專利名稱：具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管晶片的制作方法，尤其涉及一種具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的制作方法。
背景技術(shù)：
由于發(fā)光二極管具有壽命長(zhǎng)、體積小、高耐震性、發(fā)熱度小以及耗電量低等優(yōu)點(diǎn)， 發(fā)光二極管已被廣泛地應(yīng)用于家電產(chǎn)品以及各式儀器的指示燈或光源。近年來，發(fā)光二極管已朝多色彩及高亮度發(fā)展，因此其應(yīng)用領(lǐng)域已擴(kuò)展至大型戶外看板、交通信號(hào)燈及相關(guān)領(lǐng)域。在未來，發(fā)光二極管甚至可能成為兼具省電及環(huán)保功能的主要照明光源。在目前市場(chǎng)上被廣泛使用的白光發(fā)光二極管中，其中一種白光發(fā)光二極管是由藍(lán)光發(fā)光二極管晶片與黃色熒光粉組合而成。圖1為現(xiàn)有的白光發(fā)光二極管的剖面圖?，F(xiàn)有的白光發(fā)光二極管100的制作方法通常是先將藍(lán)光發(fā)光二極管晶片110配置于基座120并打線接合藍(lán)光發(fā)光二極管晶片110與基座120，之后，在基座120上以點(diǎn)膠的方式形成一覆蓋藍(lán)光發(fā)光二極管晶片110與導(dǎo)線W的黃色熒光膠體130，然后，在黃色熒光膠體130上配置一透鏡140。白光發(fā)光二極管100可通過混合藍(lán)光發(fā)光二極管晶片110所發(fā)出的藍(lán)光以及部分藍(lán)光照射到黃色熒光膠體130中的黃色熒光粉所產(chǎn)生的黃光而獲得白光。然而，以點(diǎn)膠的方式所形成的黃色熒光膠體130容易有厚度分布不均的問題，以致于影響白光發(fā)光二極管100所發(fā)出的光的顏色的均勻度(即當(dāng)藍(lán)光發(fā)光二極管晶片110 所發(fā)出的藍(lán)光穿過黃色熒光膠體130的厚度較大的部分時(shí)，會(huì)產(chǎn)生偏黃色的光)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的制作方法，可有助于提高發(fā)光二極管晶片所產(chǎn)生的光的顏色的均勻度。本發(fā)明提供一種具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的制作方法，包括以下步驟提供一基板，該基板上具有多個(gè)發(fā)光二極管。在各發(fā)光二極管上分別形成多個(gè)導(dǎo)電凸塊。形成一覆蓋基板的熒光粉層。自熒光粉層的遠(yuǎn)離基板的一側(cè)以一點(diǎn)狀切削裝置切削熒光粉層， 以薄化熒光粉層并暴露出該些導(dǎo)電凸塊。形成多個(gè)彼此分離且具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，點(diǎn)狀切削裝置為一鉆石切刀。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，還包括在以鉆石切刀切削熒光粉層的同時(shí)，鉆石切刀還切削各導(dǎo)電凸塊的一頂部。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在以鉆石切刀切削熒光粉層與各導(dǎo)電凸塊的頂部之后， 熒光粉層的一頂面與各導(dǎo)電凸塊的一頂面齊平。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，切削熒光粉層的步驟包括以一特定厚度切削熒光粉層， 并確認(rèn)該些導(dǎo)電凸塊是否露出，若該些導(dǎo)電凸塊未露出，則調(diào)整切削厚度并重復(fù)上述步驟直至該些導(dǎo)電凸塊暴露出。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，切削熒光粉層的步驟，是以逆時(shí)針或順時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)點(diǎn)狀切削裝置，同時(shí)使基板對(duì)點(diǎn)狀切削裝置相對(duì)地移動(dòng)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，形成熒光粉層的方法包括以轉(zhuǎn)鑄成型、壓縮成型、網(wǎng)版印刷、旋轉(zhuǎn)涂布、點(diǎn)膠、電泳或噴涂的方式形成熒光粉層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該些發(fā)光二極管形成于基板上。在本實(shí)施例中，形成該些彼此分離且具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的步驟包括切割熒光粉層、該些發(fā)光二極管以及基板。在本實(shí)施例中，以刀具切割熒光粉層、發(fā)光二極管與基板、或者是以刀具切割熒光粉層及發(fā)光二極管并以雷射切割基板，或者是以雷射同時(shí)切割熒光粉層、發(fā)光二極管及基板。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該些發(fā)光二極管為發(fā)光二極管晶粒，且彼此分離設(shè)置于基板上，熒光粉層填充于各晶粒之間。在本實(shí)施例中，形成該些彼此分離且具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的步驟包括切割熒光粉層及基板。在此實(shí)施例中，以刀具切割熒光粉層與基板、或者是以刀具切割熒光粉層并以雷射切割基板，或者是以雷射同時(shí)切割熒光粉層及基板。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，形成該些彼此分離且具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的方法包括切割熒光粉層及基板。在本實(shí)施例中，包括以刀具切割熒光粉層與基板、或者是以刀具切割熒光粉層并以雷射切割基板、或者是以雷射同時(shí)切割熒光粉層及基板。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，以點(diǎn)狀切削裝置切削熒光粉層之后，熒光粉層的一頂面為一具有規(guī)則圖案的粗糙面。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在以點(diǎn)狀切削裝置切削熒光粉層之后，熒光粉層的厚度實(shí)質(zhì)上為一定值。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，熒光粉層由至少一熒光粉粒子及一膠體混合而成，膠體包括硅膠或環(huán)氧樹脂。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，導(dǎo)電凸塊的材料包括金及其合金。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，基板包括碳化硅基板、硅基板、藍(lán)寶石基板、氧化鋅、砷化鎵、尖晶石或是金屬基板。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，基板包括印刷電路基板、陶瓷基板、硅基板或是金屬基板?；谏鲜觯捎诒景l(fā)明是以鉆石切刀切削熒光粉層的方式薄化熒光粉層，因此，覆蓋在發(fā)光二極管晶片上的熒光粉層的厚度相當(dāng)均勻，故當(dāng)發(fā)光二極管晶片的發(fā)光二極管晶片所發(fā)出的光穿過厚度均勻的熒光粉層后可轉(zhuǎn)換成顏色均勻度較高的光。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并結(jié)合附圖作詳細(xì)說明如下。


圖1為現(xiàn)有的白光發(fā)光二極管的剖面圖。圖2A 圖2E為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管晶片的制程剖面圖。圖3A 圖;3B為圖2C的鉆石切刀切削步驟中鉆石切刀的移動(dòng)方向與半導(dǎo)體層的移動(dòng)方向的示意圖，其中圖3A為鉆石切刀與半導(dǎo)體層的上視圖，圖;3B為鉆石切刀與半導(dǎo)體層的側(cè)視圖。圖4A 圖4E為本發(fā)明又一實(shí)施例的發(fā)光二極管晶片的制程剖面圖。圖5為圖4A中發(fā)光二極管晶片的放大示意圖。主要元件符號(hào)說明100:白光發(fā)光二極管；120 基座；140 透鏡；210 發(fā)光單元；214,426 發(fā)光層；220 電極；232 端部；240、440 熒光粉層；242、442 熒光粉層的一側(cè)；250、450 鉆石切刀；420 發(fā)光二極管晶片；432:第一導(dǎo)電凸塊；432b 第一端面；434a 第二端部；C 基板；G、Gl:間隙;P2:第二電極；R:凹槽；S 側(cè)壁；T 厚度；W:導(dǎo)線。
具體實(shí)施例方式圖2A 圖2E為本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管晶片的制程剖面圖。圖3A 圖為圖2C的鉆石切刀切削步驟中鉆石切刀的移動(dòng)方向與半導(dǎo)體層的移動(dòng)方向的示意圖，其中圖3A為鉆石切刀與半導(dǎo)體層的上視圖，圖:3B為鉆石切刀與半導(dǎo)體層的側(cè)視圖。首先，請(qǐng)參照?qǐng)D2A，提供一基板C，在基板C上形成陣列排列的多個(gè)發(fā)光單元210， 每一發(fā)光單元210包括依序堆迭的一第一型摻雜半導(dǎo)體層212、一發(fā)光層214與一第二型摻雜半導(dǎo)體層216，其中發(fā)光層214配置于第一型摻雜半導(dǎo)體層212與第二型摻雜半導(dǎo)體層216之間，基板C的材質(zhì)可以包括但不限于碳化硅基板(SiC)、硅基板(Si)、藍(lán)寶石基板、 氧化鋅(ZnO)、砷化鎵(GaAs)、尖晶石(MgA1204)或是金屬基板(例如是銅)。接著，在第二型摻雜半導(dǎo)體層216上形成多個(gè)電極220。然后，在電極220上分別形成多個(gè)導(dǎo)電凸塊 (bump) 230，導(dǎo)電凸塊的材質(zhì)可以例如是金及其合金。之后，請(qǐng)參照?qǐng)D2B，在本實(shí)施例中，例如是以轉(zhuǎn)鑄成型(transfer molding)、壓縮成型(compressing molding)、網(wǎng)版印刷(screen printing)、方寵轉(zhuǎn)涂布(spin-coating)、點(diǎn)膠(dispensing)、電泳、噴涂(spray coating)或是其他適合的方法在第二型摻雜半導(dǎo)體層216上形成一熒光粉層M0，且熒光粉層240覆蓋導(dǎo)電凸塊230。要說明的是，熒光粉層
110:藍(lán)光發(fā)光二極管晶片； 130 黃色熒光膠體； 200,400 發(fā)光二極管晶片； 212,424 第一型摻雜半導(dǎo)體層； 216,428 第二型摻雜半導(dǎo)體層； 230 導(dǎo)電凸塊； 234 端面；
240，、440，熒光粉層； 244、444 表面； 410 承載基板； 422 基板； 432a 第一端部； 434:第二導(dǎo)電凸塊； 434b 第二端面； V:第一方向； Pl 第一電極；240是由至少一種熒光粉粒子及膠體混合而成，膠體可以例如是硅膠(silicone or silica gel)或環(huán)氧樹月旨(印oxy resin)。接著，硬化(curing)熒光粉層M0，然后，請(qǐng)參照?qǐng)D2B與圖2C，自熒光粉層240的遠(yuǎn)離發(fā)光單元210的一側(cè)M2以一鉆石切刀(未示出)切削(cutting)已硬化的熒光粉層 240’，以薄化熒光粉層M0’并暴露出導(dǎo)電凸塊230，而暴露出的導(dǎo)電凸塊230有利于后續(xù)進(jìn)行的打線制程。要說明的是，薄化熒光粉層M0’的過程是先以一特定厚度切削熒光粉層 240',之后視導(dǎo)電凸塊230是否露出，若導(dǎo)電凸塊230還未暴露出，則逐漸地增加切削厚度， 直到暴露出導(dǎo)電凸塊230為止。具體而言，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3A與圖:3B，本實(shí)施例是通過順時(shí)針旋轉(zhuǎn)鉆石切刀250并使具發(fā)光單元210的基板C朝向一第一方向V移動(dòng)的方式切削熒光粉層M0’，換言之，鉆石切刀250在作旋轉(zhuǎn)切削的同時(shí)，基板C對(duì)鉆石切刀250相對(duì)地移動(dòng)。本實(shí)施例并不以此限定鉆石切刀250的旋轉(zhuǎn)方向以及發(fā)光單元210與熒光粉層M0’的移動(dòng)方向，鉆石切刀250的旋轉(zhuǎn)方向可以是逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)方向。鉆石切刀250切削熒光粉層M0’的同時(shí)，鉆石切刀250 可一并切削各導(dǎo)電凸塊230的遠(yuǎn)離發(fā)光單元210的一端部232。請(qǐng)參照?qǐng)D2C與圖3B，在本實(shí)施例中，由于鉆石切刀250同時(shí)切削熒光粉層M0’與各導(dǎo)電凸塊230的端部232，因此，熒光粉層M0’的遠(yuǎn)離發(fā)光單元210的一表面244與各導(dǎo)電凸塊230的遠(yuǎn)離發(fā)光單元210的一端面234齊平。值得注意的是，現(xiàn)有的化學(xué)研磨技術(shù)需要研磨液(具有研磨粒子)及研磨墊，而研磨墊的表面上布滿研磨粒子，因此在研磨過程中，研磨液及研磨碎屑無法即時(shí)排出，但由于熒光粉層及導(dǎo)電凸塊彼此之間硬度差異頗大， 故若繼續(xù)研磨，留在研磨墊及研磨表面之間的研磨粒子及研磨碎屑會(huì)造成熒光粉層及導(dǎo)電凸塊的表面無法齊平。此外，在本實(shí)施例中，由于鉆石切刀250是水平地切削熒光粉層240’，因此，熒光粉層Mo’的厚度T實(shí)質(zhì)上為一定值。在本實(shí)施例中，厚度T實(shí)質(zhì)上約為5um至40um，最佳是 30umo由于鉆石切刀250是以旋轉(zhuǎn)的方式切削熒光粉層M0’，而且在切削的過程中，通過體積極小的鉆石切刀頭(tip)以旋轉(zhuǎn)方式將切割點(diǎn)變成切割線，最后再通過基板與鉆石切刀的相對(duì)運(yùn)動(dòng)而形成切割面，因此，被鉆石切刀250切削過的熒光粉層M0’的表面244 可為一具有規(guī)則圖案的粗糙面，如此一來，可有助于避免之后形成的發(fā)光二極管的發(fā)光二極管晶片所發(fā)出的光在表面244產(chǎn)生全反射，進(jìn)而提升發(fā)光二極管的發(fā)光效率。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D2D，沿著導(dǎo)電凸塊230之間的間隙G切割熒光粉層M0’與發(fā)光單元210及基板C，以形成多個(gè)彼此分離的而具熒光粉層的發(fā)光二極管晶片200 (如圖2E所示，為簡(jiǎn)化說明，圖2E僅示出一個(gè)具熒光粉層的發(fā)光二極管晶片200作為代表)。要說明的是，導(dǎo)電凸塊的數(shù)量并不限圖2E所示，導(dǎo)電凸塊的數(shù)量可以是單一個(gè)，當(dāng)然，也可以具有二個(gè)以上的導(dǎo)電凸塊，當(dāng)晶片面積越大時(shí)，可以具有較多的導(dǎo)電凸塊。在本實(shí)施例中，切割熒光粉層240’、發(fā)光單元210及基板C的方法可視情況而選擇性地以刀具切割熒光粉層 M0’、發(fā)光單元210及基板C、或者是以刀具切割熒光粉層M0’及發(fā)光單元210并以雷射切割基板C，當(dāng)然，也可以同時(shí)使用雷射切割熒光粉層M0’、發(fā)光單元210及基板C。值得注意的是，由于本實(shí)施例是先形成熒光粉層M0’在發(fā)光單元210上，再以切削的方式薄化熒光粉層240’，因此，可以控制熒光粉層僅形成在每一發(fā)光單元的正向發(fā)光表面上，而且覆蓋在每一發(fā)光單元210上的熒光粉層M0’的厚度大致上均勻，故當(dāng)具熒光粉層的發(fā)光單元210所發(fā)出的光穿過厚度均勻的熒光粉層M0’后可發(fā)射出均勻度較好的光。圖4A 圖4E為本發(fā)明又一實(shí)施例的發(fā)光二極管晶片的制程剖面圖。圖5為圖4A 中發(fā)光二極管晶片的放大示意圖。首先，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D4A與圖5，提供一承載基板(submoimt) 410與多個(gè)發(fā)光二極管晶片420，各發(fā)光二極管晶片420包括依序堆迭的一基板422、一第一型摻雜半導(dǎo)體層424、 一發(fā)光層似6與一第二型摻雜半導(dǎo)體層428。發(fā)光層似6配置于第一型摻雜半導(dǎo)體層4M 與第二型摻雜半導(dǎo)體層4 之間，在本實(shí)施例中，承載基板410包括印刷電路基板、陶瓷基板、硅基板或是金屬基板，各發(fā)光二極管晶片420的基板422的材質(zhì)可以例如是但不限于藍(lán)寶石S1Ife (sapphire substrate)。承接上述，發(fā)光二極管晶片420具有一凹槽R，凹槽R暴露出部分第一型摻雜半導(dǎo)體層424。暴露于凹槽R中部分第一型摻雜半導(dǎo)體層似4上配置有一第一電極Pl，第二型摻雜半導(dǎo)體層4 上配置有一第二電極P2，且這些發(fā)光二極管晶片420配置于承載基板410 上。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D4B，在各發(fā)光二極管晶片420的第一電極Pl與第二電極P2上分別形成一第一導(dǎo)電凸塊432與一第二導(dǎo)電凸塊434，且第一導(dǎo)電凸塊432與第二導(dǎo)電凸塊434 的頂點(diǎn)大致上位于同一高度。然后，請(qǐng)參照?qǐng)D4C，在本實(shí)施例中，例如以轉(zhuǎn)鑄成型(transfer molding)、壓縮成型(compressing molding)、網(wǎng)版印刷(screen printing)、方寵轉(zhuǎn)涂布(spin-coating)、點(diǎn)膠 (dispensing)、電泳、噴涂(spray coating)或是其他適合的方法在承載基板410上形成一熒光粉層440，熒光粉層440覆蓋發(fā)光二極管晶片420、第一導(dǎo)電凸塊432與第二導(dǎo)電凸塊 434并填入發(fā)光二極管晶片420之間的間隙Gl中。要說明的是，熒光粉層440是由至少一種熒光粉粒子及膠體混合而成，膠體可以例如是硅膠(silicone or silica gel)或環(huán)氧樹月旨(epoxyresin)。接著，硬化(curing)熒光粉層440，然后，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D4C與圖4D，自硬化的熒光粉層440’的遠(yuǎn)離承載基板410的一側(cè)442以一鉆石切刀450切削已硬化的熒光粉層440’， 以薄化熒光粉層440’并暴露出第一導(dǎo)電凸塊432與第二導(dǎo)電凸塊434。詳細(xì)而言，在本實(shí)施例中，在以鉆石切刀450切削熒光粉層440’的同時(shí)，鉆石切刀450可一并切削各第一導(dǎo)電凸塊432的遠(yuǎn)離承載基板410的一第一端部43 以及各第二導(dǎo)電凸塊434的遠(yuǎn)離承載基板410的一第二端部43如。在本實(shí)施例中，由于鉆石切刀450同時(shí)切削熒光粉層440’、各第一導(dǎo)電凸塊432的第一端部43 以及各第二導(dǎo)電凸塊434的第二端部43 ，因此，熒光粉層440，的遠(yuǎn)離承載基板410的一表面444齊平于各第一導(dǎo)電凸塊432的遠(yuǎn)離承載基板410的一第一端面432b 以及各第二導(dǎo)電凸塊434的遠(yuǎn)離承載基板410的一第二端面434b。在本實(shí)施例中，鉆石切刀450是以旋轉(zhuǎn)的方式切削熒光粉層440’ (相同于圖2C與圖3A 圖;3B的切削方式)，因此，熒光粉層440’的表面444(即被鉆石切刀450切削過的表面)可為一具有規(guī)則圖案的粗糙面，如此一來，可有助于避免之后形成的發(fā)光二極管的發(fā)光二極管晶片所發(fā)出的光在表面444產(chǎn)生全反射，進(jìn)而提升發(fā)光二極管的發(fā)光效率。
然后，可沿著發(fā)光二極管晶片420之間的間隙Gl切割熒光粉層440’與承載基板 410，以形成多個(gè)彼此分離的具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片400(如圖4E所示，為簡(jiǎn)化說明，圖4E僅示出一個(gè)具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片400作為代表)。在本實(shí)施例中，切割熒光粉層440’與承載基板410的方法可視情況而選擇性地以刀具切割熒光粉層440’與承載基板410、或者是以刀具切割熒光粉層440’并以雷射切割承載基板410，當(dāng)然，也可以同時(shí)使用雷射切割熒光粉層440’及承載基板410。值得注意的是，由于本實(shí)施例是形成熒光粉層在發(fā)光二極管晶片上之后，以切削的方式薄化熒光粉層440’，因此，覆蓋在發(fā)光二極管晶片420上的熒光粉層440’的厚度相當(dāng)均勻，故當(dāng)發(fā)光二極管晶片400的發(fā)光二極管晶片420所發(fā)出的光穿過厚度均勻的熒光粉層440’后可發(fā)射出均勻度較好的光。詳細(xì)地說，由于本實(shí)施例是將發(fā)光二極管晶片設(shè)置在承載基板上，所以熒光粉可以充分地充填在晶片之間的間隙中，因此，本實(shí)施例的熒光粉層也可以形成在發(fā)光二極管晶片420的側(cè)壁S上，之后再以切削的方式薄化熒光粉層440’。因此，本實(shí)施例可以控制發(fā)光二極管晶片的正向發(fā)光面上的熒光粉層的厚度大于在發(fā)光二極管晶片側(cè)壁S上熒光粉層的厚度。由于發(fā)光二極管晶片420從側(cè)壁S所發(fā)出的光線能量較弱，因此穿過厚度較小的熒光粉層440’后，可以避免現(xiàn)有技術(shù)中，因晶片側(cè)壁熒光粉層較厚而產(chǎn)生的黃暈 (yellow-ring)現(xiàn)象，使得整個(gè)發(fā)光二極管晶片可以發(fā)射出均勻度較好且亮度較高的光線。綜上所述，在一實(shí)施例中，由于本發(fā)明是以鉆石切刀切削熒光粉層的方式薄化熒光粉層，因此，覆蓋在發(fā)光二極管晶片上的熒光粉層的厚度相當(dāng)均勻，故當(dāng)發(fā)光二極管晶片的發(fā)光二極管晶片所發(fā)出的光穿過厚度均勻的熒光粉層后可發(fā)射出均勻度較好的光。此外，在另一實(shí)施例中，除了上述的優(yōu)點(diǎn)之外，還可以控制正向與側(cè)壁熒光粉層厚度的比例， 故可以得到發(fā)光較均勻的發(fā)光二極管晶片。再者，由于熒光粉層被鉆石切刀切削過的表面可為一規(guī)則的粗糙面，因此，可有助于避免發(fā)光二極管晶片的發(fā)光二極管晶片所發(fā)出的光在熒光粉層的表面產(chǎn)生全反射，進(jìn)而提高發(fā)光二極管晶片的發(fā)光效率。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭示如上，但其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作適當(dāng)改變或等同替換，故本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的制作方法，其特征在于，包括以下步驟提供一基板，所述基板上具有多個(gè)發(fā)光二極管；在所述多個(gè)發(fā)光二極管上分別形成多個(gè)導(dǎo)電凸塊；形成一覆蓋所述基板的熒光粉層；自所述熒光粉層的遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)以一點(diǎn)狀切削裝置切削所述熒光粉層，以薄化所述熒光粉層并暴露出所述多個(gè)導(dǎo)電凸塊；以及形成多個(gè)彼此分離且具有所述熒光粉層的發(fā)光二極管晶片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的制作方法，其特征在于， 所述點(diǎn)狀切削裝置為一鉆石切刀。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的制作方法，其特征在于， 還包括在以所述鉆石切刀切削所述熒光粉層的同時(shí)，所述鉆石切刀還切削各所述導(dǎo)電凸塊的一頂部。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的制作方法，其特征在于， 在以所述鉆石切刀切削所述熒光粉層與各所述導(dǎo)電凸塊的所述頂部之后，所述熒光粉層的一頂面與各所述導(dǎo)電凸塊的一頂面齊平。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的制作方法，其特征在于， 切削所述熒光粉層的步驟包括以一特定厚度切削所述熒光粉層，并確認(rèn)所述多個(gè)導(dǎo)電凸塊是否露出；若所述多個(gè)導(dǎo)電凸塊未露出，則調(diào)整切削厚度并重復(fù)上述步驟直至所述多個(gè)導(dǎo)電凸塊暴露出ο
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的制作方法，其特征在于， 切削所述熒光粉層的步驟，是以逆時(shí)針或順時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)所述點(diǎn)狀切削裝置，同時(shí)使所述基板對(duì)所述點(diǎn)狀切削裝置相對(duì)地移動(dòng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的制作方法，其特征在于， 形成所述熒光粉層的方法包括以轉(zhuǎn)鑄成型、壓縮成型、網(wǎng)版印刷、旋轉(zhuǎn)涂布、點(diǎn)膠、電泳或噴涂的方式形成所述熒光粉層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的制作方法，其特征在于， 所述多個(gè)發(fā)光二極管形成于所述基板上，形成所述多個(gè)彼此分離且具有所述熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的步驟包括切割所述熒光粉層、所述多個(gè)發(fā)光二極管以及所述基板。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的制作方法，其特征在于， 以刀具切割所述熒光粉層、所述發(fā)光二極管與所述基板、或者是以刀具切割所述熒光粉層及所述發(fā)光二極管并以雷射切割所述基板，或者是以雷射同時(shí)切割所述熒光粉層、所述發(fā)光二極管及所述基板。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的制作方法，其特征在于， 所述多個(gè)發(fā)光二極管為發(fā)光二極管晶粒，且彼此分離設(shè)置于所述基板上，所述熒光粉層填充于各所述晶粒之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的制作方法，其特征在于，形成所述多個(gè)彼此分離且具有所述熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的步驟包括切割所述熒光粉層及所述基板。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的制作方法，其特征在于，以刀具切割所述熒光粉層與所述基板、或者是以刀具切割所述熒光粉層并以雷射切割所述基板，或者是以雷射同時(shí)切割所述熒光粉層及所述基板。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的制作方法，其特征在于， 形成所述多個(gè)彼此分離且具有所述熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的方法包括切割所述熒光粉層及所述基板。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的制作方法，其特征在于，包括以刀具切割所述熒光粉層與所述基板、或者是以刀具切割所述熒光粉層并以雷射切割所述基板、或者是以雷射同時(shí)切割所述熒光粉層及所述基板。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的制作方法，其特征在于， 在以所述點(diǎn)狀切削裝置切削所述熒光粉層之后，所述熒光粉層的一頂面為一具有規(guī)則圖案的粗糙面。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的制作方法，其特征在于， 在以所述點(diǎn)狀切削裝置切削所述熒光粉層之后，所述熒光粉層的厚度實(shí)質(zhì)上為一定值。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的制作方法，其特征在于， 所述熒光粉層由至少一熒光粉粒子及一膠體混合而成，所述膠體包括硅膠或環(huán)氧樹脂。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的制作方法，其特征在于， 所述導(dǎo)電凸塊的材料包括金及其合金。
19.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的制作方法，其特征在于， 所述基板包括碳化硅基板、硅基板、藍(lán)寶石基板、氧化鋅、砷化鎵、尖晶石或是金屬基板。
20.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的制作方法，其特征在于，所述基板包括印刷電路基板、陶瓷基板、硅基板或是金屬基板。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片的制作方法，包括以下步驟提供一基板，該基板上具有多個(gè)發(fā)光二極管。在各發(fā)光二極管上分別形成多個(gè)導(dǎo)電凸塊。形成一覆蓋基板的熒光粉層。自熒光粉層的遠(yuǎn)離基板的一例以一點(diǎn)狀切削裝置切削熒光粉層，以薄化熒光粉層并暴露出此些導(dǎo)電凸塊。形成多個(gè)彼此分離且具有熒光粉層的發(fā)光二極管晶片。本發(fā)明的發(fā)光二極管晶片的制作方法，可有助于提高發(fā)光二極管晶片所產(chǎn)生的光的顏色的均勻度。
文檔編號(hào)H01L21/56GK102194744SQ201010147310
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2010年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月18日
發(fā)明者謝忠全 申請(qǐng)人:億光電子工業(yè)股份有限公司