本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)處理技術領域，尤其涉及一種用于非易失性存儲器的讀操作方法及裝置。

背景技術：

閃存裝置包括多個以矩陣排列的存儲單元管。全部存儲單元管分為若干個塊，每個塊又分為若干個頁。每個頁包括多個存儲單元管，存儲單元用于記錄數(shù)據(jù)。多個存儲單元管串聯(lián)或并聯(lián)接至位線，每個存儲單元可通過字線(WL,word line)和位線(BL,bit line)鎖定后訪問。存儲單元管一般為浮柵型金屬氧化物半導體(Floating-Gate Metal Oxide Semiconductor,FGMOS)或陷阱電荷俘獲型存儲器件。

進行讀操作時，在一個塊中，在選中的字線上加讀電壓，未選中的字線上加讀通電壓，并通過位線上加壓，讀取本次選中的字線連接的全部存儲單元管的數(shù)據(jù)。此時，為了避免對位線放電，需保證位線上的電壓不變。這樣會使的非易失性存儲器中導通的存儲單元管始終會存在電流流向共源線，導致在共源線上產生非常大的噪聲。共源線上的噪聲會對讀出電流產生干擾，影響頁緩存電路對選中字線上連接的存儲單元管存儲狀態(tài)的感測，造成讀取誤差，影響讀操作的精度和準確率。

因此，本領域技術人員需要提供一種用于非易失性存儲器的讀操作方法及裝置，能夠減小共源線上的噪聲，從而提高讀操作的精度和準確性。

技術實現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術問題，本發(fā)明提供了一種用于非易失性存儲器的讀操作方法及裝置，能夠減小共源線上的噪聲，從而提高讀操作的精度和準確性。

本發(fā)明實施例提供的一種用于非易失性存儲器的讀操作方法，所述非易失性存儲器，包括：存儲單元管陣列、頁緩存電路、電壓生成電路和控制電路；每列存儲單元管通過一條位線連接所述頁緩存電路，每行存儲單元管的柵極通過一條字線連接所述電壓生成電路，所述控制電路用于控制所述頁緩存電路和所述電壓生成電路；所述方法，包括：

步驟一：控制所述電壓生成電路在選中的字線上施加第一讀取電壓，并在未被選中的字線上施加讀通電壓；

步驟二：逐一發(fā)送n個控制信號至所述頁緩存電路，以控制所述頁緩存電路通過第一位線集合中的全部位線感測所述選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，n為正整數(shù)，所述n個控制信號攜帶有所述非易失性存儲器中全部位線的位線標識，每個控制信號所攜帶的位線標識不同，所述第一位線集合包括本次發(fā)送的控制信號中攜帶的全部位線標識所指示的位線；

步驟三：控制所述電壓生成電路在所述選中的字線上施加第二讀取電壓，并在所述未被選中的字線上施加所述讀通電壓，所述第二讀取電壓大于所述第一讀取電壓；

步驟四：控制所述頁緩存電路通過第二位線集合感測存儲單元管集合中全部存儲單元管的狀態(tài)，所述第二位線集合包括所述存儲單元管集合中全部存儲單元管所連接的位線，所述存儲集合單元管集合包括在上次感測時感測到的狀態(tài)為關態(tài)的全部存儲單元管。

優(yōu)選地，所述步驟一，之前還包括：

獲取讀操作配置，所述讀操作配置包括第一讀操作次數(shù)、第二讀操作次數(shù)和每一次讀操作的讀取電壓；

然后，重復執(zhí)行i次步驟一到步驟二，每次執(zhí)行步驟一時的所述第一讀取電壓等于獲取到的本次讀操作的讀取電壓；

再重復執(zhí)行j次步驟三到步驟四，每次執(zhí)行步驟三時的所述第二讀取電壓等于獲取到的本次讀操作的讀取電壓；

其中，i為所述第一讀操作次數(shù)，j為所述第二讀操作次數(shù)，i為大于或等于0的整數(shù)，j為大于或等于0的整數(shù)，且i+j≠0，后一次讀操作的讀取電壓大于前一次讀操作的讀取電壓。

本發(fā)明實施例還提供了一種用于非易失性存儲器的讀操作方法，所述非易失性存儲器，包括：存儲單元管陣列、頁緩存電路、電壓生成電路和控制電路；每列存儲單元管通過一條位線連接所述頁緩存電路，每行存儲單元管的柵極通過一條字線連接所述電壓生成電路，所述控制電路用于控制所述頁緩存電路和所述電壓生成電路；所述方法，包括：

步驟A：控制所述電壓生成電路在選中的字線上施加第一電壓，并在未被選中的字線上施加讀通電壓；

步驟B：逐一發(fā)送m個第一控制信號至所述頁緩存電路，以控制所述頁緩存電路通過第一位線集合中的全部位線感測所述選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，m為正整數(shù)，所述m個第一控制信號攜帶有第二位線集合中的全部位線的位線標識，每個第一控制信號所攜帶的位線標識不同，所述第一位線集合包括本次發(fā)送的第一控制信號中攜帶的全部位線標識所指示的位線，所述第二位線集合包括所述非易失性存儲器中任意一條位線或多條位線；

步驟C：控制所述電壓生成電路在所述選中的字線上施加第二電壓，并在所述未被選中的字線上施加所述讀通電壓，所述第二電壓大于所述第一讀取電壓；

步驟D：控制所述頁緩存電路通過第三位線集合感測第一存儲單元管集合中全部存儲單元管的狀態(tài)，所述第三位線集合包括所述第一存儲單元管集合中全部存儲單元管所連接的位線，所述第一存儲集合單元管集合包括在上次感測時感測到的狀態(tài)為關態(tài)的全部存儲單元管。

優(yōu)選地，還包括：

步驟E：控制所述電壓生成電路在所述選中的字線上施加所述第一電壓，并在所述未被選中的字線上施加所述讀通電壓；

步驟F：逐一發(fā)送p個第二控制信號至所述頁緩存電路，以控制所述頁緩存電路通過第四位線集合中的全部位線感測所述選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，所述p個第二控制信號攜帶有第五位線集合中的全部位線的位線標識，每個第二控制信號所攜帶的位線標識不同，所述第四位線集合包括本次發(fā)送的第二控制信號中攜帶的全部位線標識所指示的位線，所述第五位線集合包括第六位線集合中任意一條位線或多條位線，所述第六位線集合包括所述非易失性存儲器中除去所述第二位線集合中全部位線外剩余的全部位線；

步驟G：控制所述電壓生成電路在所述選中的字線上施加第二電壓，并在所述未被選中的字線上施加所述讀通電壓，所述第二電壓大于所述第一讀取電壓；

步驟H：控制所述頁緩存電路通過第七位線集合感測第二存儲單元管集合中全部存儲單元管的狀態(tài)，所述第七位線集合包括所述第二存儲單元管集合中全部存儲單元管所連接的位線，所述第二存儲集合單元管集合包括在上次感測時感測到的狀態(tài)為關態(tài)的全部存儲單元管。

優(yōu)選地，所述步驟A，之前還包括：

獲取讀操作配置，所述讀操作配置包括第一讀操作次數(shù)、第二讀操作次數(shù)和每一次讀操作的讀取電壓；

然后，重復執(zhí)行i次步驟A到步驟B，每次執(zhí)行步驟A時的所述第一電壓等于獲取到的本次讀操作的讀取電壓；

再重復執(zhí)行j次步驟C到步驟D，每次執(zhí)行步驟C時的所述第二電壓等于獲取到的本次讀操作的讀取電壓；

其中，i為所述第一讀操作次數(shù)，j為所述第二讀操作次數(shù)，i為大于或等于0的整數(shù)，j為大于或等于0的整數(shù)，且i+j≠0，后一次讀操作的讀取電壓大于前一次讀操作的讀取電壓。

本發(fā)明實施例還提供了一種用于非易失性存儲器的讀操作裝置，所述非易失性存儲器，包括：存儲單元管陣列、頁緩存電路、電壓生成電路和控制電路；每列存儲單元管通過一條位線連接所述頁緩存電路，每行存儲單元管的柵極通過一條字線連接所述電壓生成電路，所述控制電路用于控制所述頁緩存電路和所述電壓生成電路；所述裝置，包括：第一電壓控制單元、第一感測控制單元、第二電壓控制單元和第二感測控制單元；

所述第一電壓控制單元，用于控制所述電壓生成電路在選中的字線上施加第一讀取電壓，并在未被選中的字線上施加讀通電壓；

所述第一感測控制單元，用于逐一發(fā)送n個控制信號至所述頁緩存電路，以控制所述頁緩存電路通過第一位線集合中的全部位線感測所述選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，n為正整數(shù)，所述n個控制信號攜帶有所述非易失性存儲器中全部位線的位線標識，每個控制信號所攜帶的位線標識不同，所述第一位線集合包括本次發(fā)送的控制信號中攜帶的全部位線標識所指示的位線；

所述第二電壓控制單元，用于控制所述電壓生成電路在所述選中的字線上施加第二讀取電壓，并在所述未被選中的字線上施加所述讀通電壓，所述第二讀取電壓大于所述第一讀取電壓；

所述第二感測控制單元，用于控制所述頁緩存電路通過第二位線集合感測存儲單元管集合中全部存儲單元管的狀態(tài)，所述第二位線集合包括所述存儲單元管集合中全部存儲單元管所連接的位線，所述存儲集合單元管集合包括在上次感測時感測到的狀態(tài)為關態(tài)的全部存儲單元管。

優(yōu)選地，還包括：配置獲取單元和循環(huán)控制單元；

所述配置獲取單元，用于獲取讀操作配置，所述讀操作配置包括第一讀操作次數(shù)、第二讀操作次數(shù)和每次讀操作的讀取電壓；

所述循環(huán)控制單元，用于重復i次第一流程，所述第一流程包括先激活所述第一電壓控制單元后再激活所述第一感測控制單元，每次激活所述第一電壓控制單元時的所述第一讀取電壓等于獲取到的本次讀操作的讀取電壓；

所述循環(huán)控制單元，還用于在重復i次所述第一流程后，重復j次第二流程，所述第二流程包括先激活所述第二電壓控制單元后再激活所述第二感測控制單元，每次激活所述第二電壓控制單元時的所述第二讀取電壓等于獲取到的本次讀操作的讀取電壓；

其中，i為所述第一讀操作次數(shù)，j為所述第二讀操作次數(shù)，i為大于或等于0的整數(shù)，j為大于或等于0的整數(shù)，且i+j≠0，后一次讀操作的讀取電壓大于前一次讀操作的讀取電壓。

本發(fā)明實施例還提供了一種用于非易失性存儲器的讀操作裝置，所述非易失性存儲器，包括：存儲單元管陣列、頁緩存電路、電壓生成電路和控制電路；每列存儲單元管通過一條位線連接所述頁緩存電路，每行存儲單元管的柵極通過一條字線連接所述電壓生成電路，所述控制電路用于控制所述頁緩存電路和所述電壓生成電路；所述裝置，包括：第一電壓控制單元、第一感測控制單元、第二電壓控制單元和第二感測控制單元；

所述第一電壓控制單元，用于控制所述電壓生成電路在選中的字線上施加第一電壓，并在未被選中的字線上施加讀通電壓；

所述第一感測控制單元，用于逐一發(fā)送m個第一控制信號至所述頁緩存電路，以控制所述頁緩存電路通過第一位線集合中的全部位線感測所述選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，m為正整數(shù)，所述m個第一控制信號攜帶有第二位線集合中的全部位線的位線標識，每個第一控制信號所攜帶的位線標識不同，所述第一位線集合包括本次發(fā)送的第一控制信號中攜帶的全部位線標識所指示的位線，所述第二位線集合包括所述非易失性存儲器中任意一個位線或多個位線；

所述第二電壓控制單元，用于控制所述電壓生成電路在所述選中的字線上施加第二電壓，并在所述未被選中的字線上施加所述讀通電壓，所述第二電壓大于所述第一讀取電壓；

所述第二感測控制單元，用于控制所述頁緩存電路通過第三位線集合感測第一存儲單元管集合中全部存儲單元管的狀態(tài)，所述第三位線集合包括所述第一存儲單元管集合中全部存儲單元管所連接的位線，所述第一存儲集合單元管集合包括在上次感測時感測到的狀態(tài)為關態(tài)的全部存儲單元管。

優(yōu)選地，還包括：第三電壓控制單元、第三感測控制單元、第四電壓控制單元和第四感測控制單元；

所述第三電壓控制單元，用于控制所述電壓生成電路在所述選中的字線上施加所述第一電壓，并在所述未被選中的字線上施加所述讀通電壓；

所述第三感測控制單元，用于逐一發(fā)送p個第二控制信號至所述頁緩存電路，以控制所述頁緩存電路通過第四位線集合中的全部位線感測所述選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，所述p個第二控制信號攜帶有第五位線集合中的全部位線的位線標識，每個第二控制信號所攜帶的位線標識不同，所述第四位線集合包括本次發(fā)送的第二控制信號中攜帶的全部位線標識所指示的位線，所述第五位線集合包括第六位線集合中任意一個位線或多個位線，所述第六位線集合包括所述非易失性存儲器中除去所述第二位線集合中全部位線外剩余的全部位線；

所述第四電壓控制單元，用于控制所述電壓生成電路在所述選中的字線上施加第二電壓，并在所述未被選中的字線上施加所述讀通電壓，所述第二電壓大于所述第一讀取電壓；

所述第四感測控制單元，用于控制所述頁緩存電路通過第七位線集合感測第二存儲單元管集合中全部存儲單元管的狀態(tài)，所述第七位線集合包括所述第二存儲單元管集合中全部存儲單元管所連接的位線，所述第二存儲集合單元管集合包括在上次感測時感測到的狀態(tài)為關態(tài)的全部存儲單元管。

優(yōu)選地，還包括：配置獲取單元和循環(huán)控制單元；

所述配置獲取單元，用于獲取讀操作配置，所述讀操作配置包括第一讀操作次數(shù)、第二讀操作次數(shù)和每次讀操作的讀取電壓；

所述循環(huán)控制單元，用于重復i次第一流程，所述第一流程包括先激活所述第一電壓控制單元后再激活所述第一感測控制單元，每次激活所述第一電壓控制單元時的所述第一電壓等于獲取到的本次讀操作的讀取電壓；

所述循環(huán)控制單元，還用于在重復i次所述第一流程后，再重復j次第二流程，所述第二流程包括先激活所述第二電壓控制單元后再激活所述第二感測控制單元，每次激活所述第二電壓控制單元時的所述第二電壓等于獲取到的本次讀操作的讀取電壓；

其中，i為所述第一讀操作次數(shù)，j為所述第二讀操作次數(shù)，i為大于或等于0的整數(shù)，j為大于或等于0的整數(shù)，且i+j≠0，后一次讀操作的讀取電壓大于前一次讀操作的讀取電壓。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明至少具有以下優(yōu)點：

本發(fā)明實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法，先控制電壓生成電路在選中的字線上施加較小的第一讀取電壓，在未被選中的字線上施加讀通電壓后，分次控制頁緩存電路通過部分位線感測選中的字線上連接的存儲單元的狀態(tài)，以讀取這些存儲單元管存儲的數(shù)據(jù)。之后，再控制電壓生成電路在選中的字線上施加較大的第二讀取電壓，在未被選中的字線上施加讀通電壓后，控制頁緩存電路通過位線感測之前感測出狀態(tài)為關態(tài)的存儲單元的狀態(tài)，以讀取這些存儲單元管存儲的數(shù)據(jù)。本發(fā)明實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法，通過先分次將導通電流大的存儲單元管讀出，在讀取剩余的存儲單元管，減小了感測時共源線上的電流，從而降低了共源線上的噪聲對讀操作的干擾，提高讀操作的精度和準確性。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請中記載的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。

圖1為一種非易失性存儲器的結構示意圖；

圖2為本發(fā)明提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法實施例一的流程示意圖；

圖3為本發(fā)明提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法實施例二的流程示意圖；

圖4(a)為多比特存儲單元管存儲狀態(tài)的示意圖；

圖4(b)為單比特存儲單元管存儲狀態(tài)的示意圖；

圖5(a)為本發(fā)明實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法在讀取多比特存儲單元管的最低有效位時每次施加在選中的字線上電壓的示意圖；

圖5(b)為本發(fā)明實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法在讀取多比特存儲單元管的最高有效位時每次施加在選中的字線上電壓的示意圖；

圖6為本發(fā)明提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法實施例三的流程示意圖；

圖7為本發(fā)明提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法實施例四的流程示意圖；

圖8為本發(fā)明提供的用于非易失性存儲器的讀操作裝置實施例一的結構示意圖；

圖9為本發(fā)明提供的用于非易失性存儲器的讀操作裝置實施例二的結構示意圖；

圖10為本發(fā)明提供的用于非易失性存儲器的讀操作裝置實施例三的結構示意圖；

圖11為本發(fā)明提供的用于非易失性存儲器的讀操作裝置實施例四的結構示意圖。

具體實施方式

為了使本技術領域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

為了便于理解本發(fā)明實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法及裝置，首先介紹一種非易失性存儲器。

參見圖1，該圖為一種非易失性存儲器的結構示意圖。

所述非易失性存儲器，包括：存儲單元管陣列10、頁緩存電路30、電壓生成電路(未在圖中示出)和控制電路20；

存儲單元管陣列10中的每列存儲單元管通過一條位線BL連接所述頁緩存電路30；存儲單元管陣列10中的每行存儲單元管的柵極通過一條字線WL連接所述電壓生成電路；所述控制電路20用于控制所述頁緩存電路30和所述電壓生成電路。

讀操作時，控制電路20通過控制電壓生成電路在選中的字線WL上施加讀取電壓、在剩余的字線WL上施加讀通過電壓后，控制頁緩存電路30根據(jù)不同的讀操作方法感應相應位線BL上連接的存儲單元管存儲的數(shù)據(jù)。

而本發(fā)明實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法及裝置，適用于圖1所示的非易失性存儲器，另外同樣適用于其他變形的、與圖1類似的非易失性存儲器。

方法實施例一：

參見圖2，該圖為本發(fā)明提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法實施例一的流程示意圖。

本實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法，包括：

S201：控制所述電壓生成電路在選中的字線上施加第一讀取電壓，并在未被選中的字線上施加讀通電壓；

S202：逐一發(fā)送n個控制信號至所述頁緩存電路，以控制所述頁緩存電路通過第一位線集合中的全部位線感測所述選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，n為正整數(shù)，所述n個控制信號攜帶有所述非易失性存儲器中全部位線的位線標識，每個控制信號所攜帶的位線標識不同，所述第一位線集合包括本次發(fā)送的控制信號中攜帶的全部位線標識所指示的位線；

非易失性存儲器的每條位線均有唯一的位線標識進行區(qū)分。由圖1中可看出，實際操作時一般使用序號作為位線標識。本領域技術人員可根據(jù)實際情況，具體設定控制信號的數(shù)量n以及每個控制信號中攜帶的位線標識。

這里需要說明的是，步驟S201-S202中所述的讀操作方法可稱為部分型讀操作。具體的，在部分型讀操作中，先控制電壓生成電路在選定的字線上施加第一讀取電壓，在未選中的字線上施加讀通電壓后，再控制頁緩存電路通過在位線上加壓來感測所述選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)來進行一次讀操作。

在本次讀操作中，頁緩存電路分次感測選中的字線上連接的全部存儲單元管的狀態(tài)，每次選取部分位線來感測選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)。例如，先控制頁緩存電路經序號為奇數(shù)的位線感測字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，將序號為偶數(shù)的位線接地；再控制頁緩存電路經序號為偶數(shù)的位線感測字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，將序號為奇數(shù)的位線接地(此時，n＝2)?；蛘?，每次經四分之一數(shù)量的位線感測選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，將其余位線接地(此時，n＝4)。本領域技術人員可根據(jù)實際情況，具體選擇每次感測時所經的位線。

還需要說明的是，在執(zhí)行部分型讀操作時，頁緩存電路可采用電壓感應的方式或電流感應的方式來感測存儲單元的狀態(tài)。由于在電壓感應中，先在選中的字線上施加較低的讀取電壓，每次感測時只需在部分位線上施加電壓，以感測存儲單元管存儲的數(shù)據(jù)。并且，在感測時，頁緩存電路在相應的位線上施加電壓通過感應位線上電壓變化來感測存儲單元管的狀態(tài)。當存儲單元管導通，其導通電流會隨著位線上電壓的降低而減小，共源線的噪聲干擾有限。但存儲單元管在導通狀態(tài)下電流為納安培，而位線電容比較大，所以電壓感應方式所需時間長。而如果采用電流感應方法，需預充位線電壓并保持電壓不變，存儲單元管只對在位線上的一特定感應電容進行放電，而此感應電容的容值遠小于位線本身的電容，所以感應時間短。并且，因為此時需感應的存儲單元管的數(shù)量已經減少，電流感應造成的共源線噪聲也相應的減小。本領域技術人員可根據(jù)實際情況選擇頁緩存電路的感測方式。

當感測到的狀態(tài)為開態(tài)時，頁緩存電路根據(jù)感測到的存儲單元管的狀態(tài)寄存該存儲單元管的數(shù)據(jù)，對該存儲單元管的讀取結束。當感測到的狀態(tài)為關態(tài)時，說明該存儲單元管存儲的數(shù)據(jù)未知，需進行下一步讀操作以將該存儲單元管中存儲的數(shù)據(jù)讀出。

可以理解的是，在進行下一步讀操作時，需在選中的字線上施加電壓值大于第一讀取電壓的第二讀取電壓，以讀取上次感測時感測到的狀態(tài)為關態(tài)的存儲單元管中存儲的數(shù)據(jù)。

S203：控制所述電壓生成電路在所述選中的字線上施加第二讀取電壓，并在所述未被選中的字線上施加所述讀通電壓，所述第二讀取電壓大于所述第一讀取電壓；

需要說明的是，第一讀取電壓和第二讀取電壓均需小于驗證電壓。驗證電壓用于區(qū)分不同的存儲狀態(tài)。非易失性存儲器編程時，當存儲單元管的閾值電壓大于驗證電壓，存儲單元管的存儲狀態(tài)就為一個新的狀態(tài)。因此，第一讀取電壓和第二讀取電壓需小于該存儲狀態(tài)的編程驗證電壓，否則會導致讀操作的結果錯誤。

S204：控制所述頁緩存電路通過第二位線集合感測存儲單元管集合中全部存儲單元管的狀態(tài)，所述第二位線集合包括所述存儲單元管集合中全部存儲單元管所連接的位線，所述存儲集合單元管集合包括在上次感測時感測到的狀態(tài)為關態(tài)的全部存儲單元管。

這里需要說明的是，步驟S203-S204中所述的讀操作方法可稱為全部型讀操作。由于電壓型感應的方式會在相鄰的位線上產生耦合。因此在執(zhí)行全部型讀操作時，頁緩存電路只可采用電流型感應的方式。

由于步驟S201-S202中，先將部分導通電流大的存儲單元管讀出。步驟S203-S204中，只需讀取其余存儲單元管的狀態(tài)。此時，相對于直接采用較大的讀電壓進行讀操作來說，減小了共源線上的噪聲干擾。并且，感測時可在一定范圍內增大位線上的電壓，從而提高讀操作的準確率和效率。

本實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法，先控制電壓生成電路在選中的字線上施加較小的第一讀取電壓，在未被選中的字線上施加讀通電壓后，分次控制頁緩存電路通過部分位線感測選中的字線上連接的存儲單元的狀態(tài)，以讀取這些存儲單元管存儲的數(shù)據(jù)。之后，再控制電壓生成電路在選中的字線上施加較大的第二讀取電壓，在未被選中的字線上施加讀通電壓后，控制頁緩存電路通過位線感測之前感測出狀態(tài)為關態(tài)的存儲單元的狀態(tài)，以讀取這些存儲單元管存儲的數(shù)據(jù)。本實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法，通過先分次將導通電流大的存儲單元管讀出，在讀取剩余的存儲單元管，減小了感測時共源線上的電流，從而降低了共源線上的噪聲對讀操作的干擾，提高讀操作的精度和準確性。

方法實施例二：

參見圖3，該圖為本發(fā)明提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法實施例二的流程示意圖。相較于圖2，本實施例提供了一種更加具體的用于非易失性存儲器的讀操作方法。

本實施例中的步驟S3021-S3022、S3031-S3032分別與方法實施例一的步驟S201-S204相同，在此不再贅述。

本實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法，包括：

S301：獲取讀操作配置，所述讀操作配置包括第一讀操作次數(shù)、第二讀操作次數(shù)和每一次讀操作的讀取電壓；

可以理解的是，在獲取到讀操作配置之后，當接收到外部讀指令時，讀操作將按照之前獲取到的讀操作配置進行。

而在實際操作時，為保證讀操作過程的正常進行、提高讀操作的效率，可預先設置讀操作配置的默認值。此時，為了減低噪聲對讀操作的影響、減少控制步驟，可將第一讀操作次數(shù)i的默認值設置為1，第二讀操作次數(shù)j的默認值設置為1。此時，若未獲取到外部發(fā)送的讀操作配置時，即按照預設的讀操作配置默認值執(zhí)行讀操作。

S302：重復執(zhí)行i次步驟S3021到S3022，每次執(zhí)行步驟S3021時的所述第一讀取電壓等于獲取到的本次讀操作的讀取電壓；

S303：再重復執(zhí)行j次步驟S3031到S3032，每次執(zhí)行步驟S3031時的所述第二讀取電壓等于獲取到的本次讀操作的讀取電壓；

其中，i為所述第一讀操作次數(shù)，j為所述第二讀操作次數(shù)，i為大于或等于0的整數(shù)，j為大于或等于0的整數(shù)，且i+j≠0，后一次讀操作的讀取電壓大于前一次讀操作的讀取電壓。

這里需要說明的是，由于當只執(zhí)行步驟S3021到S3022中所述的讀操作方法(部分型讀操作)時，分次經部分位線感測存儲單元管的狀態(tài)，感測所需的時間會隨著次數(shù)的增加而增長。因此，第一讀操作次數(shù)不宜過大，執(zhí)行1次部分型讀操作方法就可以達到降低共源線噪聲的效果。而之后執(zhí)行1至2次步驟S3031到S3032中所述的讀操作方法(全部型讀操作)基本就能夠將非易失性存儲器中存儲的全部數(shù)據(jù)讀出。

可以理解的是，本領域技術人員可根據(jù)實際需要，設定第一讀操作次數(shù)、第二讀操作次數(shù)以及每次讀操作的電壓。這里將以第一操作次數(shù)i＝1、第二讀操作次數(shù)j＝2為例，詳細說明本實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法。

當獲取到的讀操作配置中，第一讀操作次數(shù)i＝1，第二讀操作次數(shù)j＝2，三次讀操作的讀取電壓為V1、V2和V3(V1<V2<V3)。首先，執(zhí)行第一次讀操作。先控制電壓生成電路在選中的字線上施加V1，在未選中的字線上施加讀通電壓，再執(zhí)行步驟S3022。當步驟S3022中的n＝2時，先控制頁緩存電路經序號為奇數(shù)的位線感測字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，將序號為偶數(shù)的位線接地；再控制頁緩存電路經序號為偶數(shù)的位線感測字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，將序號為奇數(shù)的位線接地。其次，執(zhí)行第二次讀操作。先控制電壓生成電路提高施加在選中的字線上的電壓(變?yōu)閂2)，再控制頁緩存電路經相應的位線感測第一次讀操作時感測出的狀態(tài)為關態(tài)的存儲單元管的狀態(tài)。最后，執(zhí)行第三次讀操作。先控制電壓生成電路提高施加在選中的字線上的電壓(變?yōu)閂3)，再控制頁緩存電路經相應的位線感測第二次讀操作時感測出的狀態(tài)為關態(tài)的存儲單元管的狀態(tài)。

下面將結合非易失性存儲器中存儲單元管的實際存儲狀態(tài)，舉例介紹本實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法。

還需要說明的是，以下均以n＝2的情況介紹部分型讀操作的具體流程，本領域技術人員還可根據(jù)實際情況具體設定n值。

首先，以每個存儲單元管存儲2比特數(shù)據(jù)的多比特存儲單元管為例，詳細說明本實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法。

參見圖4(a)，該圖為多比特存儲單元管存儲狀態(tài)的示意圖。

在進行最低有效位(LSB)讀操作時，第一操作次數(shù)i＝1、第二讀操作次數(shù)j＝2。先執(zhí)行一次部分型讀操作，再執(zhí)行兩次全部型讀操作。其中，每次讀操作的讀取電壓，如圖5(a)所示。部分型讀操作的讀取電壓Vrd2_1小于第一次全部型讀操作的讀取電壓Vrd2_2小于第二次全部型讀操作的讀取電壓Vrd2_3。每次讀操作的讀取電壓均小于驗證電壓Vvry2。

第一次讀操作，先控制電壓生成電路在選中的字線上施加Vrd2_1，在未選中的字線上施加讀通電壓。再控制頁緩存電路經序號為奇數(shù)的位線感測字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，將序號為偶數(shù)的位線接地；再控制頁緩存電路經序號為偶數(shù)的位線感測字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，將序號為奇數(shù)的位線接地。

第二次讀操作，先控制電壓生成電路在選中的字線上施加Vrd2_2，在未選中的字線上施加讀通電壓。再控制頁緩存電路經相應的位線，感測上一次讀操作感測出的狀態(tài)為關態(tài)的存儲單元管的狀態(tài)。

第三次讀操作，先控制電壓生成電路在選中的字線上施加Vrd2_3，在未選中的字線上施加讀通電壓。再控制頁緩存電路經相應的位線，感測第二次讀操作時感測出的狀態(tài)為關態(tài)的存儲單元管的狀態(tài)。

每次讀操作均將導通電流大的存儲單元管讀出，在下一次讀操作時就不需要再對這些存儲單元管進行操作，進而減小了共源線上的噪聲干擾。

在進行最高有效位(MSB)讀操作時，需要進行兩組不同電壓的讀操作。每一組讀操作都包括一次部分型讀操作，兩次全部型讀操作，共進行6次讀操作。如圖5(b)所示，第一組讀操作中，部分型讀操作的讀電壓Vrd1_1小于第一次全部型讀操作的讀電壓Vrd1_2小于第二次全部型讀操作的讀電壓Vrd1_3；第二組讀操作中，部分型讀操作的讀電壓Vrd3_1小于第一次全部型讀操作的讀電壓Vrd3_2小于第二次全部型讀操作的讀電壓Vrd3_3。每組讀操作的具體過程與LSB讀操作的具體過程類似，只是施加在字線上的讀取電壓不同，在此不再贅述。

其次，以每個存儲單元管存儲1比特數(shù)據(jù)的單比特存儲單元管為例，詳細說明本實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法。

參見圖4(b)，該圖為單比特存儲單元管存儲狀態(tài)的示意圖。

可以理解的是，單比特存儲單元管的存儲狀態(tài)與多比特存儲單元管LSB的存儲狀態(tài)類似。因此，其讀操作與多比特存儲單元管LSB的讀操作過程類似，只是施加在選中的字線上的讀取電壓不同，在此不再贅述。

基于上述實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法，本發(fā)明實施例還提供了另一種用于非易失性存儲器的讀操作方法，下面結合附圖進行詳細說明。

方法實施例三：

參見圖6，該圖為本發(fā)明提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法實施例三的流程示意圖。

本實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法，包括：

S601：控制所述電壓生成電路在選中的字線上施加第一電壓，并在未被選中的字線上施加讀通電壓；

S602：逐一發(fā)送m個第一控制信號至所述頁緩存電路，以控制所述頁緩存電路通過第一位線集合中的全部位線感測所述選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，m為正整數(shù)，所述m個第一控制信號攜帶有第二位線集合中的全部位線的位線標識，每個第一控制信號所攜帶的位線標識不同，所述第一位線集合包括本次發(fā)送的第一控制信號中攜帶的全部位線標識所指示的位線，所述第二位線集合包括所述非易失性存儲器中任意一條位線或多條位線；

非易失性存儲器的每條位線均有唯一的位線標識進行區(qū)分。由圖1中可看出，實際操作時一般使用序號作為位線標識。

可以理解的是，本領域技術人員可根據(jù)實際情況，具體設定第一控制信號的數(shù)量m以及每個第一控制信號中攜帶的位線標識。

需要說明的是，步驟S601-S602中所述的讀操作方法可稱為部分型讀操作。具體的，在部分型讀操作中，先控制電壓生成電路在選定的字線上施加第一電壓，在未選中的字線上施加讀通電壓后，再控制頁緩存電路再通過在相應的位線上加壓來感測所述選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)來進行第一次讀操作。

在本次讀操作中，頁緩存電路分次經第二位線集合中的全部位線感測選中的字線上連接的全部存儲單元管的狀態(tài)，每次選取第二位線集合中的部分位線來感測選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)。例如，當?shù)诙痪€集合中包括所有序號為奇數(shù)的位線時，先控制頁緩存電路經第二位線集合中1/2數(shù)量的序號為奇數(shù)的位線感測選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，將其余位線接地；再控制頁緩存電路經第二位線集合中另1/2數(shù)量的序號為奇數(shù)的位線感測選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，將其余的位線接地(此時，m＝2)?；蛘?，每次經第二位線集合中1/4數(shù)量的位線感測選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，將其余位線接地(此時，m＝4)。本領域技術人員可根據(jù)實際情況，具體選擇每次感測時所經的位線。

還需要說明的是，在執(zhí)行部分型讀操作時，頁緩存電路可采用電壓感應的方式或電流感應的方式來感測存儲單元的狀態(tài)。在電壓感應中，先在選中的字線上施加較低的讀取電壓，每次感測時只需在部分位線上施加電壓，以感測存儲單元管存儲的數(shù)據(jù)。并且，在感測時，頁緩存電路在相應的位線上施加電壓通過感應位線上電壓變化來感測存儲單元管的狀態(tài)。當存儲單元管導通，其導通電流會隨著位線上電壓的降低而減小，共源線的噪聲干擾有限。但存儲單元管在導通狀態(tài)下電流為納安培，而位線電容比較大，所以電壓感應方式所需時間長。而如果采用電流感應方法，需預充位線電壓并保持電壓不變，存儲單元管只對在位線上的一特定感應電容進行放電，而此感應電容的容值遠小于位線本身的電容，所以感應時間短。并且，因為此時需感應的存儲單元管的數(shù)量已經減少，電流感應造成的共源線噪聲也相應的減小。本領域技術人員可根據(jù)實際情況選擇頁緩存電路的感測方式。

當感測到的狀態(tài)為開態(tài)時，頁緩存電路根據(jù)感測到的存儲單元管的狀態(tài)寄存該存儲單元管的數(shù)據(jù)，對該存儲單元管的讀取結束。當感測到的狀態(tài)為關態(tài)時，說明該存儲單元管存儲的數(shù)據(jù)未知，需進行下一步讀操作以將該存儲單元管中存儲的數(shù)據(jù)讀出?？梢岳斫獾氖?，在進行下一步讀操作時，需在選中的字線上施加電壓值大于第一電壓的第二電壓，以讀取上次感測時感測到的狀態(tài)為關態(tài)的存儲單元管中存儲的數(shù)據(jù)。

S603：控制所述電壓生成電路在所述選中的字線上施加第二電壓，并在所述未被選中的字線上施加所述讀通電壓，所述第二電壓大于所述第一讀取電壓；

這里需要說明的是，第一電壓和第二電壓均需小于驗證電壓。驗證電壓用于區(qū)分不同的存儲狀態(tài)。非易失性存儲器編程時，當存儲單元管的閾值電壓大于驗證電壓，存儲單元管的存儲狀態(tài)就為一個新的狀態(tài)。因此，第一電壓和第二電壓需小于該存儲狀態(tài)的編程驗證電壓，否則會導致讀操作的結果錯誤。

S604：控制所述頁緩存電路通過第三位線集合感測第一存儲單元管集合中全部存儲單元管的狀態(tài)，所述第三位線集合包括所述第一存儲單元管集合中全部存儲單元管所連接的位線，所述第一存儲集合單元管集合包括在上次感測時感測到的狀態(tài)為關態(tài)的全部存儲單元管。

需要說明的是，步驟S603-S604中所述的讀操作方法可稱為全部型讀操作。由于電壓型感應的方式會在相鄰的位線上產生耦合。因此在執(zhí)行全部型讀操作時，頁緩存電路只可采用電流型感應的方式。

由于步驟S601-S602中，先將部分導通電流大的存儲單元管讀出。步驟S203-S204中，只需讀取其余存儲單元管的狀態(tài)。此時，相對于直接采用較大的讀電壓進行讀操作來說，減小了共源線上的噪聲干擾。并且，感測時可在一定范圍內增大位線上的電壓，從而提高讀操作的準確率和效率。

此外，在本實施例的另一種更優(yōu)的實現(xiàn)方式中，本實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法，還包括：

S605：控制所述電壓生成電路在所述選中的字線上施加所述第一電壓，并在所述未被選中的字線上施加所述讀通電壓；

S606：逐一發(fā)送p個第二控制信號至所述頁緩存電路，以控制所述頁緩存電路通過第四位線集合中的全部位線感測所述選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，所述p個第二控制信號攜帶有第五位線集合中的全部位線的位線標識，每個第二控制信號所攜帶的位線標識不同，所述第四位線集合包括本次發(fā)送的第二控制信號中攜帶的全部位線標識所指示的位線，所述第五位線集合包括第六位線集合中任意一條位線或多條位線，所述第六位線集合包括所述非易失性存儲器中除去所述第二位線集合中全部位線外剩余的全部位線；

可以理解的是，本領域技術人員可根據(jù)實際情況，具體設定第二控制信號的數(shù)量p以及每個第二控制信號中攜帶的位線標識。

S607：控制所述電壓生成電路在所述選中的字線上施加第二電壓，并在所述未被選中的字線上施加所述讀通電壓，所述第二電壓大于所述第一讀取電壓；

S608：控制所述頁緩存電路通過第七位線集合感測第二存儲單元管集合中全部存儲單元管的狀態(tài)，所述第七位線集合包括所述第二存儲單元管集合中全部存儲單元管所連接的位線，所述第二存儲集合單元管集合包括在上次感測時感測到的狀態(tài)為關態(tài)的全部存儲單元管。

綜上所述，本實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法，先將非易失性存儲器的全部位線分為多組，分次經每組位線感測選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，每組位線的讀操作方法相似。例如，可將全部位線分成奇數(shù)位線和偶數(shù)位線。先經奇數(shù)位線感測選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，再經偶數(shù)位線感測選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)。

還需要說明的是，本領域技術人員還可根據(jù)實際情況，具體設定每組位線的數(shù)量。

下面以經奇數(shù)位線感測選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)為例，介紹本實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法的具體流程。

還需要說明的是，以下均以m＝2、p＝2的情況介紹部分型讀操作的具體流程，本領域技術人員還可根據(jù)實際情況設定m和p的具體數(shù)值。

首先，執(zhí)行部分型讀操作?？刂齐妷荷呻娐吩谶x中的位線上施加第一電壓，在未選中的字線上施加讀通電壓。控制頁緩存電路通過1/2數(shù)量的奇數(shù)位線感測選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)后，再控制頁緩存電路通過另1/2數(shù)量的奇數(shù)位線感測選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)。其次，執(zhí)行全部型讀操作?？刂齐妷荷呻娐吩谶x中的位線上施加第二電壓，在未選中的字線上施加讀通電壓?？刂祈摼彺骐娐方浵鄳奈痪€感測上次感測出的狀態(tài)為關態(tài)的存儲單元管的狀態(tài)。

可以理解的是，經偶數(shù)位線感測選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)的方法類似，在此不再贅述。

本實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法，將非易失性存儲器中的全部位線分為多組，每輪讀操作至經一組位線感應選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，以獲取非易失性存儲器中存儲的數(shù)據(jù)。每輪讀操作中，先控制電壓生成電路在選中的字線上施加較小的第一電壓，在未被選中的字線上施加讀通電壓后，分次控制頁緩存電路通過該組位線部分位線感測選中的字線上連接的存儲單元的狀態(tài)。之后，再控制電壓生成電路在選中的字線上施加較大的第二電壓，在未被選中的字線上施加讀通電壓后，控制頁緩存電路通過位線感測之前感測出狀態(tài)為關態(tài)的存儲單元的狀態(tài)。本實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法，每輪讀操作只經部分位線感測選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，通過先分次將導通電流大的存儲單元管讀出，在讀取剩余的存儲單元管，減小了感測時共源線上的電流，從而降低了共源線上的噪聲對讀操作的干擾，提高讀操作的精度和準確性。

方法實施例四：

參見圖7，該圖為本發(fā)明提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法實施例四的流程示意圖。相較于圖6，本實施例提供了一種更加具體的用于非易失性存儲器的讀操作方法。

本實施例中步驟S7021-S7022、S7031-S7032分別與方法實施例三中的步驟S601-S604相同，在此不再贅述。

本實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法，還包括：

S701：獲取讀操作配置，所述讀操作配置包括第一讀操作次數(shù)、第二讀操作次數(shù)和每一次讀操作的讀取電壓；

可以理解的是，在獲取到讀操作配置之后，當接收到外部讀指令時，讀操作將按照之前獲取到的讀操作配置進行。

而在實際操作時，為保證讀操作過程的正常進行、提高讀操作的效率，可預先設置讀操作配置的默認值。此時，為了減低噪聲對讀操作的影響、減少控制步驟，可將第一讀操作次數(shù)i的默認值設置為1，第二讀操作次數(shù)j的默認值設置為1。此時，若未獲取到外部發(fā)送的讀操作配置時，即按照預設的讀操作配置默認值執(zhí)行讀操作。

S702：重復執(zhí)行i次步驟S7021到S7022，每次執(zhí)行步驟S7021時的所述第一電壓等于獲取到的本次讀操作的讀取電壓；

S703：再重復執(zhí)行j次步驟S7031到步驟S7032，每次執(zhí)行步驟S7031時的所述第二電壓等于獲取到的本次讀操作的讀取電壓；

其中，i為所述第一讀操作次數(shù)，j為所述第二讀操作次數(shù)，i為大于或等于0的整數(shù)，j為大于或等于0的整數(shù)，且i+j≠0，后一次讀操作的讀取電壓大于前一次讀操作的讀取電壓。

這里需要說明的是，由于當只執(zhí)行步驟S7021到S7022中所述的讀操作方法(部分型讀操作)時，分次經部分位線感測存儲單元管的狀態(tài)，感測所需的時間會隨著次數(shù)的增加而增長，因此第一讀操作次數(shù)不宜過大，執(zhí)行1次部分型讀操作方法就可以達到降低共源線噪聲的效果。而之后執(zhí)行1至2次步驟S7031到S7032中所述的讀操作方法(全部型讀操作)基本就能夠將非易失性存儲器中存儲的全部數(shù)據(jù)讀出。

可以理解的是，本領域技術人員可根據(jù)實際需要，設定第一讀操作次數(shù)、第二讀操作次數(shù)以及每次讀操作的電壓。這里將以第一操作次數(shù)i＝1，第二讀操作次數(shù)j＝2為例，詳細說明本實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法。并先將非易失性存儲器的全部位線分為序號為奇數(shù)的位線和序號為偶數(shù)的位線。

當獲取到的讀操作配置中，第一讀操作次數(shù)i＝1，第二讀操作次數(shù)j＝2，三次讀操作的電壓為V1、V2和V3(V1<V2<V3)。

先經序號為奇數(shù)的位線感測字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)。首先，執(zhí)行第一次讀操作。先控制電壓生成電路在選中的字線上施加V1，在未選中的字線上施加讀通電壓，再執(zhí)行步驟S7022。當步驟S7022中的m＝2時，先控制頁緩存電路經1//2數(shù)量的奇數(shù)位線感測字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，將其余位線接地；再控制頁緩存電路經另1//2數(shù)量的奇數(shù)位線感測字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，將其余位線接地。其次，執(zhí)行第二次讀操作。先控制電壓生成電路提高施加在選中的字線上的電壓(變?yōu)閂2)，再控制頁緩存電路經相應的位線感測第一次讀操作時感測出的狀態(tài)為關態(tài)的存儲單元管的狀態(tài)。最后，執(zhí)行第三次讀操作。先控制電壓生成電路提高施加在選中的字線上的電壓(變?yōu)閂3)，再控制頁緩存電路經相應的位線感測第二次讀操作時感測出的狀態(tài)為關態(tài)的存儲單元管的狀態(tài)。

再經序號為偶數(shù)的位線感測字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，具體流程與上述步驟類似，在此不再贅述。

基于上述實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法，本發(fā)明實施例還提供了一種用于非易失性存儲器的讀操作裝置。

裝置實施例一：

參見圖8，該圖為本發(fā)明提供的用于非易失性存儲器的讀操作裝置實施例一的結構示意圖。

本實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作裝置，包括：第一電壓控制單元101、第一感測控制單元201、第二電壓控制單元102和第二感測控制單元202；

所述第一電壓控制單元101，用于控制所述電壓生成電路在選中的字線上施加第一讀取電壓，并在未被選中的字線上施加讀通電壓；

所述第一感測控制單元201，用于逐一發(fā)送n個控制信號至所述頁緩存電路，以控制所述頁緩存電路通過第一位線集合中的全部位線感測所述選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，n為正整數(shù)，所述n個控制信號攜帶有所述非易失性存儲器中全部位線的位線標識，每個控制信號所攜帶的位線標識不同，所述第一位線集合包括本次發(fā)送的控制信號中攜帶的全部位線標識所指示的位線；

所述第二電壓控制單元102，用于控制所述電壓生成電路在所述選中的字線上施加第二讀取電壓，并在所述未被選中的字線上施加所述讀通電壓，所述第二讀取電壓大于所述第一讀取電壓；

所述第二感測控制單元202，用于控制所述頁緩存電路通過第二位線集合感測存儲單元管集合中全部存儲單元管的狀態(tài)，所述第二位線集合包括所述存儲單元管集合中全部存儲單元管所連接的位線，所述存儲集合單元管集合包括在上次感測時感測到的狀態(tài)為關態(tài)的全部存儲單元管。

本實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作裝置，第一電壓控制單元控制電壓生成電路在選中的字線上施加較小的第一讀取電壓，在未被選中的字線上施加讀通電壓后，第一感測控制單元分次控制頁緩存電路通過部分位線感測選中的字線上連接的存儲單元的狀態(tài)，以讀取這些存儲單元管存儲的數(shù)據(jù)。之后，第二電壓控制單元控制電壓生成電路在選中的字線上施加較大的第二讀取電壓，在未被選中的字線上施加讀通電壓后，第二感測控制單元控制頁緩存電路通過位線感測之前感測出狀態(tài)為關態(tài)的存儲單元的狀態(tài)，以讀取這些存儲單元管存儲的數(shù)據(jù)。本實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作裝置，通過先分次將導通電流大的存儲單元管讀出，在讀取剩余的存儲單元管，減小了感測時共源線上的電流，從而降低了共源線上的噪聲對讀操作的干擾，提高讀操作的精度和準確性。

裝置實施例二：

參見圖9，該圖為本發(fā)明提供的用于非易失性存儲器的讀操作裝置實施例二的結構示意圖。相較于圖8，本實施例提供了一種更加具體的用于非易失性存儲器的讀操作裝置。

本實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作裝置，還包括：配置獲取單元300和循環(huán)控制單元400；

所述配置獲取單元300，用于獲取讀操作配置，所述讀操作配置包括第一讀操作次數(shù)、第二讀操作次數(shù)和每次讀操作的讀取電壓；

所述循環(huán)控制單元400，用于重復i次第一流程，所述第一流程包括先激活所述第一電壓控制單元101后再激活所述第一感測控制單元201，每次激活所述第一電壓控制單元101時的所述第一讀取電壓等于獲取到的本次讀操作的讀取電壓；

所述循環(huán)控制單元400，還用于在重復i次所述第一流程后，重復j次第二流程，所述第二流程包括先激活所述第二電壓控制單元102后再激活所述第二感測控制單元202，每次激活所述第二電壓控制單元102時的所述第二讀取電壓等于獲取到的本次讀操作的讀取電壓；

其中，i為所述第一讀操作次數(shù)，j為所述第二讀操作次數(shù)，i為大于或等于0的整數(shù)，j為大于或等于0的整數(shù)，且i+j≠0，后一次讀操作的讀取電壓大于前一次讀操作的讀取電壓。

基于上述實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作裝置，本發(fā)明實施例還提供了另一種用于非易失性存儲器的讀操作裝置。

裝置實施例三：

參見圖10，該圖為本發(fā)明提供的用于非易失性存儲器的讀操作裝置實施例三的結構示意圖。

本實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作裝置，包括：第一電壓控制單元101、第一感測控制單元201、第二電壓控制單元102和第二感測控制單元202；

所述第一電壓控制單元101，用于控制所述電壓生成電路在選中的字線上施加第一電壓，并在未被選中的字線上施加讀通電壓；

所述第一感測控制單元201，用于逐一發(fā)送m個第一控制信號至所述頁緩存電路，以控制所述頁緩存電路通過第一位線集合中的全部位線感測所述選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，m為正整數(shù)，所述m個第一控制信號攜帶有第二位線集合中的全部位線的位線標識，每個第一控制信號所攜帶的位線標識不同，所述第一位線集合包括本次發(fā)送的第一控制信號中攜帶的全部位線標識所指示的位線，所述第二位線集合包括所述非易失性存儲器中任意一個位線或多個位線；

所述第二電壓控制單元102，用于控制所述電壓生成電路在所述選中的字線上施加第二電壓，并在所述未被選中的字線上施加所述讀通電壓，所述第二電壓大于所述第一讀取電壓；

所述第二感測控制單元202，用于控制所述頁緩存電路通過第三位線集合感測第一存儲單元管集合中全部存儲單元管的狀態(tài)，所述第三位線集合包括所述第一存儲單元管集合中全部存儲單元管所連接的位線，所述第一存儲集合單元管集合包括在上次感測時感測到的狀態(tài)為關態(tài)的全部存儲單元管。

在本實施例的另一種更優(yōu)的實現(xiàn)方式中，本實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作裝置，還包括：第三電壓控制單元103、第三感測控制單元203、第四電壓控制單元104和第四感測控制單元204；

所述第三電壓控制單元103，用于控制所述電壓生成電路在所述選中的字線上施加所述第一電壓，并在所述未被選中的字線上施加所述讀通電壓；

所述第三感測控制單元203，用于逐一發(fā)送p個第二控制信號至所述頁緩存電路，以控制所述頁緩存電路通過第四位線集合中的全部位線感測所述選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，所述p個第二控制信號攜帶有第五位線集合中的全部位線的位線標識，每個第二控制信號所攜帶的位線標識不同，所述第四位線集合包括本次發(fā)送的第二控制信號中攜帶的全部位線標識所指示的位線，所述第五位線集合包括第六位線集合中任意一個位線或多個位線，所述第六位線集合包括所述非易失性存儲器中除去所述第二位線集合中全部位線外剩余的全部位線；

所述第四電壓控制單元104，用于控制所述電壓生成電路在所述選中的字線上施加第二電壓，并在所述未被選中的字線上施加所述讀通電壓，所述第二電壓大于所述第一讀取電壓；

所述第四感測控制單元204，用于控制所述頁緩存電路通過第七位線集合感測第二存儲單元管集合中全部存儲單元管的狀態(tài)，所述第七位線集合包括所述第二存儲單元管集合中全部存儲單元管所連接的位線，所述第二存儲集合單元管集合包括在上次感測時感測到的狀態(tài)為關態(tài)的全部存儲單元管。

本實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作裝置，將非易失性存儲器中的全部位線分為多組，每輪讀操作至經一組位線感應選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，以獲取非易失性存儲器中存儲的數(shù)據(jù)。每輪讀操作中，第一電壓控制單元先控制電壓生成電路在選中的字線上施加較小的第一電壓，在未被選中的字線上施加讀通電壓后，第一感測控制單元分次控制頁緩存電路通過該組位線部分位線感測選中的字線上連接的存儲單元的狀態(tài)。之后，第二電壓控制單元再控制電壓生成電路在選中的字線上施加較大的第二電壓，在未被選中的字線上施加讀通電壓后，第二感測控制單元控制頁緩存電路通過位線感測之前感測出狀態(tài)為關態(tài)的存儲單元的狀態(tài)。本實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作裝置，每輪讀操作只經部分位線感測選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，通過先分次將導通電流大的存儲單元管讀出，在讀取剩余的存儲單元管，減小了感測時共源線上的電流，從而降低了共源線上的噪聲對讀操作的干擾，提高讀操作的精度和準確性。

裝置實施例四：

參見圖11，該圖為本發(fā)明提供的用于非易失性存儲器的讀操作方法實施例四的結構示意圖。相較于圖10，本實施例提供了一種更加具體的用于非易失性存儲器的讀操作裝置。

本實施例提供的用于非易失性存儲器的讀操作裝置，還包括：配置獲取單元300和循環(huán)控制單元400；

所述配置獲取單元300，用于獲取讀操作配置，所述讀操作配置包括第一讀操作次數(shù)、第二讀操作次數(shù)和每次讀操作的讀取電壓；

所述循環(huán)控制單元400，用于重復i次第一流程，所述第一流程包括先激活所述第一電壓控制單元101后再激活所述第一感測控制單元201，每次激活所述第一電壓控制單元101時的所述第一電壓等于獲取到的本次讀操作的讀取電壓；

所述循環(huán)控制單元400，還用于在重復i次所述第一流程后，再重復j次第二流程，所述第二流程包括先激活所述第二電壓控制單元102后再激活所述第二感測控制單元202，每次激活所述第二電壓控制單元102時的所述第二電壓等于獲取到的本次讀操作的讀取電壓；

其中，i為所述第一讀操作次數(shù)，j為所述第二讀操作次數(shù)，i為大于或等于0的整數(shù)，j為大于或等于0的整數(shù)，且i+j≠0，后一次讀操作的讀取電壓大于前一次讀操作的讀取電壓。

需要說明的是，本說明書中各個實施例采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分互相參見即可。對于實施例公開的系統(tǒng)或裝置而言，由于其與實施例公開的方法相對應，所以描述比較簡單，相關之處參見方法部分說明即可。

還需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關系術語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關系或者順序。而且，術語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設備中還存在另外的相同要素。

結合本文中所公開的實施例描述的方法或算法的步驟可以直接用硬件、處理器執(zhí)行的軟件模塊，或者二者的結合來實施。軟件模塊可以置于隨機存儲器(RAM)、內存、只讀存儲器(ROM)、電可編程ROM、電可擦除可編程ROM、寄存器、硬盤、可移動磁盤、CD-ROM、或技術領域內所公知的任意其它形式的存儲介質中。

以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制。雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明。任何熟悉本領域的技術人員，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術內容對本發(fā)明技術方案做出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據(jù)本發(fā)明的技術實質對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案保護的范圍內。