技術(shù)編號(hào):6986691
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造裝置,且特別是涉及一種使用高透明電極改善擷取的離子束的品質(zhì)的技術(shù)。背景技術(shù)離子植入(ion implantation)是一種利用高能化離子來(lái)直接轟擊 (bombardment)基板來(lái)將化學(xué)物種沉積到基板的制程。在半導(dǎo)體制造中,離子植入機(jī)主要被用于改變目標(biāo)材料的導(dǎo)電類(lèi)型與導(dǎo)電程度的摻雜制程中。集成電路基板以及其薄膜組態(tài)中的精確摻雜輪廓(doping profile)通常對(duì)于集成電路(integrated circuit, IC)效能而...
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