專利名稱：局部電鍍大功率引線框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種引線框架，特別是一種大功率三極管所用局部電鍍大功 率引線框架。
技術(shù)背景引線框架是制作生產(chǎn)半導(dǎo)體元件的基本部件，還需在其表面大部分地方電鍍 金屬層，再利用樹脂塑封芯片固定成一整體的半導(dǎo)體元件?，F(xiàn)有的TO-220引線框架如圖3所示，根據(jù)裝芯片和焊接連接線的需要，其 電鍍區(qū)域L覆蓋了散熱固定部1、芯片部2和小焊點(diǎn)3的全部面積，電鍍成本高。 發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是，提供一種局部電鍍大功率引線框架，既 在滿足原有封裝要求的同時，又增強(qiáng)引線框架與塑封料間的結(jié)合力和密封強(qiáng)度， 并降低電鍍成本和減少電鍍排放時對環(huán)境的污染。本實(shí)用新型解決上述問題所采用的技術(shù)方案為局部電鍍大功率引線框架包 括由散熱固定部、芯片部、小焊點(diǎn)、中間管腳、側(cè)管腳構(gòu)成的主體及覆蓋在主體 上的電鍍層組成，所述的電鍍層a、覆蓋在芯片部到小焊點(diǎn)的區(qū)域內(nèi)；b、覆蓋 在小淳點(diǎn)的區(qū)域內(nèi)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于，因引線框架上還需電鍍金屬層及 用塑封料封裝，且引線框架、電鍍層、塑封料分別由不同的材料制作，各材料的 熱物理性能、熱膨脹系數(shù)都不相同，尤其電鍍層與塑封料的結(jié)合力不理想，與其 這樣干脆縮小電鍍區(qū)域的范圍，僅在小焊點(diǎn)或小焊點(diǎn)和芯片部區(qū)域進(jìn)行電鍍，采 用局部電鍍引線框架，相對就增強(qiáng)了引線框架與塑封料的結(jié)合和密封強(qiáng)度，既滿 足封裝要求又大面積減少了電鍍層，減少金屬鍍層材料的消耗，降低了生產(chǎn)成本 又減少了電鍍時帶來的有害物質(zhì)排放污染。

圖l、本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖(覆蓋在M區(qū)域)。 圖2、本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖(覆蓋在N區(qū)域)。
圖3、現(xiàn)有技術(shù)電鍍層覆蓋示意圖(電鍍區(qū)間L)。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的實(shí)施例作進(jìn)一步描述。主體由上端帶通^J的散熱固定部1和下端芯片部2，與散熱固定部l、芯片 部2連成整體的中間管腳4和兩帶小焊點(diǎn)3且與中間管腳4連接在一起的兩側(cè)管 腳5所組成。電鍍金屬層，電鍍層6覆蓋在芯片部2到小焊點(diǎn)3區(qū)域內(nèi)，即圖1中M區(qū) 域，M區(qū)域包括了芯片部2、兩小焊點(diǎn)3的全部及中間管腳上部的一部分。電鍍層7覆蓋在小焊點(diǎn)3區(qū)域內(nèi)，即圖2中N區(qū)域，N區(qū)域包括了兩小焊 點(diǎn)3的全部及中間管腳4上對應(yīng)小焊點(diǎn)3高度的部分。
權(quán)利要求1、 一種局部電鍍大功率引線框架，包括由散熱固定部(1)、芯片部(2)、 小焊點(diǎn)(3)、中間管腳(4)、側(cè)管腳(5)構(gòu)成的主體及覆蓋在主體上的電鍍層 組成，其特征在于所述的電鍍層a、覆蓋在芯片部(2)到小焊點(diǎn)(3)的區(qū)域內(nèi)； b、覆蓋在小焊點(diǎn)(3)的區(qū)域內(nèi)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的局部電鍍大功率引線框架，其特征在于所述的電 鍍層(6)覆蓋在芯片部(2)到小焊點(diǎn)(3)間的M區(qū)域，包括了芯片部(2) 和兩小焊點(diǎn)(3)的全部及中間管腳(4)上部的一部分。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的局部電鍍大功率引線框架，其特征在于所述的電 鍍層(7)覆蓋在小焊點(diǎn)(3)的N區(qū)域，包括了兩小焊點(diǎn)(3)的全部及中間管 腳(4)上對應(yīng)小焊點(diǎn)(3)高度的部分。
專利摘要一種局部電鍍大功率引線框架，包括由散熱固定部、芯片部、小焊點(diǎn)、中間管腳、側(cè)管腳構(gòu)成的主體及覆蓋在主體上的電鍍層組成，所述的電鍍層覆蓋在芯片部到小焊點(diǎn)的區(qū)域或小焊點(diǎn)區(qū)域內(nèi)。因引線框架上需電鍍金屬層及用塑封料封裝，且引線框架、電鍍層、塑封料由不同的材料制作，材料的熱物理性能、熱膨脹系數(shù)都不相同，尤其電鍍層與塑封料的結(jié)合力不理想?，F(xiàn)采用局部電鍍引線框架，僅在小焊點(diǎn)或小焊點(diǎn)和芯片部區(qū)域進(jìn)行電鍍覆蓋，既滿足封裝要求又大面積減少了金屬電鍍層材料的消耗，降低了生產(chǎn)成本又減少了電鍍時帶來的有害物質(zhì)排放污染，且增強(qiáng)了引線框架與塑封料的結(jié)合和密封強(qiáng)度。
文檔編號H01L23/495GK201038155SQ20072010829
公開日2008年3月19日 申請日期2007年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月19日
發(fā)明者曹光偉, 段華平 申請人:寧波康強(qiáng)電子股份有限公司