專利名稱：：固體電解電容器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及固體電解電容器及其制造方法，進(jìn)一步詳細(xì)地說，涉及具有可確實(shí)使陽極部和陰極部絕緣的遮蔽結(jié)構(gòu)的固體電解電容器基材及使用該固體電解電容器基材的固體電解電容器及其制造方法。
背景技術(shù)：
：固體電解電容器，一般是通過腐蝕將由鋁、鉭、鈮、鈦及其合金等的閥作用金屬形成的陽極體的表面進(jìn)行粗面化，形成微米等級(jí)的微細(xì)孔，從而使表面積擴(kuò)大，在其上通過化學(xué)轉(zhuǎn)化工序形成電介質(zhì)氧化皮膜，進(jìn)而在其與陽極部之間通過隔膜浸滲固體電解質(zhì)、或形成固體電解質(zhì)層，在其上形成由碳膏、含金屬的導(dǎo)電性膏形成的陰極導(dǎo)電層后，焊接在成為外部電極的引線框上，形成環(huán)氧樹脂等的外裝部，從而構(gòu)成。特別是，使用導(dǎo)電性聚合物作為固體電解質(zhì)的固體電解電容器，與將二氧化錳等作為固體電解質(zhì)的固體電解電容器相比，可減小等效串聯(lián)電阻和漏電流，作為可應(yīng)對(duì)電子設(shè)備的高性能化、小型化的電容器是有用的，所以已經(jīng)提出了許多的制造方法。在使用導(dǎo)電性聚合物制造高性能的固體電解電容器時(shí)，特別是在使用閥作用金屬箔時(shí)，使成為陽極端子的陽極部和由含有導(dǎo)電性聚合物的導(dǎo)電體層形成的陰極部確實(shí)地電絕緣是不可缺少的。然而，在固體電解質(zhì)的浸滲或形成工序中，有時(shí)發(fā)生固體電解質(zhì)侵入陽極部區(qū)域側(cè)的所謂的蔓延，此時(shí)在陽極部和陰極部之間發(fā)生絕緣不良。作為使固體電解電容器的陽極部和陰極部絕緣的遮蔽方法，已提出了例如，在閥作用金屬的沒有形成固體電解質(zhì)的部分的至少一部分上，電沉積含有聚酰胺酸鹽的溶液，形成聚酰胺酸的膜，然后通過加熱進(jìn)行脫水固化，形成聚酰亞胺膜的方法(特開平5-47611號(hào)公報(bào))；為了防止固體電解質(zhì)的蔓延，形成聚丙烯、聚酯、硅系樹脂或氟系樹脂制的帶子或樹脂涂布膜部的方法(特開平5-166681號(hào)公報(bào))；具有涂布滲透到電介質(zhì)皮膜中，并且在上述滲透部上形成掩蔽層的掩蔽材料溶液的工序的固體電解質(zhì)的制造方法(國際申請(qǐng)公開第00/67267號(hào)小冊(cè)子(EP1193727))等。用電沉積法形成聚酰亞胺膜的方法(特開平5-47611號(hào)^^艮)，與通常的涂布法相比，甚至在細(xì)孔部也可形成膜，但由于需要電沉積工序，所以生產(chǎn)成本增高，另外為了形成聚酰亞胺膜，需要高溫脫水工序。為了防止制作時(shí)的固體電解質(zhì)的蔓延而使用絕緣樹脂制的帶子或涂布膜的方法(特開平5-166681號(hào)公報(bào))，難以確實(shí)地用帶(薄膜)貼附基材的端部，有時(shí)固體電解質(zhì)進(jìn)入陽極側(cè)。具有涂布滲透到電介質(zhì)皮膜中，并且在上述滲透部上形成掩蔽層的掩蔽材料溶液的工序的固體電解質(zhì)的制造方法(國際申請(qǐng)公開第00/67267號(hào)小冊(cè)子)，雖然考慮到了掩蔽材料的粘性等的影響，但根據(jù)所使用的電介質(zhì)皮膜的表面狀態(tài)、細(xì)孔分布等的細(xì)孔形成狀態(tài)，有時(shí)向細(xì)孔內(nèi)深處的滲透性不充分。如上所述，現(xiàn)有的掩蔽方法均不是令人充分滿意的，一直探求可使固體電解電容器的陽極部和陰極部確實(shí)地絕緣的掩蔽形態(tài)(結(jié)構(gòu))。專利文獻(xiàn)1:特開平5-47611號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:特開平5-166681號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3:國際申請(qǐng)公開第00/67267號(hào)小冊(cè)子
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的在于，為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的問題，使固體電解電容器的品質(zhì)穩(wěn)定化，且提高生產(chǎn)率，提供可將陽極部區(qū)域和陰極部區(qū)域更確實(shí)地絕緣的固體電解電容器用陽極基體(在本說明書和權(quán)利要求書中稱為"固體電解電容器用基材"。)及其制造方法。鑒于上述課題而專心研究的結(jié)果，本發(fā)明者們發(fā)現(xiàn)，在表面具有多孔質(zhì)層的固體電解電容器用基材中，縮減(縮少)陽極部區(qū)域與陰極部區(qū)域之間的多孔質(zhì)層的至少一部分，優(yōu)選采用掩蔽材料(Maskingmaterial)填充通過縮減而形成的凹部，由此可以得到陰陽兩極確實(shí)地被分離的結(jié)構(gòu)，并帶來電容器各種特性的提高，從而完成了本發(fā)明。即，根據(jù)本發(fā)明，提供以下的固體電解電容器用基材、固體電解電容器及其制造方法。1.一種固體電解電容器用基材，是表面具有多孔質(zhì)層的固體電解電容器用基材，其特征在于，陽極部區(qū)域與陰極部區(qū)域之間的多孔質(zhì)層的至少一部分纟皮縮減。2.如上述l所述的固體電解電容器用基材，其中，將未被縮減的多孔質(zhì)層的部位的厚度作為1時(shí)，多孔質(zhì)層的至少一部分被縮減的部位的多孔質(zhì)層的厚度為0~0.95的范圍。3.如上述1或2所述的固體電解電容器用基材，其中，將陰極部區(qū)域的長軸方向的長度作為l時(shí)，多孔質(zhì)層的至少一部分被縮減的部位的寬度為0.0005~0.1的范圍。4.如上述13的任一項(xiàng)所述的固體電解電容器用基材，其中，在多孔質(zhì)層的至少一部分被縮減的部位形成凹部，該凹部被掩蔽材料填充著。5.如上述4所述的固體電解電容器用基材，掩蔽材料為耐熱性樹脂。6.如上述15的任一項(xiàng)所述的固體電解電容器用基材，基材由閥作用金屬材料形成。7.如上述6所述的固體電解電容器用基材，其特征在于，閥作用金屬材料包含鋁、鉭、鈮、鈦、鋯中的至少一種金屬。8.如上述1~7的任一項(xiàng)所述的固體電解電容器用基材，在基材的表面形成有電介質(zhì)皮膜。9.如上述18的任一項(xiàng)所述的固體電解電容器用基材，基材為平板狀，在陽極部區(qū)域與陰極部區(qū)域之間，在基材的兩面多孔質(zhì)層被縮減。10.如上述18的任一項(xiàng)所述的固體電解電容器用基材，基材為平板狀，在陽極部區(qū)域與陰極部區(qū)域之間，圍繞基材的橫截面多孔質(zhì)層呈環(huán)周狀地^皮縮減。11.一種固體電解電容器，其特征在于，使用了上述110的任一項(xiàng)所述的固體電解電容器用基材。12.—種固體電解電容器元件，其特征在于，使用了上述1~10的任一項(xiàng)所述的固體電解電容器用基材。13.—種固體電解電容器的制造方法，其特征在于，包括縮減固體電解電容器用基材的陽極部區(qū)域與陰極部區(qū)域之間的多孔質(zhì)層的至少一部分的工序。14.如上述13所述的固體電解電容器的制造方法，其中，縮減是通過除去多孔質(zhì)層來進(jìn)行的。15.如上述13所述的固體電解電容器的制造方法，其中，縮減是通過壓縮多孔質(zhì)層來進(jìn)行的。16.如上述13-15的任一項(xiàng)所述的固體電解電容器的制造方法，其中，縮減固體電解電容器用基材的陽極部區(qū)域與陰極部區(qū)域之間的多孔質(zhì)層的至少一部分的工序包含照射激光的工序。17.如上述1316的任一項(xiàng)所述的固體電解電容器的制造方法，其中，包括照射封入水流柱內(nèi)的激光的工序。18.如上述16或17所述的固體電解電容器的制造方法，激光具有0.111微米的波長。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施形態(tài)，在表面具有多孔質(zhì)層的固體電解電容器用基材中，除去或壓縮陽極部區(qū)域與陰極部區(qū)域之間的多孔質(zhì)層的至少一部分，優(yōu)選采用掩蔽材料填充通過除去而形成的凹部，由此可以防止電容器制造工序中的固體電解質(zhì)或固體電解質(zhì)形成用處理液的蔓延，更加提高陰極部與陽極部的絕緣性，防止起因于絕緣不良的漏電流特性的惡化，從而有助于收獲率和可靠性的提高。具體實(shí)施例方式下面參照附圖來說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施形態(tài)中的固體電解電容器用基材、和使用該基材的電容器及其制造方法。本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施形態(tài)中的固體電解電容器基材，是表面具有多孔質(zhì)層的電容器用材料，優(yōu)選是具有微細(xì)孔的岡作用金屬材料，特別優(yōu)選是表面具有電介質(zhì)氧化皮膜的閥作用金屬。閥作用金屬選自鋁、鉭、鈮、鈦、鋯、或以它們?yōu)榛|(zhì)的合金系的具有閥作用的金屬箔、棒、或以它們?yōu)橹鞒煞值臒Y(jié)體等。這些金屬具有著作為表面被空氣中的氧氧化的結(jié)果的電介質(zhì)氧化皮膜，但預(yù)先采用公知的方法進(jìn)行腐蝕處理等來進(jìn)行多孔質(zhì)化。優(yōu)選接著按照公知的方法等進(jìn)行化學(xué)轉(zhuǎn)化處理，來確實(shí)地形成電介質(zhì)氧化皮膜。具有閥作用的金屬基材，優(yōu)選使用在粗面化后，預(yù)先裁剪成符合固體電解電容器的形狀的尺寸的金屬基材。作為具有閥作用的金屬箔，根據(jù)使用目的的不同，厚度也變化，但一般地使用厚度為約40150jim的箔。另夕卜，具有閥作用的金屬箔的大小和形狀根據(jù)用途的不同而不同，作為平板形元件單元，優(yōu)選寬為約150mm、長為約150mm的矩形的，更優(yōu)選寬為約2~20mm、長為約2~20mm，進(jìn)一步優(yōu)選寬為約2~5mm、長為約26mm。本發(fā)明是上述那樣的表面具有多孔質(zhì)層的固體電解電容器基材，其特征在于，縮減了陽極部區(qū)域與陰極部區(qū)域之間的多孔質(zhì)層的至少一部分。即，在具有多孔質(zhì)層的固體電解電容器基材，例如在具有微細(xì)孔的閥作用金屬材料的表面形成有電介質(zhì)皮膜的固體電解電容器用基材中，在形成有陽極的區(qū)域(陽極部區(qū)域)和形成有陰極的區(qū)域(陰極部區(qū)域)之間的區(qū)域，通常對(duì)于其分界部分的多孔質(zhì)層的至少一部分進(jìn)行多孔質(zhì)層的縮減。多孔質(zhì)層的縮減，不僅是從基材上去掉多孔質(zhì)層本身，還包括盡可能消除上述處理液可蔓延的細(xì)孔。例如，除了可以列舉出多孔質(zhì)層的除去、多孔質(zhì)層的壓縮等以外，還包括通過多孔質(zhì)層的部分熔融、及除這些以外的方法來進(jìn)行的致密化。固體電解電容器基材的形狀沒有特殊限定，以圖l顯示出截面的平板型元件單元用的腐蝕過的鋁箔為例，市售的該已腐蝕過的鋁蕩在箔中心部具有芯材(鋁)5，在其兩側(cè)具有被腐蝕過的多孔質(zhì)層4。通常將其用作固體電解電容器基材的場合，將一個(gè)端部的附近區(qū)域作為陽極部區(qū)域1，將相反側(cè)的區(qū)域作為陰極部區(qū)域2(圖1(a))。其中間區(qū)域3是隔離陽極部區(qū)域1和陰極部區(qū)域2的分界部區(qū)域3，以往在該區(qū)域涂布有掩蔽材料7(圖1(b))。在本發(fā)明中，對(duì)該區(qū)域的至少一部分進(jìn)行多孔質(zhì)層的縮減，例如，如圖2所示那樣，在上述分界部區(qū)域3中進(jìn)行除去或壓縮。這樣地進(jìn)行多孔質(zhì)層的縮減的場合，多孔質(zhì)層的厚度減少，所以形成凹部6。其結(jié)果，在陰極部區(qū)域2進(jìn)行固體電解質(zhì)形成處理時(shí)，可抑制固體電解質(zhì)向陽極部區(qū)域1蔓延。尤其是如圖3所示那樣，在向凹部6填充掩蔽材料(將陰極部區(qū)域和陽極部區(qū)域電絕緣，防止固體電解質(zhì)或固體電解質(zhì)形成用處理液從陰極部區(qū)域侵入陽極部區(qū)域的掩蔽材料)7的場合，由掩蔽材料7形成的掩蔽層包含向多孔質(zhì)內(nèi)部滲透的部分8，形成至基材深處。在進(jìn)行壓縮處理的場合，壓縮后殘留的多孔質(zhì)層被致密化，所以可確實(shí)地防止固體電解質(zhì)或固體電解質(zhì)形成用處理液滲透而從陰極部區(qū)域向陽極部區(qū)域蔓延滲透的現(xiàn)象。多孔質(zhì)層的除去方法，如果是可以精度良好地除去多孔質(zhì)體，不對(duì)其他區(qū)域，尤其是陰極部造成壞影響的方法，就可以是任何的方法，例如，可以使用機(jī)械的、電的、化學(xué)的(例如溶解)、熱的(例如揮發(fā))方法等。優(yōu)選列舉出利用激光的切削方法、利用封入水流柱內(nèi)的激光的切削方法、用針狀金屬片削除的方法、用圓盤狀金屬板一邊旋轉(zhuǎn)研磨一邊進(jìn)行切削的方法等。在利用激光的切削方法中，可以使用具有0.111微米的波長的激光，具體地可以列舉出紅寶石、玻璃、YAG等的固體激光器，GaAs、InGaAsP等的半導(dǎo)體激光器，色素激光器等的液體激光器，He-Ne、Ar、ArF、F2、C02等的氣體激光器等。特別優(yōu)選使用YAG、C02的激光的切削方法、以及利用封入水流柱內(nèi)的YAG的激光的切削方法。例如，可以使水壓為1050MPa，柱徑為30180jLim，象細(xì)線那樣地噴出水，將YAG激光導(dǎo)入該水中進(jìn)行切削。封入水流柱內(nèi)的YAG激光，可以在照射的同時(shí)利用水流除去激光照射部分上產(chǎn)生的熱量。因此可以降低在基板上殘存的多孔質(zhì)層的表面溶解，所以掩蔽材料的滲透性變得良好，而且在防止由溶解粉帶來的污染和燒瘤的發(fā)生方面，作為切削方法是有效的。利用封入水流柱內(nèi)的YAG的激光的場合的切削寬度，由于由水流壓力和激光所產(chǎn)生的協(xié)同效果，因此被擴(kuò)大至柱徑的13倍的范圍。壓縮方法，如果是可以精度良好地壓縮多孔質(zhì)體，不對(duì)其他區(qū)域，尤其是陰極部造成壞影響的方法，則可以是任何的方法，例如可以使用4幾械的方法。進(jìn)而更加詳細(xì)地說，可以列舉出按壓針狀金屬片、薄片的邊緣部的、一邊旋轉(zhuǎn)圓盤狀金屬板一邊進(jìn)行按壓的方法等，但并不限于此。通過縮減多孔質(zhì)層而形成的凹部的比例，優(yōu)選為在將多孔質(zhì)層的整體厚度作為1(沒有被縮減的部位的多孔質(zhì)層的厚度)時(shí)，被縮減的部位的多孔質(zhì)層的厚度為00.95的比例的范圍。例如，對(duì)于110iam厚度的箔而言，多孔質(zhì)層在箔的兩面分別以35ym對(duì)稱地存在時(shí)，如果縮減部位與未縮減部位的多孔質(zhì)層的厚度差小于1.75iam(多孔質(zhì)的表面和背面的合計(jì)深度為3.5iam)，則上述比超過0.95，所以本發(fā)明的效果變小。作為更優(yōu)選的范圍，在將多孔質(zhì)層的整體厚度作為1時(shí)，-陂縮減了的多孔質(zhì)層的厚度為0.05~0.90，進(jìn)一步優(yōu)選為0.2~0.8。在除去的情況下，雖然也可以將除去部位的多孔質(zhì)層全部除去(圖2(a))，但在這種情況下基材的強(qiáng)度相對(duì)地減小，會(huì)影響到后面的加工工序。因此，優(yōu)選在不影響后工序的范圍內(nèi)進(jìn)行除去(圖2(b))。被縮減的多孔質(zhì)層的寬度，在將陰極部區(qū)域的長軸方向的長度作為1時(shí)，可以用0.0005-0.1的比表示。例如，如果陰極部區(qū)域的長軸方向的長度為5mm，則被縮減的區(qū)域的長軸方向的長度為2.5jam500pm。作為更優(yōu)選的范圍為0.0010.075的范圍，進(jìn)一步優(yōu)選為0.002~0.05的范圍。如果被縮減的區(qū)域相對(duì)于長軸方向的長度為0.001以下，則掩蔽材料難以滲透到內(nèi)部，將陰極部區(qū)域和陽極部區(qū)域電絕緣、并防止固體電解質(zhì)或固體電解質(zhì)形成用處理液從陰極部區(qū)域侵入陽極部區(qū)域的遮蔽效果變小。另外，如果為0.1以上，則不能忽視對(duì)作為電容器的基本特性的電容的影響，為了獲得所需電容，需要增大基材面積。另外，從本發(fā)明的目的出發(fā)，在固體電解電容器用基材為平板狀時(shí)，優(yōu)選在陽極部區(qū)域與陰極部區(qū)域之間，在基材的兩面實(shí)施、或圍繞基材的橫截面呈環(huán)周狀地實(shí)施多孔質(zhì)層的除去或壓縮處理。裁斷成所規(guī)定形狀的具有閥作用的金屬的化學(xué)轉(zhuǎn)化處理可以采用各種方法來進(jìn)行。化學(xué)轉(zhuǎn)化處理的條件沒有特殊限定，例如，使用含有草酸、己二酸、硼酸、磷酸等中的至少一種酸的電解液，在該電解液濃度為0.05質(zhì)量％~20質(zhì)量％、溫度為0℃90℃、電流密度為0.1mA/cm2200mA/cm2、值、化學(xué)轉(zhuǎn)化時(shí)間為60分鐘以內(nèi)的條件下進(jìn)行化學(xué)轉(zhuǎn)化。進(jìn)一步優(yōu)選在上述電解液濃度為0.1質(zhì)量％~15質(zhì)量％、溫度為20℃70℃、電流密度為1mA/cm2100mA/cm2、化學(xué)轉(zhuǎn)化時(shí)間為30分鐘以內(nèi)的范圍選定條件。上述化學(xué)轉(zhuǎn)化處理的條件是適合于工業(yè)方法的，但只要不使在閥作用金屬材料表面已經(jīng)形成的電介質(zhì)氧化皮膜破壞或劣化，就可以任意地選定電解液的種類、電解液濃度、溫度、電流密度、化學(xué)轉(zhuǎn)化時(shí)間等各種條件。掩蔽材料7(圖3)，作為用于將陰極部區(qū)域和陽極部區(qū)域電絕緣，并防止固體電解質(zhì)或固體電解質(zhì)形成用處理液從陰極部區(qū)域侵入陽極部區(qū)域的掩蔽材料而設(shè)置。作為這樣的掩蔽材料(遮蔽材料)，在適合上述目的的限度下沒有特殊限定，可以使用一般的耐熱性樹脂，優(yōu)選使用在溶劑中可溶或可膨潤的耐熱性樹脂或其前體、由無機(jī)質(zhì)微粉和纖維素系樹脂形成的組合物(特開平11-80596號(hào)公報(bào))等。作為具體例，可以列舉出聚#(PPS)、聚醚砜(PES)、氰酸酯樹脂、氟樹脂(四氟乙烯、四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物)、聚酰亞胺、以及它們的衍生物等。優(yōu)選聚酰亞胺、聚醚砜、氟樹脂、以及它們的前體，特別優(yōu)選對(duì)閥作用金屬具有充分的粘附力、填充性，可以耐受直至約450'C的高溫處理的絕緣性優(yōu)異的聚酰亞胺。作為聚酰亞胺，可優(yōu)選使用通過在200。C以下，優(yōu)選100200'C的低溫度下的熱處理而可充沖擊少的聚酰亞胺。作為聚酰亞胺的優(yōu)選的平均分子量，為約1000-1000000，更優(yōu)選為約2000200000。這些物質(zhì)，可溶解或分散在有機(jī)溶劑中，可以容易地調(diào)制出適合于涂布操作的任意的固體成分濃度(因此，粘度)的溶液或分散液。作為優(yōu)選的濃度，為約10~60質(zhì)量％,作為更優(yōu)選的濃度，為約15~40質(zhì)量％。如果濃度過低，則由掩蔽材料(遮蔽材料)得到的描線滲入，如果過高，則引起拉絲等，線寬度變得不穩(wěn)定。作為聚酰亞胺溶液的具體例，可優(yōu)選使用將通過涂布后的加熱處理來固化的低分子聚酰亞胺溶解于2-甲氧基乙基醚、三甘醇二甲醚等的吸濕性小的溶劑中而成的溶液(例如宇部興產(chǎn)(抹)出售的"e〕一卜TMFS-100L，，)，或者將上式(5)所示的聚酰亞胺樹脂溶解于NMP(N-甲基-2-吡咯烷酮)、DMAc(二甲基乙酰胺)中而成的溶液(例如，新日本理化(抹)出售的"M力]—卜TM，，)。在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施形態(tài)中，將上述液狀的掩蔽材料涂布在象上述那樣縮減的多孔質(zhì)層上，從而形成遮蔽材料層。通過使用溶液狀的掩蔽材料，多孔質(zhì)層的縮減部分被掩蔽材料確實(shí)地填充。利用掩蔽材料(遮蔽材料)溶液形成的遮蔽材料層，在涂布掩蔽材料溶液后，可以根據(jù)需要進(jìn)行干燥、加熱、光照射等的處理。在本發(fā)明中，通過使用上述固體電解電容器用基材，并在其陰極部區(qū)域設(shè)置固體電解質(zhì)，可以得到陽極部與陰極部的絕緣性優(yōu)異的固體電解電容器。作為固體電解質(zhì)，可以列舉出作為重復(fù)單元由含有具有噻吩骨架的化合物、具有多環(huán)狀硫醚骨架的化合物、具有吡咯骨架的化合物、具有呋喃骨架的化合物、具有苯胺骨架的化合物等所示的結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電性聚合物，但形成固體電解質(zhì)的導(dǎo)電性聚合物并不限于此。作為具有噻吩骨架的化合物，可以列舉出3-曱基噻吩、3-乙基噻吩、3丙基噻吩、3-丁基瘞吩、3-戊基噻吩、3-己基噻吩、3-庚基噻吩、3-辛基噻吩、3-壬基瘞吩、3-癸基噻吩、3-氟蓉吩、3-氯噻吩、3-溴漆吩、3-氰基噻吩、3，4-二曱基噻吩、3，4-二乙基噻吩、3，4-亞丁基噻吩、3，4-亞曱二氧基噻吩、3，4-亞乙二氧基^吩等衍生物。這些化合物一般是市售的化合物或可以采用公知的方法(例如SyntheticMetals雜志，1986年，15巻，169頁)來準(zhǔn)備，但在本發(fā)明中并不限于這些。另外，例如，作為具有多環(huán)狀硫醚骨架的化合物，具體地可以使用具有1，3-二氫多環(huán)狀硫醚(別名1，3-二氫苯并[c噻吩)骨架的化合物、具有1,3-二氫萘并[2，3-c噻吩骨架的化合物。進(jìn)而可以列舉出具有1，3-二氫蒽并[2，3-c噻吩骨架的化合物、具有1，3-二氫并四苯并[2，3-c噻吩骨架的化合物，可以釆用公知的方法，例如特開平8-3156號(hào)公報(bào)(US5530139)所述的方法來準(zhǔn)備。另外，例如還可以使用具有1，3-二氫萘并[l，2-c噻吩骨架的化合物，例如1，3-二氫菲并[2,3-c噻吩衍生物；具有1，3-二氫三苯并(卜U7工二口)[2，3-c]噻吩骨架的化合物，例如1，3-二氫苯并[a蒽并[7，8-c噻吩衍生物等。也有時(shí)在縮合環(huán)上任意地含有氮或N-氧化物，可以列舉出1，3-二氫噻吩并[3，4-b]喹喔啉、1，3-二氫噻吩并[3，4-b喹喔啉-4-氧化物、1，3-二氫塞吩并[3,4-b]喹喔啉-4，9-二氧化物等，但并不限于這些。另外，作為具有吡咯骨架的化合物，可以列舉出3-甲基吡咯、3-乙基吡咯、3-丙基吡咯、3-丁基吡咯、3-戊基吡咯、3-己基吡咯、3-庚基吡咯、3-辛基p比咯、3-壬基吡咯、3-癸基p比咯、3-氟p比p各、3-氯吡咯、3-溴吡咯、3-氰基吡咯、3，4-二甲基吡咯、3，4-二乙基吡咯、3，4-亞丁基吡咯、3，4-亞甲二氧基吡咯、3，4-亞乙二氧基吡咯等衍生物。這些化合物，可以是市售品，也可以采用公知方法準(zhǔn)備，但在本發(fā)明中并不限于這些。另外，作為具有呋喃骨架的化合物，可以列舉出3-甲基呋喃、3-乙基呋喃、3-丙基呋喃、3-丁基呋喃、3-戊基呋喃、3-己基呋喃、3-庚基呋喃、3-辛基呋喃、3-壬基呋喃、3-癸基呋喃、3-氟呋喃、3-氯呋喃、3-溴呋喃、3-氰基呋喃、3，4-二甲基呋喃、3，4-二乙基呋喃、3，4-亞丁基呋喃、3，4-亞甲二氧基呋喃、3，4-亞乙二氧基呋喃等衍生物。這些化合物，可以是市售品，也可以采用公知方法準(zhǔn)備，但在本發(fā)明中并不限于這些。另外，作為具有苯胺骨架的化合物，可以列舉出2-甲基苯胺、2-乙基苯胺、2-丙基苯胺、2-丁基苯胺、2-戊基苯胺、2-己基苯胺、2-庚基苯胺、2-辛基苯胺、2-壬基苯胺、2-癸基苯胺、2-氟苯胺、2-氯苯胺、2-溴苯胺、2-氰基苯胺、2，5-二甲基苯胺、2，5-二乙基苯胺、3，4-亞丁基苯胺、3，4-亞甲二氧基苯胺、3，4-亞乙二氧基苯胺等衍生物。這些化合物，可以是市售品，也可以采用公知方法準(zhǔn)備，但在本發(fā)明中并不限于這些。另外，也可以并用選自上述化合物組的化合物，來制成3元系共聚物而使用。此時(shí)，聚合性單體的組成比等是依賴于聚合條件等的，優(yōu)選的組成比、聚合條件可以通過簡單的試驗(yàn)來確認(rèn)。在本發(fā)明中，在制造作為固體電解質(zhì)使用的導(dǎo)電性聚合物時(shí)所使用的氧化劑，如果是可使脫氫的4電子氧化反應(yīng)充分進(jìn)行的氧化劑即可。詳細(xì)地講，優(yōu)選在工業(yè)上廉價(jià)、制造上容易操作的化合物。具體地可以列舉出例如，F(xiàn)eCl3、FeC104、Fe(有機(jī)酸陰離子)鹽等的Fe(III)系化合物，或無水氯化鋁/氯化亞銅、堿金屬過硫酸鹽類、過硫酸銨鹽類、過氧化物類、高錳酸鉀類等錳類、2，3-二氯-5，6-二氰基-l，4-苯醌(DDQ)、四氯-l，4-苯醌、四氰基-l，4-苯醌等醌類，碘、澳等卣素類，過酸、硫酸、發(fā)煙硫酸、三氧化硫、氯磺酸、氟磺酸、氨基磺酸等磺酸、臭氧等、以及這些多種氧化劑的組合。其中，作為形成上述Fe(有機(jī)酸陰離子)鹽的有機(jī)酸陰離子的基本化合物，可以列舉出有機(jī)磺酸或有機(jī)羧酸、有機(jī)磷酸、有機(jī)硼酸。作為有機(jī)磺酸的具體例子，可以使用苯磺酸、對(duì)曱苯磺酸、甲磺酸、乙磺酸、ot-磺基萘、P-磺基萘、萘二磺酸、烷基萘磺酸(作為烷基為丁基、三異丙基、二叔丁基等)等。另一方面，作為有機(jī)羧酸的具體例子，可以列舉出乙酸、丙酸、苯甲酸、草酸等。進(jìn)而在本發(fā)明中，還可以使用聚丙烯酸、聚曱基丙烯酸、聚苯乙烯磺酸、聚乙烯基磺酸、聚乙烯基硫酸、聚-oc-甲基磺酸、聚乙烯磺酸、聚磷酸等的高分子電解質(zhì)陰離子，這些有機(jī)磺酸或有機(jī)羧酸的例子只是簡單列舉的例子，并不限于這些。另外，上述陰離子的平衡陽離子是H+、Na+、K+等堿金屬離子，或者被氫原子、四曱基、四乙基、四丁基、四苯基等取代的銨離子，但在本發(fā)明中不受到特別限定。上述氧化劑之中，可特別優(yōu)選使用含有3價(jià)的Fe系化合物、或氯化亞銅系、過硫酸堿金屬鹽類、過硫酸銨鹽類、錳酸類、醌類的氧化劑。在本發(fā)明中，在用作為固體電解質(zhì)的導(dǎo)電性聚合物的制造中，根據(jù)需要共存的具有摻雜劑作用的平衡陰離子，可以列舉出作為平衡離子具有由上述氧化劑產(chǎn)生的氧化劑陰離子(氧化劑的還原體)的電解質(zhì)化合物或其他的陰離子系電解質(zhì)。具體地可以列舉出例如，PF6-、SbF:AsF^之類的5B族元素的卣化陰離子，BF4-之類的3B族元素的鹵化陰離子，r(I3-)、Br\Cr之類的鹵素陰離子，CKV之類的鹵酸陰離子、A1CV、FeCLT、SnCV等之類的路易斯酸陰離子，或N(V、SO,之類的無機(jī)酸陰離子，或?qū)妆交撬?、萘磺酸、碳?shù)為1~5的烷基取代磺酸，CH3S(V、CF3SCV之類的有機(jī)磺酸陰離子，或CF3COCT、C6HsCOO-之類的羧酸陰離子等質(zhì)子酸陰離子。另外，同樣還可以列舉出聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚苯乙烯磺酸、聚乙烯基磺酸、聚乙烯基硫酸、聚-cc-曱基磺酸、聚乙烯磺酸、聚磷酸等的高分子電解質(zhì)陰離子等，但未必被限定。但是，優(yōu)選列舉高分子系或低分子系的有機(jī)磺酸化合物、或聚磷酸，優(yōu)選使用芳基磺酸鹽系摻雜劑。可以使用例如，苯磺酸、曱苯磺酸、萘磺酸、蒽磺酸、蒽醌磺酸、以及它們的衍生物等的鹽。根據(jù)該化合物的取代基的種類、溶劑等的種類的不同而不同，一般優(yōu)選10_310摩爾/升的范圍，更優(yōu)選10—25摩爾/升的范圍。另外，反應(yīng)溫度是各自根據(jù)反應(yīng)方法來確定的，并不特別限定，一般在-70。C250。C的溫度范圍選擇。優(yōu)選是-30。C150。C，更優(yōu)選在-10。C30。C的溫度范圍進(jìn)行。在本發(fā)明中，所用的反應(yīng)溶劑，如果是可以將單體或氧化劑、具有摻雜劑作用的平衡陰離子一起，或分別單獨(dú)溶解的溶劑即可，可以使用例如，四氫呋喃、二噁烷、二乙醚等醚類，或二甲基甲酰胺、乙腈、苯甲腈、N-甲基吡咯烷酮、二曱亞砜等非質(zhì)子性極性溶劑，乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯類，氯仿、二氯甲烷等非芳香族性氯系溶劑，硝基甲烷、硝基乙烷、硝基苯等硝基化合物，或曱醇、乙醇、丙醇等醇類，或甲酸、乙酸、丙酸等有機(jī)酸或該有機(jī)酸的酸酐(例如乙酸酐等)，水，醇類，或酮類，或它們的混合溶劑。另外，也可以采用分別單獨(dú)地溶解上述氧化劑或/和具有摻雜劑作用的平衡陰離子及單體的溶劑系，即二液系、或三液系來操作。這樣制造的固體電解質(zhì)的電導(dǎo)度為1S/cm以上，優(yōu)選的條件為5S/cm以上，進(jìn)一步優(yōu)選為10S/cm以上。進(jìn)而，在固體電解質(zhì)層的表面上設(shè)置碳膏層和含有金屬粉的導(dǎo)電性層，以形成電容器的陰極部。含有金屬粉的導(dǎo)電性層與固體電解質(zhì)層粘附接合，作為陰極起作用，同時(shí)成為用于接合最終電容器制品的陰極引線端子的接合層，含有金屬的導(dǎo)電性層的厚度不被限定，一般為1100jam左右，優(yōu)選為5~50Jlim左右。本發(fā)明的固體電解電容器用基材，通常用于疊層型的電容器元件。在疊層型固體電解電容器中，可以對(duì)引線框進(jìn)行倒棱，即可以制成將棱角的部分削得平一些或變圓的引線框形狀。另外，也可以制成引線框的對(duì)向的陰極接合部具有引線端子的作用的電容器。引線框的材料，如果是一般所使用的引線框材料，就沒有特殊限定，優(yōu)選由銅系(例如Cu-Ni系、Cu-Ag系、Cu-Su系、Cu-Fe系、Cu-Ni-Ag系、Cu-Ni-Sn系、Cu-Co-P系、Cu-Zn-Mg系、Cu-Sn-Ni-P系合金等)材料或?qū)Ρ砻鎸?shí)施了銅系材料的鍍覆處理的材料構(gòu)成，這樣就可以得到51線框的倒棱操作性變得良好等的效果。固體電解電容器是通過在與陽極部接合的引線框上接合引線端子，在由固體電解質(zhì)層、碳膏層和含有金屬粉的導(dǎo)電性層形成的陰極部上接合引線，進(jìn)而將整體用環(huán)氧樹脂等絕緣性樹脂密封而得到的。但是，本發(fā)明并不被使用了表面具有多孔質(zhì)層的固體電解電容器用基材的電容器的一般情況、以及上述的固體電解質(zhì)及其他的構(gòu)成限定。實(shí)施例以下列舉實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明，但本發(fā)明豪不被這些實(shí)施例限定。另外，在下面的例子中，切削/壓縮深度是箔兩面的合計(jì)值。(實(shí)施例1)將厚度為110jim的化學(xué)轉(zhuǎn)化鋁箔(每一面均具有厚度為約35jam的多孔質(zhì)層。)切斷成3.5mm寬，然后將其切成各13mm的長度，將該箔片的一個(gè)短邊部通過焊接固定在金屬制的導(dǎo)器上。為了對(duì)切斷部進(jìn)行化學(xué)轉(zhuǎn)化處理，在距未固定的端7mm的部位以0.8mm的寬度線狀地描繪聚酰亞胺樹脂溶液(宇部興產(chǎn)(株)制)，在約180。C下使之干燥30分鐘。將從未固定的鋁箔的前端到所涂布的聚酰亞胺樹脂的部分浸漬在己二酸銨水溶液中，施加3V的電壓，對(duì)切口部的未化學(xué)轉(zhuǎn)化部進(jìn)行化學(xué)轉(zhuǎn)化，形成了電介質(zhì)皮膜。接著，以距鋁箔前端5mm的部分為中心，使具有針狀突起的金屬棒行走，形成深度為20jum、寬度為40jum的切削溝(圖4示出了切削部位附近的截面照片(300倍))。在其上面，以距鋁箔前端5mm的部分為中心，以0.8mm的寬度線狀地描繪、涂布了遮蔽陽極部和陰極部的聚酰亞胺樹脂。在陰極部區(qū)域，如以下那樣地形成固體電解質(zhì)。即，將陰極部區(qū)域(3.5mmx4.6mm)浸漬在含有20質(zhì)量％的3，4-亞乙二氧基噻吩的異丙醇溶液(溶液l)中，然后拉出在25'C下放置5分鐘。接著，將其浸漬在含有30質(zhì)量。/。的過硫酸銨的水溶液(溶液2)中，將其在45'C下干燥10分鐘，進(jìn)行氧化聚合。將浸漬在溶液l中后，浸漬在溶液2中進(jìn)行氧化聚合的操作重復(fù)15次。接著，用50。C的溫水洗凈30分鐘后，在100。C下干燥30分鐘。由此形成了固體電解質(zhì)層。進(jìn)而，在陰極部用碳膏、銀膏形成電極，從而完成了電容器元件。一邊將含有涂布在被切削的區(qū)域的遮蔽材料層的部分，用銀膏接合在引線框上一邊將3片重疊，通過焊接將陽極引線端子連接在不帶有固體電解質(zhì)的部分上，將整體用環(huán)氧樹脂進(jìn)行密封，在135。C下施加額定電壓，進(jìn)行3小時(shí)老化，制作了合計(jì)為30個(gè)的芯片型固體電解電容器。對(duì)于這30個(gè)電容器，作為初期特性測定在120Hz下的電容和損失系數(shù)(tan5)、在100kHz下的等效串聯(lián)電阻(以下稱作ESR)及漏電流。另外，漏電流是施加額定電壓，在l分鐘后測定的。測定結(jié)果如下。電容(平均值)98pFtan5(平均值)1.2%ESR(平均值)7mQ漏電流(平均值)0.15|aA另外，在將1.0uA(0.005cv)以上的漏電流作為不良品時(shí)的不良率為0%。進(jìn)一步示出了軟熔試驗(yàn)以及與該試驗(yàn)接續(xù)而進(jìn)行的耐濕試驗(yàn)的結(jié)果。軟熔試驗(yàn)(釬焊耐熱性試驗(yàn))用下面的方法評(píng)價(jià)。即準(zhǔn)備30個(gè)電容器元件，使該元件在245。C的溫度下通過10秒鐘，重復(fù)該操作3次，測定施加額定電壓1分鐘后的漏電流，將其值為8.0uA(0.04CV)以上的元件作為不良品。另外，耐濕試驗(yàn)是在60。C、900/。RH的高溫高濕下放置500小時(shí)，將施加額定電壓1分鐘后漏電流值為60uA(0.3CV)以上的元件作為不良品。軟熔試-瞼后的漏電流0.20mA耐濕試驗(yàn)后的漏電流11.7nA不良率均為0。將這些結(jié)果與其他實(shí)施例和比較例的結(jié)果一起示于表l。另夕卜，在表l中，"切削/壓縮比(深度)"表示將多孔質(zhì)層的整體厚度(未被除去或壓縮的多孔質(zhì)層的厚度)作為1時(shí)的除去或壓縮后的多孔質(zhì)層的厚度。"處理部分的尺寸比(寬度)"表示將陰極部區(qū)域的長軸方向的長度作為1時(shí)的除去或壓縮了的多孔質(zhì)層的寬度。(實(shí)施例2)作為除去工序，形成深度為6jam、寬度為4jum的切削溝，除此以外，與實(shí)施例1同樣地作成電容器，進(jìn)行評(píng)價(jià)。(實(shí)施例3)作為除去工序，形成深度為70iam、寬度為400Mm的切削溝，除此以外，與實(shí)施例1同樣地作成電容器，進(jìn)行評(píng)價(jià)。(實(shí)施例4)代替具有針狀突起的金屬棒，一邊將寬度為O.lmm的金屬圓盤按壓在箔上，一邊使之旋轉(zhuǎn)，壓縮箔兩面的多孔質(zhì)層，形成了深度為20jum、寬度為130jam的壓縮溝，除此之外，與實(shí)施例1同樣地作成電容器，進(jìn)行評(píng)價(jià)。(實(shí)施例5)作為除去工序，形成深度為3um、寬度為1jam的切削溝，除此以外，與實(shí)施例1同樣地作成電容器，進(jìn)行評(píng)價(jià)。(實(shí)施例6)作為除去工序，形成深度為3Mm、寬度為500|am的切削溝，除此以外，與實(shí)施例1同樣地作成電容器，進(jìn)行評(píng)價(jià)。(實(shí)施例7)作為除去工序，使用激光(YAG(MIYACHI制ECOMARKER,ML-7064A，波長1064nm))，形成深度為10|Jm、寬度為70inm的切削溝，除此以外，與實(shí)施例1同樣地作成電容器，進(jìn)行評(píng)價(jià)。另外，圖5示出了切削部位附近的截面照片(300倍)。(實(shí)施例8)作為除去工序，使用封入水流柱內(nèi)的激光(YAG(潞谷工業(yè)(林)制的激光器7夕7k—if(Aqualaser)，波長532nm))，形成深度為65~66Mm、寬度為55120jum的切削溝，除此以外，與實(shí)施例l同樣地作成電容器，進(jìn)行評(píng)價(jià)。另外，圖6示出了切削部位附近的截面照片(300倍)。(比較例1)不進(jìn)行除去或壓縮，就在化學(xué)轉(zhuǎn)化鋁箔上涂布遮蔽陽極部和陰極部的聚酰亞胺樹脂，除此以外，與上述各實(shí)施例同樣地作成電容器，進(jìn)行評(píng)價(jià)。表丄切削/壓縮條件<table><row><column>-</column><column>切削/壓縮深度</column><column>切削/壓縮比(深度)</column><column>切削/壓縮寬度[μm]</column><column>處理部分的尺寸比(寬度)</column></row><row><column>實(shí)施例l</column><column>20</column><column>0.71</column><column>40</column><column>0.0087</column></row><row><column>實(shí)施例2</column><column>6</column><column>0.914</column><column>4</column><column>0.00087</column></row><row><column>實(shí)施例3</column><column>70</column><column>0</column><column>400</column><column>0.087</column></row><row><column>實(shí)施例4</column><column>20</column><column>0.71</column><column>130</column><column>0.028</column></row><row><column>實(shí)施例5</column><column>3</column><column>0.957</column><column>1</column><column>0.00043</column></row><row><column>實(shí)施例6</column><column>3</column><column>0.957</column><column>500</column><column>0.109</column></row><row><column>實(shí)施例7</column><column>20</column><column>0.71</column><column>80</column><column>0.017</column></row><row><column>實(shí)施例8</column><column>65~66</column><column>0.060.07</column><column>55120</column><column>0，0120.026</column></row><row><column>比較例l</column><column>0</column><column>1</column><column>0</column><column>0</column></row><table>表2電容器初期特性<table>complextableseetheoriginalpage21</column></row><table>表3電容器可靠性試驗(yàn)結(jié)果<table>complextableseetheoriginalpage21</column></row><table>如這些結(jié)果所示，根據(jù)本發(fā)明，一般可以降低漏電流，不良品發(fā)生率也得到積極改善。尤其是在優(yōu)選范圍內(nèi)進(jìn)行多孔質(zhì)層的除去/壓縮的場合(實(shí)施例1~4)的改善效果顯著，可確^人本發(fā)明的方法非常有效。工業(yè)實(shí)用性根據(jù)本發(fā)明，對(duì)于表面具有多孔質(zhì)層的固體電解電容器用基材，通過將陽極部區(qū)域與陰極部區(qū)域之間的多孔質(zhì)層的至少一部分除去、優(yōu)選用掩蔽材料填充通過除去而形成的凹部的、簡便的操作，可防止電容器制造工序中的固體電解質(zhì)或固體電解質(zhì)形成用處理液的蔓延，進(jìn)一步提高陰極部和陽極部之間的絕緣性。其結(jié)果可以防止起因于絕緣不良的漏電流特性的惡化，帶來收獲率和可靠性的改善。因此，本發(fā)明可以廣泛用于以表面具有多孔質(zhì)層的固體電解電容器基材為基材的固體電解電容器。圖l是一般的固體電解電容器用基材的模式截面圖。圖2是表示按照本發(fā)明，將固體電解電容器用基材的多孔質(zhì)層的一部分除去或壓縮了的狀態(tài)的模式截面圖。圖3是表示按照本發(fā)明，進(jìn)一步填充了掩蔽材料的狀態(tài)的模式截面圖。圖4是按照本發(fā)明，除去了多孔質(zhì)層的一部分的固體電解電容器用基材(箔)的截面照片的一例(300倍)。圖5是按照本發(fā)明，使用激光除去了多孔質(zhì)層的一部分的固體電解電容器用基材(箔)的截面照片的一例(300倍)。圖6是按照本發(fā)明，使用封入水流柱內(nèi)的激光除去了多孔質(zhì)層的一部分的固體電解電容器用基材(箔)的截面照片的一例U50倍)。符號(hào)說明1陽極部區(qū)區(qū)域2陰極部區(qū)域3分界部4多孔質(zhì)層5芯6除去或壓縮了的區(qū)域7掩蔽材料(遮蔽材料)8多孔質(zhì)層內(nèi)的掩蔽材料(遮蔽材料)的滲透區(qū)域本發(fā)明中表示數(shù)值范圍的"以上，，和"以下，，包括本數(shù)。權(quán)利要求1.一種固體電解電容器用基材，是表面具有多孔質(zhì)層的固體電解電容器用基材，其特征在于，陽極部區(qū)域與陰極部區(qū)域之間的多孔質(zhì)層的至少一部分被縮減。2.如權(quán)利要求l所述的固體電解電容器用基材，其中，將未被縮減的多孔質(zhì)層的部位的厚度作為1時(shí)，多孔質(zhì)層的至少一部分被縮減的部位的多孔質(zhì)層的厚度為0-0.95的范圍。3.如權(quán)利要求1或2所述的固體電解電容器用基材，其中，將陰極部區(qū)域的長軸方向的長度作為1時(shí)，多孔質(zhì)層的至少一部分被縮減的部位的寬度為0.00050.1的范圍。4.如權(quán)利要求1~3的任一項(xiàng)所述的固體電解電容器用基材，其中，在多孔質(zhì)層的至少一部分被縮減的部位形成凹部，該凹部被掩蔽材料填充著。5.如權(quán)利要求4所述的固體電解電容器用基材，掩蔽材料為耐熱性樹脂。6.如權(quán)利要求15的任一項(xiàng)所述的固體電解電容器用基材，基材由閥作用金屬材料形成。7.如權(quán)利要求6所述的固體電解電容器用基材，其特征在于，閥作用金屬材料包含鋁、鉭、鈮、鈦、鋯中的至少一種金屬。8.如權(quán)利要求17的任一項(xiàng)所述的固體電解電容器用基材，在基材的表面形成有電介質(zhì)皮膜。9.如權(quán)利要求1~8的任一項(xiàng)所述的固體電解電容器用基材，基材為平板狀，在陽極部區(qū)域與陰極部區(qū)域之間，在基材的兩面多孔質(zhì)層被縮減。10.如權(quán)利要求18的任一項(xiàng)所述的固體電解電容器用基材，基材為平板狀，在陽極部區(qū)域與陰極部區(qū)域之間，圍繞基材的橫截面多孔質(zhì)層呈環(huán)周狀地纟皮縮減。11.一種固體電解電容器，其特征在于，使用了權(quán)利要求110的任一項(xiàng)所述的固體電解電容器用基材。12.—種固體電解電容器元件，其特征在于，使用了權(quán)利要求110的任一項(xiàng)所述的固體電解電容器用基材。13.—種固體電解電容器的制造方法，其特征在于，包括縮減固體電解電容器用基材的陽極部區(qū)域與陰極部區(qū)域之間的多孔質(zhì)層的至少一部分的工序。14.如權(quán)利要求13所述的固體電解電容器的制造方法，其中，縮減是通過除去多孔質(zhì)層來進(jìn)行的。15.如權(quán)利要求13所述的固體電解電容器的制造方法，其中，縮減是通過壓縮多孔質(zhì)層來進(jìn)行的。16.如權(quán)利要求1315的任一項(xiàng)所述的固體電解電容器的制造方法，其中，縮減固體電解電容器用基材的陽極部區(qū)域與陰極部區(qū)域之間的多孔質(zhì)層的至少一部分的工序包含照射激光的工序。17.如權(quán)利要求13-16的任一項(xiàng)所述的固體電解電容器的制造方法，其中，包括照射封入水流柱內(nèi)的激光的工序。18.如權(quán)利要求16或17所述的固體電解電容器的制造方法，激光具有0.111微米的波長。全文摘要本發(fā)明涉及固體電解電容器基材、使用該基材的固體電解電容器及其制造方法。對(duì)于表面具有多孔質(zhì)層的本發(fā)明的固體電解電容器用基材，縮減陽極部區(qū)域與陰極部區(qū)域之間的多孔質(zhì)層的至少一部分，優(yōu)選采用掩蔽材料填充通過縮減而形成的凹部，由此可以形成為陰陽兩極確實(shí)地被分離的結(jié)構(gòu)，可得到漏電流特性和可靠性優(yōu)異的固體電解電容器。文檔編號(hào)H01G9/04GK101203926SQ200680022060公開日2008年6月18日申請(qǐng)日期2006年6月22日優(yōu)先權(quán)日2005年6月23日發(fā)明者大旗英樹,篠田雅幸,齊田義弘申請(qǐng)人:昭和電工株式會(huì)社