專利名稱：：半導(dǎo)體管芯封裝及其制作方法半導(dǎo)體管芯封裝及其制作方法本申請是申請日為2006年6月19日，發(fā)明名稱為“半導(dǎo)體管芯封裝及其制作方法”的第200680024215.0號中國專利申請的分案申請。相關(guān)申請的交叉引用本發(fā)明是非臨時的，并要求以下美國臨時申請的優(yōu)先權(quán)2005年7月22日提交的60/701,781；2005年6月30日提交的60/696，320；2005年6月30日提交的60/696，027；2005年6月30日提交的60/696，350；2005年7月22日提交的60/702，076；2005年6月30日提交的60/696，305；以及2005年12月21日提交的60/753，040。這些美國臨時申請通過引用通用地整體結(jié)合于此。本發(fā)明的背景各種半導(dǎo)體管芯封裝是眾所周知的。雖然這些封裝是有益的，但是可對它們進(jìn)行改進(jìn)。例如，進(jìn)行上述許多封裝是很困難和/或昂貴的。因此，期望提供經(jīng)改進(jìn)的半導(dǎo)體封裝、用于制作半導(dǎo)體管芯封裝的方法、這些管芯封裝的元件、以及使用這些半導(dǎo)體管芯封裝的電氣組件?？善谕暂^低的成本來制造這些經(jīng)改進(jìn)的半導(dǎo)體管芯封裝和/或期望其具有較好的功能。本發(fā)明的概述本發(fā)明的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體管芯封裝、用于制作半導(dǎo)體管芯封裝的方法、以及包括該半導(dǎo)體管芯封裝的電子組件。本發(fā)明的一個實(shí)施例涉及一種方法，包括獲得包括引線框架和模塑材料(moldingmaterial)的預(yù)模制襯底(premoldedsubstrate)，其中該引線框架結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電部分、第二導(dǎo)電部分以及在該第一導(dǎo)電部分與該第二導(dǎo)電部分之間的中間部分；切割該中間部分以使該第一導(dǎo)電部分與該第二導(dǎo)電部分電隔離；將半導(dǎo)體管芯附連到該襯底；以及將該第一和第二導(dǎo)電部分電耦合到該半導(dǎo)體管芯。本發(fā)明的另一個實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體管芯封裝，包括包括引線框架和模塑材料的預(yù)模制襯底，其中該引線框架結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電部分、第二導(dǎo)電部分以及在該第一導(dǎo)電部分與該第二導(dǎo)電部分之間的腔體；在該預(yù)模制襯底上的半導(dǎo)體管芯；以及覆蓋該半導(dǎo)體管芯并填充該第一導(dǎo)電部分與該第二導(dǎo)電部分之間的腔體的包封材料。本發(fā)明的另一個實(shí)施例涉及一種方法，包括獲得包括第一表面和第二表面的預(yù)模制襯底，其中該預(yù)模制襯底包括引線框架結(jié)構(gòu)和模塑材料，其中該引線框架結(jié)構(gòu)包括焊盤區(qū)，其中該焊盤區(qū)的外表面和該模塑材料的外表面基本上共面，并且與該預(yù)模制襯底的第二表面重合；以及將至少兩個半導(dǎo)體管芯附連到預(yù)模塑襯底的第一表面。本發(fā)明的另一個實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體管芯封裝，包括包括第一表面和第二表面的預(yù)模制襯底，其中該預(yù)模制襯底包括引線框架結(jié)構(gòu)和模塑材料，其中該引線框架結(jié)構(gòu)包括焊盤區(qū)，其中該焊盤區(qū)的外表面和該模塑材料的外表面基本上共面，并且與該預(yù)模制襯底的第二表面重合；以及附連到預(yù)模塑襯底的第一表面的至少兩個半導(dǎo)體管芯。本發(fā)明的另一個實(shí)施例涉及一種用于形成半導(dǎo)體管芯封裝的方法，該方法包括形成襯底，其中形成襯底包括(i)將引線框架結(jié)構(gòu)放置在至少第一模塑管芯與第二模塑管芯之間，(ii)使該引線框架結(jié)構(gòu)與該第一和第二模塑管芯接觸，以及(iii)在該引線框架結(jié)構(gòu)周圍形成模塑材料；將半導(dǎo)體管芯附連到該襯底；以及將該半導(dǎo)體管芯包封到包封材料中。本發(fā)明的另一個實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體管芯封裝，包括襯底，其中形成的襯底包括引線框架結(jié)構(gòu)和模塑材料，其中該襯底形成至少一個凹面結(jié)構(gòu)；以及在該襯底上的半導(dǎo)體管芯。本發(fā)明的另一個實(shí)施例涉及一種方法，包括獲得包括引線框架結(jié)構(gòu)和模塑材料的襯底，其中該模塑材料與該引線框架結(jié)構(gòu)的表面基本上共面，并且其中該襯底包括第一管芯附連區(qū)和第二管芯附連區(qū)；將第一半導(dǎo)體管芯附連到該第一管芯附連區(qū)；以及將第二半導(dǎo)體管芯附連到該第二管芯附連區(qū)。本發(fā)明的另一個實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體管芯封裝，包括包括引線框架結(jié)構(gòu)和模塑材料的襯底，其中該模塑材料與該引線框架結(jié)構(gòu)的表面基本上共面，并且其中該襯底包括第一管芯附連區(qū)和第二管芯附連區(qū)；在該第一管芯附連區(qū)上的第一半導(dǎo)體管芯；以及在該第二管芯附連區(qū)上的第二半導(dǎo)體管芯。本發(fā)明的另一個實(shí)施例涉及一種用于半導(dǎo)體管芯封裝的襯底的制作方法，該方法包括獲得第一引線框架結(jié)構(gòu)和第二引線框架結(jié)構(gòu)；使用粘合層將該第一和第二引線框架結(jié)構(gòu)附連在一起；以及將模塑材料涂敷到該第一引線框架結(jié)構(gòu)、該第二引線框架結(jié)構(gòu)或該粘合層。本發(fā)明的另一個實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體管芯封裝，包括包括引線框架和模塑材料的預(yù)模制襯底，其中該引線框架結(jié)構(gòu)的外表面和該模塑材料的外表面基本上共面；以及在該預(yù)模制襯底上的半導(dǎo)體管芯；附連到該預(yù)模制襯底的引線，其中這些引線從該預(yù)模制襯底獨(dú)立地形成。本發(fā)明的另一個實(shí)施例涉及一種方法，包括獲得包括導(dǎo)電管芯附連表面的襯底；將包括高壓側(cè)晶體管輸入的高壓側(cè)晶體管附連到該襯底，其中該高壓側(cè)晶體管輸入被耦合到該導(dǎo)電管芯附連表面；以及將包括低壓側(cè)晶體管輸出的低壓側(cè)晶體管附連到該襯底，其中該低壓側(cè)晶體管輸入被耦合到該導(dǎo)電管芯附連表面。本發(fā)明的另一個實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體管芯封裝，包括包括導(dǎo)電管芯附連表面的襯底；包括高壓側(cè)晶體管輸入的高壓側(cè)晶體管，其中該高壓側(cè)晶體管輸入被耦合到該導(dǎo)電管芯附連表面；以及包括低壓側(cè)晶體管輸出的低壓側(cè)晶體管，其中該低壓側(cè)晶體管輸入被耦合到該導(dǎo)電管芯附連表面。以下詳細(xì)描述本發(fā)明的這些以及其它實(shí)施例。附圖的簡要描述圖1A-1H示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例在半導(dǎo)體管芯封裝的形成期間的元件的橫截面視圖。圖II是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體管芯封裝的仰視圖。圖IJ是在制造期間襯底的組件的俯視圖。圖IK是包括基準(zhǔn)凹槽的導(dǎo)軌的側(cè)面橫截面視圖。圖IL示出了具有切割線的襯底的俯視圖。圖2k示出了根據(jù)本發(fā)明的另一半導(dǎo)體管芯封裝的仰視圖。圖2B示出了圖2A中所示的半導(dǎo)體管芯封裝的側(cè)面橫截面視圖。圖2C示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的引線框架結(jié)構(gòu)的仰視圖。圖2D示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體管芯封裝的仰視圖。圖2E示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的另一半導(dǎo)體管芯封裝的側(cè)面橫截面視圖。圖3A-3C示出了半導(dǎo)體管芯封裝在其被組裝時的俯視圖。圖3D示出了半導(dǎo)體管芯封裝的仰視圖。圖3E示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的襯底的側(cè)面橫截面視圖。圖4A-4C示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的另一半導(dǎo)體管芯封裝的俯視圖。圖4D示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的襯底的平面仰視圖。圖4E示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的襯底的側(cè)面橫截面視圖。圖5示出了引線框架結(jié)構(gòu)陣列的立體圖。圖6A-6I示出了管芯封裝在形成它們時的立體圖。圖7A-7C示出了另一半導(dǎo)體管芯封裝在其形成時的側(cè)面橫截面視圖。圖7D示出了使用圖7A-7C中所示的工藝形成的半導(dǎo)體管芯封裝的立體圖。圖8A-8D示出了另一半導(dǎo)體管芯封裝在其形成時的側(cè)面橫截面圖。圖8E示出了使用圖8A-8D中所示的工藝形成的半導(dǎo)體管芯封裝的立體圖。圖9A-9D示出了正在形成的另一半導(dǎo)體管芯封裝的橫截面視圖。圖9E示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的另一半導(dǎo)體管芯封裝的立體圖。圖10A-10D示出了另一半導(dǎo)體管芯封裝在其形成時的橫截面視圖。圖IOE示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的另一半導(dǎo)體管芯封裝的立體圖。圖11A-11D示出了另一半導(dǎo)體管芯封裝在其形成時的橫截面視圖。圖IlE示出了導(dǎo)體管芯封裝的立體仰視圖。圖12A-12D示出了另一半導(dǎo)體管芯封裝在其形成時的橫截面視圖。圖12E示出了圖12D中所示的導(dǎo)體管芯封裝的仰視立體圖。圖13A-13D示出了另一半導(dǎo)體管芯封裝在其形成時的橫截面視圖。圖13E示出了圖13D中所示的導(dǎo)體管芯封裝的立體仰視圖。圖14A-14D示出了另一半導(dǎo)體管芯封裝在其形成時的橫截面視圖。圖14E示出了圖14D中所示的導(dǎo)體管芯封裝的立體圖。圖15A-15D示出了另一半導(dǎo)體管芯封裝在其形成時的橫截面視圖。圖15E示出了圖15D中所示的導(dǎo)體管芯封裝的立體仰視圖。圖16A-16D示出了另一半導(dǎo)體管芯封裝在其形成時的橫截面視圖。圖16E示出了圖16D中所示的導(dǎo)體管芯封裝的立體仰視圖。圖17A-17D示出了另一半導(dǎo)體管芯封裝在其形成時的橫截面視圖。圖17E示出了圖17D中所示的導(dǎo)體管芯封裝的立體仰視圖。圖18A-1是引線框架結(jié)構(gòu)的立體仰視圖。圖18A-2是已被部分蝕刻的引線框架結(jié)構(gòu)的立體俯視圖。圖18B-1是預(yù)模制襯底的立體仰視圖。圖18B-2是預(yù)模制襯底的立體俯視圖。圖18C是其上安裝有半導(dǎo)體管芯的預(yù)模制襯底的立體仰視圖。圖18D是包括預(yù)模制襯底的半導(dǎo)體管芯封裝的立體俯視圖。圖19A是包括安裝在其上的半導(dǎo)體管芯的預(yù)模制引線框架襯底的立體俯視圖。圖19B是示出了圖18A中所示的預(yù)模制引線框架襯底的立體仰視圖。圖20A是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的預(yù)模制襯底的平面俯視圖。圖20B是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的預(yù)模制襯底的立體俯視圖。圖20C是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的預(yù)模制襯底的側(cè)面橫截面視圖。圖20D是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的預(yù)模制襯底的立體仰視圖。圖20E是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的預(yù)模制襯底的平面俯視圖。圖20F是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的預(yù)模制襯底的側(cè)面橫截面視圖。圖20G是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的預(yù)模制襯底的立體俯視圖。圖20H是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的預(yù)模制襯底的立體仰視圖。圖2IA是框架結(jié)構(gòu)的立體仰視圖。圖21B和21C是根據(jù)本發(fā)明的預(yù)模制襯底的立體圖。圖21D和21E示出了安裝在框架中的預(yù)模制襯底的立體俯視圖。半導(dǎo)體管芯安裝在該預(yù)模制襯底上。圖21F示出了安裝在框架中的預(yù)模制襯底的立體仰視圖。圖21G示出了安裝到框架的預(yù)模制襯底的側(cè)視圖。圖22A-22D分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的模制管芯封裝的側(cè)面橫截面視圖、背面立體圖、立體俯視圖和正視圖。圖23是與圖24C中所示的封裝相對應(yīng)的同步降壓(buck)變換器的電路圖。圖24A示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體管芯封裝的側(cè)視圖。圖24B示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體管芯封裝的平面俯視圖。圖24C示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體管芯封裝的立體圖。圖24D示出了引線框架結(jié)構(gòu)的立體仰視圖。圖24E是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體管芯封裝的立體側(cè)視圖。圖25示出了本發(fā)明的另一實(shí)施例的側(cè)視圖。在此實(shí)施例中，模塑材料被沉積在引線框架內(nèi)，并且使芯片與引線框架結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電區(qū)隔離。詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體管芯封裝以及用于制作半導(dǎo)體管芯的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體管芯封裝包括襯底以及安裝在該襯底上的半導(dǎo)體管芯。半導(dǎo)體管芯可使用粘合劑或任何其它合適的附連材料來附連到襯底上。在半導(dǎo)體管芯封裝中，該半導(dǎo)體管芯的底面和/或頂面可電耦合到襯底的導(dǎo)電區(qū)。包封材料可包封半導(dǎo)體管芯。如以下進(jìn)一步詳細(xì)描述的，在不同的實(shí)施例中，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的襯底可具有不同的構(gòu)造。襯底可具有任何合適的構(gòu)造。然而，在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，襯底包括弓丨線框架結(jié)構(gòu)和模塑材料。通常，引線框架結(jié)構(gòu)的至少一個表面基本上與模塑材料的外表面共面。在某些實(shí)施例中，引線框架結(jié)構(gòu)的兩個相對主表面基本上與襯底中的模塑材料的相對外表面共面。在其它實(shí)施例中，引線框架結(jié)構(gòu)的僅一個主表面基本上與模塑材料的外表面共面。術(shù)語“引線框架結(jié)構(gòu)”可指從引線框架獲得的結(jié)構(gòu)。引線框架結(jié)構(gòu)可通過例如本領(lǐng)域中公知的沖壓工藝來形成。示例性引線框架結(jié)構(gòu)還可通過蝕刻連續(xù)導(dǎo)電片以形成預(yù)定圖案而形成。因而，在本發(fā)明的實(shí)施例中，半導(dǎo)體管芯封裝中的引線框架結(jié)構(gòu)可以是連續(xù)金屬結(jié)構(gòu)或非連續(xù)金屬結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的引線框架結(jié)構(gòu)最初可以是通過系桿連接在一起的引線框架結(jié)構(gòu)陣列中的許多引線框架結(jié)構(gòu)之一。在制作半導(dǎo)體管芯封裝的過程期間，引線框架結(jié)構(gòu)陣列可被切割成彼此獨(dú)立的各個引線框架結(jié)構(gòu)。作為此切割的結(jié)果，最終半導(dǎo)體管芯封裝中的引線框架結(jié)構(gòu)的部分(諸如源極引線和柵極引線)可在電和機(jī)械上分開。在一個實(shí)施例中，當(dāng)制造根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體管芯封裝時，不使用引線框架結(jié)構(gòu)陣列。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的引線框架結(jié)構(gòu)可包括任何合適的材料、可具有任何合適的形式、以及可具有任何合適的厚度。示例性引線框架結(jié)構(gòu)材料包括諸如銅、鋁、金等金屬以及其合金。引線框架結(jié)構(gòu)還可包括諸如金、鉻、銀、鈀、鎳等的電鍍層的電鍍層。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的引線框架結(jié)構(gòu)還可具有任何合適的構(gòu)造。例如，引線框架結(jié)構(gòu)還可具有任何合適的厚度，包括約小于Imm(例如約小于0.5mm)的厚度。另外，引線框架結(jié)構(gòu)可具有形成管芯附連焊盤(DAP)的管芯附連區(qū)。引線可遠(yuǎn)離管芯附連區(qū)側(cè)向延伸。它們還可具有與形成管芯附連區(qū)的表面共面和/或不共面的表面。例如，在某些例子中，弓丨線可相對于管芯附連區(qū)向下彎曲。如果引線框架結(jié)構(gòu)的引線不側(cè)向向外延伸通過模塑材料，則襯底可被認(rèn)為是“無引線(leadless)”襯底，并且包含該襯底的封裝可被認(rèn)為是“無引線”封裝。如果引線框架結(jié)構(gòu)的引線延伸通過模塑材料，則襯底可以是“帶引線(leaded)”襯底，而封裝可以是“帶引線封裝”。用在襯底中的模塑材料可包括任何合適的材料。合適的模塑材料包括基于聯(lián)苯的材料和多功能交聯(lián)環(huán)氧樹脂復(fù)合材料。合適的模塑材料可以液體形式或半固體形式沉積在引線框架結(jié)構(gòu)內(nèi)，并且之后進(jìn)行固化以使它們硬化。安裝在襯底上的半導(dǎo)體管芯可包括任何合適的半導(dǎo)體器件。合適的器件可包括垂直器件或水平器件。垂直器件至少在管芯的一側(cè)具有輸入，而在管芯的另一側(cè)具有輸出，從而電流可垂直流過管芯。水平器件在管芯的一側(cè)具有至少一個輸入，而在管芯的同一側(cè)具有至少一個輸出，從而電流可水平流過管芯。在2004年12月29日提交的美國專利申請No.11/026，276中也描述了示例性半導(dǎo)體器件，該申請通過引用通用地整體結(jié)合于此。垂直功率晶體管包括VDMOS晶體管和垂直雙極性晶體管。VDMOS晶體管是具有通過擴(kuò)散形成的兩個或多個半導(dǎo)體區(qū)的M0SFET。它具有源區(qū)、漏區(qū)、和柵極。器件是垂直的，因?yàn)樵磪^(qū)和漏區(qū)出于半導(dǎo)體管芯的相對表面上。柵極可以是溝道柵結(jié)構(gòu)或平面柵結(jié)構(gòu)，并且與源區(qū)形成于同一表面上。溝道柵結(jié)構(gòu)是較佳的，因?yàn)闇系罇沤Y(jié)構(gòu)較窄，并且占據(jù)比平面柵結(jié)構(gòu)小的空間。在工作期間，VDMOS器件中從源區(qū)到漏區(qū)的電流基本上與管芯表面垂直。包封材料可用于包封半導(dǎo)體管芯。包封材料可包括與先前所述的模塑材料相同或不同類型的材料。在一個實(shí)施例中，包封材料覆蓋或至少部分地覆蓋襯底以及襯底上的一個或多個半導(dǎo)體管芯。包封材料可用于保護(hù)一個或多個半導(dǎo)體管芯免受由于曝露于周圍環(huán)境而導(dǎo)致的潛在損壞。任何合適的工藝可用于包封半導(dǎo)體管芯和/或支承半導(dǎo)體管芯的襯底。例如，半導(dǎo)體管芯和襯底可被置于模塑管芯中，而包封材料可圍繞半導(dǎo)體管芯和/或襯底形成。對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言，具體模塑條件是眾所周知的。I.包括具有切割隔離區(qū)的襯底的管芯封裝隨著微引線封裝(MLP)元件的特征尺寸變得越來越小，設(shè)計受到了蝕刻或半蝕刻框架技術(shù)的金屬對金屬間隙和尺寸容限能力的限制。本發(fā)明的實(shí)施例公開了能夠容納用于外露焊盤的兩行的預(yù)模制框架布置。與相同數(shù)量的引線的單行MLP相比，雙行MLP具有較小的封裝尺寸。在本發(fā)明的實(shí)施例中，對引線框架結(jié)構(gòu)進(jìn)行預(yù)模制，然后將其分割以隔離兩個導(dǎo)電焊盤。本發(fā)明的一個實(shí)施例涉及一種方法，包括獲得包括引線框架和模塑材料的預(yù)模制襯底，其中該引線框架結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電部分、第二導(dǎo)電部分以及在該第一導(dǎo)電部分與該第二導(dǎo)電部分之間的中間部分。襯底中的模塑材料的厚度基本上等于引線框架的厚度。例如，模塑材料的厚度可基本上等于第一導(dǎo)電部分和/或第二導(dǎo)電部分的厚度。然后，切割中間部分以使第一導(dǎo)電部分與第二導(dǎo)電部分電隔離。第一和第二導(dǎo)電部分可在管芯封裝中形成不同的端子。例如，第一和第二導(dǎo)電部分可選自下組柵極引線、源極引線和漏極引線，其中第一和第二導(dǎo)電部分可以不同。多組第一和第二導(dǎo)電部分可形成導(dǎo)電區(qū)的行。在切割了引線框架結(jié)構(gòu)之后，將至少一個半導(dǎo)體管芯附連到襯底上。合適的粘合劑或焊料可用于將半導(dǎo)體管芯附連到襯底上。半導(dǎo)體管芯可以是上述類型。例如，引線框架結(jié)構(gòu)可以是包括功率MOSFET的半導(dǎo)體管芯。在將半導(dǎo)體管芯附連到襯底上之后，半導(dǎo)體管芯可電耦合到第一和第二導(dǎo)電部分。例如，半導(dǎo)體管芯以及第一和第二導(dǎo)電部分可被引線接合在一起?；蛘?，導(dǎo)電接線柱可用于將半導(dǎo)體管芯電耦合到第一和第二導(dǎo)電部分。在將半導(dǎo)體管芯電耦合到預(yù)模制襯底中的第一和第二部分之后，包封材料可被沉積到半導(dǎo)體管芯上以對其進(jìn)行包封。該包封材料可以是與上述模塑材料相同或不同的材料。所形成的半導(dǎo)體管芯封裝可具有不延伸通過模塑材料的外表面的引線。在某些實(shí)施例中，所形成的半導(dǎo)體管芯封裝可被稱為“微引線封裝”或MLP封裝?？蓞⒄崭綀D1A-1L描述示例性方法和管芯封裝。圖IA示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的引線框架結(jié)構(gòu)14。此示例中的引線框架結(jié)構(gòu)14不帶管芯附連焊盤(DAP)。如以下將說明的，包括引線框架結(jié)構(gòu)14的襯底將具有由模塑材料形成的管芯附連區(qū)。引線框架結(jié)構(gòu)14具有與該引線結(jié)構(gòu)14的第二表面14(f)相對的第一表面14(e)。引線框架結(jié)構(gòu)14包括第一導(dǎo)電部分14(a)、第二導(dǎo)電部分14(b)和在該第二導(dǎo)電部分14(a)與該第二導(dǎo)電部分14(b)之間的中間部分14(c)。如所示，第一和第二導(dǎo)電部分14(a)、14(b)的厚度大致相同，但是中間部分14(c)的厚度小于第一和第二導(dǎo)電部分14(a),14(b)的厚度。作為這些不同厚度的結(jié)果，間隙16由第一導(dǎo)電部分14(a)、第二導(dǎo)電部分14(b)以及中間部分14(c)來限定。引線框架14可使用任何合適的工藝來形成。例如，引線框架結(jié)構(gòu)14可使用光刻膠和蝕刻工藝、或者沖壓工藝來形成。這些工藝和其它工藝對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員是眾所周知的。例如，圖IA中所示的間隙16可使用眾所周知的光刻和蝕刻工藝來形成。在示例性光刻和蝕刻工藝中，可使用一層光刻膠來覆蓋裸金屬結(jié)構(gòu)(未示出)?？蓪υ搶庸饪棠z成像并顯影。金屬結(jié)構(gòu)的外露部分可使用濕法蝕刻和干法蝕刻工藝來蝕刻。腔體16可使用濕法或干法蝕刻工藝來形成。如圖IA中所示，在形成引線框架結(jié)構(gòu)14之后，可將一片帶12附連到引線框架結(jié)構(gòu)14的第一表面14(a)上。該片帶12覆蓋引線框架結(jié)構(gòu)14的第一表面14(e)，從而用于形成襯底的模塑材料不覆蓋該第一表面14(e)。如圖IB中所示，在將帶12附連到引線框架結(jié)構(gòu)14的第一表面14(e)之后，諸如環(huán)氧模塑材料的模塑材料18可在引線框架結(jié)構(gòu)14上沉積并固化。模塑材料18填充引線框架結(jié)構(gòu)14的間隙16以及各個第一和第二導(dǎo)電部分14(a)、14(b)之間的空隙?？梢瞥嘤嗟哪Ｋ懿牧?，使得第二表面14(f)不被模塑材料覆蓋。然而，在此示例中，使用模塑材料18來填充引線框架結(jié)構(gòu)14的第一和第二表面14(e)、14(f)之間的區(qū)域。如圖IB中所示，模塑材料18的外表面18(a)可基本上與第一和第二導(dǎo)電部分14(a),14(b)的外表面14(a)-l、14(b)-l共面。如所示，模塑材料18在特定位置處的厚度基本上等于第一和第二導(dǎo)電部分14(a)、14(b)的厚度。如圖IC中所示，在模塑之后，第一切割元件20切割引線框架結(jié)構(gòu)14的中間部分14(c)，由此在襯底22中形成一個或多個腔體24。該一個或多個腔體24可延伸穿過整個中間部分14(c)，并且可部分延伸到模塑材料18中。腔體24可形成為通過襯底22的厚度的一半厚度(或更少)。通過切割中間部分14(c)，第一和第二導(dǎo)電部分14(a)、14(b)可彼此電隔離或機(jī)械隔離。如將在以下詳細(xì)描述的，被隔離的第一和第二導(dǎo)電部分14(a)、14(b)可在之后用作在所得的半導(dǎo)體管芯封裝中的分離的電端子(例如，電接合焊盤)。任何合適的第一切割元件20可用于切割中間部分14(c)。例如，第一切割元件20可以是水射流(water,jet)、鋸子、蝕刻材料或激光器。如圖ID中所示，在切割之后，形成預(yù)模制襯底22。襯底22具有在其中執(zhí)行切割的腔體24。腔體24將第一和第二導(dǎo)電區(qū)14(a)、14(b)分開，使得它們彼此機(jī)械和電隔離。所形成的預(yù)模制襯底22可具有或可不具有延伸通過模塑材料18的側(cè)向邊緣的引線。在具體的襯底22中，引線框架結(jié)構(gòu)14的引線對應(yīng)于第一和第二導(dǎo)電區(qū)14(a)、14(b)。在其它實(shí)施例中，襯底22可具有側(cè)向延伸到引線框架結(jié)構(gòu)14的側(cè)向邊緣的引線，并且可向下彎曲或不彎曲來形成端子連接。如圖IE中所述，然后，可將一個或多個半導(dǎo)體管芯25安裝到襯底22上。襯底22可包括第一表面22(a)以及與該第一表面22(a)相對的第二表面22(b)。在此示例中，存在直接安裝在模塑材料18上的至少兩個半導(dǎo)體管芯25。如果要形成多個半導(dǎo)體管芯封裝，則可將多個半導(dǎo)體管芯25安裝到襯底22上。如以下所說明的，可形成接合的封裝，并且可在單立工藝中最后彼此分離。任何合適的材料可用于將一個或多個半導(dǎo)體管芯25安裝到襯底22上。例如，焊料或者導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘合劑可用于將一個或多個半導(dǎo)體管芯25安裝到襯底22上。合適的粘合劑包括經(jīng)填充或未填充的環(huán)氧粘合劑?？蓪⒁粋€或多個半導(dǎo)體管芯25安裝到襯底22上的任何合適的位置。如圖IE中所示，將一個或多個半導(dǎo)體管芯25安裝到諸如模塑材料18之類的絕緣材料。在其它實(shí)施例中，引線框架結(jié)構(gòu)14可包括一個或多個導(dǎo)電管芯附連焊盤(未示出)，并且一個或多個半導(dǎo)體管芯25可被安裝到一個或多個管芯附連焊盤。半導(dǎo)體管芯25可以是上述半導(dǎo)體管芯的任一種。例如，每個管芯25可具有第一表面25(a)和第二表面25(b)，其中該第二表面25(b)比該第一表面25(a)更靠近襯底22。在一些實(shí)施例中，第一表面25(a)可具有源極端子、柵極端子和漏極端子，而第二表面25(b)不具有任何端子。在其它的實(shí)施例中，第一表面25(a)可具有源極和/或柵極端子，而第二表面25(b)可具有漏極端子(或相反)。在此情況中，一個或多個半導(dǎo)體管芯25可被安裝到導(dǎo)電管芯附連焊盤(未示出)而非模塑材料18。在安裝了一個或多個半導(dǎo)體管芯25之后，可將導(dǎo)線30附連到(以及由此進(jìn)行電耦合)半導(dǎo)體管芯25的第一表面25(a)處的電端子，以及第一和第二導(dǎo)電部分14(a)、14(b)上。導(dǎo)線30可另外稱為“引線接合(wirebond)”。這些導(dǎo)線可由諸如金、銀、鉬等的貴金屬構(gòu)成，或者可包括諸如銅、鋁等的過渡金屬。在某些實(shí)施例中，導(dǎo)線可以是涂敷導(dǎo)線(例如，使用諸如金或鉬的貴金屬涂敷的銅線)?？蛇x地或另外，導(dǎo)電接線柱可用于將半導(dǎo)體管芯25的第一表面25(a)處的電端子耦合到第一和第二導(dǎo)電部分14(a)、14(b)。參看圖1F，然后，包封材料32可被沉積在襯底22的第一表面22(a)以及在襯底22的第一表面22(a)上安裝的半導(dǎo)體管芯25上。包封材料32填充預(yù)先形成于襯底22中的間隙24。通過包封材料32填充襯底22中的腔體24有益地將包封材料32“鎖到”襯底22。還可模塑包封材料32，使得它不延伸通過襯底22的側(cè)邊緣。參看圖1G，在沉積了包封材料32之后，第二切割元件42(與上述第一切割元件20相同或不同)可用于使所形成的封裝40(a)、40(b)彼此分隔開。第二切割元件42可切穿包封材料32和襯底22?？蓪⒋斯に嚪Q為“單立”。圖IH示出了在單立之后根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體管芯封裝40(a)的側(cè)面橫截面視圖。如圖IH中所示，在封裝40(a)之后，包封材料32的側(cè)面可與襯底22的側(cè)面同樣寬。包封材料32還覆蓋半導(dǎo)體管芯25以及導(dǎo)線30。第一和第二導(dǎo)電部分14(a)、14(b)彼此電隔離，并且在封裝40(a)的底部形成電端子。如圖11中所示，第一和第二導(dǎo)電部分14(a)、14(b)可在封裝40(a)的底部形成電端子。與第一和第二導(dǎo)電部分14(a)、14(b)相對應(yīng)的這些端子可對應(yīng)于印刷電路板(未示出)上的導(dǎo)電焊區(qū)。圖II中所示的半導(dǎo)體管芯封裝40(a)可容易地安裝到印刷電路板(未示出)以形成電組件。可將焊料沉積在第一和第二導(dǎo)電部分14(a)、14(b)的外露表面上，以及電路板上的相應(yīng)導(dǎo)電焊區(qū)上。然后，可類似于倒裝芯片(flipchip)將半導(dǎo)體管芯封裝40(a)安裝到電路板上。圖IJ示出了在封裝形成工藝期間可夾持許多襯底22的導(dǎo)軌結(jié)構(gòu)50。導(dǎo)軌結(jié)構(gòu)50包括許多切割基準(zhǔn)凹槽50(a)。凹槽50(a)可用于幫助引導(dǎo)前述的第一切割元件20，從而可在切割第一和第二導(dǎo)電部分之間的中間部分之前確定最佳的切割深度。在某些情況中，凹槽50(a)可稱為“鋸道基準(zhǔn)(sawstreetreference)，，。圖IK示出了導(dǎo)軌50中的基準(zhǔn)凹槽50(a)的側(cè)視圖。如所示，凹槽50(a)延伸通過框架結(jié)構(gòu)50的厚度的一部分。圖IL示出了水平和垂直切割線。這些線62定義了當(dāng)?shù)谝磺懈钤Ω綦x襯底22中的引線框架結(jié)構(gòu)的第一和第二導(dǎo)電部分的中間部分進(jìn)行切割時用于第一切割元件的切割通道。當(dāng)通過切割線執(zhí)行切割時，例如鋸片可僅切穿導(dǎo)軌結(jié)構(gòu)50的一部分，從而它們可保持完整，并且可進(jìn)一步處理各個襯底22。作為使用鋸子和基準(zhǔn)凹槽50(a)的替代方案，可使用激光來切割前述存在于第一和第二導(dǎo)電部分之間的中間部分。在不使用基準(zhǔn)凹槽的情況下，激光束可用于具體地切割中間部分。上述實(shí)施例具有大量優(yōu)點(diǎn)。如上所述，通過在引線框架結(jié)構(gòu)的第一和第二導(dǎo)電部分之間提供腔體以及然后使用包封材料對其進(jìn)行填充，包封材料可“鎖定”到預(yù)模制襯底。這有助于確保所形成的管芯封裝是堅(jiān)固且穩(wěn)固的。而且，具有多個電端子的管芯封裝可使用本發(fā)明的實(shí)施例來快速且有效地形成。另外，本發(fā)明的實(shí)施例可形成具有最小化封裝尺寸的MLP封裝的至少兩行，并且不外露管芯附連焊盤(DAP)。在參照圖1A-1L描述的實(shí)施例中，半導(dǎo)體管芯在由引線的端子部分定義是區(qū)域的內(nèi)部。在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，可能提供具有一種籍此半導(dǎo)體管芯與引線的一部分重疊的構(gòu)造的半導(dǎo)體管芯封裝。此類半導(dǎo)體管芯封裝還可以是雙行MLP封裝。經(jīng)改進(jìn)的雙行MLP封裝允許在不犧牲熱性能的情況下，在給定的同一封裝尺寸上具有較大的引腳數(shù)量。在不犧牲熱性能的情況下，該改進(jìn)的雙行MLP封裝還小于具有相同數(shù)量引腳的可比較封裝。參照圖2A-2E描述這些附加實(shí)施例。圖2A示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體管芯封裝700的仰視圖。半導(dǎo)體管芯封裝700包括引線框架結(jié)構(gòu)720，該結(jié)構(gòu)包括多個內(nèi)部第一導(dǎo)電部分702(a)和多個外部第二導(dǎo)電部分702(b)。如所示，第二導(dǎo)電部分702(b)圍繞第一導(dǎo)電部分702(a)。與先前實(shí)施例中的一樣，模塑材料704形成具有引線框架結(jié)構(gòu)720的襯底721。模塑材料704的外表面基本上與引線框架結(jié)構(gòu)720的第一和第二導(dǎo)電部分702(a)、702(b)的外表面共面。圖2B中示出了半導(dǎo)體管芯封裝700的側(cè)面橫截面視圖。圖2B是沿圖2A線2B-2B的橫截面視圖。半導(dǎo)體管芯封裝700包括使用諸如焊料或不導(dǎo)電粘合劑之類的管芯附連材料712安裝在襯底721上的半導(dǎo)體管芯710。在此示例中，半導(dǎo)體管芯710的底部并不電耦合到第一導(dǎo)電內(nèi)部部分70(a)。與以上實(shí)施例中的一樣，襯底721包括模塑材料704和引線框架720，并具有形成于襯底721中的空腔703。腔體703處于各個第一和第二導(dǎo)電部分702(a)、702(b)之間，并且通過切割引線框架結(jié)構(gòu)720處于第一和第二導(dǎo)電部分702(a)、702(b)之間的中間部分來形成。在以上圖IC和ID中描述了切割工藝，并且這里可使用上述切割工藝的任一種。然后，可執(zhí)行包括管芯附連、引線接合、包封和單立的工藝步驟。以上參照圖IE到IH描述了這些工藝步驟。這些描述被結(jié)合于此。與圖IG中所示的前述封裝不同，在此實(shí)施例中，半導(dǎo)體管芯710被安裝到襯底721上，從而它在內(nèi)部的第一導(dǎo)電部分702(a)以及引線框架結(jié)構(gòu)720的已蝕刻部分720(a)之上或者與它們重疊。導(dǎo)線711將半導(dǎo)體管芯710電耦合到達(dá)第一和第二導(dǎo)電部分702(a)、702(b)的頂面。圖2C是用在襯底721中的引線框架結(jié)構(gòu)720的仰視圖。如所示，在蝕刻之后形成第一和第二導(dǎo)電部分702(a)、702(b)。中間部分702(c)處于第一和第二導(dǎo)電部分702(a)、702(b)之間。第一和第二導(dǎo)電部分702(a)、702(b)以及該第一和第二導(dǎo)電部分702(a)、702(b)之間的中間部分702(c)可一起形成間隙。如上所述，最后切割中間部分702(c)，并且使用包封材料來對其進(jìn)行填充。引線框架結(jié)構(gòu)720還包括已蝕刻區(qū)720(a)，從引線框架結(jié)構(gòu)720移除該已蝕刻區(qū)中的材料。圖2D示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的半導(dǎo)體管芯封裝730的仰視圖。與先前的實(shí)施例一樣，半導(dǎo)體管芯封裝730包括引線框架結(jié)構(gòu)740和模塑材料746。這些元件可一起形成襯底741。引線框架結(jié)構(gòu)740包括中央部分736，該部分可包括包含管芯附連焊盤(DAP)的管芯附連區(qū)；以及內(nèi)部第一導(dǎo)電部分732(a)和外部第二導(dǎo)電部分732(b)。第二導(dǎo)電部分732(b)可圍繞內(nèi)部第一導(dǎo)電部分732(a)，并且第一和第二導(dǎo)電部分732(a)、732(b)可如上所述地彼此電隔離。如圖2E中所示，使用管芯附連材料等將半導(dǎo)體管芯752安裝到中央部分736的管芯附連區(qū)。半導(dǎo)體管芯752與許多第一導(dǎo)電部分732(a)以及中央部分736重疊。多個第二導(dǎo)電部分732(b)中的每一個第二導(dǎo)電部分與多個第一導(dǎo)電部分732(b)中相應(yīng)的第一導(dǎo)電部分電隔離。圖2E是沿圖2D中的線2E-2E的橫截面視圖。為了清晰起見，從圖2E中略去了前述導(dǎo)線。參照圖2A-2E所述的實(shí)施例具有大量優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明的實(shí)施例允許較大的引腳數(shù)量而不犧牲熱性能。在不犧牲熱性能的情況下，本發(fā)明的實(shí)施例可另外小于具有較少引腳數(shù)的可比較封裝。例如，小封裝可使用這些實(shí)施例來形成，即使用在封裝中的管芯相對較大。在不增加封裝的尺寸的情況下，其它設(shè)計無法將較大的半導(dǎo)體管芯結(jié)合到封裝中。這是因?yàn)樵谄渌O(shè)計中，半導(dǎo)體管芯被設(shè)置在可比較尺寸的DAP(管芯封裝焊盤)上。然而，在上述實(shí)施例中，半導(dǎo)體管芯可具有大于DAP的側(cè)向尺寸，或者可完全不具有DAP，同時與引線框架結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電部分(引線)的至少一些重疊。熱性能未被犧牲而是可得到改進(jìn)，因?yàn)橄⒌臒崃坎粌H通過DAP，而且通過引線框架結(jié)構(gòu)的引線(導(dǎo)電部分)。表1示出與以上在圖1A-1L中所述的特定實(shí)施例(實(shí)施例1)相比，由參照圖2A-2E所述的特定實(shí)施例提供的優(yōu)點(diǎn)。如表1中所述的，參照圖2A-2E具體描述的實(shí)施例(實(shí)施例2)可較小、可具有更大的引腳數(shù)量、以及可具有比圖1A-1L中具體描述的實(shí)施例更好的熱性質(zhì)。<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>II.包括多個半導(dǎo)體管芯的管芯封裝隨著微引線(MLP封裝)封裝元件的特征尺寸變得越來越小，設(shè)計受到了蝕刻或半蝕刻框技術(shù)的金屬對金屬間隙和尺寸容限能力的限制。這導(dǎo)致引入凸點(diǎn)芯片載體(BCC)技術(shù)，該技術(shù)當(dāng)前不提供任何布置限制，但是通?？墒褂脻裎g刻工藝。使用濕蝕刻并非優(yōu)選。本發(fā)明的實(shí)施例使用結(jié)合了引線框架結(jié)構(gòu)的預(yù)模制襯底。襯底可容納多個半導(dǎo)體管芯。通常，多芯片封裝需要使用專用襯底布置。專用襯底布置通常對于該具體多芯片封裝是特定的。本發(fā)明的實(shí)施例能夠通過使同一預(yù)模制襯底設(shè)計能夠再次用于容納多個半導(dǎo)體管芯布置來消除這種限制。外露焊盤布置也可用于提高本發(fā)明的實(shí)施例中的半導(dǎo)體管芯封裝的熱性能。其它布置概念包括半導(dǎo)體管芯封裝提供通向半導(dǎo)體管芯的漏極接點(diǎn)的能力(例如，如果半導(dǎo)體管芯包括垂直功率M0SFET)。在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，獲得了包括第一表面和第二表面的預(yù)模制結(jié)構(gòu)。預(yù)模制襯底包括引線框架結(jié)構(gòu)和模塑材料。引線框架結(jié)構(gòu)包括焊盤區(qū)。焊盤區(qū)的外表面和模塑材料的外表面基本上共面，并且與預(yù)模制襯底的第二表面重合。至少兩個半導(dǎo)體管芯被附連到襯底。較佳地，至少兩個半導(dǎo)體管芯被附連到襯底的模塑材料，并且使用接合導(dǎo)電和/或?qū)щ娊泳€柱連接到襯底的側(cè)向邊緣。圖3A到3E示出了包括預(yù)模制襯底和多個半導(dǎo)體管芯的半導(dǎo)體管芯封裝的形成中的步驟。圖3A示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的預(yù)模制襯底100的俯視圖。預(yù)模制襯底100包括模塑材料102和引線框架結(jié)構(gòu)104。至少模塑材料102的外表面和引線框架結(jié)構(gòu)104的外表面基本上共面。引線框架結(jié)構(gòu)104包括多根引線104(a)，這些引線處于100襯底的外側(cè)向邊緣上并在其上結(jié)束。在此示例中，引線104(a)存在于襯底100的四個側(cè)面邊緣的每一個上，并且外露穿過過但不延伸通過模塑材料102。引線104(a)的外表面可基本上與模塑材料102的外表面共面。如圖3A中的虛線所示，引線框架結(jié)構(gòu)104包括在引線104(a)內(nèi)的下沉(downset)中央?yún)^(qū)。下沉中央?yún)^(qū)可通過部分蝕刻工藝來形成。下沉中央?yún)^(qū)的頂面使用模塑材料102來覆蓋。模塑材料102的頂面可形成其中可安裝兩個或多個半導(dǎo)體管芯(未示出)的管芯附連區(qū)100(a)。因?yàn)樵谒緦?shí)施例中，模塑材料102的頂面用作管芯附連區(qū)106，并且沒有導(dǎo)電管芯附連焊盤用作安裝表面，所以預(yù)模制襯底100可支承多個半導(dǎo)體管芯而無需這些管芯處于特定布置。可使用若干多管芯構(gòu)造而無需改變外部引線布置。參看圖3B，在形成襯底之后，將半導(dǎo)體管芯110、112、114安裝在襯底100的管芯附連區(qū)106。不導(dǎo)電(或?qū)щ?粘合劑可用于將半導(dǎo)體管芯110、112、114附連到管芯附連區(qū)106。半導(dǎo)體管芯可以是上述半導(dǎo)體管芯的任一種。有益地，管芯110、112、114可以任何合適的排列設(shè)置在襯底100的模塑材料102上。參看圖3C，在將半導(dǎo)體管芯110、112、114安裝在襯底100之后，半導(dǎo)體管芯110、112、114的頂面可電耦合到引線104(a)以形成半導(dǎo)體管芯封裝121。可在半導(dǎo)體管芯110、112、114以及用于將引線104(a)耦合到半導(dǎo)體管芯110、112、114的頂面上的任何導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(例如，導(dǎo)線、接線柱等)上按需沉積任選的包封材料并使其固化。圖3C具體地示出了將半導(dǎo)體管芯110、112、114頂面上的電端子(未示出)耦合到引線框架結(jié)構(gòu)104的側(cè)向引線104(a)。引線接合118可通過引線接合工藝來形成，該工藝在本領(lǐng)域中是眾所周知的。作為替代方案，導(dǎo)電接線柱和焊料可用于將半導(dǎo)體管芯110、112、114的頂面上的電端子耦合到引線104(a)。圖3D示出了襯底100的仰視圖。襯底100的底面和引線框架結(jié)構(gòu)104包括與管芯附連區(qū)106相對的焊盤區(qū)104(b)。焊盤區(qū)104(b)是較大的，并且占據(jù)襯底100的第二表面100(b)的主部分，并且相對于襯底100的邊緣處的引線104(a)下沉。在此示例中，外露焊盤區(qū)104(b)可占據(jù)襯底100的側(cè)向面積的至少約50%。較大的焊盤區(qū)104(b)提供了的具有良好的熱轉(zhuǎn)移特性的所形成封裝，因?yàn)橐€框架結(jié)構(gòu)104的較大的焊盤區(qū)104(b)用作散熱片。圖3E示出了沿圖3A中的線3E-3E的襯底100的側(cè)面橫截面視圖。焊盤區(qū)104(b)具有占據(jù)了襯底100的底面的基本部分的外表面104(b)-l。焊盤區(qū)104(b)的外表面104(b)-l外露并基本上與襯底100中的模塑材料的外表面102(a)共面。在此示例中，模塑材料102使半導(dǎo)體管芯110、112、114與焊盤區(qū)104(b)電隔離。外露焊盤區(qū)104(b)可按需焊接到電路板(未示出)以提供從半導(dǎo)體管芯110、112、114到電路板的熱通道。如圖3E中所示，引線104(a)的厚度基本上等于模塑材料102的最大厚度。另外，在襯底100中，引線框架結(jié)構(gòu)104的焊盤區(qū)104(b)的內(nèi)表面由模塑材料102覆蓋。模塑材料102的厚度為“T”，并且在此示例中，厚度T與焊盤區(qū)104(b)的厚度的組合等于襯底100的厚度。參照圖3A-3E描述的實(shí)施例具有大量優(yōu)點(diǎn)。首先，較大的外露焊盤區(qū)104(b)通過提供從半導(dǎo)體管芯道110、112、114開始的較大的導(dǎo)熱通道來改進(jìn)了所形成的半導(dǎo)體管芯封裝的熱性能。另外，襯底100的較大管芯附連區(qū)106不具有導(dǎo)電焊盤，從而可在封裝中提供各個多管芯布置，即使僅使用一個襯底設(shè)計。圖4A-4F示出了用于形成本發(fā)明的另一實(shí)施例的工藝。圖4A示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的另一預(yù)模制襯底100。襯底100包括包含焊盤區(qū)104(b)和引線104(a)的引線框架結(jié)構(gòu)104；以及模塑材102。預(yù)模制襯底100的頂面100(a)上的管芯附連區(qū)106可包括焊盤區(qū)104(b)的表面，并且可支承大量半導(dǎo)體管芯(未示出)。圖4B中的虛線示出了引線框架結(jié)構(gòu)104的輪廓，并且引線框架104可通過部分蝕刻工藝來形成。與以上參照圖3A所述的襯底100不同，在此示例中，焊盤區(qū)104(b)具有與襯底100的相對表面共面的相對表面。在此實(shí)施例中，管芯附連區(qū)106包括焊盤區(qū)104(b)的外表面和模塑材料102的外表面。在此示例中，焊盤區(qū)104(b)延伸通過襯底100的整個厚度，并且可向焊盤區(qū)104(b)上的半導(dǎo)體管芯(未示出)提供通過襯底100并到達(dá)底層電路板(未示出)的導(dǎo)電和/或熱通道。在某些實(shí)施例中，焊盤區(qū)104(b)可電耦合到半導(dǎo)體管芯(未在圖4A中示出)中的電子器件的輸入和輸出端子。例如，焊盤區(qū)104(b)可電耦合到半導(dǎo)體管芯中的MOSFET的漏區(qū)。如圖4B中所示，可將大量半導(dǎo)體管芯110、112、114設(shè)置在管芯附連區(qū)106上。可將半導(dǎo)體管芯之一_半導(dǎo)體管芯112-附連到焊盤區(qū)104(b)，同時可將其它半導(dǎo)體管芯110、114附連到模塑材料102。半導(dǎo)體管芯112可以是諸如垂直MOSFET之類的垂直器件。如上所述，這種垂直器件在管芯的一個表面上具有輸入，而在管芯的另一相對面上具有輸出。其它半導(dǎo)體管芯110、114可包括水平器件。如上所述，水平器件在管芯的同一表面上具有輸入和輸出。參看圖4C，在將半導(dǎo)體管芯110、112、114安裝到襯底100上后，可形成大量引線接合118以將引線104(a)連接到半導(dǎo)體管芯110、112、114的頂面。然后，形成半導(dǎo)體管芯封裝121。圖4D示出了襯底100的仰視圖。如圖4D中所示，焊盤區(qū)104(b)在襯底100的底面100(b)上的外露表面大于焊盤區(qū)104(b)在襯底100的頂面100(a)上的外露表面。在其它實(shí)施例中，焊盤區(qū)104(b)在襯底100的頂面100(a)上的外露表面的尺寸可大于或等于焊盤區(qū)104(b)在襯底100的底面100(b)上的外露表面。圖4E示出了圖4A中所示的襯底100的側(cè)視圖。如圖4E中所示，焊盤區(qū)104(b)的第一和第二相對表面104(b)-l、104(b)-2基本上與模塑材料102的外表面共面。模塑材料102在焊盤區(qū)104(b)的已蝕刻部分的厚度可為“T”。因而，模塑材料102在某些位置的厚度可等于襯底100的厚度，而在其它位置的厚度可為“T”。參照圖4A-4E所述的實(shí)施例具有大量優(yōu)點(diǎn)。首先，較大的外露焊盤區(qū)104(b)通過提供從半導(dǎo)體管芯110、112、114起的較大的熱導(dǎo)電通道來改進(jìn)所形成的半導(dǎo)體管芯封裝的熱性能。另外，襯底100的較大的管芯附連區(qū)106可用作安裝在襯底100上的一個或多個半導(dǎo)體管芯的導(dǎo)電和熱通道。如圖3A-3E和4A-4E中所示的實(shí)施例具有除上述那些之外的其它優(yōu)點(diǎn)。首先，因?yàn)镈AP并非必需的，所以可使用許多不同的半導(dǎo)體管芯構(gòu)造而無需改變外部引線構(gòu)造。可減小襯底上的管芯之間的空隙，因?yàn)镈AP并非必需的，由此提供了更緊湊的封裝。第二，因?yàn)镈AP并非必需的，所以在加工期間，不需要用于連接到DAP的系桿。這可簡化加工。第三，可最大化由與根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的襯底中的外露焊盤相關(guān)聯(lián)的面積所占據(jù)的面積。如上所述，外露焊盤可基本上占據(jù)支承半導(dǎo)體管芯的整個背面。第四，如上所述，引線框架結(jié)構(gòu)可在襯底中具有外露表面，該表面用以連接到在襯底上安裝的半導(dǎo)體管芯中的電器件中的漏極或其它端子?？蓪?shí)現(xiàn)上述，同時最大化襯底上的相對側(cè)面處的外露焊盤面積，該襯底最后被焊接到適當(dāng)?shù)碾娐钒?。III.使用沖壓引線框架結(jié)構(gòu)制造半導(dǎo)體管芯封裝的方法上述某些預(yù)模制襯底實(shí)施例使用經(jīng)蝕刻引線框架結(jié)構(gòu)(例如，參照圖1A-1H所述的實(shí)施例)并使用昂貴的蓋帶來形成。使用經(jīng)蝕刻引線框架和蓋帶是昂貴的。在制造工藝中，帶是相對昂貴的元件，并且?guī)Оb和蝕刻工藝增加了制造時間、復(fù)雜度以及預(yù)模制襯底的成本。可期望提供用于形成不依賴于使用蓋帶或經(jīng)蝕刻引線框架結(jié)構(gòu)的使用的預(yù)模制襯底。為了解決這些問題，本發(fā)明的實(shí)施例可使用沖壓引線框架結(jié)構(gòu)裝置來形成預(yù)模制襯底。不需要蓋帶和經(jīng)蝕刻的引線框架來形成預(yù)模制襯底，從而所制成的最終封裝比使用經(jīng)蝕刻引線框架和蓋帶形成的封裝便宜。由于使用本發(fā)明的實(shí)施例實(shí)現(xiàn)的處理效能，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例所制成的所得半導(dǎo)體管芯封裝的成本可比使用預(yù)模制襯底和經(jīng)蝕刻引線框架結(jié)構(gòu)的可比較半導(dǎo)體管芯封裝約少42%。除了解決上述問題，還可期望其改進(jìn)包括預(yù)模制襯底的半導(dǎo)體管芯封裝的熱性能。在本發(fā)明的實(shí)施例中，熱性能是良好的，因?yàn)闊崃靠蓮陌雽?dǎo)體管芯傳送到引線框架結(jié)構(gòu)的引線。在某些情形中，還可期望增加用于將半導(dǎo)體管芯封裝附連到電路板的焊點(diǎn)的面積。使用本發(fā)明的實(shí)施例，可在襯底中形成凹面結(jié)構(gòu)。使用凹面結(jié)構(gòu)，增加焊點(diǎn)的尺寸是可能的，并且可保護(hù)外露焊盤免受可能的電氣短路。這將在以下進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的實(shí)施例還可使用采用了不導(dǎo)電粘合劑或焊料凸點(diǎn)和回流工藝的倒裝芯片附連方法。引線框架結(jié)構(gòu)設(shè)計是相對簡單的，并且還可能對給定封裝尺寸增加引腳數(shù)量。還可能在半導(dǎo)體管芯封裝中使用較大的管芯，因?yàn)樵诒景l(fā)明的實(shí)施例中，無需DAP(管芯附連焊盤)。在一個實(shí)施例中，該方法包括形成預(yù)模制襯底。形成預(yù)模制襯底的步驟包括(i)將引線框架結(jié)構(gòu)放置在至少第一模塑管芯與第二模塑管芯之間，()使引線框架結(jié)構(gòu)與該第一和第二模塑管芯接觸，以及(iii)圍繞該引線框架結(jié)構(gòu)形成模塑材料。引線框架結(jié)構(gòu)可以是非蝕刻的引線框架結(jié)構(gòu)，而第一和第二模塑管芯可形成模塑裝置或工具的一部分。在形成預(yù)模制襯底之后，將半導(dǎo)體管芯附連到預(yù)模制襯底。引線接合、導(dǎo)電接線柱、焊料結(jié)構(gòu)(例如，焊球)等可用于將半導(dǎo)體管芯電耦合到預(yù)模制襯底中的引線。在將半導(dǎo)體管芯電或機(jī)械地耦合到預(yù)模制襯底之后，就將半導(dǎo)體管芯包封在包封材料中以形成半導(dǎo)體管芯封裝。包封材料可與前述模塑材料相同或不同。例如，該包封材料可與前述模塑材料不同以改進(jìn)所形成的管芯封裝的熱性能并減小制造成本。在特定實(shí)施例中，用于形成半導(dǎo)體管芯封裝的方法使用以下工藝a)第一模塑工藝，用于形成預(yù)模制襯底；b)襯底清洗工藝，該工藝使用等離子體、激光或化學(xué)蝕刻和/或去毛刺(deflash)工藝；c)管芯附連工藝；d)等離子清洗工藝；e)引線接合工藝；e)第二模塑或包封工藝；以及f)單立工藝。將在以下進(jìn)一步描述這些工藝的每一個。圖5示出了包括大量經(jīng)聯(lián)結(jié)的引線框架結(jié)構(gòu)200的引線框架結(jié)構(gòu)陣列201。引線框架結(jié)構(gòu)陣列201中的每個引線框架結(jié)構(gòu)200包括未切引線200(b)和主區(qū)200(a)。未切引線200(b)在主區(qū)200(a)的相對側(cè)上延伸。引線框架結(jié)構(gòu)陣列201中的引線框架結(jié)構(gòu)200將最終被用在單個半導(dǎo)體管芯封裝中并且最終將彼此分隔開。引線框架結(jié)構(gòu)200和引線框架結(jié)構(gòu)陣列201可具有任一個上述引線框架結(jié)構(gòu)的任一個特性或特征。圖6A示出了在鑄模工具202中形成模制引線框架結(jié)構(gòu)陣列206之后的該模制引線框架結(jié)構(gòu)陣列206的立體圖。鑄模工具202包括第一模塑管芯202(a)和第二模塑管芯202(b)。可在鑄模工具202中設(shè)置用于引入未固化模塑材料的進(jìn)口以及用于過量模塑材料的流體出口。在某些情形中，還可設(shè)置加熱元件(未示出)以加熱模塑材料，從而使其可流動。通常，鑄模工具在本領(lǐng)域中是眾所周知的。為了形成模制引線框架結(jié)構(gòu)陣列206，可將前述引線框架結(jié)構(gòu)陣列201插入第一和第二模塑管芯202(a)、202(b)之間。圍繞引線框架陣列結(jié)構(gòu)200形成模塑材料204并使其固化，以形成模制引線框架結(jié)構(gòu)陣列206。模塑材料204外露引線200(b)和主區(qū)200(a)的外表面。圍繞每個主區(qū)200(a)可呈現(xiàn)略為升高的緣結(jié)構(gòu)204(a)。模塑材料204和引線框架結(jié)構(gòu)陣列200中的引線框架結(jié)構(gòu)的外表面基本上彼此共面。鑄模工具202具有兩個模塑管芯202(a)、202(b)，這些管芯可具有適當(dāng)構(gòu)造以按期望方式對模塑材料204成形。上鑄模202(b)可具有與主區(qū)200(a)、未切引線200(b)的表面以及不應(yīng)當(dāng)用模塑材料覆蓋的任何其它表面直接接觸的表面。通過使用模塑管芯202(a)、202(b)，在形成預(yù)模制襯底時，無需使用昂貴的蓋帶或經(jīng)蝕刻的引線框架結(jié)構(gòu)。這降低了預(yù)模制襯底的成本，并由此降低了由該預(yù)模制襯底形成的半導(dǎo)體管芯的成本。這還減小了形成預(yù)模制襯底的模制部分的所需的步驟的數(shù)量，因而節(jié)省了加工時間和花費(fèi)。最后，使用模塑管芯202(a)、202(b)，可能圍繞主區(qū)200(a)形成模塑材料的緣，由此形成凹面結(jié)構(gòu)。如圖6B中所示，清洗工藝可用于增加包封材料到模塑材料204和外露弓|線200(b)的粘合力?？墒褂萌魏魏线m的清洗工藝。例如，可使用等離子體清洗工藝、激光清洗工藝、化學(xué)蝕刻工藝、機(jī)械去毛刺工藝等。合適的清洗工藝參數(shù)可由本領(lǐng)域技術(shù)人員來確定。圖6B具體示出了當(dāng)其清洗模制引線框架陣列206的上表面的清洗裝置216。如圖6C中所示，在使用清洗裝置216對模制引線框架陣列206進(jìn)行了清洗之后，可使用粘合劑沉積裝置217來將粘合劑218(或焊料等)沉積在主區(qū)200(a)的外表面上。粘合劑218可包括任何合適的可購買的粘合劑，包括環(huán)氧粘合劑。粘合劑218可以是填充或未填充的，并且可包括或可不包括導(dǎo)電材料。如圖6D中所示，在主區(qū)208(a)上沉積了粘合劑218之后，將一個或多個半導(dǎo)體管芯226安裝到主區(qū)200(a)上。電耦合到每個主區(qū)200(a)的半導(dǎo)體管芯226可被設(shè)置在引線200(b)上或可與其重疊。然而，由于存在模塑材料204(a)的緣，所以半導(dǎo)體管芯226可與引線200(b)電隔離。因?yàn)榘雽?dǎo)體管芯226實(shí)際上可位于引線200(b)的一部分之上，所以半導(dǎo)體管芯226的尺寸并不限于主區(qū)200(a)的尺寸。這允許將較大的半導(dǎo)體管芯結(jié)合到根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體管芯封裝。而且如圖6D中所示，然后可在半導(dǎo)體管芯226和引線200(b)的頂側(cè)的電端子之間形成引線接合228。在其它實(shí)施例中，作為引線接合228的替代，可使用導(dǎo)電接線柱來將引線200(b)電和機(jī)械耦合到半導(dǎo)體管芯226的上表面。如圖6E中所示，然后使用包封材料230來對所得組件進(jìn)行過模制(overmold)以形成過模制組件(overmoldedassembly)232。圖6E示出了過模制組件232的立體俯視圖。任何合適的模塑工藝可用于形成過模制組件232。例如，具有模塑管芯的模塑工具可用于形成過模制組件。如先前的實(shí)施例，包封材料230可與用于在半導(dǎo)體管芯封裝中形成預(yù)模制襯底的模塑材料相同或不同。圖6F示出了圖6F中所示的過模制組件232的相對側(cè)面的立體仰視圖。如所示，模塑材料可存在圍繞引線框架結(jié)構(gòu)的主區(qū)208(a)的底面的第二緣204(b)。如以下將進(jìn)一步詳細(xì)描述的，這些可形成凹面結(jié)構(gòu)。圖6G示出了當(dāng)使用激光238或其它合適標(biāo)記元件來作標(biāo)記時的包括模塑材料230的過模制組件232。過模制組件232包括大量經(jīng)聯(lián)結(jié)的半導(dǎo)體管芯封裝。在進(jìn)行作標(biāo)記之后，這些經(jīng)聯(lián)結(jié)的封裝可使用適當(dāng)?shù)那懈钤?未示出)來進(jìn)行單立以使所形成的封裝彼此分隔開。合適的切割元件包括激光器、鋸子、穿孔裝置等。圖6H示出了所形成封裝246的立體俯視圖，而圖61示出了所形成封裝246的立體仰視圖。如圖61中所示，主區(qū)208(b)的第二緣204(b)和外露表面可形成凹面結(jié)構(gòu)。該凹面結(jié)構(gòu)可包含焊料(未示出)并可將其翻轉(zhuǎn)，然后將其安裝到印刷電路板。凹面結(jié)構(gòu)可用于將焊料限制在特定位置，并且模塑材料的第二緣204(b)可在附連到主區(qū)204(b)的焊料與引線200(b)之間形成壁壘。如所示，引線200(b)的側(cè)向邊緣基本上共面，并且不延伸通過模塑材料204的側(cè)向表面。引線200(b)的底面也基本上與引線200(b)之間的模塑材料204的表面共面。圖7A-7D示出了半導(dǎo)體管芯封裝在其被加工時的側(cè)視圖。圖7A-7D中所示的方法類似于圖6A-6I中所示的工藝。圖7A示出了包括第一表面302(a)和與該第一表面302(a)相對的第二表面302(b)的引線框架結(jié)構(gòu)302。在此示例中，引線框架結(jié)構(gòu)302具有存在于引線305與引線框架結(jié)構(gòu)302的主中央部分333之間的大量間隔303。主中央部分333存在于多組引線305之間。引線框架結(jié)構(gòu)302可具有與上述引線框架結(jié)構(gòu)相同或不同的特性。例如，引線框架結(jié)構(gòu)302可包括諸如銅之類的材料，并可被電鍍。圖7B示出了已在其上形成模塑材料302之后的引線框架結(jié)構(gòu)302。這可包括第一模塑工藝。之后形成預(yù)模制襯底301。模塑材料302具有兩個部分304(a)、304(b)，它們可形成模塑材料304的緣。如圖7B中所示，凹面結(jié)構(gòu)307由模塑材料部分304(a)、304(b)以及引線框架結(jié)構(gòu)的主中央部分333的底面形成。如圖7C中所示，在形成預(yù)模制襯底301之后，使用粘合劑308將半導(dǎo)體管芯310附連到預(yù)模制襯底301，該粘合劑可包括導(dǎo)電或不導(dǎo)電粘合劑、焊料等。半導(dǎo)體管芯310可包括如上所述的水平或垂直器件。如果存在垂直器件，則粘合劑308可以是導(dǎo)電的，從而電流可通過或從管芯310的底面流到粘合劑308、引線框架結(jié)構(gòu)302的主中央部分333以及到電路板(未示出)上的適當(dāng)焊盤。然后，在引線框架結(jié)構(gòu)302的引線305與半導(dǎo)體管芯310的上表面處的電端子(未示出)之間形成引線接合314。半導(dǎo)體管芯310的上表面離開預(yù)模制襯底301的距離比半導(dǎo)體管芯310的相對面遠(yuǎn)。然后，在半導(dǎo)體管芯310和引線接合314上形成包封材料318。如圖7C中所示，包封材料318的側(cè)向表面可與引線框架302的引線305的側(cè)向表面共面。在圖7D中示出了所得半導(dǎo)體管芯封裝330的立體仰視圖。半導(dǎo)體管芯封裝330包括包封材料318和引線框架結(jié)構(gòu)302。模塑材料304的緣被設(shè)置成圍繞引線框架結(jié)構(gòu)302的主中央部分333，以形成凹面結(jié)構(gòu)301。如所示，使用模塑材料304來填充引線框架結(jié)構(gòu)302的引線之間的區(qū)域，并且模塑材料304的表面在這些位置處基本上與引線的表面共面。根據(jù)本發(fā)明的其它半導(dǎo)體管芯封裝可包括不帶凹面結(jié)構(gòu)的預(yù)模制襯底?？蓞⒄請D8A-8E描述這些實(shí)施例。圖8A示出了包括間隙321的引線框架結(jié)構(gòu)320的另一側(cè)面橫截面視圖。弓丨線框架結(jié)構(gòu)320還包括第一表面320(a)和第二表面320(b)，以及在間隙321的相對側(cè)上的引線324。圖8B示出了在執(zhí)行模塑工藝之后的引線框架結(jié)構(gòu)320。這可構(gòu)成第一模塑工藝。如圖8B中所示，模塑材料被設(shè)置在間隙321內(nèi)，并且模塑材料322的外表面基本上與引線框架結(jié)構(gòu)320的第一和第二表面320(a),320(b)共面。所得的預(yù)模制襯底363具有第一和第二相對表面363(a)、363(b)，這些表面與模塑材料322的外表面以及引線框架結(jié)構(gòu)320的第一和第二表面320(a)、320(b)重合。與圖7B中所示的結(jié)構(gòu)不同，不在圖8B中所示的預(yù)模制襯底363中形成凹面結(jié)構(gòu)。如圖8C中所示，在形成襯底363之后，使用粘合劑344將半導(dǎo)體管芯328安裝到襯底363上。在此示例中，半導(dǎo)體管芯328可包括具有電端子的上表面，其中電端子形成半導(dǎo)體管芯328中的水平器件的一部分。粘合劑344可以是環(huán)氧粘合劑或者任何其它合適類型的粘合劑，并且可以是已填充或未填充的。在將半導(dǎo)體管芯328安裝到襯底363之后，在襯底363的引線324與半導(dǎo)體管芯328的上表面之間形成引線接合329。作為替代方案，導(dǎo)電接線柱可用在本發(fā)明的其它實(shí)施例中。如圖8D中所示，在半導(dǎo)體管芯328的上表面與引線324之間形成引線接合329之后，在半導(dǎo)體管芯328上形成包封材料332以形成半導(dǎo)體管芯封裝330。這可構(gòu)成第二模塑工藝。在此示例中，包封材料332不延伸通過襯底363的外邊緣。如在先前的實(shí)施例中，包封材料332可與模塑材料322相同或不同。圖8E示出了圖8D中所示的半導(dǎo)體管芯封裝330的立體仰視圖。如圖8E中所示，半導(dǎo)體管芯封裝330的底面是平坦的。引線324的底面基本上與模塑材料322的底面共面。圖9A示出了包括間隙321的引線框架結(jié)構(gòu)320的側(cè)面橫截面視圖。引線框架結(jié)構(gòu)320還包括第一表面320(a)和第二表面320(b)，以及間隙321的相對側(cè)上的引線。圖9B示出了在執(zhí)行模塑工藝之后的引線框架結(jié)構(gòu)320。如所示，所形成模塑材料322填充間隙321并覆蓋引線框架結(jié)構(gòu)320的第二表面320(b)的一部分，以形成襯底363。然而，此示例中的模塑材料322不覆蓋引線框架結(jié)構(gòu)320的第一表面320(a)。參看圖9C，在形成襯底363之后，使用粘合劑344將半導(dǎo)體管芯328附連到襯底363上。在半導(dǎo)體管芯328的上表面與襯底363中的引線框架結(jié)構(gòu)320的引線324之間形成引線接合329。如先前實(shí)施例中的，導(dǎo)電接線柱可用來替代引線接合329。參看圖9D，在將半導(dǎo)體管芯328附連到襯底363之后，在襯底363和半導(dǎo)體管芯328上形成包封材料332，以形成半導(dǎo)體管芯封裝330。如所示，引線框架結(jié)構(gòu)320的引線324不延伸通過包封材料332。圖9E示出了圖9D中所示的半導(dǎo)體管芯封裝330的立體仰視圖。如所示，模塑材料322從引線框架結(jié)構(gòu)320的第二表面320(b)伸出。圖IOA示出了包括間隙321的引線框架結(jié)構(gòu)320的另一側(cè)面橫截面視圖。弓丨線框架結(jié)構(gòu)320還包括第一表面320(a)和第二表面320(b)，以及在間隙321的相對側(cè)上的引線324。如圖IOB中所示，模塑材料322填充引線框架結(jié)構(gòu)320的間隙321并且還覆蓋引線框架結(jié)構(gòu)320的第一表面320(a)的一部分，以形成預(yù)模制襯底363。在此示例中，模塑材料322不覆蓋引線框架結(jié)構(gòu)320的第二表面320(b)。如圖IOC中所示，使用粘合劑344將半導(dǎo)體管芯328安裝到襯底363上。引線接合329等可形成為將半導(dǎo)體管芯328的上表面處的電端子(未示出)耦合到襯底323的引線框架結(jié)構(gòu)320的引線324。如圖IOD中所示，包封材料332覆蓋半導(dǎo)體管芯328到襯底363的引線，以形成半導(dǎo)體管芯封裝330。如所示，半導(dǎo)體管芯封裝330的底面是平坦的。圖IOE示出了圖IOD中所示的半導(dǎo)體管芯封裝330的立體仰視圖。圖IlA示出了包括間隙321的引線框架結(jié)構(gòu)320的另一側(cè)面橫截面視圖。引線框架結(jié)構(gòu)320還包括第一表面320(a)和第二表面320(b)以及在間隙321的相對側(cè)上的引線324。圖1IB示出了在對引線框架結(jié)構(gòu)320進(jìn)行了模塑工藝之后的襯底363的側(cè)面橫截面視圖。襯底363包括模塑材料322，該材料填充間隙321并覆蓋引線框架結(jié)構(gòu)320的第一和第二表面320(a)、320(b)。圖IlC示出了使用粘合劑344將半導(dǎo)體管芯328安裝到襯底363上。可在半導(dǎo)體管芯328的上表面與襯底363中的引線324之間形成引線接合329等。如圖IlD中所示，然后，在襯底363和半導(dǎo)體管芯328上形成包封材料332以形成半導(dǎo)體管芯封裝330。如所示，模塑材料322從引線324的底面伸出。圖IlE示出了圖IlD中所示的半導(dǎo)體管芯封裝330的立體仰視圖。如所示，模塑材料322在引線324之間的外表面與引線320的外表面基本上共面。然而，模塑材料322在相對引線組324之間的中央部分相對于引線320的外表面上升。圖12A示出了包括間隙321的引線框架結(jié)構(gòu)320的另一側(cè)面橫截面視圖。引線框架結(jié)構(gòu)320還包括第一表面320(a)和第二表面320(b)。引線324處于間隙321的相對側(cè)上。主中央部分333處于間隙321之間。圖12B示出了在執(zhí)行了模塑工藝之后的圖12A中的引線框架結(jié)構(gòu)320。如所示，模塑材料322形成于間隙321內(nèi)，并形成于引線框架結(jié)構(gòu)320的第二表面320(b)的至少一部分上，以形成根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的預(yù)模制襯底363。模塑材料322包括第一部分322(a)和第二部分322(b)。第一部分322(a)、第二部分322(b)以及引線框架結(jié)構(gòu)320在該第一和第二部分322(a),322(b)之間的主中央部分333可形成凹面結(jié)構(gòu)337。如圖12C中所示，使用粘合劑344將半導(dǎo)體管芯328安裝到襯底363。其上安裝了半導(dǎo)體管芯328的襯底363的表面是平坦的。然后，在襯底363的引線324與半導(dǎo)體管芯328的上表面處的電端子之間形成引線接合329(等)。如圖12D中所示，在將半導(dǎo)體管芯328安裝到襯底363上之后，在襯底363上并跨過半導(dǎo)體管芯328形成包封材料332以形成半導(dǎo)體管芯封裝330。圖12E示出了圖12D中所示的半導(dǎo)體管芯封裝330的立體仰視圖。如圖12E中所示，模塑材料322包括模塑材料322的緣，該緣圍繞引線框架結(jié)構(gòu)320的主部分333并與其形成凹面結(jié)構(gòu)。參照圖6-12描述的實(shí)施例具有引線接合等，它們用于將半導(dǎo)體管芯的表面-與模塑襯底安裝表面相對_上的電端子連接到預(yù)模制襯底中的引線。圖13-17示出了本發(fā)明的實(shí)施例可與倒裝芯片類型的管芯一起使用以形成倒裝芯片類型的半導(dǎo)體管芯封裝。圖13A示出了包括間隙339的引線框架結(jié)構(gòu)340的另一側(cè)面橫截面視圖。弓丨線框架結(jié)構(gòu)340還包括第一表面340(a)和第二表面340(b)。引線366處于間隙339的相對側(cè)上。圖13B示出了在對其進(jìn)行模塑工藝以形成預(yù)模制襯底349之后的圖13A中的引線框架結(jié)構(gòu)340。如這里所示，模塑材料342填充間隙339，但不延伸通過引線框架結(jié)構(gòu)340的第一和第二表面340(a)、340(b)。所得的預(yù)模制襯底349具有相對的平面。圖13C示出了包括大量焊料凸點(diǎn)348的半導(dǎo)體管芯346?？蓪⒑噶贤裹c(diǎn)348耦合到半導(dǎo)體管芯346中的半導(dǎo)體器件中的電端子。焊料凸點(diǎn)348可包括任何合適的焊料材料，包括Pb-Sn焊料，無Pb焊料等。作為替代方案，除焊料凸點(diǎn)348以外，還可使用包括諸如銅之類的導(dǎo)電材料的導(dǎo)電柱，或用其代替焊料凸點(diǎn)348。如圖13C中所示，使用粘合劑344將半導(dǎo)體管芯346安裝到預(yù)模制襯底349。可使用任何合適的工藝來在襯底349上沉積粘合劑346，這些工藝包括層疊、滾涂、刮刀涂敷等?？墒褂冒ōh(huán)氧粘合劑的任何合適的粘合劑。圖13D示出了在將半導(dǎo)體管芯346安裝到襯底349之后的所形成的半導(dǎo)體管芯封裝350。如所示，粘合劑344填充半導(dǎo)體管芯346與預(yù)模制襯底349之間的間隔，并且可部分地位于半導(dǎo)體管芯346的周邊的外部。在半導(dǎo)體管芯封裝350中，焊料凸點(diǎn)348將半導(dǎo)體管芯346中的端子(未示出)電耦合到引線框架結(jié)構(gòu)340的引線366。盡管圖13C和13D示出了如何首先將粘合劑沉積在襯底上，然后將半導(dǎo)體管芯346安裝到襯底349上，但是應(yīng)當(dāng)理解，其它實(shí)施例是可能的。例如，首先將半導(dǎo)體管芯346安裝到襯底349，然后使用底部填充材料來填充半導(dǎo)體管芯346與襯底349之間的間隔。底部填充材料是可購買到的。在其它實(shí)施例中，可能不需要底部填充材料或其它粘合劑，因?yàn)楹噶?48將半導(dǎo)體管芯346耦合到預(yù)模制襯底349。圖13E示出了圖13D中所示的半導(dǎo)體管芯封裝350的立體仰視圖。如所示，半導(dǎo)體管芯封裝350的底面與引線框架結(jié)構(gòu)340的第二表面340(b)重合。半導(dǎo)體管芯封裝350的底部、引線結(jié)構(gòu)340的外表面基本上與模塑材料342的外表面共面。圖14A示出了包括間隙339的引線框架結(jié)構(gòu)340的另一側(cè)面橫截面視圖。弓丨線框架結(jié)構(gòu)340還包括第一表面340(a)和第二表面340(b)。引線366處于間隙339的相對側(cè)上。圖14B示出了在對其進(jìn)行模塑工藝之后的引線框架結(jié)構(gòu)340。模塑材料342填充間隙339，并且覆蓋引線框架結(jié)構(gòu)340的第二表面340(b)的至少一部分，以形成預(yù)模制襯底349。在此實(shí)施例中，第一表面340(a)并不被模塑材料342覆蓋。圖14C示出了包括使用粘合劑344安裝到襯底349的焊料凸點(diǎn)348的半導(dǎo)體管芯346。與先前的實(shí)施例一樣，焊料凸點(diǎn)348穿過粘合層344以接觸引線框架結(jié)構(gòu)340。與先前的實(shí)施例一樣，焊料凸點(diǎn)348可包括任何合適的焊料，包括Pb-Sn焊料，無Pb焊料等。除焊料外，還可使用導(dǎo)電柱，或用其替代焊料。圖14D示出了在將半導(dǎo)體管芯346安裝到襯底349之后的半導(dǎo)體管芯封裝350。圖14E示出了圖14D中所示的半導(dǎo)體管芯封裝350的立體仰視圖。如圖14D和14E中所示的，模塑材料342從引線框架結(jié)構(gòu)340的第二表面340(b)向下伸出。如圖14E中所示，在相鄰引線366之間的模塑材料342基本上與引線366的外表面共面。圖15A示出了包括間隙339的引線框架結(jié)構(gòu)340的另一側(cè)面橫截面視圖。弓丨線框架結(jié)構(gòu)340還包括第一表面340(a)和第二表面340(b)。引線366處于間隙339的相對側(cè)上。圖15B示出了在對其進(jìn)行模塑工藝之后的引線框架結(jié)構(gòu)340。模塑材料342填充間隙339，但不覆蓋引線框架結(jié)構(gòu)340的第一表面340(a)或第二表面340(b)。圖15C示出了將其安裝到襯底349上時的半導(dǎo)體管芯346。類似于先前的實(shí)施例，半導(dǎo)體管芯346具有附連到半導(dǎo)體管芯346中的端子(未示出)的大量焊料凸點(diǎn)348。如圖15D中所示，在將半導(dǎo)體管芯346安裝到預(yù)模制襯底349之后，可在半導(dǎo)體管芯346之上和之下形成包封材料352，以形成半導(dǎo)體管芯封裝350。包封材料352可使用與前述的模塑材料342相同或不同類型的材料。圖15E示出了半導(dǎo)體管芯封裝350的立體仰視圖。如所示，模塑材料342的外表面基本上與引線366的底部外表面共面?？煞D(zhuǎn)半導(dǎo)體管芯封裝350，并將其安裝到電路板。在將半導(dǎo)體管芯封裝350安裝到電路板之前，可在引線366的外露表面上按需形成焊料。與之前的實(shí)施例不同，在將半導(dǎo)體管芯346安裝到襯底349之前，在襯底349上不存在粘合層。相反，包封材料350覆蓋半導(dǎo)體管芯346的頂面和底面。圖16A示出了括間隙339的引線框架結(jié)構(gòu)340的另一側(cè)面橫截面視圖。引線框架結(jié)構(gòu)340還包括第一表面340(a)和第二表面340(b)。引線366處于間隙339的相對側(cè)上。圖16B示出了在對其進(jìn)行模塑工藝之后的引線框架結(jié)構(gòu)340。模塑材料342填充間隙339，并覆蓋第二側(cè)340(b)的至少一部分以形成預(yù)模制襯底349。圖16C示出了將其安裝到預(yù)模制襯底349上時的半導(dǎo)體管芯346。半導(dǎo)體管芯346包括大量焊料凸點(diǎn)348。在安裝之后，這些焊料凸點(diǎn)348接觸引線366。如圖16D中所示，在將半導(dǎo)體管芯346安裝到襯底349之后，可在半導(dǎo)體管芯346之上和之下形成包封材料352，以形成半導(dǎo)體管芯封裝350。圖16E示出了圖16D中所示半導(dǎo)體管芯封裝350的立體仰視圖。如所示，相鄰引線366之間的模塑材料342基本上與那些引線366的外表面共面。模塑材料342的較大部分從引線366伸出。圖17A示出了括至少兩個間隙339的引線框架結(jié)構(gòu)340的另一側(cè)面橫截面視圖。引線框架結(jié)構(gòu)340還包括第一表面340(a)和第二表面340(b)。主中央部分333處于間隙339之間。引線366從間隙339的向外延伸。圖17B示出了在對其進(jìn)行模塑工藝之后的引線框架結(jié)構(gòu)340。如圖17B中所示，模塑材料342填充間隙339，并覆蓋第二側(cè)340(b)的至少一部分以形成預(yù)模制襯底349。模塑材料342包括第一部分342(a)和第二部分342(b)，它們與引線框架結(jié)構(gòu)340的第二主中央部分333—起形成凹面結(jié)構(gòu)351。圖17C示出了將其安裝到預(yù)模制襯底349上時的半導(dǎo)體管芯346。半導(dǎo)體管芯346包括附連到其下側(cè)的大量焊料結(jié)構(gòu)348。焊料結(jié)構(gòu)348將半導(dǎo)體管芯348中的電端子電耦合到引線框架結(jié)構(gòu)340的引線366。如圖17D中所示，在將半導(dǎo)體管芯346安裝到襯底349之后，可在半導(dǎo)體管芯346之上和之下形成包封材料352，以形成半導(dǎo)體管芯封裝350。圖17E示出了圖17D中所示半導(dǎo)體管芯封裝350的底部立體圖。如圖17E中所示，圍繞主中央部分333形成模塑材料342的緣。同時，它們可形成凹面結(jié)構(gòu)。參照圖5-17所述的實(shí)施例提供了大量優(yōu)點(diǎn)。首先，可較便宜地制成半導(dǎo)體管芯封裝，因?yàn)椴恍枰嘿F的蓋帶和經(jīng)蝕刻引線框架結(jié)構(gòu)來形成半導(dǎo)體管芯封裝。在這些實(shí)施例中，不需要經(jīng)蝕刻的引線框架結(jié)構(gòu)和蓋帶來形成預(yù)模制襯底，因?yàn)槭褂镁哂心Ｋ芄苄镜哪Ｋ芄ぞ邅硇纬深A(yù)模制襯底。在某些示例中，當(dāng)與使用昂貴的蓋帶來生產(chǎn)的半導(dǎo)體管芯封裝相比時，這可使半導(dǎo)體管芯封裝的成本減少42%。第二，與由許多前述實(shí)施例所示的一樣，半導(dǎo)體管芯封裝可使用較大的半導(dǎo)體管芯。如上所示，半導(dǎo)體管芯的尺寸無需限于在襯底中使用的引線框架結(jié)構(gòu)中的管芯附連焊盤的尺寸。第三，在本發(fā)明的實(shí)施例中，可能增加引腳引線數(shù)量，而無需增加半導(dǎo)體管芯封裝的尺寸。第四，當(dāng)形成凹面結(jié)構(gòu)時，可增加焊料聯(lián)結(jié)可靠性。凹面結(jié)構(gòu)可包含用于將所形成半導(dǎo)體管芯封裝附連到印刷電路板等的焊料。IV.制造大功率模塊的設(shè)計和方法大功率模塊被用于大量電子應(yīng)用中。某些大功率模塊是“智能(smart)”功率模塊。這些功率模塊包括至少一個功率半導(dǎo)體管芯和至少一個控制半導(dǎo)體管芯。控制半導(dǎo)體管芯(例如，驅(qū)動器集成電路或驅(qū)動器芯片)可用于至少部分地控制功率半導(dǎo)體管芯的操作。本發(fā)明的附加實(shí)施例涉及大功率模塊和用于制作大功率模塊的方法。在一個實(shí)施例中，獲得包括引線框架結(jié)構(gòu)和模塑材料的襯底。模塑材料和引線框架結(jié)構(gòu)的表面基本上共面。襯底包括第一管芯附連區(qū)和第二管芯附連區(qū)。第一半導(dǎo)體管芯被附連到該第一管芯附連區(qū)，而第二半導(dǎo)體管芯被附連到該第二管芯附連區(qū)。第一和第二半導(dǎo)體管芯可包括功率晶體管。第二半導(dǎo)體管芯可包括控制芯片(或驅(qū)動器IC或驅(qū)動器集成電路)。在大功率模塊中還可存在附加功率晶體管和附加電子元件。圖18A-1示出了包括第一管芯附連區(qū)402(b)_1、第二管芯附連區(qū)402(b)_2和第三管芯附連區(qū)402(b)-3的引線框架結(jié)構(gòu)402。各個管芯附連區(qū)402(b)-1,402(b)-2,402(b)-3之間的間隔可受到要形成的封裝的電壓需要的限定。引線框架結(jié)構(gòu)402還可包括遠(yuǎn)離第一、第二和第三管芯附連區(qū)402(b)_l、402(b)-2、402(b)-3延伸的大量引線402(a)。在此示例中，引線402(a)在單個方向上遠(yuǎn)離第一、第二和第三管芯附連區(qū)402(b)-1,402(b)-2,402(b)-3延伸。在其它示例中，它們可在一個以上的方向上遠(yuǎn)離各個管芯附連區(qū)延伸。在此示例中，第三管芯附連區(qū)402(b)-3可對應(yīng)于驅(qū)動器半導(dǎo)體管芯的管芯焊墊(paddle)，而其它管芯附連區(qū)402(b)-1,402(b)-2可對應(yīng)于功率半導(dǎo)體管芯的管芯焊墊。圖18A-2示出了引線框架結(jié)構(gòu)402的相反側(cè)。引線框架結(jié)構(gòu)402包括第一半蝕刻區(qū)402(c)-1和第二半蝕刻區(qū)402(c)-2。在本發(fā)明的實(shí)施例中，經(jīng)蝕刻區(qū)可通過部分地蝕刻穿過引線框架結(jié)構(gòu)的厚度來形成?！鞍胛g刻”結(jié)構(gòu)可在去除引線框架結(jié)構(gòu)的約一半厚度之后形成指引線框架結(jié)構(gòu)。半蝕刻區(qū)402(c)-1,402(c)_2可使用標(biāo)準(zhǔn)蝕刻工藝來形成。例如，在蝕刻之前，對應(yīng)于半蝕刻區(qū)402(c)-l、402(c)-2的表面可使用諸如光刻膠或帶(例如，聚酰亞胺帶)的材料來覆蓋。然后，蝕刻材料(例如，液體蝕刻劑或干蝕刻劑)可用于蝕刻引線框架結(jié)構(gòu)402未被覆蓋材料所覆蓋的區(qū)域。參看圖18A-1和18A-2，在此示例中，第一半蝕刻區(qū)402(C)-I和第一管芯附連區(qū)402(b)-l可以是同一結(jié)構(gòu)的一部分。而且，在此示例中，第二半蝕刻區(qū)402(c)-2和第二管芯附連區(qū)402(b)-2也可以是同一結(jié)構(gòu)的一部分。圖18B-1示出了在執(zhí)行模塑工藝之后的引線框架結(jié)構(gòu)402。在執(zhí)行了模塑工藝(例如，轉(zhuǎn)移模塑工藝)之后，圍繞引線框架結(jié)構(gòu)402形成模塑材料404，由此形成預(yù)模制襯底405。在一個示例性轉(zhuǎn)移模塑工藝中，引線結(jié)構(gòu)402并不期望被模塑材料覆蓋的表面可使用帶(例如，聚酰亞胺帶)來覆蓋以防止在模塑期間鑄模溢出。在使用帶覆蓋了引線框架結(jié)構(gòu)402之后，可在引線框架結(jié)構(gòu)402上沉積模塑材料。隨后移除該帶，從而使引線框架結(jié)構(gòu)402預(yù)先被覆蓋的部分穿過模制模塑材料外露。如上所述，在其它實(shí)施例中，預(yù)模制襯底可使用鑄模工具來形成而無需使用蓋帶。如所示，形成模塑材料404，從而模塑材料404的外表面基本上與第一、第二和第三導(dǎo)電管芯附連區(qū)402(b)-1,402(b)-2.402(b)-3的外表面共面。如圖18B-1中所示，引線402(a)遠(yuǎn)離模塑材料404的一側(cè)向邊緣延伸。在其它實(shí)施例中，從導(dǎo)電管芯附連區(qū)402(b)-1,402(b)-2,402(b)-3延伸的引線可遠(yuǎn)離模塑材料404的兩個或多個側(cè)向邊緣延伸。圖18B-2示出了預(yù)模制襯底405的立體仰視圖。如所示，第一和第二半蝕刻區(qū)402(c)-1,402(c)-2的外表面可外露通過模塑材料404。與某些常規(guī)襯底相比，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的預(yù)模制集成引線框架結(jié)構(gòu)具有較小的翹曲和較高的剛性。如將從以下描述所清楚的，在類似于SIP(封裝中的系統(tǒng))模塊的本發(fā)明的實(shí)施例中，無需類似于直接接合的銅或絕緣的金屬襯底的額外的散熱片或襯底。半導(dǎo)體管芯封裝的熱性能可通過使用具有適當(dāng)厚度引線框架結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)。在模塑操作期間，可定義預(yù)模制襯底的電路。如圖18C中所示，可使用粘合劑或某些其它合適的材料來將第一、第二和第三半導(dǎo)體管芯408(a)、408(b)、408(c)附連到襯底405。與先前實(shí)施例中一樣，環(huán)氧類粘合劑或任何其它合適的可購買的粘合劑可用于將半導(dǎo)體管芯408(a),408(b)、408(c)附連到預(yù)模制襯底405。與前述實(shí)施例中所示的一樣，也可在引線402(a)與半導(dǎo)體管芯408(a)、408(b)、408(c)上表面上的端子之間按需形成引線接合(未示出)。引線接合還可用于將不同的半導(dǎo)體管芯彼此連接。例如，半導(dǎo)體管芯408(b)可以是驅(qū)動器IC，而半導(dǎo)體管芯408(a)、408(c)可以是功率IC管芯。驅(qū)動器IC管芯可經(jīng)由導(dǎo)線電耦合到功率IC管芯并對其進(jìn)行控制。在其它實(shí)施例中，可使用諸如導(dǎo)線接線柱的其它導(dǎo)電結(jié)構(gòu)來替代引線接合。如圖18D中所示，在第一、第二和第三半導(dǎo)體管芯408(a)、408(b)、408(c)上形成包封材料410來形成半導(dǎo)體管芯封裝400?？墒褂脴?biāo)準(zhǔn)模塑工藝來形成包封材料410。在示例性半導(dǎo)體管芯封裝400中，引線402(a)僅遠(yuǎn)離包封材料410的一側(cè)延伸。在執(zhí)行了包封工藝之后，所形成封裝可被修整并使其形成適當(dāng)?shù)某叽?。圖19A和19B示出了SPM(智能功率模塊)類封裝的視圖，該封裝可使用與參照18A-D所述的相同的通用工藝流程來制成。圖19A示出了用作包括引線框架結(jié)構(gòu)的襯底504的框架的框架結(jié)構(gòu)502的立體圖。圖19B示出了框架結(jié)構(gòu)502和襯底504的仰視圖。第一和第二半導(dǎo)體管芯506(a)、506(b)在襯底504上。如前所述，襯底504使用引線框架結(jié)構(gòu)504(a)和模塑材料504(b)來形成。與先前實(shí)施例中的一樣，可部分地蝕刻引線框架結(jié)構(gòu)504(a)的部分，而模塑材料504(a)具有與模塑材料504(a)的外表面基本上共面的外表面。如上所述，本發(fā)明的實(shí)施例可具有一半或部分被蝕刻的引線框架結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)帶有用于功率和驅(qū)動器IC半導(dǎo)體管芯的預(yù)定義管芯焊墊。管芯附連焊墊之間的隔離間隔可通過半導(dǎo)體管芯封裝的電壓要求來控制。另外，引線框架結(jié)構(gòu)可以是預(yù)模制，并且引線框架結(jié)構(gòu)可使用帶來進(jìn)行反面涂敷(backcoat)以防止在模塑期間的鑄模溢出。而且，模塑材料的外表面可基本上與預(yù)模制襯底中的管芯附連焊墊的外表面共面。如上所述，預(yù)模制集成引線框架結(jié)構(gòu)具有比其它襯底小的翹曲以及高的整體面板剛性。此外，無需類似于直接接合的銅或絕緣金屬襯底的額外的散熱片或襯底，因?yàn)榉庋b的熱性能可使用具有不同厚度的引線框架來實(shí)現(xiàn)。如果期望較好的熱傳遞，則可使用較厚的弓丨線框架結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的實(shí)施例中，可將子組件面板模塑成最終封裝尺寸，然后可修整并形成最終封裝。上述半導(dǎo)體管芯封裝可以是高熱效率封裝，并可用在諸如IXD(液晶顯示器)TV模塊封裝的封裝中。V.大功率模塊的襯底本發(fā)明的其它實(shí)施例涉及用于半導(dǎo)體管芯封裝的預(yù)模制襯底、用于制作預(yù)模制襯底的方法、以及包括該預(yù)模制襯底的半導(dǎo)體管芯封裝。在一個實(shí)施例中，獲得第一引線框架結(jié)構(gòu)和第二引線框架結(jié)構(gòu)。然后，使用粘合層將第一和第二引線框架結(jié)構(gòu)附連在一起。然后，將模塑材料施加到該第一引線框架結(jié)構(gòu)、該第二引線框架結(jié)構(gòu)或粘合層。圖20A示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的襯底700的俯視圖。圖20B示出了圖20A中所示的襯底700的立體俯視圖。在此示例中，襯底700的頂面包括四個導(dǎo)電區(qū)752，這些導(dǎo)電區(qū)通過絕緣區(qū)754來分隔并作為邊界。絕緣區(qū)754包括填充導(dǎo)電區(qū)752之間的間隙758的模塑材料。導(dǎo)電區(qū)752可用作導(dǎo)電管芯附連區(qū)。四個導(dǎo)電區(qū)752可以是單個引線框架結(jié)構(gòu)的一部分。當(dāng)四個導(dǎo)電區(qū)752之間的間隙使用模塑材料來填充時，該模塑材料的外表面基本上與導(dǎo)電區(qū)752的外表面共面。這種組合可形成如上所述的預(yù)模制結(jié)構(gòu)。圖20C示出了圖20A、20B中所示的襯底700的側(cè)面橫截面視圖。如圖20C中所示，襯底700包括彼此面對的兩個半蝕刻引線框架結(jié)構(gòu)702。該兩個半蝕刻引線框架結(jié)構(gòu)702可包括銅、銅合金或任何其它合適的導(dǎo)電材料。該兩個半蝕刻(部分蝕刻)的引線框架結(jié)構(gòu)702可由兩個10-20密耳(mil)厚的引線框架結(jié)構(gòu)構(gòu)成，這兩結(jié)構(gòu)在特定位置上已被部分地蝕刻成厚度約為5-10密耳。在其它實(shí)施例中，引線框架結(jié)構(gòu)702的厚度可約為20-40密耳，并且可在特定位置上被半蝕刻成厚度約為10-20密耳。引線框架結(jié)構(gòu)702較佳地具有相同的厚度和構(gòu)造。然而，這在所有示例中并非必需的。每個引線框架結(jié)構(gòu)702可存在于每個預(yù)模制襯底中。這些預(yù)模制襯底及其相對應(yīng)的引線框架結(jié)構(gòu)702可層疊并與粘合層704接觸，該粘合層被設(shè)置在引線框架結(jié)構(gòu)702之間。在層疊之后，形成夾層復(fù)合物。粘合層704可具有任何合適的形式，并且可具有任何合適的厚度。例如，在某些實(shí)施例中，粘合層704的厚度可約為1-3密耳。而且，粘合層704可以是連續(xù)或不連續(xù)層的形式。粘合層704可包括可將前述預(yù)模制襯底和引線框架結(jié)構(gòu)702接合在一起的任何合適的材料。例如，粘合層704可包括諸如聚酰亞胺層(聚酰亞胺帶)之類的聚合層。在其它實(shí)施例中，可使用FR4層疊或高K粘合膜來減小粘合層702與引線框架結(jié)構(gòu)702之間的任何CTE(熱膨脹系數(shù))失配，以及任何界面剪應(yīng)力(interfaceshearstress)(如果預(yù)模制襯底特別大)。引線框架結(jié)構(gòu)702和所形成的粘合層層疊可以是對稱的，以減小可能的翹曲問題。例如，如圖20C中所示，在所形成的襯底700中，由前述部分蝕刻工藝形成的區(qū)702(a)可在內(nèi)部彼此面對。兩個引線框架結(jié)構(gòu)702還可近具有對稱的蝕刻圖案以及類似的幾何形狀，從而可將它們對稱地設(shè)置在襯底700中。夾層層疊用模塑材料706進(jìn)一步預(yù)模制，該模塑材料706圍繞引線框架結(jié)構(gòu)702的邊緣形成。模塑材料706可包括環(huán)氧模塑材料或任何其它合適類型的模塑材料。轉(zhuǎn)移模塑工藝或其它工藝可用于形成圍繞引線框架結(jié)構(gòu)702的邊緣的模塑材料706以及相對應(yīng)的預(yù)模制襯底。例如，可將夾層層疊置于兩個模塑管芯之間的，并且可與使用眾所周知的模塑工藝所示的一樣模制該模塑材料。模塑材料706減小所形成的層疊的界面處的自由邊界應(yīng)力。在使用模塑材料706對夾層層疊進(jìn)行過模塑之后，還可按需處理導(dǎo)電區(qū)752的表面。例如，如果在襯底724的頂部外露的導(dǎo)電區(qū)752將被用作功率IC半導(dǎo)體管芯的導(dǎo)電管芯附連區(qū)，則可對該導(dǎo)電區(qū)752的外露表面進(jìn)行電鍍或另外使用諸如Ni/Pd/Au的凸點(diǎn)下(underbump)復(fù)合物、或者其它金屬層來涂敷。這些附加層可形成用于將半導(dǎo)體管芯焊接到導(dǎo)電區(qū)752的可焊接焊盤。在另一個示例中，如果導(dǎo)電區(qū)752的外露表面被認(rèn)為是絕緣的，則導(dǎo)電區(qū)752的外露頂面可被陽極化?？墒褂萌魏魏线m的公知陽極化工藝。圖20D示出了先前圖中所述的襯底700的立體俯視圖?？梢悦姘逍问皆贛LP類封裝中制造襯底700和710，接著使用例如晶片鋸來進(jìn)行單立，然后用在隨后的組裝中。如以下將進(jìn)一步詳細(xì)描述的，這些實(shí)施例可使用用于柔性模塊組件的一般引線框架結(jié)構(gòu)來構(gòu)造。SIP(單列直插式封裝)也可使用這些實(shí)施例來形成。其它實(shí)施例是可能的。在圖20A-20D中的前述實(shí)施例中，部分地蝕刻引線框架結(jié)構(gòu)，然后執(zhí)行模塑工藝以形成預(yù)模制襯底。該預(yù)模制襯底具有其外表面與模塑材料的外表面基本上共面的引線框架結(jié)構(gòu)。然后，可使用粘合劑來將預(yù)模制襯底層疊在一起以形成夾層復(fù)合物。然后，對所得夾層復(fù)合物進(jìn)行邊緣模制以形成襯底。然而，在其它實(shí)施例中，可能獲得兩個部分蝕刻的引線框架結(jié)構(gòu)，然后使用粘合層將它們層疊在一起，而無需首先形成預(yù)模制襯底。然后，就可使用模塑材料來模制經(jīng)層疊的引線框架結(jié)構(gòu)以形成襯底，該襯底具有與前述一樣的通用構(gòu)造。盡管已詳細(xì)描述了使用兩個部分蝕刻的引線框架結(jié)構(gòu)，但是應(yīng)當(dāng)理解，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可組合兩個或多個經(jīng)蝕刻的引線框架結(jié)構(gòu)以形成組合襯底。圖230E-20H示出了根據(jù)本發(fā)明的其它實(shí)施例的其它襯底。圖20E示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的襯底710的平面俯視圖。襯底710包括引線框架結(jié)構(gòu)712(例如，銅引線框架結(jié)構(gòu))和填充該引線框架結(jié)構(gòu)712的空隙的模塑材料714。因而，較厚的銅引線框架結(jié)構(gòu)可使用諸如環(huán)氧模塑材料之類的模塑材料來預(yù)模制以在襯底712中形成電隔離金屬焊盤。圖20F、20G和20H分別示出了襯底710的側(cè)面橫截面視圖、立體俯視圖和立體仰視圖。如圖20F中所示，模塑材料714的厚度基本上等于引線框架結(jié)構(gòu)712的厚度。引線框架結(jié)構(gòu)712的邊緣還以模塑材料714為邊界，使得模塑材料形成襯底710的外邊緣。在本發(fā)明的實(shí)施例中，前述結(jié)構(gòu)700、710可單獨(dú)地用在半導(dǎo)體管芯封裝中。與先前的實(shí)施例一樣，可將半導(dǎo)體管芯安裝到襯底?？砂葱柙谒惭b的半導(dǎo)體管芯與襯底和/或外部輸入和/或輸出源之間形成輸入和輸出連接。然后，可將所形成的封裝安裝到電路板。然而，在其它實(shí)施例中，可將前述類型的襯底700、702安裝到框架結(jié)構(gòu)以提供具有外部引線的襯底700、702。下面將進(jìn)一步詳細(xì)描述圖21和22中所示的這些實(shí)施例。圖21A示出了包括框架部分550(a)和大量引線550(b)的框架結(jié)構(gòu)550。中央?yún)^(qū)550(c)可容納根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的襯底?？蓪⑷魏魏线m的襯底放置在中央?yún)^(qū)550(c)中。例如，可容納在中央?yún)^(qū)550(c)中的襯底可以是圖20E中所示的襯底710或者圖20C中所示的襯底700。圖21B示出了可被放置在框架結(jié)構(gòu)550的中央?yún)^(qū)550(c)中的特定襯底552的俯視圖。圖21C示出了圖21B中所示的襯底552的立體俯視圖。如圖21D和21E中所示，在將襯底552附連到框架結(jié)構(gòu)550之前或之后，可將大量半導(dǎo)體管芯554安裝到襯底552。如前所述，任何合適的導(dǎo)電粘合劑可用于將半導(dǎo)體管芯554附連到襯底552。另外，半導(dǎo)體管芯可具有上述特性的任一種。例如，半導(dǎo)體管芯554的至少之一可包括驅(qū)動器IC半導(dǎo)體管芯，而半導(dǎo)體管芯554的至少之一可包括功率IC半導(dǎo)體管芯。在將半導(dǎo)體管芯554安裝到襯底554之后，由此形成半導(dǎo)體管芯組件560。如所示，可將包括半導(dǎo)體管芯554的襯底552附連到框架結(jié)構(gòu)550的引線550(b)。引線550(b)的底面可被焊接或另外粘合到襯底552的導(dǎo)電頂面。在替代的實(shí)施例中，可將襯底552附連到框架結(jié)構(gòu)550而非半導(dǎo)體管芯554的引線550(b)。在將襯底552附連到框架結(jié)構(gòu)550的引線550(b)之后，可將半導(dǎo)體管芯554安裝到襯底552上。圖21F示出了半導(dǎo)體管芯組件560的立體仰視圖。圖21G示出了半導(dǎo)體管芯組件560的側(cè)面橫截面視圖。在形成半導(dǎo)體管芯組件560之后，可在該半導(dǎo)體管芯554上形成包封材料576。圖22A示出了半導(dǎo)體管芯封裝577的側(cè)面橫截面視圖。在此示例中，半導(dǎo)體管芯封裝577是單列直插式封裝(SIP)。圖22B、22C和22D示出了半導(dǎo)體管芯封裝577的立體俯視圖、平面俯視圖和立體仰視圖。所得的封裝可以是高熱效率封裝，并且可用在LCDTV模塊封裝中。應(yīng)當(dāng)理解，上述技術(shù)也可用于形成雙列直插式封裝(DIP)。為了形成雙列直插式封裝，前述框架結(jié)構(gòu)550可具有向內(nèi)面向中央?yún)^(qū)550(c)的兩組引線。然后，可將兩組引線附連到襯底(其上安裝或不安裝半導(dǎo)體管芯)，然后，如上所述可對所得的組件進(jìn)行包封以形成DIP類型的半導(dǎo)體管芯封裝。上述實(shí)施例具有優(yōu)于常規(guī)結(jié)構(gòu)的大量優(yōu)點(diǎn)。例如，與直接接合銅(DBC)襯底相比，本發(fā)明的實(shí)施例較便宜，因?yàn)镈BC襯底需要使用昂貴的基底材料，以及較高的處理溫度。而且，在DBC襯底中，DBC中銅與陶瓷之間的熱失配可包括較高的界面應(yīng)力并可引起封裝可靠性問題。另外，形成DBC襯底所需的較高的處理溫度可導(dǎo)致較高的面板翹曲。熱覆板(thermalcladboard)是另一類襯底。它們使用鋁(1_1.5mm)、電介質(zhì)(50-80微米)、銅(35-400微米)和無電鍍鎳(3_5微米)的組合。本發(fā)明的實(shí)施例可具有優(yōu)于熱覆板的大量優(yōu)點(diǎn)。例如，與熱覆板相比，本發(fā)明的實(shí)施例需要較少的層，并且由此以較低的成本來制造。另外，熱覆板具有比本發(fā)明的實(shí)施例更高的熱阻，而且可能具有較多的CTE失配問題。熱失配可產(chǎn)生較高的界面應(yīng)力而且可減小封裝可靠性問題。最后，如上所述，本發(fā)明的實(shí)施例可使用柔性模塊組件的一般引線結(jié)構(gòu)來構(gòu)造。VI.包括電壓調(diào)節(jié)器的封裝中的系統(tǒng)上述許多實(shí)施例涉及半導(dǎo)體管芯封裝中的成形和模塑襯底的使用。前述半導(dǎo)體管芯封裝實(shí)施例涉及功率半導(dǎo)體管芯封裝的具體構(gòu)造。半導(dǎo)體管芯封裝可與電源和/或電壓調(diào)節(jié)器一起使用。以下描述的實(shí)施例可使用上述預(yù)模制襯底的任一種，或者支持一個或多個半導(dǎo)體管芯的任何其它合適的襯底。隨著寬帶應(yīng)用需求的增長，微處理器的設(shè)計要求變得更加復(fù)雜。這導(dǎo)致了CPU時鐘頻率的增加，并且這導(dǎo)致了功耗的增加。通常，可按以下所考慮的要求來設(shè)計電壓調(diào)節(jié)器(1)電壓調(diào)節(jié)器具有較高的響應(yīng)、在經(jīng)減小的電壓下工作、以及適應(yīng)于高電流電平(例如，從1.3V和70A的輸出到0.8V和150A的輸出)；以及(2)電壓調(diào)節(jié)器在較高的切換頻率下具有增加的效率以使任何可能的損失保持在較低的水平。為了生成組合了高頻和高效的操作的電壓調(diào)節(jié)器，期望改進(jìn)結(jié)合到功率MOSFET中的單獨(dú)器件的每一個，并減小這些器件之間的配線的寄生電感。通過將驅(qū)動器IC以及高壓側(cè)和低壓側(cè)功率MOSFET集成到單個封裝中，可實(shí)現(xiàn)效率的極大提高以及顯著的小型化。同步降壓變換器等的常規(guī)封裝通常具有三個管芯焊墊，分別用于驅(qū)動器IC、高壓側(cè)MOSFET管芯和低壓側(cè)管芯。在常規(guī)封裝中，使用接合線將高壓側(cè)MOSFET源極連接到低壓側(cè)MOSFET漏極。這產(chǎn)生較高的寄生電感。另外，在常規(guī)封裝中，從驅(qū)動器IC到高壓側(cè)和低壓側(cè)MOSFET柵極、源極和漏極的連接還可使用接合線來實(shí)現(xiàn)。使用各個焊墊需要使用較長的接合線。這些因素降低了常規(guī)封裝的高頻功率效率和熱性能。通常，多管芯焊墊封裝具有比本發(fā)明的實(shí)施例低的可靠性水平。同步降壓變化器可使用驅(qū)動器IC、高壓側(cè)功率MOSFET和低壓側(cè)功率M0SFET。圖23示出了典型的同步降壓變換器的簡化示意圖。同步降壓變換器(SBC)670包括高壓側(cè)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)672和低壓側(cè)MOSFET674。低壓側(cè)MOSFET674的漏極D被電連接到高壓側(cè)M0SFET672的源極S。大多數(shù)商業(yè)生產(chǎn)的MOSFET是垂直器件，并且被封裝成到柵極、漏極和源極的外部連接點(diǎn)處于器件的同一地理平面上。期望SBC670中的高壓側(cè)和低壓側(cè)M0SFET672和674的源極S與漏極D之間的連接分別具有極低的電感，以便于在從適度到較高的工作/切換頻率下使用SBC670。在MOSFET672和674被配置成離散器件的場合中，期望最優(yōu)化SBC670的電路布置的設(shè)計以減小寄生電感?；蛘撸琒BC670可被配置成單個封裝中的單個變換器中的完全集成的同步降壓變換器，并且可被設(shè)計并布置成分別減小高壓側(cè)和低壓側(cè)MOSFET672和674之間的連接的寄生電感。然而，這種完全集成器件往往成為通常與其它應(yīng)用和/或設(shè)計不兼容的適當(dāng)應(yīng)用和/或設(shè)計的特定器件。此外，連接MOSFET的印刷電路板跡線/導(dǎo)體通常無法適當(dāng)?shù)某休d從適度到較高的電流電平。在本發(fā)明的實(shí)施例中，新的雙列通用焊墊封裝(例如，9x5mm-26-引腳雙側(cè)平面無引線封裝)可克服常規(guī)封裝的問題。本發(fā)明的實(shí)施例可具有以下特性·驅(qū)動器IC、高壓側(cè)MOSFET和低壓側(cè)MOSFET可共用同一焊墊?！じ邏簜?cè)MOSFET可以附連到管芯焊墊的倒裝芯片，而低壓側(cè)MOSFET可使用常規(guī)軟焊料管芯附連材料?！ひ蚨?，高壓側(cè)MOSFET的源極通過管芯附連焊墊自動連接到低壓側(cè)MOSFET的漏極?！じ邏簜?cè)MOSFET的漏極可使用一個或多個金屬條接線柱接合或一個或多個引線接合來連接到外部引腳?！を?qū)動器IC還可位于高壓和低壓側(cè)MOSFET之間以減小導(dǎo)線長度?！を?qū)動器IC使用不導(dǎo)電管芯附連材料來使其與MOSFET隔離?！づc諸如8x8QFN封裝之類的常規(guī)封裝相比，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的封裝具有較小的覆蓋區(qū)(footprint)(例如，70%)和較小的引腳數(shù)(例如，26)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的一個示例性方法包括獲得包含半導(dǎo)體管芯附連表面的襯底，以及將包括高壓側(cè)晶體管輸入的高壓側(cè)晶體管附連到該襯底。高壓側(cè)晶體管輸入被耦合到導(dǎo)電管芯附連表面。包括低壓側(cè)晶體管輸出的低壓側(cè)晶體管也被附連到襯底。低壓側(cè)晶體管輸入被耦合到導(dǎo)電管芯附連表面。圖24A示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體管芯封裝600的側(cè)面橫截面視圖。半導(dǎo)體管芯封裝600具有安裝在襯底610上的低壓側(cè)晶體管606、高壓側(cè)晶體管602和控制管芯604。圖24B示出了圖24A中所示的半導(dǎo)體管芯封裝600的平面俯視圖。圖24C示出了圖24A中所示的半導(dǎo)體管芯封裝600的立體圖。參看圖24B和24C，半導(dǎo)體管芯封裝600具有安裝在襯底610上的低壓側(cè)晶體管管芯606、高壓側(cè)晶體管管芯602和控制管芯604。高壓側(cè)晶體管管芯602中的高壓側(cè)晶體管和低壓側(cè)晶體管管芯606中的低壓側(cè)晶體管可以是諸如垂直功率MOSFET之類的功率晶體管。以下將進(jìn)一步詳細(xì)描述垂直功率MOSFET管芯。在此示例中，襯底610包括高壓側(cè)源極引線610(c)、高壓側(cè)柵極引線610(h)、導(dǎo)電管芯附連表面610(g)、低壓側(cè)源極引線610(a)和控制引線610(b)。襯底610可以是預(yù)模制襯底，如上所述，可以是單個導(dǎo)電引線框架結(jié)構(gòu)或者可以是某些其它合適的結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電管芯附連表面610(g)可占據(jù)襯底610的表面的一部分或者襯底610的整個上表面?？纱嬖诘礁邏簜?cè)MOSFET管芯602的大量連接。例如，將漏極接線柱612附連到高壓側(cè)MOSFET管芯602中的漏區(qū)。大量焊料結(jié)構(gòu)622(a)可用于將高壓側(cè)MOSFET管芯602中的漏區(qū)電和機(jī)械地耦合到漏極接線柱612。除此示例中的漏極接線柱612以外，還可使用一個或多個漏極導(dǎo)線，或用其來替代此示例中的漏極接線柱612。如圖24B中所示，高壓側(cè)MOSFET管芯602中的柵區(qū)被耦合到柵極引線610(h)。焊料結(jié)構(gòu)622(b)可將柵極引線610(h)耦合到高壓側(cè)MOSFET管芯602中的柵區(qū)。高壓側(cè)MOSFET管芯602中的源區(qū)被耦合到導(dǎo)電管芯附連表面610(g)。焊料(未示出)還可用于將高壓側(cè)MOSFET管芯602中的源區(qū)電耦合到導(dǎo)電管芯附連表面610(g)?？纱嬖诘降蛪簜?cè)MOSFET管芯606的大量連接。例如，由源極導(dǎo)線616(a)可將低壓側(cè)MOSFET管芯606中的源區(qū)耦合到襯底610的源極引線610(a)。作為替代方案，除源極導(dǎo)線616(a)外，還可使用一個或多個源極接線柱，或用其來替代源極導(dǎo)線616(a)。源極導(dǎo)線616(a)可包括銅、金或任何其它合適的材料。低壓側(cè)MOSFET管芯606的柵區(qū)使用導(dǎo)線616(c)耦合到控制芯片604。低壓側(cè)MOSFET管芯606的漏區(qū)通過諸如焊料等的導(dǎo)電管芯附連材料耦合到襯底610的導(dǎo)電管芯附連表面610(g)?；阢U或基于無鉛的焊料可用于將低壓側(cè)MOSFET管芯606的漏區(qū)附連到管芯附連表面610(g)。還可將控制芯片604安裝到襯底610的導(dǎo)電管芯附連表面610(g)，但是可與襯底610電隔離。大量接合線616(e)可將控制芯片604中的端子耦合到控制引線610(b)。導(dǎo)線602(d)還可將控制芯片604中的端子耦合到導(dǎo)電管芯附連表面610(g)。在某些情況中，可使用導(dǎo)電接線柱來替代接合線。圖24D示出了襯底610的仰視圖。如圖24D中所示，襯底610的底部可具有半蝕刻部分610⑴。圖24E示出了半導(dǎo)體管芯封裝600的立體圖。圖25示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的襯底610的側(cè)面橫截面視圖。襯底610包括使用模塑材料692填充的凹槽690?？刂菩酒?04處于模塑材料692的頂部。該模塑材料692使控制芯片604與襯底的導(dǎo)電部分電隔離。與先前實(shí)施例中的一樣，低壓側(cè)MOSFET管芯606和高壓側(cè)MOSFET管芯602處于襯底610上。凹槽690可通過蝕刻、研磨等來形成。可將模塑材料692沉積在凹槽中，隨后進(jìn)行固化或凝固。圖25中所示的實(shí)施例具有大量優(yōu)點(diǎn)。例如，模塑材料692使控制芯片604與高壓和低壓側(cè)管芯602、606電隔離，并且不增加所形成的半導(dǎo)體管芯封裝的高度。上述實(shí)施例具有大量優(yōu)點(diǎn)。這些優(yōu)點(diǎn)包括較小的覆蓋區(qū)，以及較好的熱和電特性。這些實(shí)施例可用在單列直插式封裝和雙列直插式封裝中。上述實(shí)施例的任一種和/或其任何特征可與其它實(shí)施例和/或特征進(jìn)行組合而不背離本發(fā)明的范圍。例如，盡管未參照圖1-2中所示的實(shí)施例具體描述封裝類型模塊中的系統(tǒng)，但是應(yīng)當(dāng)理解，這些實(shí)施例可用于封裝類型模塊中的系統(tǒng)而不背離本發(fā)明的精神和范圍。上述描述僅是示例性的而非限制性的。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，考慮對公開的回顧，本發(fā)明的許多更改將變得顯而易見。因此，本發(fā)明的范圍并非參照上述描述來確定，相反應(yīng)當(dāng)參照所附權(quán)利要求以及其整個范圍和等效方案來確定。對諸如“頂部”、“底部”、“上”、“下”等的位置的任何引用指附圖，并且可用來幫助說明，而非旨在進(jìn)行限定。它們并非旨在指絕對位置。上述半導(dǎo)體管芯封裝可用在許多合適的電氣裝置中。例如，它們可用在個人計算機(jī)、服務(wù)器計算機(jī)、蜂窩電話、電器等中。列舉“一”、“一個”、“該”旨在表示“一個或多個”，除非特別指明與此相反。上述所有專利、專利申請、公開和說明書通過通用的引用全部結(jié)合于此。全部都不應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為是現(xiàn)有技術(shù)。權(quán)利要求一種方法，包括獲得包括第一表面和第二表面的預(yù)模制襯底，其中所述預(yù)模制襯底包括引線框架結(jié)構(gòu)和模塑材料，其中所述引線框架結(jié)構(gòu)包括焊盤區(qū)，其中所述焊盤區(qū)的外表面和所述模塑材料的外表面基本上共面，并且與所述預(yù)模制襯底的所述第二表面重合；以及將至少兩個半導(dǎo)體管芯附連到預(yù)模塑襯底的所述第一表面。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述引線框架結(jié)構(gòu)包括多個導(dǎo)電區(qū)，其中所述多個導(dǎo)電區(qū)處于所述襯底的邊緣區(qū)處。3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少兩個半導(dǎo)體管芯使用焊料來附連。4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少兩個半導(dǎo)體管芯使用粘合劑來附連。5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述引線框架結(jié)構(gòu)包括管芯附連區(qū)，其中所述管芯附連區(qū)與所述襯底的所述第一表面重合，并且所述管芯的至少之一處于所述管芯附連區(qū)上。6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述引線框架結(jié)構(gòu)包括銅。7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底不具有側(cè)向延伸通過所述模塑材料的引線。8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體管芯的至少之一包括垂直器件。9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述管芯的至少之一包括垂直MOSFET。10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述引線框架結(jié)構(gòu)包括多個導(dǎo)電區(qū)，其中所述多個導(dǎo)電區(qū)處于所述襯底的邊緣區(qū)，并且其中所述方法還包括將所述管芯引線接合到所述導(dǎo)電區(qū)。11.一種半導(dǎo)體管芯封裝，包括包括第一表面和第二表面的預(yù)模制襯底，其中所述預(yù)模制襯底包括引線框架結(jié)構(gòu)和模塑材料，其中所述引線框架結(jié)構(gòu)包括焊盤區(qū)，其中所述焊盤區(qū)的外表面和所述模塑材料的外表面基本上共面，并且與所述預(yù)模制襯底的所述第二表面重合；以及耦合到所述預(yù)模塑襯底的所述第一表面的至少兩個半導(dǎo)體管芯。12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述引線框架結(jié)構(gòu)包括多個導(dǎo)電區(qū)域，其中所述多個導(dǎo)電區(qū)處于所述襯底的邊緣區(qū)處。13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述至少兩個半導(dǎo)體管芯使用焊料來附連。14.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述至少兩個半導(dǎo)體管芯使用粘合劑來附連所述襯底。15.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述引線框架結(jié)構(gòu)包括管芯附連區(qū)，其中所述管芯附連區(qū)與所述襯底的所述第一表面重合，并且所述管芯的至少之一處于所述管芯附連區(qū)上。16.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述引線框架結(jié)構(gòu)包括銅。17.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述襯底不具有側(cè)向延伸通過所述模塑材料的引線。18.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述半導(dǎo)體管芯的至少之一包括垂直器件。19.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述管芯的至少之一包括垂直MOSFET。20.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述引線框架結(jié)構(gòu)包括多個導(dǎo)電區(qū)，其中所述多個導(dǎo)電區(qū)處于所述襯底的邊緣區(qū)，并且其中所述方法還包括將所述管芯引線接合到所述導(dǎo)電區(qū)。21.一種用于形成半導(dǎo)體管芯封裝的方法，所述方法包括形成襯底，其中形成襯底包括(i)將引線框架襯底放置在至少第一模塑管芯與第二管芯之間，(ii)使所述引線框架結(jié)構(gòu)與所述第一和第二模塑管芯接觸，以及(iii)圍繞所述引線框架結(jié)構(gòu)形成模塑材料；將半導(dǎo)體管芯附連到所述襯底；以及將所述半導(dǎo)體管芯包封到封裝材料中。22.如權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，使用粘合劑將所述半導(dǎo)體管芯附連到所述襯底。23.如權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體管芯包括功率M0SFET。24.如權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，所形成的襯底包括在所述襯底的相對側(cè)上的兩個凹面結(jié)構(gòu)。25.如權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，所述模塑材料的厚度等于所述引線框架結(jié)構(gòu)的厚度。26.如權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，所形成的襯底包括在所述襯底的一側(cè)上的一個凹面結(jié)構(gòu)。27.如權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，所述引線框架結(jié)構(gòu)處于引線框架結(jié)構(gòu)的陣列中，并且其中所述方法還包括在包封之后分隔所述陣列中的所述引線框架結(jié)構(gòu)以形成單獨(dú)的管芯封裝。28.如權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，所述引線框架結(jié)構(gòu)包括銅。29.如權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，還包括形成將所述半導(dǎo)體管芯接合到所述引線框架結(jié)構(gòu)中的引線的引線接合。30.如權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，在包封之后形成的半導(dǎo)體管芯封裝不具有延伸超出所述包封材料的引線。31.一種半導(dǎo)體管芯封裝，包括襯底，其中所形成的襯底包括引線框架結(jié)構(gòu)和模塑材料，其中所述襯底形成至少一個凹面結(jié)構(gòu)；以及在所述襯底上的半導(dǎo)體管芯。32.如權(quán)利要求31所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，還包括在所述半導(dǎo)體管芯上的包封材料。33.如權(quán)利要求31所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，還包括在所述半導(dǎo)體管芯與所述襯底中的所述引線框架結(jié)構(gòu)之間形成的引線接合。34.如權(quán)利要求31所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述襯底具有在所述襯底的相對側(cè)上的兩個凹面結(jié)構(gòu)。35.如權(quán)利要求31所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述凹面結(jié)構(gòu)由所述模塑材料的上升壁與所述引線框架結(jié)構(gòu)的表面形成。36.如權(quán)利要求31所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述半導(dǎo)體管芯包括功率晶體管。37.如權(quán)利要求31所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述半導(dǎo)體管芯包括功率MOSFET。38.如權(quán)利要求31所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述引線框架結(jié)構(gòu)包括銅。39.如權(quán)利要求31所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述半導(dǎo)體管芯是第一半導(dǎo)體管芯，并且其中所述半導(dǎo)體管芯封裝還包括在所述襯底上的第二半導(dǎo)體管芯。40.如權(quán)利要求31所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，還包括在所述半導(dǎo)體管芯上的包封材料，并且其中所述引線結(jié)構(gòu)的引線不延伸通過所述包封材料。41.一種方法，包括獲得包括引線框架結(jié)構(gòu)和模塑材料的襯底，其中所述模塑材料與所述引線框架結(jié)構(gòu)的表面基本上共面，并且其中所述襯底包括第一管芯附連區(qū)和第二管芯附連區(qū)；將第一半導(dǎo)體管芯附連到所述第一管芯附連區(qū)；以及將第二半導(dǎo)體管芯附連到所述第二管芯附連區(qū)。42.如權(quán)利要求41所述的方法，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體管芯包括驅(qū)動器IC，并且其中所述第二半導(dǎo)體管芯包括功率晶體管。43.如權(quán)利要求41所述的方法，其特征在于，所述方法還包括將第三半導(dǎo)體管芯附連到所述襯底。44.如權(quán)利要求41所述的方法，其特征在于，所述方法包括使用包封材料來對所述第一和第二半導(dǎo)體管芯進(jìn)行包封。45.如權(quán)利要求41所述的方法，其特征在于，所述引線框架結(jié)構(gòu)包括銅。46.如權(quán)利要求41所述的方法，其特征在于，還包括形成所述襯底，其中形成所述襯底包括部分地蝕刻所述引線框架結(jié)構(gòu)，然后圍繞所述引線框架結(jié)構(gòu)模塑所述模塑材料，從而未蝕刻表面基本上與所述模制的模塑材料的外表面共面。47.如權(quán)利要求41所述的方法，其特征在于，還包括形成所述襯底，其中形成所述襯底包括部分地蝕刻所述引線框架結(jié)構(gòu)；使用帶覆蓋所述引線框架結(jié)構(gòu)的未蝕刻表面；然后圍繞所述引線框架結(jié)構(gòu)模塑所述模塑材料，從而未蝕刻表面基本上與所述模制的模塑材料的外表面共面。48.如權(quán)利要求41所述的方法，其特征在于，所述管芯的至少之一包括垂直器件。49.如權(quán)利要求41所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述管芯的至少之一包括功率MOSFET。50.如權(quán)利要求41所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述引線框架結(jié)構(gòu)包括側(cè)向延伸通過所述襯底中的所述模塑材料的的側(cè)面外表面的多根引線。51.一種半導(dǎo)體管芯封裝，包括包括引線框架結(jié)構(gòu)和模塑材料的襯底，其中所述模塑材料與所述引線框架結(jié)構(gòu)的表面基本上共面，并且其中所述襯底包括第一管芯附連區(qū)和第二管芯附連區(qū)；在所述第一管芯附連區(qū)上的第一半導(dǎo)體管芯；以及在所述第二管芯附連區(qū)上的第二半導(dǎo)體管芯。52.如權(quán)利要求51所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體管芯包括驅(qū)動器IC，并且其中所述第二半導(dǎo)體管芯包括功率晶體管。53.如權(quán)利要求51所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，還包括附連到所述襯底的第三半導(dǎo)體管芯。54.如權(quán)利要求51所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，還包括對所述第一和第二半導(dǎo)體管芯進(jìn)行包封的包封材料。55.如權(quán)利要求51所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述引線框架結(jié)構(gòu)包括銅。56.如權(quán)利要求51所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述襯底包括部分蝕刻的結(jié)構(gòu)，并且其中圍繞所述引線框架結(jié)構(gòu)設(shè)置所述模塑材料，從而未蝕刻表面基本上與所述模制的模塑材料的外表面共面。57.如權(quán)利要求51所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述襯底包括部分蝕刻的結(jié)構(gòu)，并且其中圍繞所述引線框架結(jié)構(gòu)設(shè)置所述模塑材料，從而未蝕刻表面基本上與所述模制的模塑材料的外表面共面，并且其中所述引線框架結(jié)構(gòu)包括銅。58.如權(quán)利要求51所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述管芯的至少之一包括垂直器件。59.如權(quán)利要求51所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述管芯的至少之一包括功率MOSFET。60.如權(quán)利要求51所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述引線框架結(jié)構(gòu)包括側(cè)向延伸通過所述襯底中的所述模塑材料的的側(cè)面外表面的多根引線。61.一種用于制作半導(dǎo)體管芯封裝的襯底的方法，所述方法包括獲得第一引線框架結(jié)構(gòu)和第二引線框架結(jié)構(gòu)；使用粘合層將所述第一和第二引線框架結(jié)構(gòu)附連在一起；以及將模塑材料涂敷到所述第一引線框架結(jié)構(gòu)、所述第二引線框架結(jié)構(gòu)或所述粘合層。62.如權(quán)利要求61所述的方法，其特征在于，將所述模塑材料涂敷到所述第一引線框架結(jié)構(gòu)、所述第二引線框架結(jié)構(gòu)或所述粘合層包括所述模塑材料涂敷到所述第一引線框架結(jié)構(gòu)、所述第二引線框架結(jié)構(gòu)或所述粘合層。63.如權(quán)利要求61所述的方法，其特征在于，部分地蝕刻所述第一引線框架結(jié)構(gòu)，以及部分地蝕刻所述第二引線框架結(jié)構(gòu)。64.如權(quán)利要求61所述的方法，其特征在于，所述粘合層是聚合膜的形式。65.如權(quán)利要求61所述的方法，其特征在于，所述粘合層是聚酰亞胺膜的形式。66.如權(quán)利要求61所述的方法，其特征在于，將所述第一引線框架結(jié)構(gòu)和所述第二引線框架結(jié)構(gòu)對稱地設(shè)置在所述粘合層的相對側(cè)上。67.如權(quán)利要求61所述的方法，其特征在于，所述第一和第二引線框架結(jié)構(gòu)包括腔體，并且其中所述第一和第二引線框架結(jié)構(gòu)中的所述腔體使用所述模塑材料來填充，并且其中所述第一和第二引線框架的邊緣使用所述模塑材料來涂敷。68.如權(quán)利要求61所述的方法，其特征在于，所述襯底中的所述模塑材料具有與所述第一引線框架結(jié)構(gòu)或所述第二引線框架結(jié)構(gòu)的外表面基本上共面的外表面。69.如權(quán)利要求61所述的方法，其特征在于，所述襯底中的所述模塑材料具有外表面，所述表面與所述第一引線框架結(jié)構(gòu)或所述第二引線框架結(jié)構(gòu)的外表面基本上共面。70.如權(quán)利要求61所述的方法，其特征在于，所述第一和第二引線框架結(jié)構(gòu)包括銅。71.一種用于半導(dǎo)體管芯封裝的襯底，所述襯底包括第一引線框架結(jié)構(gòu)；第二引線框架結(jié)構(gòu)；以及粘合層，它將所述第一和第二引線框架結(jié)構(gòu)粘合在一起；以及在所述第一引線框架結(jié)構(gòu)、所述第二引線框架結(jié)構(gòu)或所述粘合層上的模塑材料。72.如權(quán)利要求71所述的襯底，其特征在于，所述模塑材料處于所述第一引線框架結(jié)構(gòu)、所述第二引線框架結(jié)構(gòu)和所述粘合層上。73.如權(quán)利要求71所述的襯底，其特征在于，部分地蝕刻所述第一引線框架結(jié)構(gòu)，以及部分地蝕刻所述第二引線框架結(jié)構(gòu)。74.如權(quán)利要求71所述的襯底，其特征在于，所述粘合層是聚合膜的形式。75.如權(quán)利要求71所述的襯底，其特征在于，所述第一和第二引線框架結(jié)構(gòu)包括銅。76.如權(quán)利要求71所述的襯底，其特征在于，所述粘合層是聚酰亞胺膜的形式。77.如權(quán)利要求71所述的襯底，其特征在于，所述襯底中的所述模塑材料具有與所述第一引線框架結(jié)構(gòu)或所述第二引線框架結(jié)構(gòu)的外表面基本上共面的外表面。78.如權(quán)利要求71所述的襯底，其特征在于，所述第一和第二引線框架結(jié)構(gòu)包括腔體，并且其中所述第一和第二引線框架結(jié)構(gòu)中的所述腔體使用所述模塑材料來填充，并且其中所述第一和第二引線框架的邊緣使用所述模塑材料來涂敷。79.如權(quán)利要求71所述的襯底，其特征在于，所述襯底中的所述模塑材料具有外表面，所述表面與所述第一引線框架結(jié)構(gòu)或所述第二引線框架結(jié)構(gòu)的外表面基本上共面。80.如權(quán)利要求71所述的襯底，其特征在于，將所述第一引線框架結(jié)構(gòu)和所述第二引線框架結(jié)構(gòu)對稱地設(shè)置在所述粘合層的相對側(cè)上。81.—種形成半導(dǎo)體管芯封裝的方法，包括獲得包括引線框架結(jié)構(gòu)和模塑材料的預(yù)模制襯底，其中所述引線框架結(jié)構(gòu)的外表面和所述模塑材料的外表面基本上共面；將所述襯底附連到包括引線的引線框架結(jié)構(gòu)；以及將管芯附連到所述襯底。82.如權(quán)利要求81所述的方法，其特征在于，所述引線框架結(jié)構(gòu)包括銅。83.如權(quán)利要求81所述的方法，其特征在于，還包括圍繞所述附連的襯底形成模塑材料，以及將所述引線與所述框架結(jié)構(gòu)分隔開。84.如權(quán)利要求81所述的方法，其特征在于，還包括在將所述襯底附連到所述框架結(jié)構(gòu)之前或之后，將多個管芯附連到所述襯底。85.如權(quán)利要求81所述的方法，其特征在于，在將所述襯底附連到所述框架結(jié)構(gòu)之后，所述襯底相對于所述框架結(jié)構(gòu)的主要部分下沉。86.一種半導(dǎo)體管芯封裝，包括包括引線框架結(jié)構(gòu)和模塑材料的預(yù)模制襯底，其中所述引線框架結(jié)構(gòu)的外表面和所述模塑材料的外表面基本上共面；以及在所述預(yù)模制襯底上的半導(dǎo)體管芯；附連到所述預(yù)模制襯底的引線，其中所述引線與所述預(yù)模制襯底分別形成。87.如權(quán)利要求86所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述引線框架結(jié)構(gòu)包括銅。88.如權(quán)利要求86所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述模塑材料具有與所述引線框架結(jié)構(gòu)的相對表面基本上共面的相對表面。89.如權(quán)利要求86所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，通過焊料或焊接將所述引線附連到所述預(yù)模制襯底。90.如權(quán)利要求86所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述半導(dǎo)體管芯包括垂直器件。91.一種方法，包括獲得包括導(dǎo)電管芯附連表面的襯底；將包括高壓側(cè)晶體管輸入的高壓側(cè)晶體管附連到所述襯底，其中所述高壓側(cè)晶體管輸入被耦合到所述導(dǎo)電管芯附連表面；以及將包括低壓側(cè)晶體管輸出的低壓側(cè)晶體管附連到所述襯底，其中所述低壓側(cè)晶體管輸入被耦合到所述導(dǎo)電管芯附連表面。92.如權(quán)利要求91所述的方法，其特征在于，還包括圍繞所述高壓側(cè)晶體管和所述低壓側(cè)晶體管形成包封材料。93.如權(quán)利要求91所述的方法，其特征在于，所述高壓側(cè)晶體管是高壓側(cè)MOSFET，而所述高壓側(cè)晶體管輸入是高壓側(cè)晶體管源極連接。94.如權(quán)利要求91所述的方法，其特征在于，所述低壓側(cè)晶體管是低壓側(cè)MOSFET，而所述低壓側(cè)晶體管輸出是低壓側(cè)晶體管漏極連接。95.如權(quán)利要求91所述的方法，其特征在于，述高壓側(cè)晶體管在第一管芯中，而所述低壓側(cè)晶體管在第二管芯中。96.如權(quán)利要求91所述的方法，其特征在于，還包括對安裝在所述襯底上的控制芯片進(jìn)行安裝。97.如權(quán)利要求91所述的方法，其特征在于，所述襯底包括具有與所述導(dǎo)電管芯附連表面基本上共面的外表面的模塑材料。98.如權(quán)利要求91所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電管芯附連表面是引線框架的一部分。99.如權(quán)利要求91所述的方法，其特征在于，所述高壓側(cè)晶體管具有高壓側(cè)晶體管輸出，其中所述高壓側(cè)晶體管輸出遠(yuǎn)離所述導(dǎo)電管芯附連表面，而所述高壓側(cè)晶體管輸入靠近所述導(dǎo)電管芯附連表面，并且其中所述封裝還包括將所述高壓側(cè)晶體管輸出耦合到外部引線的接線柱或引線接合，并且其中所述高壓側(cè)和低壓側(cè)晶體管都是功率MOSFET。100.如權(quán)利要求91所述的方法，其特征在于，還包括將控制芯片附連到所述襯底，并且其中所述導(dǎo)電管芯附連表面是引線框架結(jié)構(gòu)的一部分。101.一種半導(dǎo)體器件封裝，包括包括導(dǎo)電管芯附連表面的襯底；包括高壓側(cè)晶體管輸入的高壓側(cè)晶體管，其中所述高壓側(cè)晶體管輸入被耦合到所述導(dǎo)電管芯附連表面；以及包括低壓側(cè)晶體管輸出的低壓側(cè)晶體管，其中所述低壓側(cè)晶體管輸入被耦合到所述導(dǎo)電管芯附連表面。102.如權(quán)利要求101所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，還包括圍繞所述高壓側(cè)晶體管和所述低壓側(cè)晶體管形成包封材料。103.如權(quán)利要求101所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述高壓側(cè)晶體管是高壓側(cè)MOSFET，而所述高壓側(cè)晶體管輸入是高壓側(cè)晶體管源極連接。104.如權(quán)利要求101所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述低壓側(cè)晶體管是低壓側(cè)MOSFET，而所述低壓側(cè)晶體管輸出是低壓側(cè)晶體管漏極連接。105.如權(quán)利要求101所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述高壓側(cè)晶體管是高壓側(cè)MOSFET，而所述低壓側(cè)晶體管是低壓側(cè)MOSFET，并且所述低壓側(cè)晶體管輸出是低壓側(cè)晶體管漏極連接。106.如權(quán)利要求101所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，還包括安裝在所述襯底上的控制芯片。107.如權(quán)利要求101所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述導(dǎo)電管芯附連表面是引線框架的一部分。108.如權(quán)利要求101所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述襯底包括具有與所述導(dǎo)電管芯附連表面基本上共面的外表面的模塑材料。109.如權(quán)利要求101所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述高壓側(cè)晶體管具有高壓側(cè)晶體管輸出，其中所述高壓側(cè)晶體管輸出遠(yuǎn)離所述導(dǎo)電管芯附連表面，而所述高壓側(cè)晶體管輸入靠近所述導(dǎo)電管芯附連表面，并且其中所述封裝還包括將所述高壓側(cè)晶體管輸出耦合到外部引線的接線柱或引線接合。110.如權(quán)利要求101所述的半導(dǎo)體管芯封裝，其特征在于，所述高壓側(cè)晶體管具有高壓側(cè)晶體管輸出，其中所述高壓側(cè)晶體管輸出遠(yuǎn)離所述導(dǎo)電管芯附連表面，而所述高壓側(cè)晶體管輸入靠近所述導(dǎo)電管芯附連表面，并且其中所述封裝還包括將所述高壓側(cè)晶體管輸出耦合到外部引線的接線柱或引線接合，并且其中所述高壓側(cè)和低壓側(cè)晶體管都是功率MOSFET。全文摘要公開了半導(dǎo)體管芯封裝。一種示例性半導(dǎo)體管芯封裝包括預(yù)模制襯底。該預(yù)模制襯底可具有附連到其的半導(dǎo)體，并且可在該半導(dǎo)體管芯上設(shè)置包封材料。文檔編號H01L23/495GK101807533SQ20101014748公開日2010年8月18日申請日期2006年6月19日優(yōu)先權(quán)日2005年6月30日發(fā)明者B·H·古伊,B-O·李,C-L·吳,D·鐘,L·Y·里姆,M·C·B·伊斯塔西歐,O·全,R·約什,S·南,T·T·肯恩,V·伊爾,Y·崔申請人:費(fèi)查爾德半導(dǎo)體有限公司