技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了非易失性存儲(chǔ)單元和方法。在一種裝置中，形成在半導(dǎo)體襯底的一部分中的非易失性存儲(chǔ)單元的陣列包括：第一存儲(chǔ)單元，具有第一位單元和第二位單元；第二存儲(chǔ)單元，具有第三位單元和第四位單元；以及列復(fù)用器，耦合至多條列線，列線中的選定一條耦合至第一存儲(chǔ)單元和第二存儲(chǔ)單元的第一源極/漏極端子并且耦合至第一存儲(chǔ)單元和第二存儲(chǔ)單元的第二源極/漏極端子，列復(fù)用器將電壓耦合至連接至對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)的第一存儲(chǔ)單元的列線中的一條，并且將電壓耦合至連接至對(duì)應(yīng)于互補(bǔ)數(shù)據(jù)的第二存儲(chǔ)單元的列線中的一條。公開了用于操作非易失性存儲(chǔ)單元的方法。本發(fā)明還公開了用于非易失性存儲(chǔ)單元的方法和裝置。

技術(shù)研發(fā)人員：池育德
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
文檔號(hào)碼：201310019946
技術(shù)研發(fā)日：2013.01.18
技術(shù)公布日：2017.07.04