1.一種用于非易失性存儲器的讀操作方法，其特征在于，所述非易失性存儲器，包括：存儲單元管陣列、頁緩存電路、電壓生成電路和控制電路；每列存儲單元管通過一條位線連接所述頁緩存電路，每行存儲單元管的柵極通過一條字線連接所述電壓生成電路，所述控制電路用于控制所述頁緩存電路和所述電壓生成電路；所述方法，包括：
步驟一：控制所述電壓生成電路在選中的字線上施加第一讀取電壓，并在未被選中的字線上施加讀通電壓；
步驟二：逐一發(fā)送n個控制信號至所述頁緩存電路，以控制所述頁緩存電路通過第一位線集合中的全部位線感測所述選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，n為正整數(shù)，所述n個控制信號攜帶有所述非易失性存儲器中全部位線的位線標(biāo)識，每個控制信號所攜帶的位線標(biāo)識不同，所述第一位線集合包括本次發(fā)送的控制信號中攜帶的全部位線標(biāo)識所指示的位線；
步驟三：控制所述電壓生成電路在所述選中的字線上施加第二讀取電壓，并在所述未被選中的字線上施加所述讀通電壓，所述第二讀取電壓大于所述第一讀取電壓；
步驟四：控制所述頁緩存電路通過第二位線集合感測存儲單元管集合中全部存儲單元管的狀態(tài)，所述第二位線集合包括所述存儲單元管集合中全部存儲單元管所連接的位線，所述存儲集合單元管集合包括在上次感測時感測到的狀態(tài)為關(guān)態(tài)的全部存儲單元管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于非易失性存儲器的讀操作方法，其特征在于，所述步驟一，之前還包括：
獲取讀操作配置，所述讀操作配置包括第一讀操作次數(shù)、第二讀操作次數(shù)和每一次讀操作的讀取電壓；
然后，重復(fù)執(zhí)行i次步驟一到步驟二，每次執(zhí)行步驟一時的所述第一讀取電壓等于獲取到的本次讀操作的讀取電壓；
再重復(fù)執(zhí)行j次步驟三到步驟四，每次執(zhí)行步驟三時的所述第二讀取電壓等于獲取到的本次讀操作的讀取電壓；
其中，i為所述第一讀操作次數(shù)，j為所述第二讀操作次數(shù)，i為大于或等于0的整數(shù)，j為大于或等于0的整數(shù)，且i+j≠0，后一次讀操作的讀取電壓大于前一次讀操作的讀取電壓。
3.一種用于非易失性存儲器的讀操作方法，其特征在于，所述非易失性存儲器，包括：存儲單元管陣列、頁緩存電路、電壓生成電路和控制電路；每列存儲單元管通過一條位線連接所述頁緩存電路，每行存儲單元管的柵極通過一條字線連接所述電壓生成電路，所述控制電路用于控制所述頁緩存電路和所述電壓生成電路；所述方法，包括：
步驟A：控制所述電壓生成電路在選中的字線上施加第一電壓，并在未被選中的字線上施加讀通電壓；
步驟B：逐一發(fā)送m個第一控制信號至所述頁緩存電路，以控制所述頁緩存電路通過第一位線集合中的全部位線感測所述選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，m為正整數(shù)，所述m個第一控制信號攜帶有第二位線集合中的全部位線的位線標(biāo)識，每個第一控制信號所攜帶的位線標(biāo)識不同，所述第一位線集合包括本次發(fā)送的第一控制信號中攜帶的全部位線標(biāo)識所指示的位線，所述第二位線集合包括所述非易失性存儲器中任意一條位線或多條位線；
步驟C：控制所述電壓生成電路在所述選中的字線上施加第二電壓，并在所述未被選中的字線上施加所述讀通電壓，所述第二電壓大于所述第一讀取電壓；
步驟D：控制所述頁緩存電路通過第三位線集合感測第一存儲單元管集合中全部存儲單元管的狀態(tài)，所述第三位線集合包括所述第一存儲單元管集合中全部存儲單元管所連接的位線，所述第一存儲集合單元管集合包括在上次感測時感測到的狀態(tài)為關(guān)態(tài)的全部存儲單元管。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于非易失性存儲器的讀操作方法，其特征在于，還包括：
步驟E：控制所述電壓生成電路在所述選中的字線上施加所述第一電壓，并在所述未被選中的字線上施加所述讀通電壓；
步驟F：逐一發(fā)送p個第二控制信號至所述頁緩存電路，以控制所述頁緩存電路通過第四位線集合中的全部位線感測所述選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，所述p個第二控制信號攜帶有第五位線集合中的全部位線的位線標(biāo)識，每個第二控制信號所攜帶的位線標(biāo)識不同，所述第四位線集合包括本次發(fā)送的第二控制信號中攜帶的全部位線標(biāo)識所指示的位線，所述第五位線集合包括第六位線集合中任意一條位線或多條位線，所述第六位線集合包括所述非易失性存儲器中除去所述第二位線集合中全部位線外剩余的全部位線；
步驟G：控制所述電壓生成電路在所述選中的字線上施加第二電壓，并在所述未被選中的字線上施加所述讀通電壓，所述第二電壓大于所述第一讀取電壓；
步驟H：控制所述頁緩存電路通過第七位線集合感測第二存儲單元管集合中全部存儲單元管的狀態(tài)，所述第七位線集合包括所述第二存儲單元管集合中全部存儲單元管所連接的位線，所述第二存儲集合單元管集合包括在上次感測時感測到的狀態(tài)為關(guān)態(tài)的全部存儲單元管。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于非易失性存儲器的讀操作方法，其特征在于，所述步驟A，之前還包括：
獲取讀操作配置，所述讀操作配置包括第一讀操作次數(shù)、第二讀操作次數(shù)和每一次讀操作的讀取電壓；
然后，重復(fù)執(zhí)行i次步驟A到步驟B，每次執(zhí)行步驟A時的所述第一電壓等于獲取到的本次讀操作的讀取電壓；
再重復(fù)執(zhí)行j次步驟C到步驟D，每次執(zhí)行步驟C時的所述第二電壓等于獲取到的本次讀操作的讀取電壓；
其中，i為所述第一讀操作次數(shù)，j為所述第二讀操作次數(shù)，i為大于或等于0的整數(shù)，j為大于或等于0的整數(shù)，且i+j≠0，后一次讀操作的讀取電壓大于前一次讀操作的讀取電壓。
6.一種用于非易失性存儲器的讀操作裝置，其特征在于，所述非易失性存儲器，包括：存儲單元管陣列、頁緩存電路、電壓生成電路和控制電路；每列存儲單元管通過一條位線連接所述頁緩存電路，每行存儲單元管的柵極通過一條字線連接所述電壓生成電路，所述控制電路用于控制所述頁緩存電路和所述電壓生成電路；所述裝置，包括：第一電壓控制單元、第一感測控制單元、第二電壓控制單元和第二感測控制單元；
所述第一電壓控制單元，用于控制所述電壓生成電路在選中的字線上施加第一讀取電壓，并在未被選中的字線上施加讀通電壓；
所述第一感測控制單元，用于逐一發(fā)送n個控制信號至所述頁緩存電路，以控制所述頁緩存電路通過第一位線集合中的全部位線感測所述選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，n為正整數(shù)，所述n個控制信號攜帶有所述非易失性存儲器中全部位線的位線標(biāo)識，每個控制信號所攜帶的位線標(biāo)識不同，所述第一位線集合包括本次發(fā)送的控制信號中攜帶的全部位線標(biāo)識所指示的位線；
所述第二電壓控制單元，用于控制所述電壓生成電路在所述選中的字線上施加第二讀取電壓，并在所述未被選中的字線上施加所述讀通電壓，所述第二讀取電壓大于所述第一讀取電壓；
所述第二感測控制單元，用于控制所述頁緩存電路通過第二位線集合感測存儲單元管集合中全部存儲單元管的狀態(tài)，所述第二位線集合包括所述存儲單元管集合中全部存儲單元管所連接的位線，所述存儲集合單元管集合包括在上次感測時感測到的狀態(tài)為關(guān)態(tài)的全部存儲單元管。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于非易失性存儲器的讀操作裝置，其特征在于，還包括：配置獲取單元和循環(huán)控制單元；
所述配置獲取單元，用于獲取讀操作配置，所述讀操作配置包括第一讀操作次數(shù)、第二讀操作次數(shù)和每次讀操作的讀取電壓；
所述循環(huán)控制單元，用于重復(fù)i次第一流程，所述第一流程包括先激活所述第一電壓控制單元后再激活所述第一感測控制單元，每次激活所述第一電壓控制單元時的所述第一讀取電壓等于獲取到的本次讀操作的讀取電壓；
所述循環(huán)控制單元，還用于在重復(fù)i次所述第一流程后，重復(fù)j次第二流程，所述第二流程包括先激活所述第二電壓控制單元后再激活所述第二感測控制單元，每次激活所述第二電壓控制單元時的所述第二讀取電壓等于獲取到的本次讀操作的讀取電壓；
其中，i為所述第一讀操作次數(shù)，j為所述第二讀操作次數(shù)，i為大于或等于0的整數(shù)，j為大于或等于0的整數(shù)，且i+j≠0，后一次讀操作的讀取電壓大于前一次讀操作的讀取電壓。
8.一種用于非易失性存儲器的讀操作裝置，其特征在于，所述非易失性存儲器，包括：存儲單元管陣列、頁緩存電路、電壓生成電路和控制電路；每列存儲單元管通過一條位線連接所述頁緩存電路，每行存儲單元管的柵極通過一條字線連接所述電壓生成電路，所述控制電路用于控制所述頁緩存電路和所述電壓生成電路；所述裝置，包括：第一電壓控制單元、第一感測控制單元、第二電壓控制單元和第二感測控制單元；
所述第一電壓控制單元，用于控制所述電壓生成電路在選中的字線上施加第一電壓，并在未被選中的字線上施加讀通電壓；
所述第一感測控制單元，用于逐一發(fā)送m個第一控制信號至所述頁緩存電路，以控制所述頁緩存電路通過第一位線集合中的全部位線感測所述選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，m為正整數(shù)，所述m個第一控制信號攜帶有第二位線集合中的全部位線的位線標(biāo)識，每個第一控制信號所攜帶的位線標(biāo)識不同，所述第一位線集合包括本次發(fā)送的第一控制信號中攜帶的全部位線標(biāo)識所指示的位線，所述第二位線集合包括所述非易失性存儲器中任意一個位線或多個位線；
所述第二電壓控制單元，用于控制所述電壓生成電路在所述選中的字線上施加第二電壓，并在所述未被選中的字線上施加所述讀通電壓，所述第二電壓大于所述第一讀取電壓；
所述第二感測控制單元，用于控制所述頁緩存電路通過第三位線集合感測第一存儲單元管集合中全部存儲單元管的狀態(tài)，所述第三位線集合包括所述第一存儲單元管集合中全部存儲單元管所連接的位線，所述第一存儲集合單元管集合包括在上次感測時感測到的狀態(tài)為關(guān)態(tài)的全部存儲單元管。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于非易失性存儲器的讀操作裝置，其特征在于，還包括：第三電壓控制單元、第三感測控制單元、第四電壓控制單元和第四感測控制單元；
所述第三電壓控制單元，用于控制所述電壓生成電路在所述選中的字線上施加所述第一電壓，并在所述未被選中的字線上施加所述讀通電壓；
所述第三感測控制單元，用于逐一發(fā)送p個第二控制信號至所述頁緩存電路，以控制所述頁緩存電路通過第四位線集合中的全部位線感測所述選中的字線上連接的存儲單元管的狀態(tài)，所述p個第二控制信號攜帶有第五位線集合中的全部位線的位線標(biāo)識，每個第二控制信號所攜帶的位線標(biāo)識不同，所述第四位線集合包括本次發(fā)送的第二控制信號中攜帶的全部位線標(biāo)識所指示的位線，所述第五位線集合包括第六位線集合中任意一個位線或多個位線，所述第六位線集合包括所述非易失性存儲器中除去所述第二位線集合中全部位線外剩余的全部位線；
所述第四電壓控制單元，用于控制所述電壓生成電路在所述選中的字線上施加第二電壓，并在所述未被選中的字線上施加所述讀通電壓，所述第二電壓大于所述第一讀取電壓；
所述第四感測控制單元，用于控制所述頁緩存電路通過第七位線集合感測第二存儲單元管集合中全部存儲單元管的狀態(tài)，所述第七位線集合包括所述第二存儲單元管集合中全部存儲單元管所連接的位線，所述第二存儲集合單元管集合包括在上次感測時感測到的狀態(tài)為關(guān)態(tài)的全部存儲單元管。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于非易失性存儲器的讀操作裝置，其特征在于，還包括：配置獲取單元和循環(huán)控制單元；
所述配置獲取單元，用于獲取讀操作配置，所述讀操作配置包括第一讀操作次數(shù)、第二讀操作次數(shù)和每次讀操作的讀取電壓；
所述循環(huán)控制單元，用于重復(fù)i次第一流程，所述第一流程包括先激活所述第一電壓控制單元后再激活所述第一感測控制單元，每次激活所述第一電壓控制單元時的所述第一電壓等于獲取到的本次讀操作的讀取電壓；
所述循環(huán)控制單元，還用于在重復(fù)i次所述第一流程后，再重復(fù)j次第二流程，所述第二流程包括先激活所述第二電壓控制單元后再激活所述第二感測控制單元，每次激活所述第二電壓控制單元時的所述第二電壓等于獲取到的本次讀操作的讀取電壓；
其中，i為所述第一讀操作次數(shù)，j為所述第二讀操作次數(shù)，i為大于或等于0的整數(shù)，j為大于或等于0的整數(shù)，且i+j≠0，后一次讀操作的讀取電壓大于前一次讀操作的讀取電壓。