專利名稱：：卷繞型電解電容器以及其制造方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種巻繞型電解電容器以及其制造方法。
背景技術：
：作為以往的巻繞型電解電容器在圖11以及圖12中所表示的例子己周知(特開平10-144574號公報)。如圖11的截面圖所示，電解電容器1201具有電容器元件1206;有底外殼1209，其收納該電容器元件1206;密封部件1210，其密封電容器元件1206。電容器元件1206中，各陽極導線1208A以及陰極導線1208B經(jīng)由陽極導線接頭1207A以及陰極導線接頭1207B連接。另外，有底外殼1209的開口附近，進行側面擠壓使其巻曲的加工。電容器元件1206，如圖12的立體圖所示，由陽極箔片1202以及陰極箔片1203組成的一對電極箔片，隔著隔離層1212巻繞，利用巻繞阻止帶1205阻止而形成。陽極導線1208A經(jīng)由陽極接頭1207A與陽極箔片1202連接，陰極導線1208B經(jīng)由陰極接頭1207B與陰極箔片1203連接。作為具有這種構造的電解電容器1201的電解質，使用電解液、固體電解質等。這種電解質，填充于電容器元件1206的電極箔片即陽極箔片1202以及陰極箔片1203的間隙中。上述的電解電容器1201其靜電電容大，在CPU的去耦電路或者電源電路等中廣泛使用。但是，伴隨著電子器件的發(fā)展，對應大電容化、小型化、低ESR(EquivalentSeriesResistance)化等的諸多要求成為必要。在以往的電解電容器中使用的電容器元件，為了防止由陽極箔片與陰極箔片的接觸而引起的短路，需要在陽極箔片和陰極箔片的之間的全部插入隔離層從而進行巻繞。此種方式，成為了阻礙低ERS化、大電容化以及小型化的主要原因。
發(fā)明內容本發(fā)明是為解決上述課題而進行的，其目的是提供一種能夠實現(xiàn)低ERS化、大電容化以及小型化的巻繞型電解電容器以及其制造方法。本發(fā)明的第一方式的電解電容器，具有在表面依次形成電介質覆膜以及導電性高分子層的陽極箔片，在表面形成導電性高分子層的陰極箔片，與陽極箔片的一個面上電連接的陽極導線接頭，與陰極箔片的一個面上電連接的陰極導線接頭，在陽極箔片以及/或者陰極箔片的表面上配置的保護部件；陽極箔片以及陰極箔片并不介入隔離層進行巻繞；在巻繞的陽極箔片以及朋極箔片之間，存在設置保護部件的第一區(qū)域、不設置保護部件的第二區(qū)域；第一區(qū)域，是覆蓋與陽極箔片連接的陽極導線接頭的區(qū)域，覆蓋與陰極箔片連接的陰極導線接頭的區(qū)域，覆蓋陽極導線接頭與陽極箔片的連接部分的陽極箔片的背側的區(qū)域，以及覆蓋陰極導線接頭與陰極箔片的連接部分的陰極箔片的背側的區(qū)域中的至少一個區(qū)域。第一方式中，第一區(qū)域，優(yōu)選含有覆蓋與陽極箔片連接的陽極導線接頭的區(qū)域，覆蓋與陰極箔片連接的陰極導線接頭的區(qū)域，覆蓋陽極導線接頭與陽極箔片的連接部分的陽極箔片的背側的區(qū)域，以及覆蓋陰極導線接頭與陰極箔片的連接部分的陰極箔片的背側的區(qū)域的全部。第一方式中，保護部件優(yōu)選在電容器元件的巻繞方向0.5周以下的范圍內延伸。第一方式中，保護部件優(yōu)選由天然纖維、合成樹脂、以及導電性高分子層的任意一種構成的薄片狀部件。第一方式中，第二區(qū)域優(yōu)選以導電性高分子填充。本發(fā)明的第二方式，是電解電容器的制造方法，該電解電容器的方法具有在陽極箔片的表面依次形成電介質覆膜以及導電性高分子層，并在陰極箔片的表面形成導電性高分子層的工序；在陽極箔片的一個面上以及陰極箔片的一個面上，分別連接陽極導線接頭以及陰極導線接頭的工序；在覆蓋與陽極箔片連接的陽極導線接頭的區(qū)域、覆蓋與陰極箔片連接的陰極導線接頭的區(qū)域、覆蓋陽極導線接頭與陽極箔片的連接部分的陽極箔片的背側、以及覆蓋陰極導線接頭與陰極箔片的連接部分的陰極箔片的背側的區(qū)域中的至少一個區(qū)域配置保護部件的工序；不隔著隔離層對陽極箔片以及陰極箔片進行巻繞的工序。第二方式中，保護部件優(yōu)選通過在在覆蓋與陽極箔片連接的陽極導線接頭的區(qū)域、覆蓋與陰極箔片連接的陰極導線接頭的區(qū)域、覆蓋陽極導線接頭與陽極箔片的連接部分的陽極箔片的背側、以及覆蓋陰極導線接頭與陰極箔片的連接部分的陰極箔片的背側的區(qū)域中的至少一個區(qū)域涂敷樹脂形成。本發(fā)明的第三方式，是陽極箔片以及陰極箔片不隔著隔離層進行巻繞的電解電容器，該電解電容器具有在表面依次形成電介質覆膜以及導電性高分子層的陽極箔片；在表面形成導電性高分子層的陰極箔片；以覆蓋陽極箔片的巻曲開始部分的外周側的面，陽極箔片的巻曲部分的內周側的面，陰極箔片的巻曲部分的外周側的面，以及陰極箔片的巻曲部分的內周側的面中的至少一個面的方式配置的薄片部件。第三方式中，薄片部件的一端，優(yōu)選從陽極箔片的巻曲開始部分的一端以及/或者陽極箔片巻曲開始部分的一端向長邊方向延伸。第三方式中，薄片部件優(yōu)選由天然纖維、合成樹脂、導電性高分子的至少任意一種構成。第三方式中，陽極箔片與陰極箔片的間隙優(yōu)選以導電性高分子層填充。本發(fā)明的第四方式，是電解電容器的制造方法，該制造方法具有在陽極箔片的表面依次形成電介質覆膜以及導電性高分子層，并在陰極箔片的表面形成導電性高分子層的工序；以覆蓋陽極箔片的巻曲開始部分的外周側的面，陽極箔片巻曲開始部分的內周側的面，陰極箔片的巻曲開始部分的外周側的面，以及陰極箔片的巻曲開始部分的內周側的面中的至少一個的面的方式配置薄片部件的工序；不隔著隔離層對陽極箔片以及陰極箔片進行巻繞的工序。第四方式，在配置薄片部件的工序中，優(yōu)選以將從陽極箔片的巻曲開始部分的一個端以及/或者陰極箔片的巻曲開始部分的一個端向長邊方向延伸的方式配置，并在巻繞工序中，首先僅巻繞從一端延伸出的薄片部件，之后將陽極箔片以及陰極箔片的一個端與薄片部件一起進行巻繞。根據(jù)本發(fā)明的第一方式，因為陽極箔片以及陰極箔片，各自表面具有導電性高分子層，所以沒必要在陽極箔片以及陰極箔片之間介入隔離層。另外，通過以保護部件覆蓋陽極箔片以及/或者陰極箔片與導線接頭的連接部分以及/或者接觸部分，可以避免陽極箔片與陰極箔片之間的短路。因而，電解電容器的低ESR化、大電容化以及小型化成為可能。根據(jù)本發(fā)明的第二方式，通過預先在陽極箔片以及陰極箔片的表面形成導電性高分子層，能夠不使用隔離層制作電解電容器。另外，通過以保護部件覆蓋陽極箔片以及/或者陰極箔片與導線接頭的連接部分以及/或者接觸部分，可以避免陽極箔片與陰極箔片之間的短路。因而，能夠制作出可以低ESR化、大電容化以及小型化的電解電容器。根據(jù)本發(fā)明的第三方式，因為陽極箔片以及陰極箔片其表面具有導電性高分子層，所以沒必要在陽極箔片以及陰極箔片之間介入隔離層。另外，電解電容器元件的陽極箔片以及/或者陰極箔片的巻曲開始部分，在被薄片部件覆蓋的狀態(tài)下進行巻繞。也就是，在沿著陽極箔片以及陰極箔片中的巻芯的邊緣進行彎曲的部分配置薄片部件。由此，由于可以防止陽極箔片以及/或者陰極箔片與巻芯的邊緣部分接觸而帶來的損傷，所以可以防止陽極箔片以及陰極箔片之間的短路。因而，電解電容器的低ESR化、大電容化以及小型化成為可能。根據(jù)本發(fā)明的第四方式，通過預先在陽極箔片以及陰極箔片的表面形成導電性高分子層，能夠不使用隔離層制作出電解電容器。另外，電容器元件，陽極箔片以及/或者陰極箔片的巻曲開始部分以被薄片部件覆蓋的狀態(tài)進行巻繞。也就是，在沿著陽極箔片以及陰極箔片之中的巻芯的邊緣進行彎曲的部分，配置保護部件。由此，可以防止電極箔片的巻曲開始部分的損傷，作為結果，可以避免陽極箔片與陰極箔片之間的短路。因而，電解電容器的低ESR化、大電容化以及小型化成為可能。圖1是第一實施方式中電解電容器的截面圖。圖2是第一實施方式中電容器元件的立體圖。圖3是表示電極箔片、導線接頭、保護部件的位置關系的圖。圖4是第一實施方式中電極電容器制造工序的流程圖。圖5是第二實施方式中電容器元件的立體圖。圖6A以及圖6B是在電極箔片的巻曲開始部分并沒有插入薄片部件進行巻繞的情況下的巻芯附近的圖。圖7A以及圖7B是在電極箔片的巻曲開始部分插入薄片部件進行巻繞的情況下的巻芯附近的圖。圖8A以及圖8B是將電極箔片的中央部作為巻曲開始部分，并在該巻曲開始部分插入薄片部件進行巻繞的情況下的巻芯附近的圖。圖9A以及圖9B是纏繞薄片部件，并且將電極箔片的巻曲開始部分巻入薄片部件并進行巻繞的情況下的巻芯附近的圖。.圖IO是第二實施方式中電解電容器的制造工序的流程圖。圖11是以往的電解電容器的截面圖。圖12是以往的電容器元件的立體圖。具體實施例方式對本發(fā)明的實施方式進行說明。<第一實施方式>在圖1中，電解電容器l，具有電容器元件6、陽極導線接頭7A、陰極導線接頭7B、陽極導線8A、陰極導線8B、有底外殼9、密封部件10、座板ll。構成電容器元件6的陽極箔片以及陰極箔片(后面敘述)中，陽極導線8A以及陰極導線8B經(jīng)由陽極導線接頭7A以及陰極導線接頭7B連接。電容器元件6，以連接各導線接頭7A、7B的面處于有底外殼9的開口端的方式收容在有底外殼9中。通過在有底外殼9的開口部配置密封部件10，電容器元件6被密封于有底外殼9中。如圖2所示，電容器元件6，具有電極箔片，該電極箔片由在表面依次形成電介質覆膜(沒有圖示)以及導電性高分子層(沒有圖示)的陽極箔片2，和在表面形成導電性高分子層(沒有圖示)的陰極箔片3組成。陽極箔片2以及陰極箔片3，沒有隔著隔離層而以鄰接的狀態(tài)巻繞。陽極箔片2以及陰極箔片3巻繞而形成的圓柱體的最外周，通過巻繞阻止帶5阻止。電介質覆膜，可以通過對由閥金屬構成的陽極箔片2以及陰極箔片3，至少在陽極箔片2的表面進行化學轉化處理形成?；瘜W轉化處理，例如，通過將電極箔片浸漬在轉化液中并施加電壓進行。導電性高分子層中，優(yōu)選脂肪族系、芳香族系、雜環(huán)系以及含雜原子系的導電高分子至少含有一種以上。特別的，通過含有聚噻吩系、聚吡咯系、聚苯胺系導電性高分子，可以穩(wěn)定形成導電性高分子層。作為導電性高分子層的形成方法，所舉出的是將導電性高分子溶液或者使導電性高分子的微粒分散的導電性高分子分散液，覆于電極箔片的表面的方法等。在陽極箔片2的一個面電連接有陽極導線接頭7A，在陰極箔片3的-一個面電連接有陰極導線接頭7B。優(yōu)選至少在陽極導線接頭7A的表面形成電介質覆膜。根據(jù)本實施的方式，由于在陽極箔片2以及陰極箔片3的表面形成導電性高分子層，即使陽極箔片2與陰極箔片3接觸也不發(fā)生短路。因此，沒有必要像以往的電解電容器那樣，使隔離層介于陽極箔片與陰極箔片之間的整面。但是，陽極箔片2與陽極導線接頭7A的連接部分以及陰極箔片3與陰極導線接頭7B的連接部分，和位于各連接部分的外周側以及內周側的電極箔片接觸，容易在損壞電極箔片表面的電介質覆膜或者導電性高分子層，從而在陽極箔片2與陰極箔片3之間發(fā)生短路。為了防止此種情況，本發(fā)明，在陽極箔片2以及/或者陰極箔片3的面上配置有保護部件4。下面，利用圖3對配置保護部件4的位置進行說明。圖3是表示電極箔片、導線接頭、保護部件的位置關系的圖，是將由圖2的巻繞的電極箔片構成的圓柱體從上方看的情況下的示意圖。圖3中，保護部件4A，配置在覆蓋陽極導線接頭7A的區(qū)域，保護部件4B，配置在覆蓋連接陽極導線接頭7A的陽極箔片2的連接部分的背面的區(qū)域。另外，保護部件4C，配置在覆蓋陰極導線接頭7B的區(qū)域，保護部件4D，配置在覆蓋連接陰極導線接頭7B的陰極箔片3的連接部分的背面的區(qū)域。由此，在巻繞狀態(tài)下，可以防止與導線接頭的連接部分，與這些的位于外周側以及內周側的電極箔片的接觸，可以避免在陽極箔片2和陰極箔片3之間的短路。因而，能夠制造出可以低ESR化、大電容化以及小型化的電極電容器。另外，電容器元件具有3個以上的導線接頭的情況，優(yōu)選具有與導線連接頭和電極箔片的連接部分對應的數(shù)目的多個保護部件。另外，保護部件，即使通過設置保護部件4A4D中的至少一個，也能夠防止短路。保護部件4的寬度為覆蓋導線接頭的大小就可以。另外，雖然保護部件4的長度，比電極箔片與導線接頭的連接部分長，且未到達電極箔片的巻繞開始的始端以及巻繞結束的終端的長度就可以，但是為了小型化以及降低材料費用，進一步優(yōu)選在以電容器元件6的巻繞方向0.5周以下的范圍內延伸。另外，保護部件4的長度，進一步優(yōu)選為了與在巻繞時的保護部件4的位置偏移對應，取導線接頭的寬度的1.5倍左右。保護部件4，可以具有能夠保護陽極箔片2以及陰極箔片3的水平的強度，與以往使用的隔離層不同，不管有無離子透過性。作為保護部件4，例如，可以使用馬尼拉麻、西班牙草紙漿(工7八W卜八°々7°)、牛皮紙、木材紙漿等的天然纖維，尼龍、丙烯、維尼綸、芳香族聚酰胺纖維、特氟綸(注冊商標)等的合成樹脂，聚噻吩系、聚吡咯系、聚苯胺系等的導電性高分子等。作為將保護部件4配置在覆蓋電極箔片與導線接頭的連接部分的位置、以及/或者配置在電極箔片的與導線接頭的接觸部分的方法，.存在巻繞陽極箔片2或者陰極箔片3時將保護部件4插入規(guī)定的位置從而進行巻繞的方法。再有，存在事先通過黏著材料將保護部件4直接粘著于陽極箔片2以及陰極箔片3的規(guī)定的位置之后進行巻繞的方法等。另外，也可以通過在連接部分以及接觸部分涂敷樹脂并干燥，使保護部分4在連接部分以及接觸部分直接形成后進行巻繞。作為樹脂，只要能夠保護電極箔片2、3即可，例如，舉出例子有環(huán)氧、苯酚、聚乙烯等的、另外，在本實施的方式所涉及的電容器元件6中，也可以設置在后面敘述的第二實施方式中所涉及的薄片部件14。接下來，利用圖4對上述的第一實施方式中所涉及的電解電容器1的制造方法進行說明。在圖4中，首先，通過對在由閥金屬構成的陽極箔片2以及陰極箔片3中，至少對陽極箔片2的表面的化學轉化處理從而形成電介質覆膜?；瘜W轉化處理，例如，通過將電極箔片浸漬于化學轉化溶液中并施加電壓進行。接著，在形成電介質覆膜的陽極箔片2以及陰極箔片3的表面形成導電高分子層(步驟S41)。導電性高分子層中，優(yōu)選脂肪族系、芳香族系、雜環(huán)系以及含雜原子系的導電高分子至少含有一種。特別，優(yōu)選聚噻吩系、聚吡咯系、聚苯胺系等的導電性高分子。作為導電性高分子層的形成方法，所舉出的是將導電性高分子溶液或者使導電性高分子的微粒分散的導電性高分子分散液，涂于電極箔片的表面的方法等。接下來，陽極導線接頭7A以及陰極導線接頭7B，分別與形成有導電性高分子層的陽極箔片2以及陰極箔片3電連接(步驟S42)。優(yōu)選至少在陽極導線接頭7A的表面形成電介質覆膜。為了防止在電極箔片2、3與導線接頭7A、7B的連接部分以外，電極箔片2、3與導線接頭7A、7B連接，在電極箔片2、3面上配置保護部件4(步驟S43)。作為配置保護部件4的區(qū)域，具有覆蓋與陽極箔片2連接的陽極導線接頭7A的區(qū)域，覆蓋與陰極箔片3連接的陰極導線接頭7B的區(qū)域，覆蓋陽極導線接頭7A與陰極箔片2的連接部分的陽極箔片2的背側區(qū)域，以及覆蓋陰極導線接頭7B與陰極箔片3的連接部分的陰極箔片3的背側的區(qū)域。保護部件4在這些區(qū)域中至少配置在一個區(qū)域即可。然后，通過不隔著隔離層巻繞陽極箔片2與陰極箔片3(步驟S44)，最外周以巻繞阻止帶5阻止，制作出電容器元件6。接著，制作的電容器元件6進行切口化學變換，在陽極箔片2以及陰極箔片3的端面形成電介質覆膜。切口化學變換，通過將電容器元件6浸漬在化學變換溶液中并施加電壓進行。然后，在電容器元件6的陽極箔片2和陰極箔片3的間隙通過電解聚合或者化學聚合形成導電性高分子層。導電性高分子層中，優(yōu)選脂肪族系、芳香族系、雜環(huán)系以及含雜原子系的導電高分子至少含有一種，特別優(yōu)選聚噻吩系、聚吡咯系、聚苯胺系等的導電性高分子。另外，代替導電性高分子，也可以用電解液浸沒電容器元件6。其后，將電容器元件6收納于有底外殼9中，在該有底外殼9的開口端部插入密封部件10并進行側面擠壓使其彎曲的加工。并且，在該巻曲面插入座板ll,并進行作為電極端子的導線8A、8B的擠壓加工、彎曲加工，完成電極電容器l。這樣，根據(jù)本實施方式，通過預先在陽極箔片2以及陰極箔片3的表面形成導電性高分子層，能夠不使用隔離層而制作電解電容器。進而通過采用保護部件4覆蓋電極箔片2、3與導線接頭7A、7B的連接部分、接觸部分，能夠避免陽極箔片2與陰極箔片3之間的短路。因而，能夠制造出可以低ESR化、大電容化以及小型化的電極電容器。<第二實施方式>圖5是第二實施方式所涉及的電容器元件的立體圖。再有，由于電解電容器的外觀構成圖與圖1的電解電容器1相同，所以不進行說明。圖5中，電容器元件6，具有電極箔片，該電極箔片由在表面依次形成電介質覆膜(沒有圖示)以及導電性高分子層(沒有圖示)的陽極箔片2，和在表面形成導電性高分子層(沒有圖示)的陰極箔片3組成。陽極箔片2以及陰極箔片3，并兩個箔片之間并沒有隔著隔離層，而以鄰接的狀態(tài)巻繞。陽極箔片2以及陰極箔片3通過巻繞形成的圓柱體的最外周，利用巻繞阻止帶5阻止。電介質覆膜，可以通過對由閥金屬構成的陽極箔片2以及陰極箔片3之中，至少在陽極箔片2的表面進行化學轉化處理形成?；瘜W轉化處理，例如，通過將電極箔片浸漬于化學轉化溶液中并施加電壓進行。導電性高分子層中，優(yōu)選脂肪族系、芳香族系、雜環(huán)系以及含雜原子系的導電高分子至少含有一種以上。特別的，通過含有聚噻吩系、聚吡咯系、聚苯胺系導電性高分子，可以穩(wěn)定形成導電性高分子層。作為導電性高分子層的形成方法，所舉出的是將導電性高分子溶液或者使導電性高分子的微粒分散的導電性高分子分散液，涂于電極箔片的表面的方法等。在陽極箔片2的一個面電連接有陽極導線接頭7A，陰極箔片3的一個面電連接有陰極導線接頭7B。優(yōu)選至少在陽極導線接頭7A的表面形成電介質覆膜。根據(jù)本實施的方式，通過在陽極箔片2以及陰極箔片3的表面形成導電性高分子層，即使陽極箔片2與陰極箔片3接觸也不發(fā)生短路。因此，沒有必要像以往的電解電容器那樣，使隔離層介于陽極箔片與陰極箔片之間的整面。但是，使用巻繞機巻繞陽極箔片2以及陰極箔片3時，電容器元件6不具有隔離層。因此，如圖6A所示，陽極箔片2以及陰極箔片3的一個端部的巻曲開始部分，插入到構成巻繞機的巻芯13的巻芯片13A、13B的相對的面之間，如圖6B所示，纏繞并巻曲于巻芯13上。在該情況下，由于陽極箔片2以及/或者陰極箔片3與巻芯的邊緣部分A接觸，因此容易損壞陽極箔片2以及/或者陰極箔片3的表面的電介質覆膜以及導電性高分子層，在陽極箔片2和陰極箔片3之間產(chǎn)生短路。為了防止這種情況，本發(fā)明中，如圖5所示，薄片部件14配置于陽極箔片2以及陰極箔片3巻曲所形成的圓柱體的中心部附近。下面，對薄片14所配置的位置進行說明。圖7A以及圖7B是在巻繞時的巻芯附近的圖，是用于說明電極箔片巻繞于巻芯的構成的圖。另外，圖7A以及圖7B，表示從巻芯的軸向方向上方觀測的情況。如圖7A所示，在將陽極箔片2以及陰極箔片3的一個端部的巻曲開始部分插入到巻芯片13A、13B的相對的面之間狀態(tài)下，薄片部件14，以覆蓋陽極箔片2以及陰極箔片3的巻曲開始部分的方式配置。具體的是，薄片部件14A配置于陰極箔片3和巻芯片13A之間，覆蓋陰極箔片3的巻曲開始部分的內周側的面。另外，薄片部件14B載置于陽極箔片2與陰極箔片3之間，覆蓋陰極箔片3的巻曲開始部分的外周側的面以及陽極箔片2的巻曲開始部分的內周側的面。再者，如圖7B所示，若巻芯13沿順時針方向轉動，則陽極箔片2、陰極箔片3以及薄片部件14A、14B—同巻繞。這樣巻繞的電容器元件的陽極箔片2以及陰極箔片3的巻繞開始部分，由于隨著薄片部件14A、14B一起巻繞，因此能夠防止巻芯13的邊緣部分A與陽極箔片2以及陰極箔片3的接觸。因而，能夠制造可以低ESR化、大電容化以及小型化的電解電容器。另外，巻曲開始部分也可以不是陽極箔片2以及陰極箔片3的端部。圖8A以及圖8B，是將電極箔片的中央部作為巻曲開始部分，在該巻曲開始部分插入薄片部件并進行巻曲的情況下的巻芯附近的圖。如圖8A所示，以覆蓋陰極箔片3的長邊方向中央部的方式配置薄片部件14A、14B，并插入巻芯片13A、13B之間。2片的陽極箔片2，以與陰極箔片3的兩面相對的方式配置，一個的陽極箔片2配置在巻芯13的一側，另一個的陽極箔片2配置在巻芯13的相反一側。再有，若巻芯13沿順時針方向轉動，則陽極箔片2、陰極箔片3以及薄片部件14A、14B，如圖8B所示巻繞。由此，可以防止巻芯片13A、13B的各邊緣部分A與陽極箔片2以及陰極箔片3的接觸。這樣，電極箔片的巻曲開始部分，不僅是電極箔片的端部也可以是長邊方向中央部。另外，也可以在巻芯片13A、13B之間不插入陽極箔片2以及陰極箔片3，只插入薄片部件14從而進行巻繞。圖9A以及圖9B是纏繞薄片部件，并且將電極箔片的巻曲開始部分巻入薄片部件并進行巻繞情況下的巻芯附近的圖。如圖9A所示，薄片部件14A、14B，各自的一個端部以覆蓋陽極箔片2以及陰極箔片3的各自的端部的巻曲開始部分的方式配置，各自的另一個端部以從陽極箔片2以及陰極箔片3的巻曲開始部分延伸至巻芯片13A、13A之間的方式配置。也就是，薄片部件14A、14B的另一個端部，延伸至電容器元件6的中心部側，插入巻芯片13A、13B的中間。再有，若巻芯13沿順時針轉動，則如圖9B所示，薄片部件14A、14B被繞巻，并且陽極箔片2以及陰極箔片3巻入并繞巻。在該情況下，插入巻芯13中的只是薄片部件14，由于陽極箔片2以及陰極箔片3沒有插入巻芯13中，因此可以防止巻芯13的邊緣部分A與陽極箔片2以及陰極箔片3的接觸。使用的薄片部件14的數(shù)量，可以是至少一個以上，可以根據(jù)電極箔片與巻芯的邊緣部分的接觸地方和電極箔片的數(shù)量適當?shù)淖兓?。另外，在巻繞開始之前，也可以將薄片部件14使用粘著劑粘貼于陽極箔片2以及陰極箔片3的巻曲開始部分。作為粘著劑，可以使用一般的粘著劑，例如，可以使用丙烯系、硅酮系、橡膠系等的粘著劑。薄片部件14，具有能夠保護并巻繞陽極箔片2以及陰極箔片3的水平的強度即可，與以往使用的隔離層不同，不管有無離子透過性。作為薄片部件14，例如，可以使用馬尼拉麻、西班牙草紙漿、牛皮紙、木材紙漿等的天然纖維，尼龍、丙烯、維尼綸、芳香族聚酸胺、特氟綸(注冊商標)等的合成樹脂，聚噻吩系、聚吡咯系、聚苯胺系等的導電性高分子等。另外，在本實施方式所涉及的電容器元件6中，可以設置第一實施方式所涉及的保護部件4。下面，利用圖10對上述的第二實施方式所涉及的電解電容器的制造方法進行說明。在圖10中，首先，通過對在由閥金屬構成的陽.極箔片2以及陰極箔片3中，至少對陽極箔片2的表面的化學轉化處理從而形成電介質覆膜?；瘜W轉化處理，例如，通過將電極箔片浸漬于化學轉化溶液中并施加電壓進行。接著，在形成電介質覆膜的陽極箔片2以及陰極箔片3的表面形成導電高分子層(步驟SIOI)。導電性高分子層中，優(yōu)選脂肪族系、芳香族系、雜環(huán)系以及含雜原子系的導電高分子至少含有一種。特別，優(yōu)選聚噻吩系、聚吡咯系、聚苯胺系等的導電性高分子。作為導電性高分子層的形成方法，所舉出的是將導電性高分子溶液或者使導電性高分子的微粒分散的導電性高分子分散液，涂于電極箔片的表面的方法等。接下來，陽極導線接頭7A以及陰極導線接頭7B，分別與形成導電性高分子層的陽極箔片2以及陰極箔片3電連接。優(yōu)選至少在陽極導線接頭7A的表面形成電介質覆膜。下面，薄片部件14配置于防止電極箔片2、3與巻芯13的邊緣接觸的區(qū)域(步驟S102)。作為防止電極箔片2、3與巻芯13的邊緣接觸的區(qū)域，存在陽極箔片2的巻曲開始部分的外周側的面，陽極箔片2的巻曲開始部分的內周側的面，陰極箔片3的巻曲開始部分的外周側的面，陰極箔片3的巻曲開始部分的內周側的面。薄片部件14以覆蓋這些表面中的至少一個的表面的方式配置即可。然后，通過不隔著隔離層來巻繞陽極箔片2與陰極箔片3(步驟S103)，最外周以巻繞阻止帶5阻止，制作出電容器元件6。接著，制作的電容器元件6進行切口化學變換，在陽極箔片2以及陰極箔片3的端面形成電介質覆膜。切口化學變換通過將電容器元件浸漬在化學變換溶液中并施加電壓進行。然后，在電容器元件6的陽極箔片2和陰極箔片3的間隙通過電解聚合或者化學聚合形成導電性高分子層。導電性高分子層中，優(yōu)選脂肪族系、芳香族系、雜環(huán)系以及含雜原子系的導電高分子至少含有一種，特別優(yōu)選聚噻吩系、聚吡咯系、聚苯胺系等的導電性高分子。另外，代替導電性高分子，也可以將電解液浸沒電容器元件6。其后，將電容器元件6收納于有底外殼9中，在該有底外殼9的開口端部插入密封部件10并進行側面擠壓使其彎曲的加工。并且，在該巻曲面插入座板ll，并進行作為電極端子的導線8A、8B的擠壓加工、彎曲加工，完成電極電容器l。這樣，根據(jù)本實施方式，通過預先在電極箔片2以及陰極箔片3的表面形成導電性高分子層，能夠不使用隔離層而制作電解電容器。進而，通過在電容器元件6的電極箔片的巻曲開始部分插入薄片部件14，一起巻繞，防止電極箔片2、3與巻繞機的巻芯13的邊緣部分的接觸。通過防止由電極箔片與巻芯的接觸產(chǎn)生的電極箔片的損壞，能夠避免陽極箔片2與陰極箔片3之間的短路。因而，能夠制造出可以低ESR化、大電容化、小型化的電解電容器。<第一實施方式所涉及的實施例〉首先，在由鋁構成的陽極箔片2以及陰極箔片3的表面施行腐蝕處理。其后，通過將施行過腐蝕處理的陽極箔片2浸漬于己二酸(7^t'^酸)系水溶液中并施加電壓，形成由三氧化二鋁(AL203)所構成的電介質覆膜。然后，在陽極箔片2以及陰極箔片3的表面，形成由聚噻吩系導電性高分子構成的導電性高分子層。接下來，將在表面形成了導電性高分子層的陽極箔片2以及陰極箔片3，分別與陽極導線接頭7A以及陰極導線接頭7B連接。然后，將陽極箔片2以及陰極箔片3—起巻繞。此時，在圖3所示的位置插入由馬尼拉麻構成的保護部件4，并與陽極箔片2和陰極箔片3—起巻繞。巻繞后，將最外周通過巻繞阻止帶5阻止，制作出了電容器元件6。接著，進行電容器元件6切口化學變換。切口化學變換，通過將電容器元件6浸漬于化學變換溶液中并施加電壓進行。然后，在含有由聚合而形成導電性高分子的3,4-乙烯二氧噻吩(3，4-ethylenedioxythiophene)，和作為氧化劑溶液的對甲苯磺酸亞鐵醇溶液(p-toluenesulfonicacidalcohol)的聚合溶液中，浸沒制作的電容器元件6。并且，通過對電容器元件6加熱使其進行熱化學聚合，在陽極箔片2以及陰極箔片3之間形成導電性高分子層。其后，將電容器元件6收納于有底外殼9，在該有底外殼9的開口端部插入密封部件IO，并進行側面擠壓使其彎曲的加工。并且，在該巻曲面插入座板11，并進行作為電極端子的導線8A、8B的擠壓加工、彎曲加工，完成電極電容器1。除作為保護部件4使用了芳香族聚酰胺纖維以外，其他與實施例1相同的制作了電解電容器。[實施例3]除作為保護部件4使用了氟樹脂以外，其他與實施例1相同的制作了電解電容器。[實施例4]除作為保護部件4使用了聚噻吩系導電性高分子以外，其他與實施例l相同的制作了電解電容器。[實施例5]除巻繞時代替插入保護部件4，對應在實施例1中插入保護部件4的位置，預先涂敷環(huán)氧樹脂，并使其干燥形成保護部件4來進行巻繞以外，其他與實施例1相同的制作了電解電容器。也就是，在與配置圖3的保護部件4A4D的位置對應的位置，形成了由環(huán)氧樹脂構成的保護部件4。除省去保護部件4而進行巻繞以外，其他與實施例l相同的制作了電解電容器。以往例中，除使用在表面沒有形成導電性高分子層的陽極箔片2以及陰極箔片3，并省去保護部件4，與由馬尼拉麻構成的隔離層紙一起進行巻繞從而制作電容器元件以外，其他與實施例l相同的制作了電解電容器。表1，是關于實施例1~實施例5，比較例1以及以往例1的電解電容器的各自的30個平均值的電氣特性測定結果。再有，電解電容器，額定電壓為4V，電容為560uF，尺寸是直徑8mm高度12mm。另外，電容以及tar^的測定以120Hz的頻率進行，等價串聯(lián)電阻的測定以100kHz的頻率進行。另外，漏電流是施加額定電壓后2分鐘以后的值。<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>由表1的結果，通過實施例1實施例5以及比較例1所實現(xiàn)的電解電容器。比起以往例1的電解電容器其等價串聯(lián)電阻低。因而，通過在陽極箔片以及陰極箔片的表面形成導電高分子層并省去隔離層，能夠制作等價串聯(lián)電阻低的電解電容器。再有，由實施例1實施例5所實現(xiàn)的電解電容器，比起以往例1的電解電容器其漏電流小。因而，在陽極箔片以及陰極箔片的表面形成導電性高分子層并省去隔離層的電解電容器中，通過以保護部件覆蓋陽極箔片以及陰極箔片與導線接頭的連接部分，可以抑制漏電流的增大。另外，由于實施例1~實施例5以及比較例1所實現(xiàn)的電解電容器沒有使用隔離層，所以比起由以往例l所實現(xiàn)的電解電容器可以減小其直徑。也就是，能夠使電解電容器小型化。另外，由于實施例1實施例5以及比較例1所實現(xiàn)的電解電容器沒有使用隔離層，所以制作了比實施例1所實現(xiàn)的電解電容器的直徑小的電解電容器。使實施例15以及比較例1的電容器元件和以往例1的電容器元件的直徑相同的情況下，實施例1~5以及比較例1的電解電容器，比起相同直徑的由以往例1實現(xiàn)的電解電容器其具有1.6倍的電容，也就是，能夠使電解電容器大電容化。<第二實施方式所涉及的實施例>首先，在由鋁構成的陽極箔片2以及陰極箔片3的表面施行腐蝕處理。其后，通過將施行過腐蝕處理的陽極箔片2浸漬于己二酸系水溶液中并施加電壓，形成由三氧化二鋁(AL203)所構成的電介質覆膜。然后，在陽極箔片2以及陰極箔片3的表面，形成由聚噻吩系導電性高分子構成的導電性高分子層。接下來，將在表面形成了導電性高分子層的陽極箔片2以及陰極箔片3，分別與陽極導線接頭7A以及陰極導線接頭7B連接。然后，如圖7A所示，在覆蓋陽極箔片2以及陰極箔片3的各自的端部的巻曲開始部分的位置，配置由馬尼拉麻構成的薄片部件14A、14B，如圖7B所示，使巻芯13沿順時針轉動，則一起巻繞陽極箔片2、陰極箔片3以及薄片部件14A、14B。巻繞后，將最外周由巻曲阻止帶5阻止，制作出電容器元件6。接著，進行電容器元件6的切口化學變換。切口化學變換，通過將電容器元件6浸泡在化學變換溶液中并施加電壓進行。然后，在含有由聚合而形成導電性高分子的3，4-乙烯二氧噻吩，和作為氧化劑溶液的對甲苯磺酸亞鐵醇溶液的聚合溶液中，浸沒制作的電容器元件6。并且，通過對電容器元件6加熱使其進行熱化學聚合，在陽極箔21片2以及陰極箔片3之間形成導電性高分子層。其后，將電容器元件6收納于有底外殼9，在該有底外殼9的開口端部插入密封部件IO，并進行側面擠壓使其彎曲的加工。并且，在該彎曲面插入座板11，并迸行作為電極端子的導線8A、8B的擠壓加工、彎曲加工，完成電極電容器l。除作為薄片部件14使用芳香族聚酰胺纖維以外，其他與實施例6相同的制作電解電容器。[實施例8]除作為薄片部件14使用氟樹脂以外，其他與實施例6相同的制作電解電容器。除作為薄片部件14使用了聚噻吩系導電性高分子以外，其他與實施例6相同的制作了電解電容器。[實施例10]實施例IO，巻繞方法與實施例6不同，如圖9所示，以如下的方式配置由馬尼拉麻構成的薄片部件14A、14B，即其各自的一個端部覆蓋陽極箔片2以及陰極箔片3的各自的巻曲開始部分，各個的另一個端部從陽極箔片2以及陰極箔片3的巻曲開始部分延伸至巻芯片13A、13B之間。然后，使巻芯13沿順時針轉動，巻繞薄片部件14A、14B并且陽極箔片2以及陰極箔片3的一個端部巻入薄片部件14A、14B并進行巻繞。除上述內容以外，其他實施例10與實施例6相同的制作電解電容器。除作為薄片部件14使用芳香族聚酰胺纖維以外，其他與實施例10相同的制作電解電容器。[實施例12]除作為薄片部件14使用氟樹脂以外，其他與實施例IO相同的制作電解電容器。除省去薄片部件14進行巻繞以外，其他與實施例6相同的制作電解電容器。以往例2中，除使用在表面沒有形成導電性高分子層的陽極箔片2以及陰極箔片3，并省去薄片部件14，與由馬尼拉麻構成的隔離層紙一起進行巻繞從而制作電容器元件以外，其他與實施例6相同的制作了電解電容器。表2，是關于實施例6實施例12，比較例2以及以往例2的電解電容器的各自的30個平均值的電氣特性測定結果。再有，電解電容器，額定電壓為4V，電容為560uF，尺寸是直徑8mm高度12mm。另外，電容以及tan^的測定以120Hz的頻率進行，等價串聯(lián)電阻的測定以100kHz的頻率進行。另外，漏電流是施加額定電壓后2分鐘以后的值<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>由表2的結果，通過實施例6~實施例12以及比較例2所實現(xiàn)的電解電容器比起以往例2的電解電容器其等價串聯(lián)電阻低。因而，通過在陽極箔片以及陰極箔片的表面形成導電高分子層并省去隔離層，能夠制作等價串聯(lián)電阻低的電解電容器。再有，由實施例6實施例12所實現(xiàn)的電解電容器比起比較例2的電解電容器其漏電流小。因而，在陽極箔片以及陰極箔片的表面形成導電性高分子層并省去隔離層的電解電容器中，通過配置薄片部件從而防止陽極箔片以及陰極箔片與巻芯邊緣部分的接觸，可以抑制漏電流的增大。另外，由于實施例6實施例12以及比較例2所實現(xiàn)的電解電容器沒有使用隔離層，所以比起由以往例2所實現(xiàn)的電解電容器可以減小其直徑。也就是，能夠使電解電容器小型化。另外，由于實施例6~實施例12以及比較例2所實現(xiàn)的電解電容器沒有使用隔離層，所以制作了比實施例2所實現(xiàn)的電解電容器的直徑小的電解電容器。使實施例612以及比較例2的電容器元件和以往例2的電容器元件的直徑相同的情況下，實施例612以及比較例2的電解電容器，比起相同直徑的由以往例2實現(xiàn)的電解電容器其具有1.6倍的電容，也就是，能夠使電解電容器大電容化。上述的實施方式以及實施例，僅用于說明本發(fā)明，不應該理解為限定權利要求書中所述的發(fā)明的方式。本發(fā)明，可以在權利要求的范圍內以及等同的意義的范圍內自由變化。權利要求1.一種電解電容器，具有在表面依次形成有電介質覆膜以及導電性高分子層的陽極箔片；在表面形成有導電性高分子層的陰極箔片；與所述陽極箔片的一個面上電連接的陽極導線接頭；與所述陰極箔片的一個面上電連接的陰極導線接頭；以及配置于所述陽極箔片以及/或者所述陰極箔片的面上的保護部件；所述陽極箔片以及所述陰極箔片未隔著隔離層而進行卷繞，在卷繞了的所述陽極箔片與所述陰極箔片之間，存在設有所述保護部件的第一區(qū)域和未設置所述保護部件的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域，是覆蓋與所述陽極箔片連接的所述陽極導線接頭的區(qū)域、覆蓋與所述陰極箔片連接的所述陰極導線接頭的區(qū)域、覆蓋所述陽極導線接頭與所述陽極箔片的連接部分的所述陽極箔片的背側的區(qū)域、以及覆蓋所述陰極導線接頭與所述陰極箔片的連接部分的所述陰極箔片的背側的區(qū)域之中的至少一個區(qū)域。2.根據(jù)權利要求l所述的電解電容器，其特征在于，所述第一區(qū)域，包括覆蓋與所述陽極箔片連接的所述陽極導線接頭的區(qū)域；覆蓋與所述陰極箔片連接的所述陰極導線接頭的區(qū)域；覆蓋所述陽極導線接頭與所述陽極箔片的連接部分的所述陽極箔片的背側的區(qū)域；以及覆蓋所述陰極導線接頭與所述陰極箔片的連接部分的所述陰極箔片的背側的區(qū)域；的全部。3.根據(jù)權利要求l所述的電解電容器，其特征在于，所述保護部件，在電容器元件的巻繞方向0.5周以下的范圍內延伸。4.根據(jù)權利要求l所述的電解電容器，其特征在于，所述保護部件是由天然纖維、合成樹脂、以及導電性高分子的任何一種所構成的薄片部件。5.根據(jù)權利要求l所述的電解電容器，其特征在于，所述第二區(qū)域以導電性高分子來填充。6.—種電解電容器的制造方法，該電解電容器的制造方法具有在陽極箔片的表面依次形成電介質覆膜以及導電性高分子層，并在陰極箔片的表面形成導電性高分子層的工序；在所述陽極箔片的一個面上以及所述陰極箔片的一個面上，分別連接陽極導線接頭以及陰極導線接頭的工序；在覆蓋與所述陽極箔片連接的所述陽極導線接頭的區(qū)域、覆蓋與所述陰極箔片連接的所述陰極導線接頭的區(qū)域、覆蓋所述陽極導線接頭與所述陽極箔片的連接部分的所述陽極箔片的背側的區(qū)域、以及覆蓋所述陰極導線接頭與所述陰極箔片的連接部分的所述陰極箔片的背側的區(qū)域中的至少一個區(qū)域配置保護部件的工序；不隔著隔離層將所述陽極箔片以及所述陰極箔片進行巻繞的工序。7.根據(jù)權利要求6所述的電解電容器的制造方法，其特征在于，所述保護部件，通過在覆蓋與所述陽極箔片連接的所述陽極導線接頭的區(qū)域、覆蓋與所述陰極箔片連接的所述陰極導線接頭的區(qū)域、覆蓋所述陽極導線接頭與所述陽極箔片的連接部分的所述陽極箔片的背側的區(qū)域、以及覆蓋所述陰極導線接頭與所述陰極箔片的連接部分的所述陰極箔片的背側的區(qū)域中的至少一個區(qū)域涂敷樹脂而形成。8.—種電解電容器，具有在表面依次形成有電介質覆膜以及導電性高分子層的陽極箔片；在表面形成有導電性高分子層的陰極箔片；以覆蓋所述陽極箔片的巻曲開始部分的外周側的面、所述陽極箔片的巻曲開始部分的內周側的面、所述陰極箔片的巻曲開始部分的外周側的面、以及所述陰極箔片的巻曲開始部分的內周側的面中的至少一個面的方式配置的薄片部件，所述陽極箔片以及所述陰極箔片不隔著隔離層而進行巻繞。9.根據(jù)權利要求8所述的電解電容器，其特征在于，薄片部件的一端從所述陽極箔片的巻曲開始部分以及/或者所述陰極箔片的巻曲開始部分的一端向長邊方向延伸。10.根據(jù)權利要求8所述的電解電容器，其特征在于，所述薄片部件由天然纖維、合成樹脂、導電性高分子層的至少任意一種構成。11.根據(jù)權利要求8所述的電解電容器，其特征在于，所述陽極箔片與所述陰極箔片之間的間隙以導電性高分子來填充。12.—種電解電容器的制造方法，該電解電容器的制造方法具有在陽極箔片的表面依次形成電介質覆膜以及導電性高分子層，并在陰極箔片的表面形成導電性高分子層的工序；以覆蓋所述陽極箔片的巻曲開始部分的外周側的面、所述陽極箔片的巻曲開始部分的內周側的面、所述陰極箔片的巻曲開始部分的外周側的面、以及所述陰極箔片的巻曲開始部分的內周側的面中的至少一個面的方式配置薄片部件的工序；不隔著隔離層對所述陽極箔片以及所述陰極箔片進行巻繞的工序。13.根據(jù)權利要求12所述的電解電容器的制造方法，其特征在于，在配置所述薄片部件的工序中，以將所述薄片部件從所述陽極箔片的巻曲開始部分的一端以及/或者所述陰極箔片的巻曲開始部分的一端向長邊方向延伸的方式配置，在所述巻繞的工序中，首先，僅巻繞從所述一端延伸出的所述薄片部件，接著，將所述陽極箔片以及所述陰極箔片的一端與所述薄片部件一起進行巻繞。全文摘要本發(fā)明提供一種卷繞型電解電容器以及其制造方法，該電解電容器具有形成電介質覆膜以及導電性高分子層的陽極箔片，表面形成導電性高分子層的陰極箔片，與陽極箔片以及陰極箔片分別電連接的陽極導線接頭以及陰極導線接頭，以及保護部件。在卷繞的陽極箔片與陰極箔片之間，存在設有所述保護部件的第一區(qū)域。第一區(qū)域是覆蓋陽極導線接頭的區(qū)域、覆蓋陰極導線接頭的區(qū)域、覆蓋陽極導線接頭與陽極箔片的連接部分的陽極箔片的背側的區(qū)域、以及覆蓋陰極導線接頭與陰極箔片的連接部分的陰極箔片的背側的區(qū)域之中的至少一個區(qū)域。文檔編號H01G9/00GK101685708SQ200910169158公開日2010年3月31日申請日期2009年9月11日優(yōu)先權日2008年9月22日發(fā)明者藤本和雅申請人:三洋電機株式會社;佐賀三洋工業(yè)株式會社