專(zhuān)利名稱(chēng)：一種三極管引線框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體分立器件，特別是用于制作半導(dǎo)體元件的一種三極管引 線框架。
技術(shù)背景現(xiàn)有技術(shù)的TO-126A (行業(yè)通用型號(hào))三極管引線框架包括芯片部、定位孔、側(cè)翼部、 中間管腳、側(cè)管腳及中筋，該種三極管引線框架為一連續(xù)的整體結(jié)構(gòu)，通過(guò)沖壓工藝獲 得。但該種三極管引線框架有以下缺點(diǎn)在對(duì)原材料進(jìn)行沖壓形成定位孔、側(cè)翼部、中 間管腳和側(cè)管腳的過(guò)程中，由于材料變形時(shí)的牽引力的作用，使芯片部的平整度受到影 響，從而影響了引線框架的使用性能。 實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是，克服以上現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，提供一種增加引線框 架芯片部的平整度，從而提高其使用性能的一種(型號(hào)為T(mén)0-126A，下同)三極管引線框架。本實(shí)用新型為解決上述技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案為提供一種具有以下結(jié)構(gòu)的三 極管引線框架，包括芯片部、定位孔、側(cè)翼部、中間管腳、側(cè)管腳及中筋，其特點(diǎn)是-所述芯片部的正面面板上的左右兩側(cè)各有一條垂直的凹槽。采用以上結(jié)構(gòu)后，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)由于在該種三線引線框架芯片部的左右兩側(cè)各設(shè)有一條縱向的凹槽，在沖壓的過(guò)程 中克服了材料變形產(chǎn)生牽引力從而影響芯片部平整度的缺點(diǎn)，保證了該種三線引線框架 芯片部的平整度，從而保證了該種三線引線框架在使用中的質(zhì)量和性能。作為改進(jìn)，所述凹槽縱向貫穿芯片部的正面面板的全部高度，這樣使芯片部的平整度更高。作為進(jìn)一步改進(jìn)，所述兩條縱向的凹槽對(duì)稱(chēng)分布在定位孔的外側(cè)與側(cè)翼部的內(nèi)側(cè)之 間，這樣使芯片部的平整度進(jìn)一步提高。作為更進(jìn)一步改進(jìn)，所述兩凹槽的橫截面呈正面為開(kāi)口的矩形，同樣是進(jìn)一步提高 芯片部的平整度。作為再進(jìn)一步改進(jìn)，所述兩凹槽的深度相同，兩凹槽的寬度也相同，這樣更進(jìn)一步 保證了芯片部的平整度。

圖1是本實(shí)用新型一種三極管引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是沿圖1中A—A線的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是現(xiàn)有技術(shù)的一種三極管引線框架結(jié)構(gòu)示意圖。圖中所示 1、芯片部，2、定位孔，3、側(cè)翼部，4、側(cè)管腳，5、中間管腳，6、 中筋，7、凹槽。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。在圖3中，現(xiàn)有技術(shù)的TO-126A (行業(yè)通用型號(hào))三極管引線框架的芯片部1呈垂 直的長(zhǎng)方形，其四個(gè)角均為圓弧形。定位孔2設(shè)于芯片部1的橫向中間及縱向垂直靠上 的位置。兩側(cè)翼部3在垂直的長(zhǎng)方形芯片部1的兩側(cè)，其兩自由端對(duì)稱(chēng)向前凸起，其凸 起部與芯片部1正面面板的平面夾角為90 110度。中間管腳5從芯片部1底端的橫向 中間向下垂直延伸，水平的中筋6與中間管腳5互為90度。與中間管腳5平行的兩倒管 腳4對(duì)稱(chēng)地設(shè)于中間管腳5的左右兩側(cè)，兩側(cè)管腳4的上端均有一其寬度大于側(cè)管腳4 寬度的頭部(3個(gè)管腳下面還有部分引線框架的結(jié)構(gòu)沒(méi)表示出來(lái)，因?yàn)榕c本實(shí)用新型無(wú)關(guān)， 所以下面打了斜線，表示省略)。該引線框架為一連續(xù)的整體結(jié)構(gòu)。如圖1、圖2所示，本實(shí)用新型的一種即TO-126A三極管引線框架是對(duì)上述現(xiàn)有技 術(shù)的T0-126A三極管引線框架的改進(jìn)，其芯片部l、定位孔2、側(cè)翼部3、中間管腳5、 側(cè)管腳4及中筋6的結(jié)構(gòu)即形狀及其連接關(guān)系均與以上現(xiàn)有技術(shù)的相同。本實(shí)用新型的一種三極管引線框架的特點(diǎn)是，所述芯片部1的正面面板上的左右兩 側(cè)各有一條垂直的凹槽7。所述凹槽7縱向貫穿芯片部1的正面面板的全部高度，所述兩 條縱向的凹槽7對(duì)稱(chēng)分布在定位孔2的外側(cè)與側(cè)翼部的內(nèi)側(cè)3之間，所述兩凹槽7的橫 截面呈正面為開(kāi)口的矩形即為"n"形，所述兩凹槽7的深度相同(一致)，兩凹槽7的 寬度也相同。兩凹槽7的深度一般為0. 05 0. 2mra、兩凹槽7的寬度一般為0. 3 0. 5咖。 所述兩凹槽7與三極管引線框架同時(shí)一次性整體沖壓成型。本實(shí)用新型的具體結(jié)構(gòu)允許有變化，如所述凹槽7可不縱向貫穿芯片部1的正面 面板的全部高度；所述兩條縱向的凹槽7也可不嚴(yán)格的對(duì)稱(chēng)分布；所述兩凹槽7的橫截 面也可以是正面為開(kāi)口的矩形以外的其它形狀；所述兩凹槽7的深度和寬度也可稍有偏 差；兩凹槽7的深度和寬度也可以是其它尺寸等。這些變化均落入本實(shí)用新型的保護(hù)范 圍內(nèi)。
權(quán)利要求1、 一種三極管引線框架，包括芯片部(1)、定位孔(2)、側(cè)翼部(3)、中間管腳(5)、 側(cè)管腳(4)及中筋(6)，其特征在于所述芯片部(1)的正面面板上的左右兩側(cè)各有一條 垂直的凹槽(7)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三極管引線框架，其特征在于所述凹槽(7)縱向 貫穿芯片部(1)的正面面板的全部高度。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種三極管引線框架，其特征在于所述兩條縱向的 凹槽(7)對(duì)稱(chēng)分布在定位孔(2)的外側(cè)與側(cè)翼部(3)的內(nèi)側(cè)之間。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種三極管引線框架，其特征在于所述兩凹槽(7)的 橫截面為正面為開(kāi)口的矩形。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種三極管引線框架，其特征在于所述兩凹槽(7)的 深度相同；兩凹槽(7)的寬度也相同。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種三極管引線框架，包括芯片部(1)、定位孔(2)、側(cè)翼部(3)、中間管腳(5)、側(cè)管腳(4)及中筋(6)，所述芯片部(1)的正面板上的左右兩側(cè)各有一條垂直的凹槽(7)，所述凹槽(7)縱向貫穿芯片部(1)的正面板全部高度，所述兩條縱向的凹槽(7)對(duì)稱(chēng)分布在定位孔(2)的外側(cè)與側(cè)翼部(3)的內(nèi)側(cè)之間，所述兩凹槽(7)的橫截面為正面為開(kāi)口的矩形，所述兩凹槽(7)深度和寬度完全一致。本實(shí)用新型克服了現(xiàn)有技術(shù)的同類(lèi)的三極管引線框架在沖壓制造過(guò)程中，由于材料變形產(chǎn)生牽引力，從而影響到芯片部平整度的缺點(diǎn)，保證了該種三線引線框架芯片部的平整度，從而保證了該種三線引線框架在使用中的質(zhì)量和性能。
文檔編號(hào)H01L23/48GK201038158SQ20072010848
公開(kāi)日2008年3月19日 申請(qǐng)日期2007年4月23日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月23日
發(fā)明者曹光偉, 段華平 申請(qǐng)人:寧波康強(qiáng)電子股份有限公司