板從離子源擷取離子束， 以及其中高透明接地電極可經(jīng)組態(tài)以最佳化抑制電極與高透明接地電極之間的氣體傳導(dǎo)， 以改善離子束的品質(zhì)。現(xiàn)將參考如附圖中所示的本發(fā)明的示例實(shí)施例來更詳細(xì)地描述本發(fā)明。雖然下文參考示例實(shí)施例來描述本發(fā)明，但應(yīng)理解，本發(fā)明不限于此?？梢岳斫獗疚牡慕淌镜谋绢I(lǐng)域技術(shù)人員將了解在本文所述的本發(fā)明的范疇內(nèi)的額外實(shí)施方式、修改及實(shí)施例以及其他使用領(lǐng)域，且相對(duì)于此，本發(fā)明可具有顯著效用。


為了便于更全面地理解本發(fā)明，參照附圖，其中相似元件由相似的標(biāo)號(hào)表示。這些附圖不應(yīng)解釋為限制本發(fā)明，僅是示范性的。圖1顯示已知的離子植入系統(tǒng)。圖2顯示已知的離子源及擷取電極組態(tài)。圖3A至圖;3B顯示已知的接地電極。圖4顯示擺動(dòng)形擷取的離子束輪廓及理想的擷取的離子束輪廓的示意圖。圖5顯示根據(jù)本發(fā)明的一例示實(shí)施例的離子源及擷取電極組態(tài)。圖6A與圖6B顯示根據(jù)本發(fā)明的一例示實(shí)施例的雙狹縫高透明接地電極的示意圖。圖7顯示根據(jù)本發(fā)明的另一例示實(shí)施例的離子源及擷取電極組態(tài)。圖8顯示根據(jù)本發(fā)明的另一例示實(shí)施例的離子源及擷取電極組態(tài)的示意圖。圖9顯示根據(jù)本發(fā)明的另一例示實(shí)施例的離子源及擷取電極組態(tài)，其具有使用固著的高透明接地電極。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的實(shí)施例是使用高透明電極來改善擷取的離子束的品質(zhì)。更特定的，離子源及擷取電極的各種幾何圖案和/或組態(tài)可以提供改善的真空特性，以降低擷取的離子束輪廓中的“離子束擺動(dòng)”及改善整體離子束的品質(zhì)。圖5顯示根據(jù)本發(fā)明的一例示實(shí)施例的離子源及擷取電極組態(tài)500。請(qǐng)參照?qǐng)D5， 其顯示離子源及擷取電極組態(tài)500的示意圖，離子源502可提供于外殼501內(nèi)。離子源502 可具有包括孔徑的面板503，其中擷取電極504可經(jīng)由孔徑而從離子源502內(nèi)的等離子擷取離子。擷取電極504可包括至少一抑制電極505與一接地電極507。在一些實(shí)施例中，如圖5所示，抑制電極505及接地電極507可以具有雙狹縫。在此實(shí)例中，可以理解的是一狹縫可用于高能量離子束應(yīng)用(例如> 20keV)，以及另一狹縫可用于低能量離子束應(yīng)用(例如<20keV)。然而，不同于上述的已知的接地電極207，圖5的接地電極507可以是高透明接地電極507，其具有能最佳化擷取區(qū)域(例如抑制電極 505與接地電極507之間的區(qū)域)的氣體傳導(dǎo)的幾何形狀?？梢岳斫?，圖5中所示的大箭頭是表示真空泵取方向。如大箭頭所示，使用高透明接地電極507可以在朝渦輪泵(turbo pump，未顯示)的方向(垂直)上及朝磁鐵分析器(未顯示)的方向(水平)上在擷取區(qū)域(例如由于大的開放面積)中提供經(jīng)改善的氣體傳導(dǎo)。圖6A與圖6B顯示根據(jù)本發(fā)明的一例示實(shí)施例的高透明接地電極507的示意圖。舉例來說，圖6A顯示根據(jù)本發(fā)明的一例示實(shí)施例的高透明接地電極507的三維示意圖600A。圖6A的高透明接地電極507可以是雙狹縫高透明接地電極507，其具有第一狹縫 609a及第二狹縫609b。然而，不同于上述的已知的接地電極207，圖6A與圖6B的雙狹縫高透明接地電極 507可以具有能夠在擷取區(qū)域中提供經(jīng)改善的氣體傳導(dǎo)的尺寸，其中擷取區(qū)域特別是指抑制電極505及雙狹縫高透明接地電極507之間。特定的，雙狹縫高透明接地電極507可以具有實(shí)質(zhì)上較小的基底部。圖6B顯示雙狹縫高透明接地電極507的剖面示意圖600B。在此實(shí)例中，雙狹縫高透明接地電極507可以具有總高度L，其包括基底高度y及狹縫高度χ。 雙狹縫高透明接地電極507也可以具有基底角θ及狹縫角δ。在一些實(shí)施例中，基底角θ 可以是20°?？梢岳斫獾氖?，基底高度y可以是小于狹縫高度χ。因此，基底對(duì)狹縫的高度的比值可以y/x表示且y/x< 1。亦可以理解的是，在一些實(shí)施例中，狹縫角δ可以更小。上述的雙狹縫高透明接地電極507具有能夠提供經(jīng)改善的氣體傳導(dǎo)的幾何形狀。 具體而言，接地電極507的總體積可以是縮減的，因此能對(duì)有效的真空泵取提供較大的空間，以改善氣體傳導(dǎo)。此外，可以在現(xiàn)有系統(tǒng)中使用雙狹縫高透明接地電極507，而無需額外變化和/或改變。因此，使用雙狹縫高透明接地電極507可以提供一種具成本效益而能最佳化氣體傳導(dǎo)及改善擷取的離子束的品質(zhì)的方法。圖7顯示根據(jù)本發(fā)明的另一例示實(shí)施例的離子源及擷取電極組態(tài)700。與圖5相似，圖7顯示離子源及擷取電極組態(tài)700的示意圖。此處，離子源702可以是提供于外殼 701中。離子源702亦可以具有面板703，面板703具有孔徑，其中擷取電極704可以經(jīng)由孔徑自離子源702中的等離子擷取離子。擷取電極704可以包括抑制電極705及高透明接地電極707。然而，與圖5不同的是，圖7的抑制電極705及高透明接地電極707可以具有單狹縫。與上述的理由相似，此幾何組態(tài)可以最佳化擷取區(qū)域中的氣體傳導(dǎo)?？梢岳斫猓瑘D7中所示的大箭頭是表示泵取方向。如大箭頭所示，使用單狹縫高透明接地電極707可以在朝渦輪泵(turbo pump，未顯示)的方向(垂直)上及朝磁鐵分析器 (未顯示)的方向(水平)上在擷取區(qū)域(例如抑制電極705及雙狹縫高透明接地電極 507之間)中提供經(jīng)改善的氣體傳導(dǎo)。與圖5相似，高透明接地電極707的總體積在單狹縫組態(tài)中可以是縮減的，且因而對(duì)真空泵取提供較大的空間及提供經(jīng)改善的離子束輪廓。亦可提供多種其他的幾何組態(tài)。舉例來說，圖8顯示根據(jù)本發(fā)明的另一例示實(shí)施例的離子源及擷取電極組態(tài)800。與圖7相似，圖8顯示離子源及擷取電極組態(tài)800的示意圖。在此實(shí)例中，離子源802可以是提供于外殼801中。離子源802亦可以具有面板803， 面板803具有孔徑，其中擷取電極804可以經(jīng)由孔徑自離子源802中的等離子擷取離子。擷取電極804可以包括抑制電極805及接地電極807，其可以具有單狹縫。
然而，與圖7不同的是，圖8的外殼801、面板803、抑制電極805以及接地電極807 可以分別具有不同的幾何圖形和/或組態(tài)。舉例來說，外殼801可以具有錐形組態(tài)(例如 錐形的禮帽(tapered top hat)組態(tài)，以及面板803、抑制電極805以及接地電極807的每一者可以具有凸出型組態(tài)。與上述的原因相似，這些各式各樣的幾何組態(tài)可以個(gè)別或一起最佳化氣體傳導(dǎo)及改善擷取的離子束輪廓。相較于已知組態(tài)(例如非錐形組態(tài))，錐形的外殼801可以改善面板803與抑制電極805之間的氣體傳導(dǎo)。錐形的形狀可以對(duì)氣體傳導(dǎo)提供較大的空間，以及可以因而對(duì)經(jīng)改善的擷取的離子束的品質(zhì)提供較低的氣體壓力。凸出型面板803亦可以改善面板803 與抑制電極805之間的氣體傳導(dǎo)。根據(jù)本發(fā)明的一例示實(shí)施例，可以提供凸出型離子源面板803。在此實(shí)例中，相較于已知的平面組態(tài)，凸出型面板803可以是傾斜的，使得凸出型面板803的擷取孔徑可以向擷取電極“突出”?？梢岳斫獾氖?，凸出型面板803的束線光學(xué)(beam optics)仍與已知面板的束線光學(xué)相同或相似，但凸出型面板803的形狀可以提供經(jīng)改善的幾何圖案。最終，凸出形狀可以對(duì)經(jīng)改善的氣體傳導(dǎo)提供較大的空間，以及可以因而對(duì)經(jīng)改善的擷取的離子束的品質(zhì)提供較低的氣體壓力。請(qǐng)參照?qǐng)D8，凸出型擷取電極804亦可以改善面板803與抑制電極805之間的氣體傳導(dǎo)。舉例來說，凸出型抑制電極805可以進(jìn)一步向面板803延伸，以改善面板803及抑制電極805之間區(qū)域的氣體傳導(dǎo)。此外，在此組態(tài)中，高透明接地電極807可以是凸出且擴(kuò)大(widen)以改善氣體傳導(dǎo)。舉例來說，在圖8中，高透明接地電極807亦可以具有較大的基底角Θ’。在一些實(shí)施例中，較大的基底角θ ’可以是前述的實(shí)施例的基底角θ的兩倍。舉例來說，在一實(shí)施例中，基底角θ ’可以是40°。亦可提供其他實(shí)施例。藉由使用凸出且擴(kuò)大的高透明接地電極807，可以改善抑制電極805及接地電極 807之間區(qū)域中的氣體傳導(dǎo)。可以理解的是，亦可改善朝磁鐵分析器(未顯示)的(水平) 方向的氣體傳導(dǎo)?？梢岳斫獾氖?，亦可在高透明接地電極807處提供固著，以改變擷取區(qū)域(例如 抑制電極805與高透明接地電極807之間)中的壓力分布(pressure distribution)。舉例來說，圖9顯示根據(jù)本發(fā)明的另一例示實(shí)施例的離子源及擷取電極組態(tài)900，其具有使用固著909的高透明接地電極907。在一些實(shí)施例中，使用固著909的高透明接地電極907可以更佳地定義出位于接地電極907的擷取狹縫內(nèi)的穩(wěn)定等離子邊界。在其他實(shí)施例中，使用固著909的高透明接地電極907可以在擷取的離子束路徑的下游區(qū)域中提供壓力梯度。 這樣可以在抑制電極905與高透明接地電極907之間提供增加的壓力，以及可以降低高透明接地電極907內(nèi)以及更下游區(qū)域的壓力。在本發(fā)明的實(shí)施例中，藉由最佳化離子源及擷取電極處的氣體傳導(dǎo)可以提供經(jīng)改善的擷取的離子束的品質(zhì)。這些技術(shù)可以單獨(dú)或共同降低擷取的離子束輪廓的“離子束擺動(dòng)”。如此一來，可以對(duì)離子束的形狀提供想要的修正。具體而言，可以達(dá)到較佳的離子束均勻度(uniformity)、可靠度(reliability)以及可預(yù)測(cè)性(predictability)，并可有效地改善離子植入制程。
可以理解的是，雖然已描述一些特定的幾何形狀(例如凸出形、尺寸、角度的改變及比值的改變等)，但亦可提供其他的幾何組態(tài)，以改善氣體傳導(dǎo)及改善離子束的品質(zhì)?？梢岳斫獾氖?，雖然已描述且敘述本發(fā)明的實(shí)施例具有特定的形狀、剖面形狀、數(shù)目、角度以及尺寸，但其他形狀、剖面形狀、數(shù)目、角度以及尺寸也是有可能的。亦可以理解的是，雖然本發(fā)明的實(shí)施例是以具有單狹縫或雙狹縫的高透明電極組態(tài)為例，但亦可提供其他組態(tài)。舉例來說，亦可提供具有較少或較多狹縫的高透明電極組態(tài) (例如具有單個(gè)、多個(gè)或分段電極的組態(tài))。亦可以理解的是，在上述實(shí)施例中的幾何組態(tài)的操作不應(yīng)限制為離子源及擷取電極組態(tài)。舉例來說，上述的各種技術(shù)與幾何組態(tài)亦可應(yīng)用于其他離子植入組件。亦可以理解的是，雖然本發(fā)明的實(shí)施例是以改善氣體傳導(dǎo)及擷取的離子束的品質(zhì)為例，但亦可提供其他用途。舉例來說，使用各種幾何構(gòu)形的離子源及擷取電極組態(tài)的技術(shù)亦可以應(yīng)用于其他種離子植入系統(tǒng)，此離子植入系統(tǒng)使用電和/或磁轉(zhuǎn)向(magnetic deflection)或任何其他束線準(zhǔn)直系統(tǒng)。以可提供其他各種實(shí)施例。本發(fā)明的范疇不受本文所描述的特定實(shí)施例限制。事實(shí)上，自前文描述及附圖，本領(lǐng)域技術(shù)人員將明白本文所述的實(shí)施例以外的其他各種實(shí)施例及對(duì)本發(fā)明的修改。因此， 這些其他實(shí)施例及修改意欲屬于本發(fā)明的范疇內(nèi)。此外，盡管本文已出于特定目的而在特定環(huán)境中的特定實(shí)施方案的上下文中描述本發(fā)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到其可用性不僅于此，且本發(fā)明可出于任何數(shù)目的目的而在任何數(shù)目的環(huán)境下有益地實(shí)施。因此，應(yīng)依據(jù)如本文所述的本發(fā)明的全面性及精神來解釋下文所陳述的申請(qǐng)專利范圍。
權(quán)利要求
1.一種裝置，用以改善離子束的品質(zhì)，包括離子源，用以產(chǎn)生離子束，所述離子源包括具有孔徑的面板，其中所述離子束行進(jìn)通過所述孔徑；以及擷取電極組，包括至少一抑制電極與一高透明接地電極，其中所述擷取電極組經(jīng)由所述面板從所述離子源擷取所述離子束，以及其中所述高透明接地電極經(jīng)組態(tài)以最佳化所述抑制電極與所述高透明接地電極之間的氣體傳導(dǎo)，以改善擷取的離子束的品質(zhì)。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述高透明接地電極經(jīng)組態(tài)成具有總高度H、一或多個(gè)狹縫部、基底角θ以及狹縫角δ，其中所述總高度包括基底高度y以及狹縫高度X，使得所述基底高度y小于所述狹縫高度X，且基底對(duì)狹縫的高度的比值y/χ等于或小于1。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述基底角θ為20°。
4.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述基底角θ大于20°。
5.如權(quán)利要求4所述的裝置，其中所述基底角θ為40°。
6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述高透明接地電極為單狹縫高透明接地電極或雙狹縫高透明接地電極。
7.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述離子源裝設(shè)在具有錐形組態(tài)的外殼中。
8.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述面板為凸出型面板。
9.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述抑制電極為凸出型抑制電極。
10.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述高透明接地電極還包括一或多個(gè)固著部，所述固著部定位于所述高透明接地電極的一或多個(gè)擷取狹縫附近，以界定出位于所述高透明接地電極內(nèi)的穩(wěn)定等離子邊界。
11.一種方法，用以改善離子束的品質(zhì)，包括提供離子源，所述離子源包括用以產(chǎn)生離子束的等離子產(chǎn)生器以及具有孔徑的面板， 其中所述離子束行進(jìn)通過所述孔徑；以及提供擷取電極組，所述擷取電極組包括至少一抑制電極與一高透明接地電極，其中所述擷取電極組經(jīng)由所述面板從所述離子源擷取所述離子束，以及其中所述高透明接地電極經(jīng)組態(tài)以最佳化所述抑制電極與所述高透明接地電極之間的氣體傳導(dǎo)，以改善離子束的品質(zhì)。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述高透明接地電極經(jīng)組態(tài)成具有總高度H、一或多個(gè)狹縫部、基底角θ以及狹縫角δ，其中所述總高度包括基底高度y以及狹縫高度χ，使得所述基底高度y小于所述狹縫高度χ，且基底對(duì)狹縫的高度的比值y/x等于或小于1。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述基底角θ為20°。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述基底角θ大于20°。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述基底角θ為40°。
16.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述高透明接地電極為單狹縫高透明接地電極或雙狹縫高透明接地電極。
17.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述離子源裝設(shè)在具有錐形組態(tài)的外殼中。
18.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述面板為凸出型面板。
19.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述抑制電極為凸出型抑制電極。
20.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述高透明接地電極還包括一或多個(gè)固著部，所述固著部定位于所述高透明接地電極的一或多個(gè)擷取狹縫附近，以界定出位于所述高透明接地電極內(nèi)的穩(wěn)定等離子邊界。
全文摘要
揭示一種使用高透明電極改善擷取的離子束的品質(zhì)的技術(shù)。在一特定的示例實(shí)施例中，技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)為一種用于離子植入的裝置。裝置可包括用以產(chǎn)生離子束的離子源，離子源包括具有孔徑的面板，且離子束行進(jìn)通過所述孔徑。裝置亦可包括擷取電極組，擷取電極組包括至少一抑制電極與一高透明接地電極，其中擷取電極組可經(jīng)由面板從離子源擷取離子束，以及其中高透明接地電極可經(jīng)組態(tài)以最佳化抑制電極與高透明接地電極之間的氣體傳導(dǎo)，以改善擷取的離子束的品質(zhì)。
文檔編號(hào)H01L21/265GK102301453SQ201080005824
公開日2011年12月28日 申請(qǐng)日期2010年2月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月12日
發(fā)明者具本雄, 史蒂芬·C·鮑里雪柏史凱, 史費(fèi)特那·瑞都凡諾史費(fèi)特那, 奎格·R·錢尼, 威爾漢·P·普拉托, 捷葛泰普·玫爾, 杰弗里·D·里斯查爾, 沙杜·佩特爾, 法蘭克·辛克萊, 維克多·M·本夫尼斯特, 肯尼夫·H·普許爾, 艾利克·R·科步, 詹姆士·S·貝福 申請(qǐng)人:瓦里安半導(dǎo)體設(shè)備公司