專利名稱：固體電解電容器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及固體電解電容器及其制造方法。
背景技術(shù)：
圖7A～圖7C表示現(xiàn)有的固體電解電容器的構(gòu)成。圖7A是側(cè)視剖面圖，圖7B是主視剖面圖，圖7C是仰視圖。其中，圖7A是圖7C所示的A-A線剖面圖，圖7B是圖7C所示的B-B線剖面圖。
電容器元件61具有陽極體62、陽極引出部63、電介質(zhì)氧化膜64、固體電解質(zhì)65、陰極層66。其中，陽極體62由電子管金屬箔構(gòu)成，陽極引出部63設(shè)于陽極體62的一端，電介質(zhì)氧化膜64設(shè)于陽極體62的另一端表面。由導(dǎo)電性高分子構(gòu)成的固體電解質(zhì)65設(shè)于電介質(zhì)氧化膜64上。陰極層66在固體電解質(zhì)65上層積形成碳層，再在其上層積形成銀膏層。
陽極端子67、陰極端子68由加工成引線架的銅基金屬板構(gòu)成。陽極端子67具有在安裝面76上自封裝樹脂69露出的平坦部70、從平坦部70的兩端向上方傾斜彎曲的引出部72、與陽極引出部63的下面結(jié)合的載置部74。陰極端子68具有在安裝面76上自封裝樹脂69露出的平坦部71、從平坦部71的兩端向上方傾斜彎曲的引出部73、與陰極層66的下面結(jié)合的載置部75。
封裝樹脂69由環(huán)氧樹脂等絕緣性樹脂構(gòu)成，且以陽極端子67、陰極端子68平坦?fàn)畹芈冻龆c安裝面76成為同一個(gè)面的方式覆蓋電容器元件61。
該構(gòu)成中，通過以陽極端子67和陰極端子68盡可能鄰接的方式設(shè)置這些端子，使得從電路基板的配線流經(jīng)電容器元件61的電路路徑變短。由此，使得固體電解電容器的等效串聯(lián)電阻(ESR)、等效串聯(lián)電感(ESL)降低。這種固體電解電容器在例如特開2003-133177號公報(bào)中被公開。
參照圖8來說明將這種現(xiàn)有的固體電解電容器安裝在電路基板上的狀態(tài)。圖8是表示圖7A所示的固體電解電容器的安裝狀態(tài)的剖面圖。在電路基板77上，與露出安裝面76的陽極端子67、陰極端子68的位置相對應(yīng)，設(shè)有與這些端子的形狀大致近似的接合部78。將膏狀焊錫涂敷在接合部78上之后，通過將固體電解電容器載置于其上且用回流的高溫將焊錫融化，使固體電解電容器與電路基板77接合。此時(shí)，例如當(dāng)安裝面76上的陰極端子68的面積比陽極端子67大時(shí)，在陰極端子68上，熔化了的焊錫易于凝聚在陰極端子68的中央部。由此，陽極端子67的焊錫層79A和陰極端子68的焊錫層79B的厚度不同，固體電解電容器就會(huì)以傾斜的狀態(tài)或者懸浮的狀態(tài)被安裝。這樣就會(huì)有損可安裝性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種提高安裝性且高頻特性優(yōu)良的電解電容器及其制造方法。本發(fā)明的固體電解電容器具有電容器元件、陽極端子、陰極端子及封裝樹脂。電容器元件包含陽極體、陽極引出部、電介質(zhì)氧化膜、固體電解質(zhì)及陰極層。陽極體由電子管金屬構(gòu)成，陽極引出部設(shè)置于陽極體的一端。電介質(zhì)氧化膜形成于陽極體的設(shè)有陽極引出部一側(cè)的相反側(cè)的表面上，在其上依次形成有固體電解質(zhì)和陰極層。構(gòu)成安裝面的一部分的陽極端子和陰極端子在電容器元件的正下方引出。陽極端子、陰極端子分別與陽極引出部、陰極層電連接。封裝樹脂覆蓋電容器元件，使陽極端子和陰極端子自安裝面露出。陽極端子和陰極端子中至少在投影到安裝面上的面積大的端子的安裝面?zhèn)仍O(shè)有凹部。
就該結(jié)構(gòu)而言，由于安裝時(shí)熔化的焊錫流進(jìn)凹部，使陽極端子和陰極端子的焊錫的厚度變得均勻，故而提高了固體電解電容器的安裝性。另外，因?yàn)槔冒疾渴龟枠O端子、陰極端子與電路基板的連接面積增加，所以不會(huì)損害與電路基板之間的導(dǎo)電性。由此，改善了固體電解電容器的安裝性，提高了ESR、ESL特性的高頻特性。


圖1A是本發(fā)明實(shí)施方式的固體電解電容器的側(cè)視剖面圖。
圖1B是圖1A所示的固體電解電容器的主視剖面圖。
圖1C是圖1A所示的固體電解電容器的仰視圖。
圖2是圖1A所示的固體電解電容器的、形成有凹部的引線架主要部分的立體圖。
圖3是表示圖1A所示的固體電解電容器的、封裝樹脂形成后的安裝面的激光照射點(diǎn)的示意圖。
圖4是表示了將圖1A所示的固體電解電容器安裝在電路板上的狀態(tài)的剖面圖。
圖5A是本發(fā)明實(shí)施方式的另一固體電解電容器的側(cè)視剖面圖。
圖5B是圖5A所示的固體電解電容器的主視剖面圖。
圖5C是圖5A所示的固體電解電容器的仰視圖。
圖6A是本發(fā)明實(shí)施方式的又一固體電解電容器的側(cè)視剖面圖。
圖6B是圖6A所示的固體電解電容器的主視剖面圖。
圖6C是圖6A所示的固體電解電容器的仰視圖。
圖7A是現(xiàn)有的固體電解電容器的側(cè)視剖面圖。
圖7B是圖7A所示的固體電解電容器的主視剖面圖。
圖7C是圖7A所示的固體電解電容器的仰視圖。
圖8是表示圖7A所示的固體電解電容器的安裝狀態(tài)的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
圖1A是本發(fā)明實(shí)施方式的固體電解電容器的側(cè)視剖面圖，圖1B是主視剖面圖，圖1C仰視圖。其中，圖1A是圖1C的A-A線剖面圖，圖1B是圖1C的B-B線剖面圖。
電容器元件1具有陽極體2、陽極引出部3、絕緣體層4、電介質(zhì)氧化膜5、固體電解質(zhì)6、陰極層7。陽極體2由電子管金屬箔構(gòu)成。絕緣體層4將陽極體2劃分為陽極部和陰極部。陽極引出部3設(shè)在成為陽極體2的陽極部的一端，電介質(zhì)氧化膜5形成在成為陽極體2的陰極部的另一端表面。由導(dǎo)電性高分子構(gòu)成的固體電解質(zhì)6設(shè)置在電介質(zhì)氧化膜5上。陰極層7在固體電解質(zhì)6上層積形成碳層，再在其上層積形成銀膏層。
陽極體2用鋁、鉭、鈮、鈦等電子管金屬構(gòu)成，形成電介質(zhì)氧化膜5的部分也可以是由電子管金屬的粉末構(gòu)成的多孔質(zhì)燒結(jié)體。固體電解質(zhì)6用聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺等導(dǎo)電性高分子構(gòu)成，除此之外也可以用含有二氧化錳的錳氧化物構(gòu)成。陽極端子8、陰極端子9由加工成板狀引線架的金屬元件構(gòu)成，封裝樹脂10由環(huán)氧樹脂等絕緣性樹脂構(gòu)成。封裝樹脂10的下面是安裝面21。
陽極端子8與陽極引出部3電連接，陰極端子9與陰極層7電連接。陽極端子8、陰極端子9從電容器元件1的正下方引出，構(gòu)成安裝面21的一部分。即，陽極端子8上從封裝樹脂10露出而設(shè)置有平坦部11，該平坦部11在安裝面21上構(gòu)成與安裝面21共面的面。在陰極端子9上從封裝樹脂10露出而設(shè)置有平坦部12，該平坦部12在安裝面21上構(gòu)成與安裝面21共面的面。平坦部11是矩形狀，平坦部12是T字形。平坦部12從安裝面21的端部越過安裝面21的中心部與平坦部11側(cè)接近而設(shè)置。另外，安裝面21的平坦部11、12相對于連結(jié)平坦部11和平坦部12的方向即C軸呈對稱的形狀。
在陽極端子8的、與C軸正交的非厚度方向的方向的兩端部，設(shè)有以自平坦部11向斜上方互相離開的方式立起的引出部13。同樣地，在陰極端子9的、與C軸正交的非厚度方向的方向的兩端部，設(shè)有以從平坦部12向斜上方互相離開的方式立起的引出部14。如圖1B所示，引出部13、14相對于平坦部11、12分別呈傾斜角θ1。傾斜角θ1設(shè)定為30～60°。
在引出部13、14的上側(cè)設(shè)有分別與陽極引出部3、陰極層7的下面接合的平坦?fàn)钶d置部15、16。載置部15、16和平坦部11、12具有0.1～0.15mm的臺階高差且通過引出部13、14連結(jié)。即，載置部15和平坦部11、載置部16和平坦部12分別形成臺階狀。
在陰極端子9的安裝面21側(cè)，在陰極端子9的T字形的縱棒部的兩端部，設(shè)有在安裝面21側(cè)露出的凹部17。凹部17的一側(cè)利用從平坦部12向斜上方立起的金屬部件即陰極端子9的壁面18而形成，另一側(cè)利用封裝樹脂10的壁面19而形成。壁面18的整體以向與安裝面21相反側(cè)的方向鼓出的方式彎曲，且以在B-B線剖面中角度φ1為10°以上、90°以下的圓弧而形成。另一方面，壁面19相對于安裝面21大致垂直。如圖1C所示，凹部17與安裝面21相交的開口部，以沿中心線平行切斷橢圓的形狀將開口部的周圍封閉。
比較投影到安裝面21上的面積，則陰極端子9的面積是陽極端子8的面積的2～6倍。在陽極端子8的平坦部11的露出有凹部17的安裝面21側(cè)的表面、陰極端子9的平坦部12的露出有凹部17的安裝面21側(cè)的表面，形成有錫金屬層(未圖示)。該錫金屬層通過利用激光將例如由電解電鍍形成的3～10μm厚的鍍錫層熔化并凝固、再熔化而形成。
下面，說明如上構(gòu)成的本實(shí)施方式的固體電解電容器的制造方法。首先，通過電化學(xué)蝕刻處理將作為陽極體2的100μm厚的矩形鋁金屬箔的表面粗糙化。把經(jīng)過處理的鋁箔在己二酸銨水溶液中施加電壓進(jìn)行陽極氧化而形成電介質(zhì)氧化膜5即氧化鋁層。
接著，用聚酰亞胺粘接帶形成絕緣體層4，把陽極體2的用絕緣層4劃分為陰極部的一端含浸在硝酸錳溶液中。之后對硝酸錳進(jìn)行熱分解處理以形成作為固體電解質(zhì)6的一部分的氧化錳層，然后，將其含浸在吡咯單體、丙基奈磺酸鈉的混合溶液中進(jìn)行電解氧化聚合，形成由聚吡咯構(gòu)成的固體電解質(zhì)6。
然后，通過將陰極部側(cè)含浸在膠質(zhì)碳懸濁液中而將膠質(zhì)碳懸濁液涂敷到固體電解質(zhì)6上，使其干燥而形成碳層。進(jìn)而，將銀膏涂在陰極部側(cè)上并進(jìn)行固化，在碳層上形成銀膏層，從而形成由碳層和銀膏層構(gòu)成的陰極層7。由此，制作電容器元件1。
圖2是表示圖1A～圖1B所示的形成有凹部的引線架構(gòu)成的主要部分立體圖。引線架22通過由銅或銅合金組成的具有0.1mm厚度的帶狀金屬元件構(gòu)成。即，首先，在該金屬元件的成為安裝面21側(cè)的一面上，通過電解電鍍形成鎳基鍍層、錫鍍層。然后對金屬元件進(jìn)行沖裁，按一定間隔成對地設(shè)置多個(gè)成為陽極端子8、陰極端子9的沖裁部分55、56。由此，制作引線架22。
在經(jīng)過沖裁的引線架22上，通過沖壓模具設(shè)置成為引出部13、14的折彎部51、52和其上面的臺階狀載置部15、16。折彎部51、52以自成為陽極端子8的平坦部11、陰極端子9的平坦部12的引線架22的平坦?fàn)钕旅?3、54的兩端相互離開的方式，相對于下面53、54以傾斜角θ1向斜上方彎曲形成。
進(jìn)而，使用沖壓模具，使下面54和折彎部52的一部分以自下面54向相反側(cè)的方向鼓出的方式隆起、彎曲，形成成為凹部17的一部分的壁面18。接著，在載置部16、下面54、壁面18的上面，如圖1B所示涂敷膏狀的導(dǎo)電性粘接劑27，使陰極層7與沖裁部分56接合。而后，利用激光焊接將沖裁部分55的載置部15和陽極引出部3接合。由此，將電容器元件1與引線架22接合。
接著，準(zhǔn)備上模和與平坦部11、12相接的下模，該上模設(shè)有用于容納電容器元件1、載置部15、16、折彎部51、52、壁面18的腔室。然后，由上模和下模夾住引線架22，用環(huán)氧樹脂通過傳遞模形成封裝樹脂10。由此，形成覆蓋電容元件1、載置部15、16、引出部13、14、壁面18并且使平坦部11、12露出的封裝樹脂10。
封裝樹脂10，例如含有環(huán)氧樹脂固化物和分散于其中的無機(jī)粒子。環(huán)氧樹脂固化物例如由主骨架雙環(huán)戊二烯型環(huán)氧樹脂和苯酚酚醛清漆樹脂構(gòu)成。無機(jī)粒子例如為平均粒徑60～80μm的二氧化硅，相對環(huán)氧樹脂硬化物的質(zhì)量比為80～90％。
然后，使用激光除去封裝樹脂10而使壁面18露出。圖3是表示形成封裝樹脂10之后的安裝面21上的激光照射點(diǎn)23的示意圖。
激光裝置，例如使用YAG(釔·鋁·石榴石)激光，使激光照射能量為20J～40J而進(jìn)行第1激光照射。
就該第1激光照射而言，如圖3所示，是在與露出于安裝面21的平坦部11、12相當(dāng)?shù)南旅?3、54和覆蓋壁面18的封裝樹脂10的表面上以激光照射點(diǎn)23進(jìn)行照射。激光照射點(diǎn)23的間隔，在C軸方向、與C軸垂直的D軸方向各自為0.1mm。首先沿著D軸方向進(jìn)行激光掃描，然后沿著C軸方向依次移動(dòng)激光掃描位置。通過該第1激光照射，去除壁面18上的封裝樹脂10，在成為陰極端子9的沖裁部分56上形成以一側(cè)作為封裝樹脂10的壁面19的凹部17。另外，在沖裁部分55的下面53的表面、沖裁部分56的下面54的表面，在激光照射點(diǎn)23的直徑約0.1mm的周圍隆起而使錫鍍層融化、凝固。
進(jìn)而，用同一激光裝置，在與第1激光照射同等條件下進(jìn)行第2激光照射。通過第2激光照射，壁面18的表面污漬被去除掉，同時(shí)，與下面53、54同樣，在壁面18上的激光照射點(diǎn)23的直徑約0.1mm的周圍隆起而使錫鍍層融化、凝固。
最后，用與下面53、54相連并從封裝樹脂10的安裝面21向外側(cè)的平面延長的部分切斷引線架22，制作成固體電解電容器單片。
這樣，在本實(shí)施方式中，覆蓋與平坦部12連結(jié)的壁面18且使相當(dāng)于平坦部12的下面54露出而形成封裝樹脂10，然后去除封裝樹脂10，使壁面18露出。通過這樣的方法，由于壁面18的加工尺寸偏差不影響平坦部12的外露偏差，所以能夠使平坦部12尺寸精度高且與安裝面21共面。由此，可以確保安裝面21的平坦性，且得到良好的安裝性。
另外，通過使用激光照射將覆蓋壁面18的封裝樹脂10炭化而去除，即使產(chǎn)生壁面18的加工尺寸偏差，也能夠切實(shí)地形成由壁面18和壁面19圍成的凹部17。另外，還能夠切實(shí)地形成焊錫潤濕性優(yōu)良的凹部17。
下面，對本實(shí)施方式的固體電解電容器向電路基板安裝的安裝方法進(jìn)行說明。圖4是表示將本實(shí)施方式的固體電解電容器安裝在電路基板上的狀態(tài)的剖面圖。在電路基板24上，與露出于安裝面21側(cè)的陽極端子8、陰極端子9的位置相對應(yīng)，設(shè)有與這些端子的形狀大致相似且稍大的接合部25。在接合部25上涂敷膏狀焊錫之后，將本實(shí)施方式的固體電解電容器載置于其上，而后通過回流的高溫使焊錫熔化而形成焊錫層26，由此將固體電解電容器安裝到電路基板24上。
就本實(shí)施方式的固體電解電容器而言，在陰極端子9上設(shè)有凹部17。由此，在向電路基板24安裝時(shí)，熔化的焊錫被容納到凹部17中，陽極端子8和陰極端子9的焊錫層26厚度大致相同。其結(jié)果，能夠在安裝性得到改善且高頻特性得到提高的狀態(tài)下安裝固體電解電容器。
另外，優(yōu)選以向遠(yuǎn)離安裝面21的方向鼓出的方式彎曲形成凹部17。通過該構(gòu)成，在熔化的焊錫向凹部17的金屬表面潤濕的過程中，因焊錫的表面張力而產(chǎn)生的朝向封裝樹脂10的焊錫膨脹，尤其在凹部17的深部變小。即，利用熔化的焊錫的表面張力能夠使焊錫的膨脹變小。因此，能夠進(jìn)一步使氣泡的混入變少且在整個(gè)凹部17形成焊錫層26。
另外，優(yōu)選將凹部17以與連結(jié)陽極端子8和陰極端子9的第1軸即C軸相對的方式設(shè)置兩處。由此，在凹部17形成焊錫時(shí)，在陰極端子9的、與圖3的D軸相交的兩端部產(chǎn)生的表面張力相互抵消。因此，可防止固體電解電容器的歪斜或懸浮進(jìn)而使安裝性提高。在圖1C和圖3中，將凹部17以與C軸相對的方式設(shè)置兩處，但也可以以相對于與C軸垂直相交的第2軸即D軸相對的方式設(shè)置兩處。
另外，優(yōu)選從平坦部12向斜上方彎曲而形成引出部14，且在引出部14的斜面上形成壁面18。這樣，通過使引出部14的斜面作為壁面18露出，能夠利用焊錫從安裝面21連接至引出部14。因而使從安裝面21至電容器元件1的連接電阻變小，進(jìn)而提高高頻特性。
另外，也可以從平坦部12向斜上方彎曲而形成引出部14，且以與引出部14的斜面和平坦部12連接的方式使陰極端子9隆起而形成壁面18。由此，可以在將陰極層7和陰極端子9接合時(shí)抑制引出部14的變形。即，可減小因引出部14的變形造成的對電容器元件1的物理應(yīng)力。其結(jié)果，能夠減小電容器元件1的漏電流。
另外，通過擴(kuò)大凹部17與接合部25的接觸面積，能夠縮短至電容器元件1的引出距離，因此，高頻特性良好。
另外，優(yōu)選用封裝樹脂10構(gòu)成凹部17的壁面的一部分即壁面19。由此，在與D軸相交的兩端生成的熔化了的焊錫，通過不引起焊錫潤濕的封裝樹脂10而與安裝面21的印刷基板的圖案準(zhǔn)確地保持一致。由此，固體電解電容器主體不會(huì)歪斜或懸浮，安裝性進(jìn)一步提高。
另外，優(yōu)選使凹部17露出后，通過激光照射使凹部17的金屬元件表面熔化。為了確保焊錫粘附性，在凹部17的金屬元件表面，使用鍍敷法、蒸鍍法而形成由Sn或Sn與Ag、Pb、Bi、In、Cu等的合金、銀、金等構(gòu)成的金屬層。通過由激光照射使這樣的金屬層表面熔化并凝固，由此使氧化膜減少。其結(jié)果，金屬層變得致密，提高了凹部17表面的焊錫潤濕性。
特別是使用電鍍、無電解鍍敷法所形成的鍍層中析出粒子具有晶界而凝聚，厚度變?yōu)?～20μm。通過用激光照射使該鍍層熔化、快速凝固，形成沒有晶界且致密的金屬層。另外，通過將由激光照射被熔化、凝固的金屬層作為陽極端子、陰極端子的整個(gè)表面，能夠進(jìn)一步提高焊錫潤濕性。
另外，優(yōu)選對應(yīng)于在安裝面21上露出的陽極端子8和陰極端子9的至少任一個(gè)而進(jìn)行激光照射掃描。由此，使用一個(gè)激光裝置就能使照射能量一定而連續(xù)地熔化平坦部11、12的表面、去除凹部17上的封裝樹脂10。
另外，通過實(shí)施多次激光照射，能夠進(jìn)一步將凹部17表面的金屬層熔化，提高平坦部12的表面和凹部17的表面的焊錫潤濕性。多次掃描的照射點(diǎn)也可以是每次掃描為同一點(diǎn)或在不同次掃描的照射點(diǎn)之間。通過在不同次掃描的照射點(diǎn)之間進(jìn)行掃描，能夠使熔化了的金屬層的厚度變得均勻，進(jìn)一步提高焊錫潤濕性。
在本實(shí)施方式中使用了YAG激光器，但也可以使用CO2激光器、激元激光器。但是，從具有能夠去除封裝樹脂10的照射能量方面和聚光性優(yōu)良且能夠精細(xì)加工方面來看，理想的是使用YAG激光器。
下面，對陰極端子的凹部構(gòu)成不同的固體電解電容器進(jìn)行說明。圖5A是本發(fā)明的實(shí)施方式的另一固體電解電容器的側(cè)視剖面圖，圖5B是其主視剖面圖，圖5C是其仰視圖。圖5A是圖5C所示的A-A線剖面圖，圖5B是圖5C所示的B-B線剖面圖。
陰極端子30由加工成引線架的金屬部件構(gòu)成，在成為安裝面21的下面設(shè)有自封裝樹脂10露出且與安裝面21共面的平坦部31。陰極端子30在安裝面21上呈T字形，從安裝面21的端部越過下面的中心部與陽極端子8側(cè)接近設(shè)置。
在陰極端子30的T字形縱棒部的兩端部，設(shè)置引出部33，該引出部33具有傾斜的金屬部件的壁面32。在引出部33的上側(cè)設(shè)有載置部34。引出部33使用沖壓模具，以將引線架的平坦?fàn)畹南旅婊ハ喾珠_的方式，相對于平坦部31以5～45°的傾斜角θ2向斜上方彎曲形成。另外，平坦部31和載置部34具有0.1～0.15mm的臺階高差而形成臺階狀。
在制作該固體電解電容器時(shí)，與圖3同樣，將電容器元件1與引線架連接且形成封裝樹脂10之后，通過激光照射使壁面32露出。然后，形成與安裝面21相交的開口周圍閉合成矩形的凹部36。即，用壁面32構(gòu)成一側(cè)面，用設(shè)于大致垂直于安裝面21的方向的封裝樹脂的壁面35構(gòu)成另一側(cè)面。
在安裝該構(gòu)成的固體電解電容器時(shí)，熔化了的焊錫被容納到凹部36中，使陽極端子8和陰極端子9的焊錫層的厚度大致相同。即，達(dá)到了與圖1A～圖1C所示的固體電解電容器同樣的效果。
下面，對陰極端子的凹部構(gòu)成與圖5A～圖5C不同的固體電解電容器進(jìn)行說明。圖6A是本發(fā)明的實(shí)施方式的又一固體電解電容器的側(cè)視剖面圖，圖6B是其正視剖面圖，圖6C是其仰視圖。圖6A是圖6C所示的A-A線剖面圖，圖6B是圖6C所示的B-B線剖面圖。
陰極端子37由加工成引線架的金屬部件構(gòu)成，在成為安裝面21的下面設(shè)有自封裝樹脂露出且與安裝面21共面的平坦部38。在安裝面21上，陰極端子37呈T字形，從安裝面21的端部越過下面的中心部與陽極端子8側(cè)接近而設(shè)置。
另外，在陰極端子37的安裝面21側(cè)，在與C軸相交且與陽極端子8鄰接的T字形縱棒部的端部設(shè)有凹部39。凹部39的一個(gè)側(cè)面由自平坦部38向斜上方立起的金屬部件的壁面40構(gòu)成，另一個(gè)側(cè)面由位于鄰接陽極端子8側(cè)的封裝樹脂10的壁面41構(gòu)成。
壁面40通過使用沖壓模具以將引線架的平坦?fàn)畹南旅嫦蚺c安裝面21相反側(cè)的方向鼓出的方式彎曲形成整個(gè)壁面。如圖6A所示，壁面40的剖面為角度φ2是10°以上、90°以下的圓弧狀。另外，壁面40設(shè)在相對于安裝面21大致垂直的方向上。
另外，在陰極端子37的、與平行于A-A線的方向垂直且非厚度方向的方向的兩端部，設(shè)有傾斜的引出部42，在引出部42的上側(cè)臺階狀地具有臺階高差而設(shè)有載置部43。引出部42在引線架上形成了金屬部件的壁面40之后，使用沖壓模具以使引線架的平坦?fàn)畹南旅婊ハ嚯x開的方式，相對于平坦部38以30～60°的傾斜角向斜上方彎曲形成。
這樣，在使引線架彎曲之后，接著，與圖1A同樣，將電容器元件1與引線架連接形成封裝樹脂10。最后，通過激光照射將壁面40露出，形成由壁面40和壁面41圍成的凹部39。
在安裝該結(jié)構(gòu)的固體電解電容器時(shí)，熔化了的焊錫也被容納到凹部39，使陽極端子8和陰極端子9的焊錫層的厚度大致相同。即，起到了與圖1A～圖1C所示的固體電解電容器同樣的效果。
在以上的實(shí)施方式中，在陰極端子9、30、37上設(shè)有凹部17、36、39。即，在投影到安裝面21上的面積比陽極端子8的投影到安裝面21上的面積大的陰極端子9、30、37的安裝面21側(cè)設(shè)有凹部17、36、39。除此之外，當(dāng)陽極端子、陰極端子投影到安裝面的面積大的情況下，為了具有更大容積的凹部，也可以在陽極端子和陰極端子中的一方或雙方設(shè)置凹部。另外，上述實(shí)施方式中用引線架制作陽極端子、陰極端子，但不限于此。也可以使用對金屬棒進(jìn)行了切削加工的金屬片。
如上所述，按照本實(shí)施方式，能夠制造安裝性得到改善且高頻特性優(yōu)良的固體電解電容器。即，本發(fā)明提供的固體電解電容器及其制造方法，能夠適用于要求低ESR、低ESL特性的表面安裝型的固體電解電容器。
權(quán)利要求
1.一種固體電解電容器，其特征在于，具有電容器元件、陽極端子、陰極端子和封裝樹脂，所述電容器元件具有陽極體，其由電子管金屬構(gòu)成，在一端設(shè)有陽極引出部；電介質(zhì)氧化膜，其形成在所述陽極體的設(shè)有所述陽極引出部一側(cè)的相反側(cè)的表面；固體電解質(zhì)，其形成在所述電介質(zhì)氧化膜上；陰極層，其形成在所述固體電解質(zhì)上，所述陽極端子與所述陽極引出部電連接，且在所述電容器元件的正下方引出，構(gòu)成安裝面的一部分，所述陰極端子與所述陰極層電連接，且在所述電容器元件的正下方引出，構(gòu)成安裝面的一部分，所述封裝樹脂覆蓋所述電容器元件，并使所述陽極端子和所述陰極端子自安裝面露出，所述陽極端子和所述陰極端子中、至少在投影到所述安裝面上的面積大的端子的所述安裝面?zhèn)仍O(shè)有凹部。
2.如權(quán)利要求1所述的固體電解電容器，其特征在于，所述凹部的壁面的一部分為所述封裝樹脂。
3.如權(quán)利要求1所述的固體電解電容器，其特征在于，所述凹部以向遠(yuǎn)離所述安裝面的方向鼓出的方式彎曲形成。
4.如權(quán)利要求1所述的固體電解電容器，其特征在于，所述凹部以與連接所述陽極端子和所述陰極端子的第1軸、和與所述第1軸垂直相交的第2軸中的任一軸相對的方式設(shè)于兩處。
5.如權(quán)利要求1所述的固體電解電容器，其特征在于，設(shè)有所述凹部的所述陽極端子和所述陰極端子中的至少任一個(gè)，具有構(gòu)成所述安裝面的一部分的平坦部和從所述平坦部向斜上方彎曲形成的引出部，且在所述引出部的斜面上形成所述凹部。
6.如權(quán)利要求1所述的固體電解電容器，其特征在于，設(shè)有所述凹部的所述陽極端子和所述陰極端子的至少任一個(gè)，具有構(gòu)成上述安裝面的一部分的平坦部和從上述平坦部向斜上方彎曲形成的引出部，所述凹部以與所述引出部的斜面和所述平坦部連接的方式形成。
7.一種固體電解電容器的制造方法，其特征在于，具備如下的步驟A)在由具備陽極引出部的電子管金屬構(gòu)成的陽極體的表面依次層積形成電介質(zhì)氧化膜、固體電解質(zhì)和陰極層而制成電容器元件；B)使用金屬元件制作陽極端子，該陽極端子與所述陽極引出部電連接且在所述電容器元件的正下方引出，構(gòu)成安裝面的一部分；C)使用金屬元件制作陰極端子，該陰極端子與所述陰極層電連接且從所述電容器元件的正下方引出，構(gòu)成安裝面的一部分；D)以使所述陽極端子和陰極端子自所述安裝面露出的方式，用封裝樹脂覆蓋所述電容器元件，在所述B步驟和C步驟的至少任一步驟中，所述陽極端子和陰極端子中、至少在投影到所述安裝面上的面積大的端子的所述安裝面?zhèn)仍O(shè)置凹部。
8.如權(quán)利要求7所述的固體電解電容器的制造方法，其特征在于，在所述D步驟中，以使所述凹部的壁面的一部分成為所述封裝樹脂的方式配置所述封裝樹脂。
9.如權(quán)利要求7所述的固體電解電容器的制造方法，其特征在于，將所述凹部以向遠(yuǎn)離所述安裝面的方向鼓出的方式彎曲形成。
10.如權(quán)利要求7所述的固體電解電容器的制造方法，其特征在于，所述凹部以與連接所述陽極端子和所述陰極端子的第1軸、和與所述第1軸垂直相交的第2軸的任一軸相對的方式設(shè)于兩處。
11.如權(quán)利要求7所述的固體電解電容器的制造方法，其特征在于，還具備E)利用激光照射去除所述封裝樹脂的一部分，以使所述凹部的金屬壁面露出的步驟。
12.如權(quán)利要求11所述的固體電解電容器的制造方法，其特征在于，在利用激光照射使所述凹部露出之后，還要用激光照射使所述凹部的金屬壁面熔化。
13.如權(quán)利要求11所述的固體電解電容器的制造方法，其特征在于，對應(yīng)露出所述安裝面的所述陽極端子和陰極端子的至少任一個(gè)，用所述激光照射進(jìn)行掃描。
全文摘要
一種固體電解電容器及其制造方法。所述固體電解電容器具有電容器元件、陽極端子、陰極端子和封裝樹脂。構(gòu)成安裝面的一部分的陽極端子和陰極端子，在電容器元件的正下方引出。陽極端子和陰極端子分別與電容器元件的陽極引出部和陰極層電連接。封裝樹脂覆蓋電容器元件且使陽極端子和陰極端子自安裝面露出。陽極端子和陰極端子中、至少在于安裝面上的投影面積大的端子的安裝面?zhèn)仍O(shè)有凹部。
文檔編號H01G9/008GK101055804SQ20071009656
公開日2007年10月17日 申請日期2007年4月16日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月14日
發(fā)明者中村克之, 川人一雄, 城土井貴博, 山口秀人 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社