專利名稱：包含形成圖案的結(jié)構(gòu)區(qū)域的化學(xué)機械平坦化墊的制作方法
包含形成圖案的結(jié)構(gòu)區(qū)域的化學(xué)機械平坦化墊相關(guān)申請的引用本申請要求在2009年1月27日申請的第61/147，551號美國臨時申請的申請日的權(quán)益，其公開內(nèi)容并入本文作為參考文獻。領(lǐng)域本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體晶片和諸如裸露基底硅晶片、CRT、平板顯示屏和光學(xué)玻璃的其它表面的化學(xué)機械平坦化(Chemical-Mechanical Planarization, CMP)中使用的拋光墊。特別地，CMP墊可包含一個或多個區(qū)域，所述區(qū)域具有不同的性能，包括不同程度的硬度。背景可將化學(xué)機械平坦化理解為依靠拋光晶片或其它基底以實現(xiàn)相對高度的平面化的方法。在壓力下和/或使用在化學(xué)機械拋光(CMP)墊和晶片之間應(yīng)用的連續(xù)或間歇流動的含有漿液(slurry)的研磨劑(abrasive)的情況下，彼此緊密接近的化學(xué)機械拋光 (CMP)墊和晶片相對移動。具有包含相對硬的研磨劑(通常為金剛石)顆粒的表面的調(diào)節(jié)器(conditioner)盤可用于研磨墊表面以為了拋光一致而維持相同墊表面粗糙度。在半導(dǎo)體晶片拋光中，大規(guī)模集成電路(VLSI)和超大規(guī)模集成電路(ULSI)的出現(xiàn)使得能夠在半導(dǎo)體基底的相對小的區(qū)域中集成更多設(shè)備，迫使需要對于更高分辨率的平版印刷的更大程度的平面化以實現(xiàn)密集集成。此外，由于相對低的電阻和/或其它性能，作為連接線的銅和其它相對軟的金屬、金屬合金或陶瓷的使用逐漸增加，因此CMP墊相對高平面化的拋光同時不導(dǎo)致刮擦(scratching)缺陷的能力對于生產(chǎn)高級的半導(dǎo)體變得關(guān)鍵。相對高平面化的拋光可能需要相對硬和/或剛性的墊表面以降低被拋光的基底表面的局部柔量 (complicance)。然而，相對硬和/或剛性的墊表面還可能傾向于在相同基底表面上產(chǎn)生刮擦缺陷從而降低被拋光的基底的產(chǎn)率。概述本發(fā)明一個方面涉及化學(xué)機械拋光墊。墊可包含第一區(qū)域和連續(xù)的第二區(qū)域。第一區(qū)域可包含在連續(xù)的第二區(qū)域內(nèi)規(guī)則間隔的分立元件。在一個實例中，第一區(qū)域的第一硬度為H1且所述第二區(qū)域的第二硬度為H2，其中H1 > H2。本發(fā)明的另一方面涉及形成化學(xué)機械拋光墊的方法。所述方法可包括在所述墊的連續(xù)的第二區(qū)域內(nèi)形成用于第一區(qū)域的多個開口，其中所述開口可在第二區(qū)域內(nèi)規(guī)則間隔。所述方法還可包括在連續(xù)的第二區(qū)域中的多個開口內(nèi)形成所述第一區(qū)域。本發(fā)明的另一方面涉及使用化學(xué)機械拋光墊的方法。所述方法可包括使用拋光漿液和化學(xué)機械拋光墊對基底進行拋光。所述化學(xué)機械平坦化墊可包含第一區(qū)域和連續(xù)的第二區(qū)域，其中所述第一區(qū)域可包含在所述連續(xù)的第二區(qū)域內(nèi)規(guī)則間隔的分立元件。附圖簡述通過參考對本文描述的實施方案的下列描述結(jié)合其中的附圖可更清楚和更好地理解本發(fā)明的上述和其它特征以及獲得它們的方式

圖1例示了 CMP墊的實例；
圖2例示了 CMP墊的實例的另一變型；圖3例示了 CMP墊的另一變型；圖4例示了用于形成CMP墊的沖切(die cut)織物的實例；以及圖5例示了使用本文描述的CMP墊的方法的實例。詳述本發(fā)明涉及可至少部分或基本上滿足或超過各種CMP性能要求的化學(xué)機械平坦化(CMP)墊。此外，本發(fā)明涉及可特別用于半導(dǎo)體晶片基底的化學(xué)機械平坦化(CMP)的拋光墊的產(chǎn)品設(shè)計、制造和使用方法，其中相對高度的平面化和低刮擦缺陷率可能對于制造半導(dǎo)體晶片特別關(guān)鍵。此外，本發(fā)明涉及化學(xué)機械平坦化墊，其特征為在相同墊內(nèi)包含兩個或多個具有不同組合物、結(jié)構(gòu)和/或性質(zhì)的部分或區(qū)域。各個區(qū)域可設(shè)計為至少部分滿足CMP的一種或多種要求。此外，至少一個區(qū)域可包含以選定的規(guī)則重復(fù)類型的幾何圖案形式的分立元件，例如連續(xù)區(qū)域中規(guī)則重復(fù)的分立區(qū)域，其中分立區(qū)域可采用正方形、長方形、圓形、六邊形、橢圓形、四面體形等形狀。可通過沖切(die-cutting)纖維基底并使用選定的聚合樹脂填充沖切區(qū)域的方法在墊中形成這種分立區(qū)域。聚合樹脂還可能滲透進入非沖切區(qū)域，需要指出的是，其最終結(jié)果為在選定的纖維區(qū)域中聚合樹脂區(qū)域的重復(fù)圖案，由此使給定的拋光操作最優(yōu)化。在在本文中一些實例中，某些區(qū)域的規(guī)則間隔或重復(fù)的元件可理解為物理引入 (例如通過沖切和去除墊的選定部分)所述墊的特征，在各個區(qū)域的給定點之間的距離相等。給定點可為中心點、邊緣點、頂點等。在一些實例中，可在墊的一維或多維方向的距離相等。例如，區(qū)域中縱向間隔的元件可能在區(qū)域上的給定點之間以第一相等的距離間隔。區(qū)域中橫向間隔的元件可能在區(qū)域上的給定點之間以第二相等的距離間隔。在其它實例中， 區(qū)域元件可在一個或多個圍繞著軸的方向上放射狀地等距間隔。而且，可在各個區(qū)域上的軸和給定點之間放射狀間隔，例如中心點、邊緣點、頂點等。此外，圍繞軸的區(qū)域元件的角度間隔可來自各個區(qū)域上的給定點，例如中心點、邊緣點、頂點等。此外，這樣規(guī)則間隔的幾何形狀的元件可穿過墊的整體或被放置進入墊的選定部分，包括貫穿墊的厚度的一部分和/ 或在墊表面的區(qū)域中提供。各個區(qū)域元件上給定點之間的縱向距離可為0. 127mm至127mm，包括其中的所有值和增量(increments)。此外，各個區(qū)域元件上給定點之間的橫向距離可為距離0. 127mm 至127mm，包括其中的所有值和增量。此外，各個區(qū)域元件上給定點之間的距離可為 0. 127mm至127mm(包括其中的所有值和增量)或當放射狀間隔時為1度至180度(包括其中的所有值和增量)。如圖1所示，CMP墊100的一些實例可包含至少兩個區(qū)域，在第二區(qū)域104的內(nèi)規(guī)則分布的第一區(qū)域102。如所例示的，可以理解第一區(qū)域可在墊表面的縱向和橫向上規(guī)則間隔。給定點可為第一區(qū)域中的一個角或沿著區(qū)域的一個邊緣。在一些實例中，可以理解，可在縱向或橫向的方向之一上設(shè)定規(guī)則間隔。第一區(qū)域102可包含相對硬的部分，其包含相對高含量的硬度為H1的硬聚合物。 以洛氏硬度(Rockwell)R標度的第一區(qū)域的硬度可為90至150，包括其中的所有值和增量。 第一區(qū)域可包含諸如聚氨酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯和聚砜的聚合材料。在一些實例中，規(guī)則分布的第一區(qū)域元件可具有最大線性尺寸，例如以最大線性尺寸的長度計，直徑為例如墊直徑的0. 至50%。例如，取決于待拋光的特征尺寸，不連續(xù)區(qū)域的單獨的表面面積為0. Imm2至625mm2的墊表面，包含所有值和0. Imm2增量內(nèi)的增量。在全部底部上，多個第一區(qū)域元件(以及任何附加分散或分布的區(qū)域)可占給定墊的體積的0. 至90%。此外，各個單獨的區(qū)域元件可占墊體積的0. 至90%。可以理解，單獨的區(qū)域元件在各自的尺寸上可以不同。例如，單獨的分立區(qū)域元件可包含多個規(guī)則分布的區(qū)域元件，例如多個具有“X”為Imm2的第一表面面積的規(guī)則分布的區(qū)域元件和多個具有“y”為2mm2的表面面積的規(guī)則分布的區(qū)域元件(即“X”和“y”的值不同)。第二區(qū)域104可包含硬度為H2的相對均質(zhì)的軟聚合物基底，其中H2 < H1,例如相對軟的聚氨酯、聚異丁二烯、異戊二烯、聚酰胺和聚苯硫醚。以洛氏硬度R標度的第二區(qū)域的硬度可為110或更小，包含40至110洛氏硬度R范圍內(nèi)的所有值和增量，或以邵氏硬度硬度計AGhore A)標度小于95，包含以邵氏硬度計A標度的20至95范圍內(nèi)的所有值和增量。如上所述能夠理解，在圖1中，可將第二區(qū)域認為是用于重復(fù)的和規(guī)則分散的第一區(qū)域的連續(xù)區(qū)域。在一些實例中，第二區(qū)域可包含諸如上述一般列舉的那些聚合材料。在其它實例中，第二區(qū)域可包含諸如非紡織物、機織物或針織物的纖維組分。在另外的實例中，第二區(qū)域可包含諸如上述命名的那些聚合材料(包括一種或多種相對硬的聚合材料和相對軟的聚合材料)和諸如非紡織物、機織物或針織物的纖維組分的混合物?？椢锟砂谒蛉軇╊惖慕橘|(zhì)中可溶或不溶的個別的纖維。這樣的纖維可包含例如，聚(乙烯醇)、聚(丙烯酸)、馬來酸、海藻酸鹽、多糖、聚環(huán)糊精、聚酯、聚酰胺、聚烯烴、人造纖維、聚酰亞胺、聚苯硫醚等，包含其鹽、共聚物衍生物及其組合。還可理解，在CMP墊中還可具有附加區(qū)域(additional domains)，例如具有不同程度的硬度或拋光特性的附加區(qū)域。附加區(qū)域可包含重復(fù)元件使得在拋光墊中具有多于一種的重復(fù)元件。例如，可包含包括其中的所有值和增量的1至20種不同的重復(fù)圖案。規(guī)則間隔的區(qū)域還可具有與基體(matrix)不同的比重。例如，參考圖1，規(guī)則間隔的第一區(qū)域102的第一比重SG1為1. 0至2. 0且連續(xù)的第二區(qū)域104的第二比重為 0. 75至1. 5，包括其中的所有值和增量，其中SG1不等于SG2O可以理解，取決于各個區(qū)域的組合物，區(qū)域可具有硬度和/或比重的不同組合。例如，在區(qū)域包含嵌入聚合物基體的纖維的情況下，區(qū)域的比重可比個體聚合物小。如上所述，可改變化學(xué)機械拋光墊內(nèi)規(guī)則間隔區(qū)域的數(shù)量和規(guī)則間隔區(qū)域的構(gòu)形 (configuration)。例如，圖2例示了 CMP墊200的上述實施方案的另一變型，其中第一區(qū)域202可由矩形元件形成并在第二區(qū)域204的連續(xù)區(qū)中以圍繞中心軸的圖案分布。此外， 可形成具有不同的構(gòu)形的第三區(qū)域206和/或第四區(qū)域208，其也在第二區(qū)域的連續(xù)區(qū)中以圍繞中心軸的圖案分布。可以理解，第三區(qū)域206包含圍繞軸形成重復(fù)元件的兩個特征 206a、206b。如例示的，各個規(guī)則間隔的一系列區(qū)域的距離軸(即在該實例中為拋光墊的中心點)的徑向距離可以是不同的。此外，當其例示的是各個規(guī)則間隔的系列區(qū)域以相等的角距離圍繞軸設(shè)置時，可以理解，各個系列的規(guī)則間隔的區(qū)域的圍繞軸的角距離也設(shè)置為不同的。還可理解，各個區(qū)域可以是分離的(如例示的)或連接在一起的。圖3例示了 CMP 墊300的另一變型，其中第一區(qū)域302包含從墊的中心點延伸至周界的互相連接的放射狀元件，而第二區(qū)域304可包含例如占據(jù)墊的剩余墊連續(xù)區(qū)的可溶纖維和聚氨酯的混合物。
因此，可以理解，可在給定墊中各自具有不同系列的組合物、性質(zhì)和/或CMP性能的多種規(guī)則重復(fù)的區(qū)域。此外，當仍規(guī)則間隔時，貫穿墊的物理形狀、尺寸、位置和定向方向可能具有若干變化。此外，可以理解，在一些實例中，盡管本文例示的CMP墊相對圓，但CMP 墊本身可為不同的幾何形狀。因此，合并具有不同的設(shè)計特征的大量規(guī)則間隔的區(qū)域的能力能使CMP墊滿足至少一部分或所有或甚至超過上述對CMP性能的要求。CMP墊變型的一些實例可包含硬度為30至90 (邵氏硬度計SioreD標度)的聚氨酯的第一區(qū)域。第一區(qū)域在墊中可以為在第二區(qū)域中分散的分立、分離的正方形的形式。第二區(qū)域可包含由嵌入用于第一區(qū)域的相同聚氨酯的水可溶的纖維制成的非紡織物的混合物。 在其它變型中，CMP墊可包含比重為1. 25的聚氨酯的第一區(qū)域和包含被嵌入聚氨酯纖維的比重為0.8的第二區(qū)域。在另外的實例中，CMP墊可包含用邵氏硬度計D標度的硬度為50 且比重為1. 25的聚氨酯的第一區(qū)域、用邵氏硬度計D標度的硬度為75且比重為0. 25的第二區(qū)域以及被在聚氨酯中嵌入纖維的第三區(qū)域，第三區(qū)域用邵氏硬度計D標度的硬度為75 且比重為0.8?？赏ㄟ^使用模板將非紡織物中第一區(qū)域的規(guī)則元件沖切開口或凹槽(recess)來形成本文所涵蓋的CMP墊以實現(xiàn)通過織物的正方形孔(holes)的相對均勻性和分布。對于凹槽，可以理解為未完全貫穿墊厚度的孔隙?？梢岳斫?，開口可在第二區(qū)域中規(guī)則間隔以提供第一區(qū)域的規(guī)則間隔的分立元件。圖4例示了包含通過沖切方法在其中形成的若干開口或凹槽412的沖切(die-cut)織物410的實例?？梢岳斫猓龥_切之外，可使用相似的方法來形成用于提供各種規(guī)則間隔的區(qū)域的各種幾何構(gòu)形，這樣的方法可包括激光切割、刀片切割、水注切割等。然后，將織物放置在較低的(凹形)模具的槽中。然后向模具添加聚合物或聚合物前體。例如，可在織物上分散的未反應(yīng)的聚氨酯預(yù)聚物和藥物的混合物。然后將較高的 (凸形)模具降低至較低模具的槽中，從而擠壓所述混合物以填充織物和/或沖切區(qū)域的間隙。然后，可應(yīng)用熱和/或壓力，其可影響聚合物的流動或預(yù)聚物與被嵌入至平墊的織物的反應(yīng)和/或固化(solidification)，接著是在烘箱中將固化的墊進行固化(curing)和熱處理。因此，著重指出的是通過這樣的步驟，引入至沖切區(qū)域的大多數(shù)聚合物或聚合物前體 (例如> 75重量％ )保留在沖切區(qū)域中，且殘留物可擴散進入所選定墊的第二區(qū)域中。此外，通過這樣的步驟，這樣的擴散可僅在所選定墊的上部發(fā)生，例如僅在給定墊的上部50% 的厚度的范圍內(nèi)。在一些實例中，還可通過諸如激光切割、水注、熱切刀、線切割等的其它方法沖切 (die-cut)或切割諸如具有與織物相似性質(zhì)的聚合物的相對軟的聚合物以形成第二或連續(xù)的各種幾何構(gòu)形，所述織物包括例如泡沫或薄板材料。然后，可將第一區(qū)域的相對硬的聚合物重疊模壓(over mold)/或模壓進入第二區(qū)域的相對軟的聚合物中。在一些實例中，重疊模壓可在第二區(qū)域上通過注壓(injection mold)組合物來提供以形成第一區(qū)域。此外，在高度平面化對于拋光的基底而言重要或關(guān)鍵的情況下，包含相對硬的聚合物的規(guī)則間隔區(qū)域的正方形或幾何特征在拋光特征方面是有利的，這是由于相對硬的聚合物表現(xiàn)得相對越堅硬，則表面柔量越低。在CMP之前或CMP過程中可將第二區(qū)域的可溶的纖維或相對軟的聚合物溶解或從墊中擦掉和/或去除。去除的纖維或相對軟的聚合物可在第二區(qū)域內(nèi)部產(chǎn)生孔隙(void)或微孔(pore)的網(wǎng)絡(luò)。然后，這樣的孔隙結(jié)合硬的區(qū)域的規(guī)則圖案可提供更有效的CMP拋光。拋光墊還可包含孔隙或微孔。給定墊的第二區(qū)域內(nèi)部孔隙或微孔的存在可成為對于相對高的拋光速度和低的刮擦缺陷的因素，這是因為微孔的存在可促進墊的微小局部內(nèi)部的研磨劑漿液的移動以提高和控制研磨劑顆粒和被拋光的晶片表面之間的接觸?？紫痘蛭⒖走€可充當研磨劑顆粒和拋光副產(chǎn)品的相對大的團聚體的微型儲存器，從而避免晶片表面的相對硬的接觸和刮擦。孔隙或微孔可具有10納米至大于100微米的最大線性尺寸，包含10納米至200微米、10納米至100納米、1微米至100微米等范圍內(nèi)的所有值和增量。此外，在一些實例中，孔隙或微孔可具有1平方納米至100平方納米的橫截面積，包括其中的所有值和增量。在拋光過程中，待拋光的晶片或其它基底內(nèi)部的不均勻性還得益于與晶片軌道有關(guān)的區(qū)域的布置、空間方位和/或分布，使基底的相對較慢的拋光區(qū)域優(yōu)先暴露于包含相對軟的材料的區(qū)域，并使基底的相對較快的拋光區(qū)域優(yōu)先暴露于第一區(qū)域的相對硬的材料。存在適合不同的CMP應(yīng)用的許多區(qū)域設(shè)計組合，使得定制的墊具有不同區(qū)域，這些區(qū)域各自具有其自己特有的物理性質(zhì)、化學(xué)性質(zhì)、尺寸、形狀、空間方位、與其它區(qū)域的面積比和分布。如圖5例示的，本文還涵蓋的是使用用于基底表面的化學(xué)機械平坦化(CMP)的拋光墊的方法的實例?；卓砂㈦娮釉O(shè)備和半導(dǎo)體晶片，包括諸如金屬、金屬合金、陶瓷或玻璃的相對軟的材料。特別地，待拋光的材料的第三硬度為H3，其硬度小于100的洛氏硬度(Re)B，包括如由ASTM E18-07檢測的0至IOORc B范圍內(nèi)的所有值和增量?？蓱?yīng)用拋光墊的其它基底包括例如光學(xué)玻璃、陰極射線管、平板顯示屏等，其中可期望地避免表面的刮擦或磨損。可提供如本文描述的可被提供的墊502。然后，可與諸如液體介質(zhì)的拋光漿液組合來使用墊，例如包含或不含研磨劑顆粒的水性介質(zhì)。例如，可將液體介質(zhì)應(yīng)用于待拋光的墊和/或基底的表面504。然后，將墊放置進入緊密接近基底的位置中然后在拋光過程中應(yīng)用于基底506。可以理解，可將墊與用于拋光用化學(xué)機械平坦化的設(shè)備連接。CMP墊的性能標準或相對期望的要求可包括但不限于以下。第一標準可包括以例如埃/分鐘測定的晶片表面的相對高的拋光速度或去除速度。另一標準可包括在整個晶片表面上以平均厚度百分比形式表示的后拋光厚度標準偏差判斷的晶片內(nèi)部相對低的不均勻性。另一標準可包括在拋光之后晶片表面相對高度的平面化。在金屬拋光的情況下，根據(jù)“凹陷”和“腐蝕”來表示平面化?！鞍枷荨笨衫斫鉃樵诮殡娊^緣基底的另一邊接線的金屬的過度拋光。過多的“凹陷”可導(dǎo)致電路內(nèi)部電導(dǎo)率的損失?！案g”可理解為在嵌入電路的情況下，介電絕緣基底的過度拋光的程度。過多的“腐蝕”可導(dǎo)致晶片基底上的金屬和介電膜在平版沉淀物中的聚集深度的損失。另外的標準可包括相對低的缺陷速度，特別是拋光過程中晶片表面的刮擦。另外的標準可包括在墊、研磨劑漿液和調(diào)節(jié)劑的更換之間的相對長的、連續(xù)的拋光循環(huán)?？梢岳斫?，給定的墊可具有上述一個或多個標準。出于示例性目的來提供前述對若干方法和實施方案的描述。其不意圖成為窮盡性的或?qū)⒈景l(fā)明內(nèi)容限制于所公開的精確步驟和/或形式，并且明顯地，根據(jù)上述教導(dǎo)可能存在許多修改和變型。
權(quán)利要求
1.化學(xué)機械平坦化墊，其包括 第一區(qū)域；以及連續(xù)的第二區(qū)域，其中所述第一區(qū)域包含在所述連續(xù)的第二區(qū)域內(nèi)規(guī)則間隔的分立元件。
2.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機械平坦化墊，其中所述第一區(qū)域的第一硬度為H1且所述第二區(qū)域的第二硬度為H2，其中H1 > H2。
3.如權(quán)利要求2所述的化學(xué)機械平坦化墊，其中H1為80至150洛氏硬度R且H2為40 至110洛氏硬度R。
4.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機械平坦化墊，還包括至少一個附加區(qū)域，所述附加區(qū)域包含在所述連續(xù)的第二區(qū)域內(nèi)規(guī)則間隔的分立元件。
5.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機械平坦化墊，其中所述第一區(qū)域的第一比重為SG1且所述第二區(qū)域的第二比重為S(i2，其中SG1不等于S(i2。
6.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機械平坦化墊，其中SG1為1.0至2. 0且S(i2為0. 75至1. 5。
7.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機械平坦化墊，其中所述第一區(qū)域的所述元件在所述墊的表面上縱向和橫向規(guī)則間隔。
8.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機械平坦化墊，其中所述第一區(qū)域的所述元件圍繞著軸規(guī)則間隔。
9.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機械平坦化墊，其中所述第二區(qū)域包含織物。
10.如權(quán)利要求6所述的化學(xué)機械平坦化墊，其中所述織物包含可溶的纖維。
11.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機械平坦化墊，還包括存在于所述連續(xù)的第二區(qū)域中的孔隙。
12.如權(quán)利要求11所述的化學(xué)機械平坦化墊，其中所述孔隙的最大線性尺寸為10納米至200微米。
13.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機械平坦化墊，其中所述第一區(qū)域的所述元件貫穿所述墊的部分厚度。
14.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)機械平坦化墊，其中所述第一區(qū)域的所述元件位于所述墊的給定區(qū)域中。
15.形成化學(xué)機械平坦化墊的方法，包括在所述墊的連續(xù)的第二區(qū)域內(nèi)形成用于第一區(qū)域的多個開口，其中所述開口在所述第二區(qū)域內(nèi)規(guī)則間隔；以及在連續(xù)的第二區(qū)域中的所述多個開口內(nèi)形成所述第一區(qū)域。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中沖切形成用于所述第一區(qū)域的所述多個開口。
17.如權(quán)利要求15所述的方法，還包括向所述第二區(qū)域添加聚合物前體形式的所述第一區(qū)域并固化所述聚合物前體以形成所述第一區(qū)域。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述第二區(qū)域位于模具中；向所述模具加入所述聚合物前體；以及向所述模具加熱和/或加壓以固化所述聚合物前體。
19.如權(quán)利要求15所述的方法，還包括通過使用形成所述第一區(qū)域的組合物對所述第二區(qū)域進行重疊模壓來形成所述第一區(qū)域。
20.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述連續(xù)的第二區(qū)域包括具有多個間隙的織物， 所述方法還包括提供聚合物前體，其中所述聚合物前體流入所述多個間隙和形成所述第一區(qū)域的所述多個開口。
21.使用化學(xué)機械平坦化墊的方法，其包括使用拋光漿液和化學(xué)機械平坦化墊對基底進行拋光，其中所述化學(xué)機械平坦化墊包括第一區(qū)域和連續(xù)的第二區(qū)域，其中所述第一區(qū)域包含在所述連續(xù)的第二區(qū)域內(nèi)規(guī)則間隔的分立元件。
全文摘要
本發(fā)明的一個方面涉及化學(xué)機械平坦化墊，其包含第一區(qū)域和連續(xù)的第二區(qū)域，其中所述第一區(qū)域包含在連續(xù)的第二區(qū)域內(nèi)規(guī)則間隔的分立元件。通過在墊的連續(xù)的第二區(qū)域內(nèi)部形成用于第一區(qū)域的多個開口來形成所述墊，其中所述開口在第二區(qū)域內(nèi)規(guī)則間隔，并在連續(xù)的第二區(qū)域的多個開口內(nèi)形成所述第一區(qū)域。此外，可在使用拋光漿液對基底進行拋光中應(yīng)用所述墊。
文檔編號H01L21/304GK102301455SQ201080005722
公開日2011年12月28日 申請日期2010年1月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月27日
發(fā)明者保羅·萊弗瑞, 吳光偉, 大衛(wèi)·亞當·韋爾斯, 奧斯卡·K·蘇, 斯科特·欣·喬, 阿努波·馬修 申請人:因諾派德公司