專利名稱：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器元件以及存儲(chǔ)器元件的操作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種存儲(chǔ)器元件，尤其涉及一種具有切斷單元的存儲(chǔ)器元件。
背景技術(shù)：
公知的存儲(chǔ)元件例如隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)，在激活中會(huì)耗損能量，例如當(dāng)存儲(chǔ)器元件由于寫入動(dòng)作，由一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模式切換至一可操作模式時(shí)，或者當(dāng)耦接電源至存儲(chǔ)器元件用以進(jìn)入一寫入輔助模式。耗損能量的原因在于虛擬電源(e.g.VDDI)以及接地 (e. g. VSSI)的電壓被拉高至一操作電壓，例如穿過存儲(chǔ)器元件的位單元陣列耦接一較大的電位差，使得位單元可操作。當(dāng)單元分別充電或放電至定義于電壓VDD與VSS間的一較高電位時(shí)會(huì)消耗電力。主動(dòng)電力消耗由耦接于VDDI與VSSI節(jié)點(diǎn)之間的整個(gè)電路的等效容值所決定，并且此等效容值于電源供應(yīng)電壓時(shí)進(jìn)行充電。當(dāng)公知的存儲(chǔ)器元件由存儲(chǔ)模式切換至操作模式時(shí)，存儲(chǔ)器元件中全部的位單元陣列將切換至主動(dòng)模式并且在轉(zhuǎn)換為可操作時(shí)消耗電力，即使在實(shí)際上只有一列位單元為了更新數(shù)據(jù)或其他類似情況而需存取的狀況下。因此造成切換模式時(shí)消耗大量電力以及維持在可操作模式時(shí)穩(wěn)定的電力消耗。目前上述問題可通過區(qū)域輸入/輸出電路(LI0 circuit)選擇欲供電的一主動(dòng)存儲(chǔ)區(qū)域加以改善。但一功能完整的區(qū)域輸入/輸出電路需要一般電路設(shè)計(jì)所不希望的大布局空間。因此，改善選擇性充電以及供電的位單元的技術(shù)，將利于存儲(chǔ)器元件的設(shè)計(jì)。

發(fā)明內(nèi)容
為克服現(xiàn)有技術(shù)缺陷，本發(fā)明公開一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，包括一單元陣列、至少一切斷單元以及一個(gè)或多個(gè)電源開關(guān)。單元陣列具有多個(gè)位單元。至少一切斷單元用以將單元陣列切分為一個(gè)或多個(gè)位單元陣列，其中切斷單元用以分離一第一電壓的連接以及一第二電壓的連接。一個(gè)或多個(gè)電源開關(guān)電性耦接至位單元，其中電源開關(guān)用以控制單元陣列中已切分的每一上述位單元陣列與上述第一電壓或上述第二電壓的連接關(guān)系。本發(fā)明另外公開一種存儲(chǔ)器元件，包括至少一控制電路、多個(gè)位線、至少一輸入/ 輸出陣列、一單元陣列、至少一切斷單元、至少一切斷單元以及一個(gè)或多個(gè)電源開關(guān)。至少一輸入/輸出陣列電性耦接至至少一控制電路。多個(gè)位線電性耦接至至少一輸入/輸出陣列。一單元陣列包括多個(gè)位單元，并且電性耦接至位線。至少一切斷單元用以將單元陣列切分為一個(gè)或多個(gè)位單元陣列，其中至少一個(gè)切斷單元分離在至少兩個(gè)位單元陣列之間一第一電壓的連接以及一第二電壓的連接，以及一個(gè)或多個(gè)電源開關(guān)電性耦接至位單元。電源開關(guān)用以控制單元陣列中已切分的每一位單元陣列耦接至第一電壓或第二電壓的連接關(guān)系。至少一控制電路控制至少一輸入/輸出陣列，進(jìn)行讀取動(dòng)作及/或?qū)懭雱?dòng)作。最后本發(fā)明公開一種操作存儲(chǔ)器元件的操作方法，包括提供一存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)器包括一單元陣列；提供至少一切斷單元，用以將單元陣列切分為一個(gè)或多個(gè)位單元陣列，其中切斷單元用以分離在至少兩個(gè)位單元陣列之間一第一電壓的連接以及一第二電壓的連接；以及耦接單元陣列中已切分的至少一位單元陣列至第一或第二電壓。本發(fā)明降低了從待機(jī)切換至可操作模式時(shí)的總主動(dòng)電力的消耗。


圖1為公知技術(shù)中的計(jì)算機(jī)擴(kuò)充座示意圖。第1圖為本發(fā)明的一存儲(chǔ)系統(tǒng)的方塊圖。第2圖為本發(fā)明的一存儲(chǔ)器的方塊圖。第3圖為本發(fā)明的一存儲(chǔ)器的部分布局圖。第4圖為本發(fā)明的另一存儲(chǔ)器的布局圖。第5圖為本發(fā)明的一存儲(chǔ)器的部分電路布局圖。第6圖為本發(fā)明的一存儲(chǔ)器元件的架構(gòu)、功能以及/或操作的流程圖。其中，附圖標(biāo)記說明如下100 系統(tǒng)110 處理器元件115 存儲(chǔ)器120 使用者界面元件125 存儲(chǔ)器150 區(qū)域界面205 主要控制器220、225 區(qū)域控制電路230、235、240、245 解碼器陣列292 區(qū)域解碼器260、262、265、267、270、272、297、277 單元陣列297 電源開關(guān)280、282、285、287 區(qū)域輸入/輸出陣列290、295 輸入輸出陣列305 切斷單元310、315、410、415、420、425 位單元陣列405 位單元430 字線597A、597B、597C、597D 電源開關(guān)600 流程圖605-615 步驟BL、BLB、BL1_N、BLBl-N 位線WL 字線VDDI、VSSI、VDD、VCC、VSS、Vgnd 電壓
具體實(shí)施例方式以下將詳細(xì)討論本發(fā)明各種實(shí)施例的制造及使用方法。然而值得注意的是，本發(fā)明所提供的許多可行的發(fā)明概念可實(shí)施在各種特定范圍中。這些特定實(shí)施例僅用于舉例說明本發(fā)明的制造及使用方法，但非用于限定本發(fā)明的范圍。本發(fā)明存儲(chǔ)器元件的設(shè)置在于降低存儲(chǔ)器元件由一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模式或者由一寫入輔助模式切換至一可操作模式時(shí)的靜態(tài)電力消耗、動(dòng)態(tài)的電力消耗及噪聲。上述模式的切換當(dāng)一電位差或一增加的電位差施加于存儲(chǔ)器元件的位單元上，而位單元由于固有存在的容值充電至施加的電位差電平，因而產(chǎn)生電力消耗。圖1為系統(tǒng)100的方塊圖，系統(tǒng)100具有本發(fā)明所公開的一種存儲(chǔ)器125，系統(tǒng)100 可為電腦的一種存儲(chǔ)器架構(gòu)。系統(tǒng)100包括一處理器元件110、一存儲(chǔ)器115以及一個(gè)或多個(gè)使用者界面元件120，分別連接至一區(qū)域界面(local interface) 150 (例如一總線)。處理器元件110可包括任何定制化或商用的處理器、一中央處理器(CPU)、在各處理器之間與電腦相連的一輔助處理器(auxiliary processor)、一半導(dǎo)體微處理器(微晶片形式)或者一微處理器。—個(gè)或多個(gè)使用者界面元件120包括使用者(例如管理員)可與系統(tǒng)100互動(dòng)的設(shè)備，其中系統(tǒng)100包括一服務(wù)電腦或相似的元件，而互動(dòng)的設(shè)備可包括一般用以與電腦連接的設(shè)備，例如一鍵盤以及一鼠標(biāo)。存儲(chǔ)器115 —般包括多種程序(在軟件或固件中)，其程序包含一作業(yè)系統(tǒng)(0/S) (無圖示)。作業(yè)系統(tǒng)用以控制程序執(zhí)行、提供排程、控制輸入輸出、文件與數(shù)據(jù)管理、存儲(chǔ)器管理以及通信控制與相關(guān)服務(wù)。存儲(chǔ)器115可包括任一個(gè)或組合的存儲(chǔ)器125(例如隨機(jī)存取存儲(chǔ)器肌11、0肌11、31^^..等)以及非易失性存儲(chǔ)器(例如只讀存儲(chǔ)器(ROM)、硬盤 (hard drive)、磁帶(tape)、光盤(⑶ROM) · ·.等)(無圖示)。關(guān)于存儲(chǔ)器115的架構(gòu)另外在第2-6圖的說明中有更進(jìn)一步的描述。圖2為圖1中存儲(chǔ)器115的方塊圖。在此實(shí)施例中，存儲(chǔ)器115可為易失性的存儲(chǔ)器125，例如靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)。易失性的存儲(chǔ)器125包括一主要控制器205， 主要控制器205用以傳送信號(hào)至解碼器陣列(DEC陣列)230、235、240、245以及區(qū)域控制電路(LCTRL) 220、225。一般而言，主要控制器205的功能為通過切換開關(guān)以及尋址功能控制易失性的存儲(chǔ)器125的工作，例如包括讀寫功能、地址預(yù)先解碼(用以選擇一字線驅(qū)動(dòng)器)、 晶片使能/去能功能、自我定時(shí)產(chǎn)生器以及經(jīng)由輸入/輸出(1/0)陣列(10陣列)290、295 與其他元件溝通。區(qū)域控制電路220、225的功能為控制區(qū)域輸入/輸出(1/0)陣列(LI0 陣列)280、282、285以及觀7，用以預(yù)先充電區(qū)域位線BL/BLB、寫入路徑柵以及使能感測(cè)放大器。區(qū)域控制電路220、225根據(jù)接收來自于主要控制器205的指示，導(dǎo)通或截止存儲(chǔ)器的一單元陣列260、262、265、267、270、272、275、277。區(qū)域控制電路220,225經(jīng)由區(qū)域輸入/輸出陣列觀0、285與單元陣列沈0、沈5、270以及275進(jìn)行溝通。輸入/輸出(1/0)陣列四0、295用以傳送儲(chǔ)存于單元陣列洸0、洸2、洸5、洸7、270、272、275以及277的數(shù)字信息到其他電子元件(例如處理器元件110以及/或使用者界面元件120)，或由其他電子元件接收儲(chǔ)存于單元陣列沈0、沈2、沈5、沈7、270、272、275以及277的數(shù)字信息。區(qū)域輸入/輸出陣列觀0、觀2、觀5、觀7以及輸入/輸出陣列四0、295用以利于系統(tǒng)概觀，在此不在贅述。易失性的存儲(chǔ)器125更包括解碼器陣列230、235、240以及M5，以便執(zhí)行讀寫動(dòng)作時(shí)促進(jìn)易失性的存儲(chǔ)器125的位單元405(第4圖)工作。在此實(shí)施例中，解碼器陣列MO包括一個(gè)或多個(gè)區(qū)域解碼器四2，并且單元陣列275包括一個(gè)或多個(gè)電源開關(guān)四7。其他解碼器陣列230、235、245也可包括區(qū)域解碼器四2，以及其他單元陣列沈0、沈2、沈5、沈7、 270、272、277也可包括電源開關(guān)四7。區(qū)域解碼器292可耦接電源開關(guān)四7，以及指示電源開關(guān)297將一第一電壓或者一第二電壓連接至單元陣列沈0、沈2、沈5、沈7、270、272以及 277。關(guān)于區(qū)域解碼器四2以及電源開關(guān)297另外在圖3_6的說明中有更進(jìn)一步的描述。圖3為圖2的存儲(chǔ)器115的部分電路圖。如圖所示，存儲(chǔ)器115具有區(qū)域控制電路220、225、區(qū)域輸入/輸出陣列觀5、觀7以及單元陣列272、275。在本實(shí)施例中，區(qū)域輸入/輸出陣列285、287分別電性耦接至區(qū)域控制電路220、225。多個(gè)位線BL/BLB(例如后續(xù)圖4以及圖5中的BLl BLN與BLB 1 BLBN)電性耦接至區(qū)域輸入/輸出陣列觀5、 287.區(qū)域控制電路220、225以及區(qū)域輸入/輸出陣列285、287可由任何其他控制電路以及任何其他輸入/輸出陣列俱以實(shí)施，并且不限于如圖3所示的區(qū)域控制電路220、225以及任何其他輸入/輸出陣列觀5、觀7。單元陣列272、275電性耦接至多個(gè)位線BL/BLB。每一單元陣列272、275可由切斷單元305切分為一個(gè)或多個(gè)位單元陣列310、315。在一實(shí)施例中，至少一切斷單元305用以分離位于至少兩個(gè)位單元陣列310、315之間的一第一電壓(例如VDDI)的連接與一第二電壓(例如VSSI)的連接。換句話說，切斷單元305將多個(gè)位單元405切分為多個(gè)子集合 (subsets)(例如切分為兩列的位單元陣列310、315)，使得位單元405 (圖4)的子集合可區(qū)隔于其他子集合獨(dú)立被供電。多個(gè)位線BL/BLB耦接至單元陣列272、275。電源開關(guān)四7電性耦接至位單元 405(如圖4中所示)。單元陣列272、275中每一已切分的位單元陣列310、315由電源開關(guān) 297所控制，電源開關(guān)297將第一電壓(例如VDDI)或者第二電壓(例如VSSI)連接至已切分的以列排列的位單元陣列310、315。多個(gè)區(qū)域解碼器292耦接電源開關(guān)四7以及指示電源開關(guān)297將第一電壓(例如VDDI)或者第二電壓(例如VSSI)連接至每一已切分的位單元陣列310、315。連接至電源開關(guān)四7的電源線以及地線在切斷單元305兩側(cè)相鄰或者鄰近的位單元陣列310、315之間被切斷單元305所切斷。換言之，切斷單元305切斷位單元陣列310、315之間的電源線以及地線，使得較小的位單元陣列310、315可快速充放電以及降低電力消耗。圖4是(圖3中)電源開關(guān)297之間的(圖2中)存儲(chǔ)器115的布局圖。位單元陣列可設(shè)置為以列排列的位單元陣列310、315或者以行排列的位單元陣列420、425，以列排列的位單元陣列310、315以及以行排列的位單元陣列420、425皆包括至少一位單元405。 以列排列的位單元陣列310、315可一起歸類形成一組以行排列的位單元陣列410、415。同樣地，以行排列的位單元陣列420、425可一起歸類形成一組以行排列的位單元陣列420、 425。切斷單元305可由位單元405的改質(zhì)材料制成，由于位單元陣列310、315易受周
圍布局圖樣(例如柵極、摻雜區(qū)......等)影響。一種解決此易受周圍布局圖樣影響的方
式為設(shè)計(jì)切斷單元305，使得切斷單元305與相鄰或鄰近的位單元405具有相似的圖樣。切斷單元305更包括字線(WL) 430連接至一低電壓，用以截止位單元405中的一路徑晶體管， 并且第一電壓VDDI以及第二電壓VSSI的金屬線自切斷單元305中被移除。兩者擇一或附加地，位單元405可設(shè)置為一個(gè)或多個(gè)以行排列的位單元陣列420、425。雖無圖示但相似于第4圖，一切斷單元305可分離在單元陣列的至少兩行的位單元陣列420、425的間一第一電壓的連接或者一第二電壓的連接。單元陣列中切分后的每一行的位單元陣列420、425由一個(gè)或多個(gè)電源開關(guān)297所控制，電源開關(guān)297將第一或第二電壓連接至已切分的行的位單元陣列420、425。區(qū)域解碼器292可耦接電源開關(guān)四7，以及指示電源開關(guān)297將第一或第二電壓連接至切分后的每一行的位單元陣列420、425。圖5為本發(fā)明另一實(shí)施例中存儲(chǔ)器115的部分電路布局圖。在此實(shí)施例中，區(qū)域解碼器292可由反及柵(NAND gate)以及反相器構(gòu)成。電源開關(guān)597A-597D在此結(jié)構(gòu)中可將位單元405選擇性地連接至四個(gè)不同的電壓，例如VSS、Vgnd, VDD以及Vcc。電源開關(guān) 597A與597B可將位單元405連接至VSS或者Vgnd，而電源開關(guān)597C與597D可將位單元 405連接至VDD或者Vcc。如下所述為存儲(chǔ)器115的一種工作范例。在一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模式時(shí)， 位單元405的第二電壓VSSI為Vgnd，而位單元405的第一電壓VDDI為VDD。在一可操作模式(例如要求一工作電壓的一執(zhí)行寫入動(dòng)作或者寫入輔助動(dòng)作)時(shí)，位單元405的第二電壓VSSI為VSS，而位單元405的第一電壓VDDI為VDD或者VCC。圖6為圖1所示的存儲(chǔ)器115的架構(gòu)、功能及/或操作的流程圖。流程圖600如步驟605所示，首先提供一存儲(chǔ)器115，其包括一單元陣列272、275。接著，存儲(chǔ)器115提供至少一切斷單元305用以切分單元陣列272、275為一個(gè)或多個(gè)位單元陣列310、315。切斷單元305分離在至少兩個(gè)位單元陣列310、315的間的一第一電壓(例如VDDI)的連接以及一第二電壓(例如VSSI)的連接，如步驟610所示。最后，如步驟615所示，存儲(chǔ)器115的一個(gè)或多個(gè)電源開關(guān)297將單元陣列272以及275中至少一個(gè)已切分的位單元陣列310、 315連接至第一或者第二電壓。關(guān)于電源開關(guān)四7的控制，區(qū)域控制電路220以及225可傳送指示信號(hào)至區(qū)域解碼器四2，用以指示控制電源開關(guān)297根據(jù)指示信號(hào)將第一電壓或者第二電壓耦接至已切分的至少一位單元陣列310、315。區(qū)域解碼器292可傳送控制信號(hào)至電源開關(guān)四7，用以根據(jù)控制信號(hào)指示電源開關(guān)四7，電源開關(guān)297控制單元陣列272以及275的每一已切分的位單元陣列310、315連接至第一或者第二電壓。兩者擇一或附加地，步驟605的步驟可包括提供位單元陣列310、315，位單元陣列 310、315包括一個(gè)或多個(gè)列或行的位單元。步驟610的步驟可包括分離在單元陣列中至少兩個(gè)列或行的位單元的間一第一電壓的連接或者一第二電壓的連接。由于區(qū)域控制電路 220,225可傳送指示信號(hào)至區(qū)域解碼器四2，區(qū)域控制電路220、225可指示電源開關(guān)297根據(jù)指示信號(hào)將第一或者第二電壓連接至至少一已切分的以行或列排列的位單元陣列。區(qū)域解碼器292可傳送控制信號(hào)，用以指示電源開關(guān)297根據(jù)控制信號(hào)控制單元陣列中位單元的至少一已切分的列或行的位單元陣列連接至第一電壓或者第二電壓。存儲(chǔ)器115的架構(gòu)、操作以及功能的優(yōu)點(diǎn)如前所述為區(qū)域解碼器292可以選擇列 (或行)位單元，使其自一存儲(chǔ)模式切換至一可操作模式或者切換至一寫入輔助模式。電源開關(guān)297可用以獨(dú)立地或一組一組地對(duì)所選擇的不同(位單元405的)子集合(例如以列排列的位單元陣列310、315)上的第一電壓VDDI與第二電壓VSSI進(jìn)行充電/放電。由于第一電壓VDDI或第二電壓VSSI供應(yīng)電壓至位單元405的子集合，例如以列排列的位單元陣列310、315為位單元405的子集合具有較少的容值，相較于待機(jī)時(shí)將所有或者較大部分的存儲(chǔ)器單元切換為可操作模式的安排，其降低了待機(jī)時(shí)切換至可操作模式的總主動(dòng)電力的消耗。無存取的位保持在存儲(chǔ)模式用以降低靜態(tài)電力消耗。本發(fā)明的存儲(chǔ)器元件包括一單元陣列，以及至少一切斷單元用以切分單元陣列為位單元陣列，以及一個(gè)或多個(gè)電源開關(guān)電性耦接至位單元。在一實(shí)施例中，切斷單元分離在至少兩個(gè)位單元陣列之間一第一電壓的連接以及一第二電壓的連接，使得位單元陣列可通過電源開關(guān)選擇耦接至第一或者第二電壓。電壓源開關(guān)控制單元陣列的每一已切分的位單元陣列連接至第一或者第二電壓。在一既定時(shí)間單元被要求為可操作模式通過選擇對(duì)應(yīng)的導(dǎo)通電路，選擇性的耦接于不同電位的電壓，使得單元可操作。雖然本發(fā)明已以多個(gè)較佳實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作任意的更動(dòng)與潤(rùn)飾。此外，本發(fā)明的范圍不限定于現(xiàn)有或未來所發(fā)展的特定程序、機(jī)器、制造、物質(zhì)的組合、功能、 方法或步驟，其實(shí)質(zhì)上進(jìn)行與依照本發(fā)明所述的實(shí)施例相同的功能或達(dá)成相同的結(jié)果。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定的范圍。此外，每個(gè)權(quán)利要求建構(gòu)成一獨(dú)立的實(shí)施例，且各種權(quán)利要求及實(shí)施例的組合皆介于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，包括 一單元陣列，具有多個(gè)位單元；至少一切斷單元，用以將上述單元陣列切分為一個(gè)或多個(gè)位單元陣列，其中上述切斷單元用以分離一第一電壓的連接以及一第二電壓的連接；以及一個(gè)或多個(gè)電源開關(guān)，電性耦接至上述位單元，其中上述電源開關(guān)用以控制上述單元陣列中已切分的每一上述位單元陣列與上述第一電壓或上述第二電壓的連接關(guān)系。
2.如權(quán)利要求1所述的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，更包括一區(qū)域解碼器，耦接至上述電源開關(guān)， 其中上述區(qū)域解碼器指示上述電源開關(guān)將上述第一電壓或第二電壓耦接至已切分的每一上述位單元陣列。
3.如權(quán)利要求1所述的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其中上述位單元陣列包括一個(gè)或多個(gè)以行或列排列的位單元，并且上述至少一切斷單元用以分離在上述單元陣列中至少兩個(gè)上述以行或列排列的位單元陣列之間上述第一電壓的連接或上述第二電壓的連接，其中上述單元陣列中已切分的每一上述以行或列排列的位單元陣列由上述電源開關(guān)所控制，用以耦接上述第一或第二電壓至已切分的上述以行或列排列的位單元陣列，并且上述隨機(jī)存取存儲(chǔ)器更包括一區(qū)域解碼器，耦接至上述電源開關(guān)，其中上述區(qū)域解碼器指示上述電源開關(guān)將上述第一電壓或第二電壓耦接至已切分的每一上述以行或列排列的位單元陣列。
4.如權(quán)利要求1所述的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，更包括 多個(gè)位線，耦接至上述單元陣列；至少一區(qū)域輸入/輸出陣列，耦接至上述位線；以及至少一區(qū)域控制電路，電性耦接至上述至少一區(qū)域輸入/輸出陣列。
5.一種存儲(chǔ)器元件，包括 至少一控制電路；至少一輸入/輸出陣列，電性耦接至上述至少一控制電路； 多個(gè)位線，電性耦接至上述至少一輸入/輸出陣列； 一單元陣列，包括多個(gè)位單元，并且電性耦接至上述位線；至少一切斷單元，用以將上述單元陣列切分為一個(gè)或多個(gè)位單元陣列，其中上述至少一切斷單元用以分離在至少兩個(gè)上述位單元陣列的間一第一電壓的連接以及一第二電壓的連接；以及一個(gè)或多個(gè)電源開關(guān)，電性耦接至上述位單元，其中上述電源開關(guān)用以控制上述單元陣列中已切分的每一上述位單元陣列耦接至上述第一電壓或上述第二電壓的連接關(guān)系，其中上述至少一控制電路控制上述至少一輸入/輸出陣列，進(jìn)行讀取動(dòng)作及/或?qū)懭雱?dòng)作。
6.如權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器元件，更包括一區(qū)域解碼器，耦接至上述電源開關(guān)，其中上述區(qū)域解碼器指示上述電源開關(guān)將上述第一或第二電壓耦接至已切分的每一上述位單元陣列。
7.如權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器元件，更包括一個(gè)或多個(gè)以行或列排列的位單元陣列， 并且上述至少一切斷單元用以分離在上述單元陣列中至少兩個(gè)上述以行或列排列的位單元陣列之間上述第一電壓的連接或上述第二電壓的連接，其中上述單元陣列中已切分的每一上述以行或列排列的位單元陣列由上述電源開關(guān)所控制，用以耦接上述第一或第二電壓至已切分的上述以行或列排列的位單元陣列，以及一區(qū)域解碼器，耦接至上述電源開關(guān)，其中上述區(qū)域解碼器指示上述電源開關(guān)將上述第一或第二電壓耦接至已切分的每一上述以行或列排列的位單元陣列。
8.一種操作存儲(chǔ)器元件的操作方法，包括提供一存儲(chǔ)器，上述存儲(chǔ)器包括一單元陣列；提供至少一切斷單元，用以將上述單元陣列切分為一個(gè)或多個(gè)位單元陣列，其中上述切斷單元用以分離在至少兩個(gè)上述位單元陣列之間一第一電壓的連接以及一第二電壓的連接；以及將上述單元陣列中已切分的至少一上述位單元陣列耦接至上述第一或第二電壓。
9.如權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器元件的操作方法，更包括提供多個(gè)控制信號(hào)至一個(gè)或多個(gè)電源開關(guān)，用以根據(jù)上述控制信號(hào)控制上述單元陣列中已切分的每一上述位單元陣列耦接至上述第一電壓或上述第二電壓，以及提供一指示信號(hào)至一區(qū)域解碼器，用以根據(jù)上述指示信號(hào)指示上述電源開關(guān)將上述第一或第二電壓耦接至已切分的至少一上述位單元陣列。
10.如權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器元件的操作方法，其中上述位單元陣列包括一個(gè)或多個(gè)以行或列排列的位單元，并且上述至少一切斷單元用以分離在上述單元陣列中至少兩個(gè)上述以行或列排列的位單元陣列之間上述第一電壓的連接或上述第二電壓的連接。
11.如權(quán)利要求10所述的存儲(chǔ)器元件的操作方法，更包括提供上述控制信號(hào)至上述一個(gè)或多個(gè)電源開關(guān)，用以根據(jù)上述控制信號(hào)控制上述單元陣列中已切分的至少一上述以行或列排列的位單元陣列耦接至上述第一電壓或上述第二電壓，以及提供一指示信號(hào)至一區(qū)域解碼器，用以根據(jù)上述指示信號(hào)指示上述電源開關(guān)將上述第一或第二電壓耦接至已切分的至少一上述以行或列排列的位單元陣列。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，包括一單元陣列、至少一切斷單元以及一個(gè)或多個(gè)電源開關(guān)。單元陣列具有多個(gè)位單元。至少一切斷單元用以將單元陣列切分為一個(gè)或多個(gè)位單元陣列，其中切斷單元用以分離一第一電壓的連接以及一第二電壓的連接。一個(gè)或多個(gè)電源開關(guān)電性耦接至位單元，其中電源開關(guān)用以控制單元陣列中已切分的每一上述位單元陣列與上述第一電壓或上述第二電壓的連接關(guān)系。本發(fā)明降低了從待機(jī)切換至可操作模式時(shí)的總主動(dòng)電力的消耗。
文檔編號(hào)G11C11/413GK102385915SQ20111009104
公開日2012年3月21日 申請(qǐng)日期2011年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月30日
發(fā)明者許國(guó)原, 鄧儒杰, 陶昌雄 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司