專利名稱：點(diǎn)式電鍍?nèi)龢O管引線框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體分立器件引線框架，特別是一種制作三極管用的 點(diǎn)式電鍍?nèi)龢O管引線框架。
技術(shù)背景引線框架是制作生產(chǎn)半導(dǎo)體元件的基本部件，還需在其表面大部分地方電鍍 金屬層，再利用樹脂塑封芯片固定成一整體的半導(dǎo)體元件?，F(xiàn)有的TO-251引線框架如圖3所示，根據(jù)裝芯片和焊接連接線的需要，其 電鍍區(qū)域L覆蓋了散熱部1、芯片部2和小焊點(diǎn)3的全部面積，電鍍成本高。 發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是，提供一種點(diǎn)式電鍍?nèi)龢O管引線框架，既 在滿足原有封裝要求的同時(shí)，又增強(qiáng)引線框架與塑封料間的結(jié)合力和密封強(qiáng)度， 并降低電鍍成本和減少電鍍排放時(shí)對(duì)環(huán)境的污染。本實(shí)用新型解決上述問題所采用的技術(shù)方案為點(diǎn)式電鍍?nèi)龢O管引線框架， 包括由散熱部、芯片部、小焊點(diǎn)、中間管腳、側(cè)管腳構(gòu)成的主體及覆蓋在主體上 的電鍍層組成，所述的電鍍層在引線框架上呈點(diǎn)狀分布。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于，因引線框架上還需電鍍金屬層及 用塑封料封裝，且引線框架、電鍍層、塑封料分別由不同的材料制作，各材料的 熱物理性能、熱膨脹系數(shù)都不相同，尤其電鍍層與塑封料的結(jié)合力不理想，與其 這樣干脆縮小電鍍區(qū)域的范圍，相對(duì)就增強(qiáng)了引線框架與塑封料的結(jié)合和密封強(qiáng) 度，所以采用點(diǎn)電鍍引線框架，僅在小焊點(diǎn)或芯片部進(jìn)行點(diǎn)狀電鍍，既滿足封裝 要求又大面積減少了電鍍層，減少金屬鍍層材料的消耗，降低了生產(chǎn)成本又減少 了電鍍時(shí)帶來的有害物質(zhì)排放污染。

圖l、本實(shí)用新型雙點(diǎn)式電鍍結(jié)構(gòu)示意圖。圖2、本實(shí)用新型單點(diǎn)式電鍍結(jié)構(gòu)示意圖。 圖3、現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)電鍍層覆蓋示意圖(電鍍區(qū)間L)。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例作進(jìn)一步描述。主體由上端的散熱部1和下端芯片部2，與散熱部l、芯片部2連成整體的 中間管腳4和兩帶小焊點(diǎn)3且與中間管腳4連接在一起的側(cè)管腳5所組成。電鍍金屬層，在兩側(cè)管腳5上端小焊點(diǎn)3全部區(qū)域內(nèi)進(jìn)行電鍍，電鍍層為電 鍍點(diǎn)6，電鍍點(diǎn)6與小焊點(diǎn)3形狀、大小相匹配，為對(duì)稱的雙點(diǎn)電鍍層，如圖1 所示。電鍍金屬層，在芯片部2中間需要封裝芯片的位置處電鍍，電鍍層為方形電 鍍點(diǎn)7，邊長(zhǎng)在1.8 2.2mm區(qū)域內(nèi)，為單點(diǎn)電鍍層，如圖2所示。
權(quán)利要求1、 一種點(diǎn)式電鍍?nèi)龢O管引線框架，包括由散熱部(1)、芯片部(2)、小焊 點(diǎn)(3)、中間管腳(4)、側(cè)管腳(5)構(gòu)成的主體及覆蓋在主體上的電鍍層組成， 其特征在于所述的電鍍層在引線框架上呈點(diǎn)狀分布。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的點(diǎn)式電鍍?nèi)龢O管引線框架，其特征在于電鍍層在 芯片部(2)上需要封裝芯片位置處電鍍，為方形電鍍點(diǎn)(7)，為單點(diǎn)電鍍層。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的點(diǎn)式電鍍?nèi)龢O管引線框架，其特征在于電鍍層在 兩側(cè)管腳(5)上端的小焊點(diǎn)(3)上全部區(qū)域進(jìn)行電鍍，電鍍層為電鍍點(diǎn)(6) 與小焊點(diǎn)(3)形狀、大小相匹配，為雙點(diǎn)電鍍層。
專利摘要一種點(diǎn)式電鍍?nèi)龢O管引線框架，包括由散熱部、芯片部、小焊點(diǎn)、中間管腳、側(cè)管腳構(gòu)成的主體及覆蓋在主體上的電鍍層組成，所述的電鍍層在引線框架上呈點(diǎn)狀分布。因引線框架上還需電鍍金屬層及用塑封料封裝，且引線框架、電鍍層、塑封料由不同的材料制作，材料的熱物理性能、熱膨脹系數(shù)都不相同，尤其電鍍層與塑封料的結(jié)合力不理想。現(xiàn)采用點(diǎn)電鍍引線框架，僅在小焊點(diǎn)或芯片部進(jìn)行單點(diǎn)或雙點(diǎn)電鍍，既滿足封裝要求又大面積減少了金屬電鍍層材料的消耗，降低了生產(chǎn)成本又減少了電鍍時(shí)帶來的有害物質(zhì)排放污染，且增強(qiáng)了引線框架與塑封料的結(jié)合和密封強(qiáng)度。
文檔編號(hào)H01L23/48GK201038157SQ20072010829
公開日2008年3月19日 申請(qǐng)日期2007年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月19日
發(fā)明者曹光偉, 段華平 申請(qǐng)人:寧波康強(qiáng)電子股份有限公司