專利名稱：陶瓷電容結構的制作方法
技術領域：
本實用新型有關一種陶瓷電容的技術，尤指一種能有效控制電氣特性及降低不良 率的陶瓷電容結構。
背景技術：
陶瓷電容為一般電子電路中常用的被動元件，并依據(jù)陶瓷電容的電性特性又可分 為溫度補償用陶瓷電容、高介電常數(shù)陶瓷電容以及半導體陶瓷電容等。就外觀形狀則分為 有筒形及板形。在板型陶瓷電容中又分為圓板形、角板形及接地形。就圓板形陶瓷電容而言，請參閱圖1所示，為現(xiàn)有陶瓷電容的結構示意圖。如圖所 示，現(xiàn)有的圓板形陶瓷本體10的正面及反面分別設有一電極11，且正面及反面的電極11上 分別焊接有接腳12，并且陶瓷本體10的外部更設有一封裝膠體13。并且電容量是由下列 公式?jīng)Q定C= ε X Y2Xl/kXl/T，其中ε =陶瓷本體的介電系數(shù)，Y =電極半徑，k=常 數(shù)，T =陶瓷本體厚度(mm)。由上述公式可知，電極11的大小直接影響電容量，至于電極11實際外徑D可經(jīng)改 寫前述公式后換算取得，因此圓板形陶瓷電容的電容量是由陶瓷本體10的介電系數(shù)及電 極11的直徑D、厚度T所決定。換言之，位于陶瓷本體10正面及反面的電極11將決定陶瓷 電容的電容值與相關電氣特性。而傳統(tǒng)陶瓷電容的電極制造方法大致包括下列幾種一、筆涂式此種筆涂式電極制法由燒窯業(yè)的金屬彩繪技術發(fā)展而來，最早期的陶 瓷電容電極即利用此法制成，主要由人工以小毛筆或水彩筆沾上銀膠在陶瓷本體的表面畫 圓，其圓徑大小則根據(jù)所需的電容值決定，由于以人工手繪方式涂布，其精確度極差，只能 用于制作允許大誤差的電容器，目前除實驗室的實驗用途外，已鮮少利用此法制造電容。二、海綿滴壓式由前述筆涂式演進而來，在作業(yè)速度上已有顯著增進，在涂繪圓 形電極方面亦較方便，但因仍以人工方式作業(yè)，成本高售價低，故除實驗室外已少有使用。三、點膠式由于自動化機械的問世，前述涂布銀膠的工作可借助點膠機的自動點 膠功能進行，此種制法的優(yōu)點在于大幅節(jié)省人工，但用于制作小型品時，則難度驟升，尤其 在直徑5mm以下，點膠機滴流困難。四、噴物式早期小型SC半導體及積層晶片電容未開發(fā)問世前，需要如104PF的 大容量陶瓷電容時，為配合在直徑16mm、厚0. 15mm而加工易碎的瓷片上制作電極所發(fā)展出 來，目前已鮮少使用。因此，如何創(chuàng)作出一種易于制造且精確度高而達到提升電氣特性及降低不良率的 圓形陶瓷電容，將是本實用新型所欲積極揭露之處。

實用新型內(nèi)容本實用新型的主要目的為提供一種陶瓷電容結構，能提升電氣特性及降低不良率。[0012]本實用新型的另一目的為提供一種陶瓷電容結構，整體結構單純且易于制造，以 降低制造成本。為達上述目的，本實用新型提供一種陶瓷電容結構，包含一陶瓷本體、至少一真空 金屬鍍膜層以及至少一接腳。陶瓷本體具有相對設置的第一表面及第二表面。真空金屬鍍 膜層設置于第一表面上。接腳設置于真空金屬鍍膜層上且電性連接真空金屬鍍膜層。在一較佳實施例中，真空金屬鍍膜層可同時設置于該第一表面及第二表面上，且 真空金屬鍍膜層的厚度小于1微米，真空金屬鍍膜層為銅層、銀層、鋁層或金層。并且陶瓷 本體及真空金屬鍍膜層之間進一步設有一介質(zhì)層。相較于現(xiàn)有技術，本實用新型的陶瓷電容結構之陶瓷本體的至少一表面設有一真 空金屬鍍膜層，藉此可改善現(xiàn)有技術設置電極容易產(chǎn)生分布不均勻的現(xiàn)象，以提升電氣特 性及降低不良率。

圖1為現(xiàn)有陶瓷電容之結構示意圖；圖2為本實用新型陶瓷電容結構一較佳實施例之側視剖面圖；圖3為本實用新型陶瓷電容結構另一較佳實施例之側視剖面圖；圖4為本實用新型陶瓷電容結構一較佳實施例之使用狀態(tài)示意圖；以及圖5為本實用新型陶瓷電容結構一較佳實施例之另一使用狀態(tài)示意圖。附圖標記列示如下10-陶瓷本體11-電極12-接腳13-封裝膠體2-陶瓷電容結構21-陶瓷本體211-第一表面212-第二表面22-真空金屬鍍膜層23-接腳24-絕緣封裝膠體25-介質(zhì)層
具體實施方式
以下通過特定的具體實施例說明本實用新型的實施方式，熟悉此技術的人士可由 本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本實用新型的其它優(yōu)點與功效。以下參照圖式說明本實用新型的實施例，應注意的是，以下圖式為簡化的示意圖 式，僅以示意方式說明本實用新型的基本構想，因此圖式中僅例示與本實用新型有關的結 構而非按照實際實施時的元件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各元件的型態(tài)、數(shù)量及 比例并非以圖示為限，可依實際設計需要作變化，合先敘明。[0036]首先，請參閱圖2所示，為本實用新型陶瓷電容結構一較佳實施例之側視剖面圖。 如圖所示，本實用新型的陶瓷電容結構2包含一陶瓷本體21、至少一真空金屬鍍膜層22以 及至少一接腳23。陶瓷本體21為圓形之陶瓷本體21，其具有相對設置的第一表面211及第二表面 212。真空金屬鍍膜層22分別設置于該第一表面211及第二表面212。接腳23則設置于真 空金屬鍍膜層22上且電性連接真空金屬鍍膜層22。并且陶瓷本體21外部更設有一絕緣封 裝膠體24。在本實施例中，真空金屬鍍膜層22是以濺鍍方式分別設置于第一表面211及第二 表面212上，在其它實施例中亦可僅設置于單一表面上，所以并非以此作為限制。而真空金 屬鍍膜層22為銅層、鋁層、金層或銀層之其中一者，且真空金屬鍍膜層22的厚度小于1mm。 接腳23則透過焊接方式焊固于真空金屬鍍膜層22上。再請參閱圖3，為本實用新型陶瓷電容結構另一較佳實施例之側視剖面圖，如圖所 示，本實用新型的陶瓷電容結構2的陶瓷本體21與真空金屬鍍膜層22之間又可進一步設 有一介質(zhì)層25，在本實施例中，介質(zhì)層25為鉻層，藉由介質(zhì)層25的設置，可增加陶瓷本體 21與真空金屬鍍膜層22之間的附著力及受錫力，以更提升電氣特性及良率。再清參閱圖4及圖5所示，為本實用新型陶瓷電容結構一較佳實施例之使用狀態(tài) 示意圖及另一使用狀態(tài)示意圖，如圖4所示，真空金屬鍍膜層22可布滿于陶瓷本體21的第 一表面211 (或任一表面)。并如圖5所示，真空金屬鍍膜層22亦可分布于第一表面211的 二分之一。相較于現(xiàn)有結構，本實用新型的陶瓷電容結構，是藉由真空金屬鍍膜層作為陶瓷 電容結構的電極，不僅成本較低且可很容易的控制真空金屬鍍膜層的厚度，以更精確的控 制陶瓷電容的電容量，進而提升電氣特性及降低不良率。雖然前述的描述及圖式已揭示本實用新型的較佳實施例，但必須了解到各種增 添、許多修改和取代可能使用于實用新型的較佳實施例，都不會脫離如所附申請專利權利 范圍所界定的本實用新型原理的精神及范圍。熟悉本實用新型所屬技術領域的一般技術人 員將可體會，本實用新型可使用于許多形式、結構、布置、比例、材料、元件和組件的修改。因 此，本文在此所揭示的實施例應被視為用以說明本創(chuàng)作，而非用以限制本創(chuàng)作。本實用新型 的范圍應由權利要求所界定，并涵蓋其合法等同物，并不限于先前的描述。
權利要求一種陶瓷電容結構，其特征在于包含一陶瓷本體，具有相對設置的第一表面及第二表面；至少一真空金屬鍍膜層，設置于該第一表面上；以及至少一接腳，設置于該真空金屬鍍膜層上且電性連接該真空金屬鍍膜層。
2.如權利要求1所述的陶瓷電容結構，其特征在于該真空金屬鍍膜層可同時設置于該 第一表面及第二表面上。
3.如權利要求1所述的陶瓷電容結構，其特征在于該真空金屬鍍膜層的厚度小于1微米。
4.如權利要求1所述的陶瓷電容結構，其特征在于該陶瓷本體及真空金屬鍍膜層之間 進一步設有一介質(zhì)層。
5.如權利要求4所述的陶瓷電容結構，其中該介質(zhì)層為鉻層。
6.如權利要求1所述的陶瓷電容結構，其特征在于該真空金屬鍍膜層為銅層、鋁層、金層、銀層。
7.如權利要求1所述的陶瓷電容結構，其特征在于該接腳是焊接于該真空金屬鍍膜層 表面。
8.如權利要求1所述的陶瓷電容結構，其特征在于該陶瓷本體外部更包含一絕緣封裝 膠體。
9.如權利要求1所述的陶瓷電容結構，其特征在于該真空金屬鍍膜層完全布滿于第一 表面。
10.如權利要求1所述的陶瓷電容結構，其特征在于該真空金屬鍍膜層是分布于第一 表面的二分之一。
專利摘要本實用新型為一種陶瓷電容結構，包含一陶瓷本體、至少一真空金屬鍍膜層以及至少一接腳。陶瓷本體具有相對設置的第一表面及第二表面。真空金屬鍍膜層設置于第一表面或第二表面上。接腳設置于真空金屬鍍膜層上且電性連接真空金屬鍍膜層。俾藉由真空金屬鍍膜層的設置，以有效控制電氣特性及降低不良率。
文檔編號H01G4/228GK201638686SQ201020112689
公開日2010年11月17日 申請日期2010年2月11日 優(yōu)先權日2010年2月11日
發(fā)明者邱佳韻 申請人:邱佳韻