專利名稱：一種集成電路的引線框架結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種集成電路的引線框架，與其復(fù)合結(jié)構(gòu)有關(guān)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，有一種集成電路引線框架10如圖1和圖2所示， 是采用表面全部鍍鎳的銅合金片材沖壓而成。這種全鍍鎳的銅質(zhì)引線
框架IO存在的不足之處是
全鍍鎳的表面十分光滑，封裝時(shí)，封裝塑料與光滑的鍍鎳表面結(jié) 合力差，容易出現(xiàn)分層，產(chǎn)生間隙，使水蒸汽極易由此間隙浸入，影 響集成電路產(chǎn)品的品質(zhì)。
針對這種全鍍鎳引線框架的缺陷，本發(fā)明人研制出一種新型集成 電路引線框架復(fù)合結(jié)構(gòu)，旨在提高集成電路產(chǎn)品的電性能，并在封裝 后保證產(chǎn)品的品質(zhì)，本案由此產(chǎn)生。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種集成電路的引線框架結(jié)構(gòu)，以避 免產(chǎn)品在封裝后水蒸汽浸入，保證產(chǎn)品的品質(zhì)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下 一種集成電路的引線框架結(jié)構(gòu)，由銅合金片材沖壓制成框架主
3體，框架主體包括放置芯片的散熱板和連接芯片的引線，在引線與芯 片連接的一端鍍有一層鎳，散熱片上也鍍有一層鎳。
采用上述方案后，本實(shí)用新型因?yàn)閷⒃瓉淼娜冩囈€框架改變 為銅質(zhì)框架主體，局部鍍鎳，所以，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是
封裝時(shí)，封裝塑料可與銅質(zhì)引線框架表面有較好的結(jié)合力，避免 分層，水蒸汽得以被阻而不浸入，保證了產(chǎn)品的品質(zhì)。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對本實(shí)用新型做進(jìn)一步說明。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)集成電路引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖2是現(xiàn)有技術(shù)集成電路引線框架的截面示意圖3是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖4是本實(shí)用新型的截面示意圖4-1是本實(shí)用新型的截面局部放大圖5是本實(shí)用新型的加工工藝流程圖。
標(biāo)號說明
全鍍鎳引線框架 10 銅質(zhì)框架主體 1
散熱板 11 引線 12
鎳層 具體實(shí)施方式
如圖3所示，是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例。一種集成電路的引線框架結(jié)構(gòu)，由銅合金片材沖壓制成框架主體 1，框架主體l包括放置芯片(圖中未示出)的散熱板ll和連接芯片
的引線12，見圖3、圖4、圖4-l，在引線12與芯片連接的一端(局 部)鍍有一層鎳2，以利連接芯片的鋁絲鍵合，并在散熱片11上也 鍍有一層鎳2，有利于芯片的安裝。
具體加工工藝可以是這樣的配合圖5所示，先將銅合金片材沖 壓成具有散熱板11和引線12的框架主體1，再利用模具夾緊框架主 體1，僅將要鍍鎳的部位(引線12的端部或整個(gè)散熱板11)露出， 然后，在暴露的部位鍍一層鎳2，脫模，即制成局部鍍鎳的銅質(zhì)引線 框架。
權(quán)利要求1、一種集成電路的引線框架結(jié)構(gòu)，其特征在于由銅合金片材沖壓制成框架主體，框架主體包括放置芯片的散熱板和連接芯片的引線，在引線與芯片連接的一端鍍有一層鎳，散熱片上也鍍有一層鎳。
專利摘要本實(shí)用新型公開一種集成電路的引線框架結(jié)構(gòu)，由銅合金片材沖壓制成框架主體，框架主體包括放置芯片的散熱板和連接芯片的引線，在引線與芯片連接的一端鍍有一層鎳，散熱片上也鍍有一層鎳。此結(jié)構(gòu)可以避免產(chǎn)品在封裝后水蒸汽浸入，保證產(chǎn)品的品質(zhì)。
文檔編號H01L23/495GK201302996SQ200820146118
公開日2009年9月2日 申請日期2008年10月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月29日
發(fā)明者林曉華, 林桂賢, 王鋒濤, 許金圍, 陳偉強(qiáng) 申請人:廈門永紅科技有限公司