專利名稱：用于半導(dǎo)體裝置的引線框的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總的涉及半導(dǎo)體封裝，并且更具體的，涉及用于封裝半導(dǎo)體裝置的引線框， 其減少了在單顆化(singulation)工藝期間毛邊形成(burr formation)的不利影響。
背景技術(shù)：
典型地，利用矩陣陣列封裝(MAP)來(lái)組裝常規(guī)的半導(dǎo)體封裝裝置10，諸如，如圖 1A-1B中所示的單排引線框設(shè)計(jì)四方扁平無(wú)引線(quad flat no-lead, QFN)封裝。MAP型的半導(dǎo)體封裝裝置可以被處理并制造為單個(gè)基板條單元(single substrate bar unit)上的多個(gè)半導(dǎo)體封裝裝置。在組裝期間，通過單顆化工藝將所述單個(gè)基板條單元?jiǎng)澐殖蓡为?dú)且分立的半導(dǎo)體封裝裝置。每個(gè)半導(dǎo)體封裝裝置10典型地包括具有引線12以及管芯接合區(qū)域(die bond area)14的引線框。利用粘結(jié)劑(諸如環(huán)氧材料)，將半導(dǎo)體集成電路(IC)管芯(die)(在圖1A-1B中未示出)固定或接合到引線框的管芯接合區(qū)域14。引線框是該半導(dǎo)體封裝裝置的中央支撐結(jié)構(gòu)。在IC管芯已經(jīng)被附著到管芯接合區(qū)域14之后，通過導(dǎo)線接合(wire bonding)工藝?yán)脤?dǎo)線將IC管芯電連接到引線12，以使得能夠?qū)崿F(xiàn)在IC管芯和下面的基板(諸如印刷電路板(PCB))之間的電互連。然后，陶瓷或塑料材料的模塑化合物(mold compound) 16包封或部分包封管芯、導(dǎo)線以及部分的引線框，以保護(hù)它們免受環(huán)境影響。然后，對(duì)被包封的MAP的組件進(jìn)行單顆化，以分離并完成制造分立的半導(dǎo)體封裝裝置10的工藝。傳統(tǒng)上，存在兩種單顆化工藝鋸切單顆化和沖壓?jiǎn)晤w化。在MAP裝置的單顆化工藝期間，半導(dǎo)體封裝裝置可能變得受損，如圖IB中用裝置20所示的。例如，在鋸切單顆化中，由在鋸切路徑方向沈上涂污(smear)引線12的鋸子M所導(dǎo)致的毛邊22的形成能夠使一個(gè)引線延伸到相鄰的引線。由于被涂污的材料可能導(dǎo)致相鄰引線之間的短路，毛邊22 可能引起裝置故障。隨著輸入/輸出(1/0)的數(shù)量或密度正在增加以及相鄰引線之間的節(jié)距或距離觀正在變得更小，毛邊形成在業(yè)內(nèi)正在變?yōu)楦匾目剂俊Ｒ布?，存在不斷增加毛邊形成和短路的風(fēng)險(xiǎn)。因此，需要解決或者至少減輕與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體封裝裝置相關(guān)聯(lián)的上述問題，以減小單顆化期間毛邊形成的不利影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)方面是在半導(dǎo)體封裝裝置內(nèi)支撐半導(dǎo)體管芯的引線框，該引線框包括用于容納半導(dǎo)體管芯的管芯接合區(qū)；以及布置在管芯接合區(qū)周圍并與管芯接合區(qū)間隔開的多個(gè)引線，其用于與半導(dǎo)體管芯電互連，并用于提供用于半導(dǎo)體封裝裝置的電互連，所述引線具有頂部表面和底部表面，其中所述多個(gè)引線中的第一引線具有從所述頂部表面凹陷的部分，并且與第一引線相鄰的第二引線具有從所述底部表面凹陷的部分，以用于減小毛邊形成的影響。
在一個(gè)實(shí)施例中，所述多個(gè)引線以單排的形式布置在管芯接合區(qū)的周界周圍。所述多個(gè)引線可以包括具有從所述頂部表面凹陷的部分的多個(gè)第一引線，其形成第一排；以及具有從所述底部表面凹陷的部分的多個(gè)第二引線，其形成第二排。第一引線和第二引線相鄰但以第一距離分開，并且第一引線和與第二引線相鄰的第三引線以第二距離分開，其中所述第二距離從第一引線延伸超出潛在的毛邊形成區(qū)。所述第一距離可以被減小。在一個(gè)實(shí)施例中，第一引線和第二引線的凹陷部分的深度可以不同或相同。第一引線的凹陷部分的深度可以是引線框的厚度的一半或更多。本發(fā)明的一個(gè)方面是半導(dǎo)體封裝裝置，其包括半導(dǎo)體管芯、用于支撐半導(dǎo)體管芯的引線框、以及至少部分包封半導(dǎo)體管芯的半導(dǎo)體封裝體，所述引線框包括用于容納半導(dǎo)體管芯的管芯接合區(qū)；以及布置在管芯接合區(qū)周圍并與管芯接合區(qū)間隔開的多個(gè)引線，其用于與半導(dǎo)體管芯電互連，并用于提供用于半導(dǎo)體封裝裝置的電互連，所述引線具有頂部表面和底部表面，其中所述多個(gè)引線中的第一引線具有從所述頂部表面凹陷的部分，并且與第一引線鄰近的第二引線具有從所述底部表面凹陷的部分以用于減少毛邊形成的影響，其中所述第一和第二引線的凹陷部分的表面被暴露在所述半導(dǎo)體封裝體的表面上；并且所述半導(dǎo)體管芯具有第一表面和第二表面，該第一表面附著在所述引線框的管芯接合區(qū)上，并且該第二表面與所述多個(gè)引線中的至少一個(gè)引線電互連。在一個(gè)實(shí)施例中，所述引線框的所述多個(gè)引線以單排的形式布置在管芯接合區(qū)的周界周圍。所述引線框的所述多個(gè)引線可以包括具有從所述頂部表面凹陷的部分的多個(gè)第一引線，其形成暴露在所述半導(dǎo)體封裝體的表面上的第一排；以及具有從所述底部表面凹陷的部分的多個(gè)第二引線，其形成暴露在所述半導(dǎo)體封裝體的表面上的第二排。所述引線框的第一引線和相鄰引線可以以第一距離分開，并且第一引線和與第二引線相鄰的第三引線以第二距離分開，其中所述第二距離從第一引線延伸超出潛在的毛邊形成區(qū)。本發(fā)明的一個(gè)方面是形成用于半導(dǎo)體封裝的引線框的方法，該方法包括提供引線框，該引線框具有用于容納半導(dǎo)體管芯的管芯接合區(qū)以及布置在管芯接合區(qū)周圍并與管芯接合區(qū)間隔開的多個(gè)引線，所述引線用于與半導(dǎo)體管芯電互連，并用于提供用于半導(dǎo)體封裝裝置的電互連，所述引線具有頂部表面和底部表面；在所述多個(gè)引線中，從所述頂部表面移除一部分以形成第一引線的凹陷部分；以及從所述底部表面移除一部分以形成與第一引線鄰近的第二引線的凹陷部分，以減少毛邊形成的影響。


為了可以通過非限制性的示例的方式來(lái)全面并且更清晰地理解本發(fā)明的各實(shí)施例，結(jié)合附圖給出了下面的描述，在附圖中相同的附圖標(biāo)記指示相似或相應(yīng)的元件、區(qū)域或部分，并且在附圖中圖IA-B示出了傳統(tǒng)的單排引線框四方扁平無(wú)引線(QFN)半導(dǎo)體封裝裝置在鋸切單顆化期間的底部透視圖(圖1A)和截面?zhèn)纫晥D(圖1B)；圖2A-B示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的單排引線框四方扁平無(wú)引線(QFN)半導(dǎo)體封裝裝置在鋸切單顆化期間的底部透視圖(圖2A)和截面?zhèn)纫晥D(圖2B)；圖3A-C示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在刻蝕引線框的選定部分之后該引線框的底部平面圖(圖3A)、頂部平面圖(圖:3B)、以及底部透視圖(圖3C)；圖4A-H示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在組裝期間引線框和半導(dǎo)體封裝裝置的截面圖；以及圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的組裝半導(dǎo)體裝置的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式圖2A示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝裝置50的底部透視圖。所示的半導(dǎo)體封裝裝置是具有矩陣陣列封裝(MAP)的單排引線框四方扁平無(wú)引線OiFN)設(shè)計(jì)。將理解， 本發(fā)明的實(shí)施例可以應(yīng)用于具有MAP的任何基于引線框的半導(dǎo)體封裝裝置。裝置50包括引線框，該引線框具有被模塑材料56包封或部分包封的引線52和M以及管芯接合區(qū)58。 裝置50包括集成電路(IC)管芯，其被附著于引線框的管芯接合區(qū)的頂部表面。該IC管芯與電互連器(intercormector)(諸如導(dǎo)線等)導(dǎo)線接合。模塑材料56還包封該IC管芯和互連器(在圖2A中未示出)。模塑材料56形成半導(dǎo)體封裝裝置的主體。在描述制造封裝裝置的工藝時(shí)，在圖4A-H和圖5中示出了 IC管芯和互連器。圖2B示出了在MAP裝置的單顆化工藝期間裝置50的截面?zhèn)纫晥D70。該單顆化工藝是將包封的管芯組件從分享公共引線框架的物理上相連的包封的管芯組件的陣列分離的工藝。圖2B示出了在鋸切單顆化期間生成的毛邊形成72。該毛邊形成是由鋸子M和引線材料之間的摩擦引起的。毛邊形成72在鋸子從引線表面52進(jìn)入包封模制材料56中的路徑的方向26上延伸。毛邊形成區(qū)僅在鋸子的該路徑的方向上延伸。典型地，鋸子是圓鋸并且鋸子旋轉(zhuǎn)。毛邊形成區(qū)主要沿著鋸子的平移路徑方向延伸?？梢栽阡徸拥膱A周或旋轉(zhuǎn)方向上稍微拉該材料。因此，在常規(guī)設(shè)計(jì)中，在毛邊形成區(qū)內(nèi)的相鄰的暴露的引線表面處于風(fēng)險(xiǎn)中。然而，在本發(fā)明的實(shí)施例中，相鄰的暴露的引線表面被布置使得該相鄰的暴露的引線表面在毛邊形成區(qū)外部。引線框和引線的材料可以是涂敷、合金或預(yù)鍍有諸如金(Au)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、或錫(Sn)等的銅(Cu)的基礎(chǔ)材料層。在蝕刻或處理了引線框的基板之后，接著使蝕刻后的基板鍍覆或涂敷有涂層。如果金屬的延展性是大的，那么這些金屬層常?？赡軐?duì)涂污或毛邊形成起貢獻(xiàn)。例如，在與純粹地基于Cu的引線框相比較時(shí)，在預(yù)鍍有Sn的基于Cu的引線框中毛邊形成是較大的，這是因?yàn)镾n的延展性大于Cu。用于QFN、功率QFN等等中的引線框具有這樣的鍍層或涂層。在毛邊形成中，毛邊主要是該鍍覆材料。引線的節(jié)距78是相鄰引線之間的距離。所暴露的引線表面52、54由單排引線框組成。這些引線被部分包封使得通過增加引線之間的距離使相鄰的引線每一個(gè)都具有減少毛邊形成的不利影響的暴露表面。因此，在本發(fā)明的實(shí)施例中，當(dāng)在單顆化期間形成毛邊形成時(shí)，相鄰的引線的相鄰的暴露表面之間的距離大于毛邊形成從暴露的引線延伸的距離， 從而降低了毛邊形成的不利影響。在圖2B中，在一個(gè)實(shí)施例中的暴露的引線表面5254的圖案被示出為每一相鄰的引線表面相對(duì)于相鄰的引線表面交錯(cuò)。在該實(shí)施例中，封裝體的表面上的該交錯(cuò)的暴露的引線表面5254形成兩排。將理解，暴露的引線表面5254可以形成不同的配置和圖案。例如，可以在頂部和底部表面上將特別選擇的引線部分地蝕刻到相同或不同的深度。這將允許所得到的引線的暴露的表面形成不同的排數(shù)、配置等等，只要沿半導(dǎo)體封裝裝置的表面
6側(cè)的引線的暴露的表面在毛邊形成區(qū)的外部即可。在圖2B所示的實(shí)施例中，在相同排中的封裝體的表面上的引線的暴露部分或表面具有大于毛邊形成區(qū)的節(jié)距78。在比較圖IB中所示的傳統(tǒng)裝置中相鄰引線的節(jié)距觀與圖2B中所示的本發(fā)明的實(shí)施例中的在相同暴露排中的相鄰引線的節(jié)距78時(shí)，圖2B中所示的實(shí)施例中的節(jié)距78是較大的。例如，相同的暴露排中引線的暴露表面之間的節(jié)距78可以是1. 8mm。布置并處理引線框的引線以減小暴露的引線表面52、54，其作用來(lái)減小毛邊形成的不利影響。由于交錯(cuò)的暴露的排中的相鄰引線不是在毛邊形成區(qū)內(nèi)，因此可以減小不同的暴露的排中的相鄰引線之間的間隔或節(jié)距 79。例如，傳統(tǒng)裝置的節(jié)距28可以是0. 9mm，不同排中的暴露的引線之間的節(jié)距79可以小于0. 9mm。封裝體的表面上暴露的相鄰引線之間的節(jié)距79是引線框的實(shí)際單排引線之間的間隔。在比較圖IB中所示的傳統(tǒng)裝置中的相鄰引線的節(jié)距觀與圖2B中所示的本發(fā)明實(shí)施例中的不同排中相鄰引線的節(jié)距79時(shí)，圖2B中所示的實(shí)施例中的節(jié)距79是較小的。布置并處理引線框的引線以減少或減小不同排中相鄰引線的節(jié)距79，以允許高度地封裝的或更密集地封裝的引線表面配置。因而，可以減小布置在管芯襯墊(die pad)區(qū)域周圍的單排引線中的每一引線之間的間隔或節(jié)距79。通過該配置，單排引線被密集地封裝，并且減小了毛邊形成的不利影響，這是因?yàn)橄噜徱€具有凹陷部分，該凹陷部分被布置為使得在包封時(shí)半導(dǎo)體封裝體的表面上的引線的凹陷部分的暴露的表面在毛邊形成區(qū)之外。由于可以減小引線之間間隔或節(jié)距79，因此可以增加引線數(shù)目?？赡艽嬖谶@樣的具有MAP配置的包封的管芯組件的陣列，其經(jīng)受單顆化工藝以分離并完成制造半導(dǎo)體封裝裝置10的工藝。圖3A示出了在將未被蝕刻的所選定的引線102的選定的底部表面和引線104的底部表面部分蝕刻之后引線框的底部平面圖100。引線102、104是單排引線中的相鄰引線，每一個(gè)都分別有一部分被從頂部和/或底部表面去除以形成引線的凹陷部分并且形成兩排或更多排等，或者是在包封和單顆化時(shí)沿半導(dǎo)體封裝裝置的表面暴露的引線。示出了管芯接合區(qū)域58的底部表面108。圖;3B示出了在部分蝕刻選定的引線104的選定的頂部表面之后引線框的頂部平面圖120。示出了管芯接合區(qū)域58的頂部表面118。選定的引線 102的底部表面被部分地蝕刻到預(yù)定深度。引線102的底部表面具有蝕刻的底部部分表面 122。選定的引線104的頂部表面被部分地蝕刻到預(yù)定深度。引線104的頂部表面具有蝕刻的頂部部分表面124。選定的引線102、104被蝕刻的深度可以是減小毛邊形成的不利影響并且繼續(xù)用作封裝裝置上的引線的任何深度。在去除該材料之后，使布置在管芯接合區(qū)域周圍的單排引線中的每一引線的部分凹陷，形成凹陷部分。在對(duì)半導(dǎo)體封裝體的表面單顆化之后，每一引線的凹陷部分的表面被暴露。在凹陷部分的形成中，引線未被完整地或者完全地蝕刻穿過。引線僅被部分地蝕刻或者半蝕刻。引線102上從底部表面蝕刻的深度可以與引線104 上從頂部表面蝕刻的深度不同或者相同。在圖3C所示的實(shí)施例中，引線102、104被半蝕刻。在兩組引線102、104被半蝕刻的該實(shí)施例中，蝕刻可以同時(shí)處理，然而部分蝕刻可以在不同處理時(shí)間完成，如圖5所示。對(duì)深度進(jìn)行選擇以防止或者減小毛邊形成對(duì)封裝體上相鄰的暴露引線的不利影響。所述深度可以是任何深度，只要在封裝組裝期間維持引線框穩(wěn)定性即可。在圖3C中，在引線框的底部透視圖150中，示出了部分蝕刻之后所得到的引線。示出了底部表面上部分蝕刻的引線102的蝕刻后的側(cè)表面部分152和未蝕刻的或未受干擾的
7部分側(cè)表面部分52，以及頂部表面上部分蝕刻的引線104的蝕刻后的側(cè)表面部分巧4和未蝕刻的或未受干擾的側(cè)表面部分M。將理解，在實(shí)施例中，選定的引線可以使其部分的頂部和底部表面被去除或被部分蝕刻，以形成引線的頂部表面上的凹陷部分以及引線的底部表面上的凹陷部分。圖4A-H示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的處理引線框以及半導(dǎo)體封裝裝置的截面圖。圖 4A示出了具有底部表面162以及頂部表面164的引線框基板160。引線框基板160經(jīng)受蝕刻以形成圖4B中所示的引線166以及管芯接合區(qū)域58。管芯接合區(qū)域具有管芯接合區(qū)域底部表面108以及管芯接合區(qū)域頂部表面128。可以通過不同技術(shù)(諸如蝕刻等等)處理引線框基板，以形成所述引線166。例如，可以將掩模(未示出)應(yīng)用于引線框基板160的底部表面162以及頂部表面164，描繪引線框布局的輪廓，以蝕刻未覆蓋區(qū)域。圖4C-D更加詳細(xì)地示出了上述討論的并在圖3A-C中示出的引線配置。圖4C示出了從底部表面部分蝕刻的引線102，而圖4D示出了從頂部表面部分蝕刻的引線104。圖 4C是圖3A的部分蝕刻的引線框沿線A-A截取的截面圖。圖4D是圖;3B的部分蝕刻的引線框沿線B-B截取的截面圖。在圖4C中，被部分去除或蝕刻掉的切除(cut-out)部分或凹陷部分是通過底部表面被部分蝕刻的引線102的底部蝕刻的部分表面122和側(cè)面蝕刻的部分表面152定義的。 示出了底部表面被部分蝕刻的引線102的底部表面的未受干擾的頂部表面172。在圖4D中，被部分去除或蝕刻掉的切除部分或凹陷部分是通過頂部表面被部分蝕刻的引線104的頂部蝕刻的部分表面1 和側(cè)面蝕刻的部分表面IM定義的。示出了頂部表面被部分蝕刻的引線104的底部表面的未受干擾的頂部部分表面174。圖4C還示出了底部表面被部分蝕刻的引線102的未受干擾的底部部分表面162。圖4D還示出了頂部表面被部分蝕刻的引線104的底部表面的未受干擾的底部表面184。將理解，可以使用不同技術(shù)來(lái)去除引線框的材料以形成期望的引線配置。例如，可以使用基于光刻的蝕刻工藝或者用于蝕刻、研磨或者以其它方式形成切除的引線配置的其他技術(shù)、化學(xué)物質(zhì)和/或工藝，并且可以根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例廣泛地改變。將理解，可以同時(shí)地或者以逐步的方式進(jìn)行刻蝕工藝。圖4E示出了附著于管芯襯墊區(qū)域58的頂部表面118的IC管芯186?？梢岳谜澈喜牧?諸如，環(huán)氧材料、焊料材料、或者非焊料材料等)來(lái)使管芯附著。附著于引線框的管芯接合區(qū)域的半導(dǎo)體管芯可以是任何適當(dāng)?shù)陌雽?dǎo)體裝置，諸如水平的半導(dǎo)體裝置、或垂直的半導(dǎo)體裝置等。管芯可以使管芯的全部或部分的底部表面附著于管芯接合區(qū)域。將半導(dǎo)體管芯附著于引線框的工藝可以根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例而廣泛地變化。在將管芯186附著到凹陷的管芯接合區(qū)域之后，將引線框管芯組件與互連188導(dǎo)線接合，如圖4F所示。互連 188可以是導(dǎo)線，諸如金線等等。導(dǎo)線接合的工藝可以根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例而廣泛地變化。如圖4G-H所示，利用包封材料56(諸如環(huán)氧的或其他的塑料材料、陶瓷材料等) 包封引線框管芯組件。通過底部表面被蝕刻的引線102的底部蝕刻的部分表面122和側(cè)面蝕刻的部分表面152定義的切除區(qū)域或凹陷部分填充有模塑化合物196。具有部分蝕刻的底部表面的引線102的底部表面的未受干擾的或未蝕刻的部分182被暴露并且未被模塑材料56包封，如圖4G如所示。此外，引線102的側(cè)表面52也被暴露，并且未被模塑材料56包封。類似地，具有部分蝕刻的頂部表面的引線104的未受干擾的或未蝕刻的底部表面184暴露并且未被模塑材料56包封，如圖4H所示。引線104的暴露的側(cè)表面M和底部表面184 形成引線材料的連續(xù)表面，其被暴露并且形成半導(dǎo)體封裝裝置的角。在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的圖5的流程圖200中示出了如上所詳細(xì)描述的工藝或方法。在步驟202，引線框基板設(shè)置有引線和所定義的管芯接合區(qū)域。在步驟204，在頂部表面上部分蝕刻選定的引線以形成凹陷部分，并且在步驟206，在底部表面上部分蝕刻選定的引線以形成凹陷部分。將理解，引線的蝕刻可以在單個(gè)蝕刻處理步驟中同時(shí)地或者在分開的蝕刻處理步驟中進(jìn)行。在部分蝕刻了引線之后，在步驟208，如圖4E中所示將管芯180附著到管芯接合區(qū)域58的頂部表面128。然后，在步驟210，將管芯與互連(導(dǎo)線)185導(dǎo)線接合，并且在在步驟212利用模塑化合物材料56將管芯包封。在步驟214，通過鋸切或沖壓?jiǎn)晤w化來(lái)將包封的裝置單顆化。本發(fā)明的實(shí)施例減少了在單顆化時(shí)發(fā)生毛邊形成的不利影響。引線框被設(shè)計(jì)有這樣的引線，所述引線被處理和布置為使受毛邊形成影響的暴露在封裝體上的引線的一些部分或區(qū)段被布置在潛在的毛邊形成區(qū)的外部。由于通過蝕刻選定引線的選定部分或區(qū)段增加了相鄰引線之間的距離，因而減少了毛邊形成的短路風(fēng)險(xiǎn)及其他不利影響。另外，在實(shí)施例中，可以減小頂部表面被蝕刻的引線和底部表面被蝕刻的引線之間的實(shí)際間隔或節(jié)距， 從而減少了引線所需的總的空間并允許引線被更緊密地封裝。本發(fā)明的實(shí)施例可以應(yīng)用于各種類型的基于引線框的半導(dǎo)體封裝裝置，諸如MAP類型裝置、高輸入/輸出(IO) (x)QFN 裝置、功率QFN裝置等等。盡管已經(jīng)描述并示出了本發(fā)明的實(shí)施例，但是相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解， 可以進(jìn)行設(shè)計(jì)或架構(gòu)的細(xì)節(jié)上的許多變化或修改而不偏離本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種在半導(dǎo)體封裝裝置內(nèi)支撐半導(dǎo)體管芯的引線框，所述引線框包括管芯接合區(qū)域，用于容納半導(dǎo)體管芯；以及多個(gè)引線，其布置在管芯接合區(qū)域周圍并與管芯接合區(qū)域間隔開，用于與半導(dǎo)體管芯電互連，并用于提供用于半導(dǎo)體封裝裝置的電互連，所述引線具有頂部表面和底部表面，其中所述多個(gè)引線中第一引線具有從頂部表面凹陷的部分，并且與第一引線相鄰的第二引線具有從底部表面凹陷的部分，用于減小毛邊形成影響。
2.如權(quán)利要求1所述的引線框，其中所述多個(gè)引線以單排布置在所述管芯接合區(qū)域的周界周圍。
3.如權(quán)利要求1所述的引線框，其中所述多個(gè)引線包括多個(gè)具有從頂部表面凹陷的部分的第一引線，其形成第一排；以及多個(gè)具有從底部表面凹陷的部分的第二引線，其形狀第二排。
4.如權(quán)利要求1所述的引線框，其中第一引線以及第二引線是相鄰的并以第一距離分開，并且第一引線和與第二引線相鄰的第三引線以第二距離分開，其中第二距離從第一引線延伸超出潛在的毛邊形成區(qū)。
5.一種半導(dǎo)體封裝裝置，包括半導(dǎo)體管芯；引線框，用于支撐所述半導(dǎo)體管芯；以及半導(dǎo)體封裝體，其至少部分包封所述半導(dǎo)體管芯；所述引線框包括管芯接合區(qū)域，用于容納所述半導(dǎo)體管芯；多個(gè)引線，其布置在管芯接合區(qū)域周圍并與管芯接合區(qū)域間隔開，用于與半導(dǎo)體管芯電互連，并用于提供用于半導(dǎo)體封裝裝置的電互連，所述引線具有頂部表面和底部表面，其中所述多個(gè)引線中的第一引線具有從頂部表面凹陷的部分，并且與第一引線鄰近的第二引線具有從底部表面凹陷的部分，用于減小毛邊形成影響，其中所述第一和第二引線的凹陷的部分的表面被暴露在所述半導(dǎo)體封裝體的表面上；以及其中所述半導(dǎo)體管芯具有第一和第二表面，第一表面附著在所述引線框的管芯接合區(qū)域上，而第二表面與所述多個(gè)引線中的至少一個(gè)引線電互連。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述引線框的所述多個(gè)引線以單排布置在所述管芯接合區(qū)域的周界周圍。
7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述引線框的所述多個(gè)引線包括具有從頂部表面凹陷的部分的多個(gè)第一引線，其形成暴露在所述半導(dǎo)體封裝體的表面上的第一排；以及具有從底部表面凹陷的部分的多個(gè)第二引線，其形成暴露在所述半導(dǎo)體封裝體的表面上的第二排。
8.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中所述引線框的第一引線和相鄰的引線以第一距離分開，并且第一引線和與第二引線相鄰的第三引線以第二距離分開，其中第二距離從第一引線延伸超出潛在的毛邊形成區(qū)。
9.一種形成用于半導(dǎo)體封裝裝置的引線框的方法，包括提供引線框，該引線框具有管芯接合區(qū)域，用于容納半導(dǎo)體管芯；以及多個(gè)引線，其被布置在所述管芯接合區(qū)域周圍并與所述管芯接合區(qū)域間隔開，用于與所述半導(dǎo)體管芯電互連以及用于提供用于所述半導(dǎo)體封裝裝置的電互連，所述引線具有頂部表面和底部表從所述多個(gè)引線中的第一引線的頂部表面去除一部分，以形成凹陷的部分；以及從與第一引線相鄰的第二引線的底部表面去除一部分，以形成凹陷部分，用于減少毛邊形成影響。
10.如權(quán)利要求9的方法，進(jìn)一步包括將半導(dǎo)體管芯附著于所述引線框的所述管芯接合區(qū)域；以及將所述半導(dǎo)體管芯與所述引線框的引線電連接，以及包封所述管芯和所述引線框，從而形成半導(dǎo)體封裝裝置。
全文摘要
一種用于減小毛邊形成的不利影響的引線框，包括引線框，其具有引線，其中從第一引線將頂部表面的一部分去除，并從與第一引線相鄰的第二引線將底部表面的一部分去除，以減少引線之間的間隔，同時(shí)減小在利用所述引線框制造的半導(dǎo)體器件的單顆化期間導(dǎo)致的毛邊形成的不利影響，諸如短路等等。
文檔編號(hào)H01L23/495GK102214631SQ20101014751
公開日2011年10月12日 申請(qǐng)日期2010年4月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月9日
發(fā)明者姚晉鐘, 田斌, 許南, 趙樹峰, 陸永勝 申請(qǐng)人:飛思卡爾半導(dǎo)體公司