專(zhuān)利名稱：：吲哚鎓化合物以及光學(xué)記錄材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及主要用于光學(xué)記錄材料等中的新型吲哚鐡化合物以及含有該吲哚鎗化合物而形成的光學(xué)記錄材料；詳細(xì)地講，涉及利用激光等將信息提供為信息圖案的形式來(lái)進(jìn)行記錄的光學(xué)記錄介質(zhì)中使用的光學(xué)記錄材料；更詳細(xì)地講，涉及利用具有紫外以及可視區(qū)域的波長(zhǎng)且低能量的激光等可以高密度的光學(xué)記錄以及再生的光學(xué)記錄介質(zhì)中使用的光學(xué)記錄材料。
背景技術(shù)：
：光學(xué)記錄介質(zhì)一般都具有記錄容量大、記錄和再生以非接觸的方式進(jìn)行等優(yōu)良特征，因而得到廣泛普及。WORM、CD-R、DVD士R等追加記錄型光盤(pán)是將激光聚集在記錄層的極小面積上、改變光學(xué)記錄層的性狀來(lái)進(jìn)行記錄，并根據(jù)記錄部分與未記錄部分的反射光量的不同來(lái)進(jìn)行再生。在550nm620nm的范圍內(nèi)具有高強(qiáng)度的吸收的化合物、特別是在550620nm具有最大吸收(Amax)的化合物可以作為形成DVD-R等光學(xué)記錄介質(zhì)的光學(xué)記錄層的光學(xué)記錄材料使用。作為上述光學(xué)記錄材料，具有吲哚環(huán)的吲哚鑰化合物由于靈敏度高、具有可以應(yīng)對(duì)記錄高速化的優(yōu)點(diǎn)，所以報(bào)道的例子很多。例如，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1~6中報(bào)道了苯乙烯基吲哚鐵化合物。另外，在專(zhuān)利文獻(xiàn)7中報(bào)道了在噴哚環(huán)的3位上引入節(jié)基而形成的低溫分解性花青化合物。據(jù)認(rèn)為，在低溫下分解的化合物容易形成光學(xué)記錄層的記錄部分(凹坑，pit)，適合高速記錄介質(zhì)。但是，這些材料在耐光性和記錄特性方面還無(wú)法得到令人滿意的性能。專(zhuān)利文獻(xiàn)1:特開(kāi)平11-34489號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2:特開(kāi)平11-170695號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)3:特開(kāi)2001-342366號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)4:特開(kāi)2002-206061號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)5:特開(kāi)2003-313447號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)6:特開(kāi)2003-321450號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)7:特開(kāi)2003-231359號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的在于提供耐光性高且顯示出適合高速光學(xué)記錄用途的熱分解行為的新型吲哚鎗化合物以及含有該吲哚鑰化合物而形成的光學(xué)記錄材料。本發(fā)明人等經(jīng)過(guò)反復(fù)研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)以具有特定的陽(yáng)離子結(jié)構(gòu)的新型吲哚鎗化合物作為光學(xué)記錄材料，顯示出良好的熱分解行為，從而實(shí)現(xiàn)了本發(fā)明。本發(fā)明通過(guò)提供下述通式(I)表示的吲哚鎗化合物來(lái)實(shí)現(xiàn)上述目的。(式中，環(huán)A表示苯環(huán)或萘環(huán)，環(huán)B表示五元或六元的雜環(huán)或芳香環(huán)，Z表示可以被鹵素基取代或者也可以被-O-、-CO-、-OCO-或-COO-中斷的碳原子數(shù)為1~8的烷基、具有碳原子數(shù)為18的烴基的磺?；⒕哂刑荚訑?shù)為1~8的烴基的亞磺?；?、具有碳原子數(shù)為1~8的烷基的烷基氨基、具有碳原子數(shù)為1~8的垸基的二烷基氨基、氰基、硝基、羥基或鹵素基。R1表示下述通式(n)或(n')表示的基團(tuán)，W表示碳原子數(shù)為1~30的有機(jī)基團(tuán)、下述通式(n)、下述通式(n')或下述通式(in)表示的基團(tuán)，Y表示下述通式(III)表示的基團(tuán)，n表示04的整數(shù)，ArT表示m價(jià)的陰離子，m表示l或2，p表示保持電荷為中性的系數(shù)。)(在上述通式(II)中，S和T間的鍵是雙鍵或三鍵，S表示碳原子，T表示碳原子、氧原子或氮原子，x、y和z表示0或l，RS表示氫原子、鹵原子、可以被鹵原子取代的碳原子數(shù)為1~4的垸基或可以被鹵原子取代的碳原子數(shù)為14的烷氧基，R6、W和RS各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵原子或可以被鹵原子取代的碳原子數(shù)為1~4垸基，116和118可以結(jié)合形成環(huán)結(jié)構(gòu)。在上述通式(n')中，S，和T'間的鍵為雙鍵，S'表示碳原子，T'表示碳原子、氧原子或氮原子，含有S'和T'的環(huán)表示可以含有雜原子的5元環(huán)、可以含有雜原子的6元環(huán)、萘環(huán)、喹啉環(huán)、異喹啉環(huán)、蒽環(huán)或蒽醌環(huán)，這些含有S'和T'的環(huán)可以被鹵原子、硝基、氰基、烷基、垸氧基取代。)(式中，RaRJ各自獨(dú)立地表示氫原子或碳原子數(shù)為"4的烷基，該垸基中的亞甲基可以被-O-或-CO-取代，Q表示直接鍵合或可以具有取代基的碳原子數(shù)為1~8的亞烷基，該亞垸基中的亞甲基可以被-O-、-S-、-CO-、-COO匿、-OCO-、-S02-、-NH-、-CONH-、-NHCO-、-N:CH-或-CH二CH-取代，M表示Fe、Co、Ni、Ti、Cu、Zn、Zr、Cr、Mo、Os、Mn、Ru、Sn、Pd、Rh、Pt或Ir。)另外，本發(fā)明還通過(guò)提供含有至少一種上述吲哚鎗化合物的光學(xué)記錄材料來(lái)實(shí)現(xiàn)上述目的，該光學(xué)記錄材料被用于在基體上形成有光學(xué)記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)的該光學(xué)記錄層的形成中。另外，本發(fā)明還通過(guò)提供一種光學(xué)記錄介質(zhì)來(lái)實(shí)現(xiàn)上述目的，該光學(xué)記錄介質(zhì)的特征在于，在基體上具有由上述光學(xué)記錄材料形成的光學(xué)記錄層。圖1是化合物No.l的六氟化磷酸鹽的'H-NMR譜圖。圖2是化合物No.2的高氯酸鹽的'H-NMR譜圖。圖3是化合物No.3的六氟化磷酸鹽的，H-NMR譜圖。具體實(shí)施例方式以下，基于優(yōu)選的實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明的吲哚鐺化合物以及含有該B引哚鐺化合物的光學(xué)記錄材料進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。首先，對(duì)本發(fā)明的上述通式(I)表示的吲哚総化合物進(jìn)行說(shuō)明。在上述通式(I)中，以環(huán)A表示的苯環(huán)或萘環(huán)的取代基Z表示的、可以被鹵素基取代或者也可以被-O-、-CO-、-OCO-或-COO-中斷的碳原子數(shù)為18的烷基中，鹵素基的取代位置以及-OYCO-.-OCO-或-COO-的中斷位置是任意位置，還包括-O-、-CO-、-OCO-或-COO-與環(huán)A直接結(jié)合的那些。作為上述碳原子數(shù)為18的烷基，可以列舉出例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、叔戊基、己基、環(huán)己基、庚基、異庚基、叔庚基、正辛基、異辛基、叔辛基、2-乙基己基、一氯甲基、二氯甲基、三氯甲基、三氟甲基、五氟乙基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、異丁氧基、戊氧基、異戊氧基、叔戊氧基、己氧基、環(huán)己氧基、庚氧基、異庚氧基、叔庚氧基、正辛氧基、異辛氧基、叔辛氧基、2-乙基己氧基、一氯甲氧基、二氯甲氧基、三氯甲氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、2-羥基乙氧基、2-甲基-2-羥基乙氧基、l-甲基-2-羥基乙氧基、3-羥基丙氧基、2-(2-羥基乙氧基)乙氧基、2-甲氧基乙氧基、2-丁氧基乙氧基、2-甲基-2-甲氧基乙氧基、l-甲基-2-甲氧基乙氧基、3-甲氧基丙氧基、2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基、乙?；?、丙酮基、丁烷-2-酮-l-基、丁垸_3-酮-1-基、環(huán)己烷-4-酮-l-基、三氯乙?；?、三氟乙?；?、乙酰氧基、乙垸羰氧基、丙烷羰氧基、丁烷羰氧基、三氟乙酰氧基等。另外，作為Z表示的磺?；騺喕酋；哂械奶荚訑?shù)為1~8的烴基，可以列舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、叔戊基、己基、環(huán)己基、環(huán)己基甲基、2-環(huán)己基乙基、庚基、異庚基、叔庚基、正辛基、異辛基、叔辛基、2-乙基己基等烷基，乙烯基、l-甲基乙烯-l-基、丙烯-l-基、丙烯-2-基、丙烯-3-基、丁烯-l-基、丁烯-2-基、2-甲基丙烯-3-基、1,1-二甲基乙烯-2-基、1，1-二甲基丙烯-3-基等鏈烯基，苯基、2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、4-乙烯基苯基、3-異丙基苯基、4-異丙基苯基、4-丁基苯基、4-異丁基苯基、4-叔丁基苯基、2，3-二甲基苯基、2，4-二甲基苯基、2,5-二甲基苯基、2,6-二甲基苯基、3，4-二甲基苯基、3,5-二甲基苯基等芳基，芐基、2-甲基節(jié)基、3-甲基芐基、4-甲基芐基、苯乙基、2-苯基丙烷-2-基、苯乙烯基等芳烷基；作為Z表示的烷基氨基或二垸基酰胺基所具有的碳原子數(shù)為18的烷基，可以列舉出上述例示的垸基，作為Z表示的鹵素基，可以列舉出氟、氯、溴、碘等。作為W表示的碳原子數(shù)為130的有機(jī)基團(tuán)，沒(méi)有特別的限制，可以列舉出例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、叔戊基、己基、環(huán)己基、環(huán)己基甲基、2-環(huán)己基乙基、庚基、異庚基、叔庚基、正辛基、異辛基、叔辛基、2-乙基己基、壬基、異壬基、癸基、十二烷基、十三垸基、十四垸基、十五垸基、十六垸基、十七垸基、十八烷基等烷基；乙烯基、1-甲基乙烯基、2-甲基乙烯基、丙烯基、丁烯基、異丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、癸烯基、十五烯基、l-苯基丙烯-3-基等鏈烯基；苯基、萘基、2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、4-乙烯基苯基、3-異丙基苯基、4-異丙基苯基、4-丁基苯基、4-異丁基苯基、4-叔丁基苯基、4-己基苯基、4-環(huán)己基苯基、4-辛基苯基、4-(2-乙基己基)苯基、4-硬脂基苯基、2，3-二甲基苯基、2，4-二甲基苯基、2，5-二甲基苯基、2,6-二甲基苯基、3，4-二甲基苯基、3,5-二甲基苯基、2,4-二叔丁基苯、環(huán)己基苯基等垸基芳基;節(jié)基、苯乙基、2-苯基丙烷-2-基、二苯基甲基、三苯基甲基、苯乙烯基、肉桂基等芳烷基以及這些烴基被醚鍵、硫醚鍵中斷形成的基團(tuán)，例如2-甲氧基乙基、3-甲氧基丙基、4-甲氧基丁基、2-丁氧基乙基、甲氧基乙氧基乙基、甲氧基乙氧基乙氧基乙基、3-甲氧基丁基、2-苯氧基乙基、2-甲基硫代乙基、2-苯基硫代乙基，這些基團(tuán)可以進(jìn)一步被以下表示的取代基取代。作為上述取代基，可以列舉出例如甲基、乙基、丙基、異丙基、環(huán)丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、叔戊基、環(huán)戊基、己基、2-己基、3-己基、環(huán)己基、二環(huán)己基、1-甲基環(huán)己基、庚基、2-庚基、3-庚基、異庚基、叔庚基、正辛基、異辛基、叔辛基、2-乙基己基、壬基、異壬基、癸基等垸基；甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、異丁氧基、戊氧基、異戊氧基、叔戊氧基、己氧基、環(huán)己氧基、庚氧基、異庚氧基、叔庚氧基、正辛氧基、異辛氧基、叔辛氧基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基等烷氧基；甲硫基、乙硫基、丙硫基、異丙硫基、丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、異丁硫基、戊硫基、異戊硫基、叔戊硫基、己硫基、環(huán)己硫基、庚硫基、異庚硫基、叔庚硫基、正辛硫基、異辛硫基、叔辛硫基、2-乙基己基硫基等烷基硫基；乙烯基、1-甲基乙烯基、2-甲基乙烯基、2-丙烯基、1-甲基-3-丙烯基、3-丁烯基、l-甲基-3-丁烯基、異丁烯基、3-戊烯基、4-己烯基、環(huán)己烯基、二環(huán)己烯基、庚烯基、辛烯基、癸烯基、十五烯基、二十烯基、二十三烯基等鏈烯基；芐基、苯乙基、二苯基甲基、三苯基甲基、苯乙烯基、肉桂基等芳烷基；苯基、萘基等芳基；苯氧基、萘氧基等芳氧基；苯硫基、萘硫基等芳硫基；吡啶基、嘧啶基、噠嗪基、哌啶基、吡喃基、吡唑基、三嗪基、吡咯基、喹啉基、異喹啉基、咪唑基、苯并咪唑基、三唑基、呋喃基(fUryl)、呋喃基(fiiranyl)、苯并呋喃基(benzofUranyl)、噻嗯基、噻吩環(huán)、苯并噻吩環(huán)、噻二唑基、噻唑基、苯并噻唑基、噁唑基、苯并噁唑基、異噻唑基、異噁唑基、吲哚基、2-吡咯烷酮-l-基、2-哌啶酮-l-基、2，4-二氧代咪唑烷-3-基、2，4-二氧代噁唑垸-3-基等雜環(huán)基；氟、氯、溴、碘等鹵原子；乙?；?、2-氯代乙酰基、丙?；?、辛?；?、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、苯基羰基(苯甲?；?、鄰苯二甲?；?、4-三氟甲基苯甲酰基、新戊?；?、水楊酸酰基、乙?；?oxaloyl)、十八垸?；?、甲氧基羰基、乙氧基羰基、叔丁氧基羰基、正十八烷氧基羰基、氨基甲酰基等?；灰阴Ｑ趸?、苯甲酰氧基等酰氧基；氨基、乙基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、丁基氨基、環(huán)戊基氨基、2-乙基己基氨基、十二烷基氨基、苯胺基、氯代苯基氨基、甲苯氨基、茴香氨基、N-甲基-苯胺基、二苯基氨基、萘基氨基、2-吡啶基氨基、甲氧羰基氨基、苯氧羰基氨基、乙酰氨基、苯甲酰基氨基、甲酰氨基、新戊酰氨基、月桂酰氨基、氨基甲酰氨基、N，N-二甲基氨基羰基氨基、N,N-二乙基氨基羰基氨基、嗎啉基羰基氨基、甲氧基羰基氨基、乙氧基羰基氨基、叔丁氧基羰基氨基、正十八烷氧基羰基氨基、N-甲基-甲氧基羰基氨基、苯氧基羰基氨基、氨磺?；被，N-二甲基氨基磺酰基氨基、甲基磺酰氨基、丁基磺酰氨基、苯基磺酰氨基等取代氨基；磺酰胺基、磺酰基、羧基、氰基、磺基、羥基、硝基、巰基、酰亞胺基、氨基甲?；⒒酋０坊?，這些基團(tuán)也可以進(jìn)一步被取代。另外，羧基和磺基也可以形成鹽。在上述通式(I)中，作為環(huán)B表示的五元雜環(huán)，可以列舉出例如批咯環(huán)、呋喃環(huán)、噻吩環(huán)、吡唑烷環(huán)、吡唑環(huán)、咪唑環(huán)、咪唑烷環(huán)、噁唑環(huán)、異噁唑環(huán)、異噁唑烷環(huán)、噻唑環(huán)、異噻唑烷環(huán)等；作為環(huán)B表示的六元雜環(huán)，可以列舉出例如哌嗪環(huán)、嗎啉環(huán)、硫代嗎啉環(huán)、久洛尼定(JuIolidine)環(huán)、吡啶環(huán)、吡嗪環(huán)、嘧啶環(huán)、魅嗪環(huán)、三嗪環(huán)等，環(huán)B表示的五元或六元的雜環(huán)可以和其它環(huán)縮合，也可以被取代，可以列舉出例如喹啉環(huán)、異喹啉環(huán)、吲哚環(huán)、久洛尼定環(huán)、苯并噻吩環(huán)、苯并噁唑環(huán)、苯并三唑環(huán)、甘菊環(huán)、鄰苯二甲酰亞胺環(huán)等。在上述通式(I)中，作為ArT—表示的陰離子，例如，作為一價(jià)陰離子，可以列舉出氯陰離子、溴陰離子、碘陰離子、氟陰離子等鹵素陰離子；高氯酸陰離子、氯酸陰離子、硫氰酸陰離子、六氟化磷酸陰離子、六氟化銻陰離子、四氟化硼陰離子等無(wú)機(jī)陰離子；苯磺酸陰離子、甲苯磺酸陰離子、三氟甲磺酸陰離子、二苯胺-4-磺酸陰離子、2-氨基-4-甲基-5-氯代苯磺酸陰離子、2-氨基-5-硝基苯磺酸陰離子、特開(kāi)2004-53799號(hào)公報(bào)中記載的磺酸陰離子等有機(jī)磺酸陰離子；辛基磷酸陰離子、十二垸基磷酸陰離子、十八烷基磷酸陰離子、苯基磷酸陰離子、壬基苯基磷酸陰離子、2,2，-亞甲基雙(4，6-二叔丁基苯基)膦酸陰離子等有機(jī)磷酸系陰離子；雙三氟甲基磺酰亞胺陰離子、雙全氟丁垸磺酰亞胺陰離子、全氟-4-乙基環(huán)己烷磺酸鹽陰離子、四(五氟苯基)硼酸陰離子等；作為二價(jià)陰離子，例如可以列舉出苯二磺酸陰離子、萘二磺酸陰離子等。另外，根據(jù)需要也可使用具有使處于激發(fā)態(tài)的活性分子去激發(fā)(淬滅)功能的淬滅劑陰離子或在環(huán)戊二烯基環(huán)上具有羧基或膦酸基、磺酸基等陰離子性基團(tuán)的二茂鐵、二茂釕等茂金屬化合物陰離子等。作為上述的淬滅劑陰離子，例如可以列舉出由下述通式(A)、(B)或下述式(C)或(D)表示的、特開(kāi)昭60-234892號(hào)公報(bào)、特開(kāi)平5-43814號(hào)公報(bào)、特開(kāi)平5-305770號(hào)公報(bào)、特開(kāi)平6-239028號(hào)公報(bào)、特開(kāi)平9-309886號(hào)公報(bào)、特開(kāi)平9-323478號(hào)公報(bào)、特開(kāi)平10-45767號(hào)公報(bào)、特開(kāi)平11-208118號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2000-168237號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2002-201373號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2002-206061號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2005-297407號(hào)公報(bào)、特公平7-96334號(hào)公報(bào)、國(guó)際公開(kāi)98/29257號(hào)公報(bào)等中記載的陰離子。(式中，M和上述通式(III)相同；F^和R^各自獨(dú)立地表示鹵原子、碳原子數(shù)為18的垸基、碳原子數(shù)為630的芳基或-S02-G基，G表示烷基、可以被鹵原子取代的芳基、二烷基氨基、二芳基氨基、哌啶基或嗎啉基；a和b各自獨(dú)立地表示04的數(shù)。另外，R11、R12、R"和R14各自獨(dú)立地表示烷基、烷基苯基、垸氧基苯基或鹵代苯基。)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>作為上述通式(II)中的RSRS表示的碳原子數(shù)為14的垸基，可以列舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、異丁基等，作為RS表示的碳原子數(shù)為1~4的烷氧基，可以列舉出甲氧基、氯代甲氧基、三氟甲氧基、氰基甲氧基、乙氧基、二氯代乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、異丁氧基等。作為上述通式(II)中的RSRS表示的鹵原子，可以列舉出氟、氯、溴、碘，作為^和RS連接形成的環(huán)結(jié)構(gòu)，可以列舉出環(huán)丙烷環(huán)、環(huán)丁烷環(huán)、環(huán)戊烷環(huán)、環(huán)己垸環(huán)、四氫吡喃環(huán)、哌啶環(huán)、哌嗪環(huán)、吡咯烷環(huán)、嗎啉環(huán)、硫代嗎啉環(huán)、吡啶環(huán)、吡嗪環(huán)、嘧啶環(huán)、魅嗪環(huán)、三嗪環(huán)、喹啉環(huán)、異喹啉環(huán)、咪唑環(huán)、噁唑環(huán)、咪唑烷環(huán)、吡唑烷環(huán)、異噁唑烷環(huán)、異噻唑烷環(huán)等，這些環(huán)可以和其它環(huán)縮合，還可以被取代。在上述通式(n')中，作為可以含有雜原子的5元環(huán)，可以列舉出環(huán)戊烯環(huán)、環(huán)戊二烯環(huán)、咪唑環(huán)、噻唑環(huán)、吡唑環(huán)、噁唑環(huán)、異噁唑環(huán)、噻吩環(huán)、呋喃環(huán)、吡咯環(huán)等，作為含有雜環(huán)子的6元環(huán)，可以列舉出例如苯環(huán)、吡啶環(huán)、哌嗪環(huán)、哌啶環(huán)、嗎啉環(huán)、吡嗪環(huán)、吡喃酮環(huán)、吡咯烷環(huán)等。上述通式(III)中，作為RaRi表示的碳原子數(shù)為1~4烷基，可以列舉出上述通式(II)的說(shuō)明中例示的基團(tuán)。作為該烷基中的亞甲基被-o-取代形成的基團(tuán)，可以列舉出甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、甲氧基甲基、乙氧基甲基、2-甲氧基乙基等，作為該垸基中的亞甲基被-CO-取代基取代形成的基團(tuán)，可以列舉出乙?；?、l-羰基乙基、乙酰基甲基、l-羰基丙基、2-氧代丁基、2-乙酰基乙基、1-羰基異丙基等。在上述通式(III)中，作為Q表示的可以具有取代基的碳原子數(shù)為18亞烷基，可以列舉出亞甲基、亞乙基、亞丙基、甲基亞乙基、亞丁基、1-甲基亞丙基、2-甲基亞丙基、1,2-二甲基亞丙基、1，3-二甲基亞丙基、1-甲基亞丁基、2-甲基亞丁基、3-甲基亞丁基、4-甲基亞丁基、2,4-二甲基亞丁基、1,3-二甲基亞丁基、亞戊基、亞己基、亞庚基、亞辛基、乙垸-U-二基、丙烷-2，2-二基等，作為該亞垸基中的亞甲基被-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-S02-、-NH-、-CONH腸、-NHCO-、-N二CH-或-CH二CH-取代的基團(tuán)，可以列舉出亞甲基氧基、亞乙基氧基、氧代亞甲基、硫代亞甲基、羰基亞甲基、羰基氧基亞甲基、亞甲基羰基氧基、磺?；鶃喖谆?、氨基亞甲基、乙酰胺基、亞乙基羧基酰胺基、乙烷酰亞胺基、亞乙烯基、亞丙烯基等。作為M表示的金屬原子，可以列舉出Fe、Co、Ni、Ti、Cu、Zn、Zr、Cr、Mo、Os、Mn、Ru、Sn、Pd、Rh、Pt、Ir等。作為本發(fā)明的通式(I)表示的吲哚鑰化合物，優(yōu)選下述通式(IV)或(V)表示的n引哚鐵化合物，因?yàn)檫@些化合物合成容易而且對(duì)有機(jī)溶劑的溶解性高。特別是，下述通式(IV)中，W和R"表示的基團(tuán)為碳原子數(shù)為1~8的垸基、RS和W所結(jié)合形成5~6元的不含不飽和鍵的雜環(huán)的基團(tuán)或與^13114所結(jié)合的苯環(huán)連接而形成5~6元環(huán)結(jié)構(gòu)的基團(tuán)的吲哚錄化合物由于制造成本低，摩爾吸光系數(shù)大，所以優(yōu)選。(IV)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>(式中，RS和W表示氫原子、碳原子數(shù)為1~30的有機(jī)基團(tuán)或上述通式(III)表示的基團(tuán)，W和W結(jié)合形成5~6元的不含不飽和鍵的雜環(huán)或與NR3R4所結(jié)合的苯環(huán)連接而形成5~6元環(huán)結(jié)構(gòu)。X表示可以具有鹵原子或羥基作為取代基或者可以被醚鍵中斷的碳原子數(shù)為18的烷基、可以具有鹵原子或羥基作為取代基或者可以被醚鍵中斷的碳原子數(shù)為18的垸氧基、羥基、硝基、氰基或鹵素基，q表示04的整數(shù)。環(huán)A、Z、R1、R2、Y、Anm-、n和p與上述通式(I)相同。)(式中，環(huán)C表示5元雜環(huán)，環(huán)A、Z、R1、R2、Y、Anm\n和p與上述通式(I)相同。)在上述通式(IV)中，作為W和R"表示的碳原子數(shù)為1~30的有機(jī)基團(tuán)，可以列舉出上述通式(I)的說(shuō)明中例示的基團(tuán)。另外，作為RS和W結(jié)合形成56元的不含不飽和鍵的雜環(huán)，可以列舉出吡咯烷環(huán)、咪唑烷環(huán)、吡唑烷環(huán)、噻唑烷環(huán)、異噻唑烷環(huán)、噁唑烷環(huán)、異噁唑烷環(huán)、哌啶環(huán)、哌嗪環(huán)、嗎啉環(huán)。另外，作為和苯環(huán)連接形成5~6元環(huán)結(jié)構(gòu)的基團(tuán)，可以列舉出-CH2-CH2-、-CH2-CH2-CH2-、-CH=CH-、-CH2=CH-CH2-、-02-<:11=(^12-等烴基、這些烴基中的1個(gè)亞甲基被O、S、NH取代形成的基團(tuán)、這些烴基中的次甲基被N取代形成的基團(tuán)。另外，作為X表示的可以具有鹵原子或羥基作為取代基或者可以被醚鍵中斷的碳原子數(shù)為1~8的烷基，可以列舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、叔戊基、己基、環(huán)己基、庚基、異庚基、叔庚基、正辛基、異辛基、叔辛基、2-乙基己基、一氯甲基、二氯甲基、三氯甲基、三氟甲基、五氟乙基、羥甲基、2-羥基乙基、2-羥基丙基、4-羥基丁基、2-甲氧基乙基、2-丁氧基乙基、2-(2-甲氧基乙氧基)乙基等。作為X表示的可以具有鹵原子或羥基作為取代基或者可以被醚鍵中斷的碳原子數(shù)為1~8的烷氧基，可以列舉出甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、異丁氧基、戊氧基、異戊氧基、叔戊氧基、己氧基、環(huán)己氧基、庚氧基、異庚氧基、叔庚氧基、正辛氧基、異辛氧基、叔辛氧基、2-乙基己氧基、一氯甲氧基、二氯甲氧基、三氯甲氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、2-羥基乙氧基、2-甲基-2-羥基乙氧基、l-甲基-2-羥基乙氧基、3-羥基丙氧基、2-(2-羥基乙氧基)乙氧基、2-甲氧基乙氧基、2-丁氧基乙氧基、2-甲基-2-甲氧基乙氧基、l-甲基-2-甲氧基乙氧基、3-甲氧基丙氧基、2-(2-甲氧基乙氧基)乙氧基等；作為X表示的鹵素基，可以列舉出氟、氯、溴、碘。另外，表示X所示的基團(tuán)的數(shù)量的q優(yōu)選為O或l。上述通式(IV)表示的吲哚鐵化合物中，下述通式(VI)表示的U引哚鑰化合物由于制造成本低，摩爾吸光系數(shù)大，所以更優(yōu)選。(式中，q，表示O或l,環(huán)A、Z、R1、R2、Y、Anm-、n和p與上述通式(I)相同，re和R"和上述通式(iv)相同。)另外，在上述通式(V)表示的吲哚鑰化合物中，下述通式(VII)表示的口引哚鑰化合物由于容易合成且在有機(jī)溶劑中溶解度高，所以更優(yōu)選。(VII)(式中，X'表示氧原子、硫原子、硒原子或-NR11-，乂2表示碳原子數(shù)為18的烷基、碳原子數(shù)為1~8的垸氧基、羥基、硝基、氰基或鹵原子，R"表示碳原子數(shù)為1~8的烷基或碳原子數(shù)為6~20的芳基，s表示0~3的整數(shù)，環(huán)A、Z、R1、R2、Y、Anm-、n和p與上述通式(I)相同。)在上述通式(VII)中，作為X^卩RU表示的碳原子數(shù)為1~8的烷基，可以列舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、叔戊基、己基、環(huán)己基、環(huán)己基甲基、環(huán)己基乙基、庚基、異庚基、叔庚基、正辛基、異辛基、叔辛基、2-乙基己基等。作為xz表示的碳原子數(shù)為l-8的垸氧基，可以列舉出甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、異丁氧基、戊氧基、異戊氧基、叔戊氧基、己氧基、環(huán)己氧基、庚氧基、異庚氧基、叔庚氧基、正辛氧基、異辛氧基、叔辛氧基、2-乙基己氧基等。作為乂2表示的鹵原子，可以列舉出上述通式(I)的說(shuō)明中例示的基團(tuán)。另外，作為R"表示的碳原子數(shù)為620的芳基，可以列舉出苯基、萘基、蒽-l-基、菲-l-基等。作為本發(fā)明的上述通式(I)表示的吲哚鎗化合物的優(yōu)選的具體例子，可以列舉出下述化合物No.lNo.85。另外，以下的例示中，省略了陰離子的吲哚鐺陽(yáng)離子來(lái)表示。在本發(fā)明的吲哚鑰化合物中，多亞甲基鏈也可以為共振結(jié)構(gòu)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>化合物No.19化合物No.20化合物No.21化合物No.28化合物No.29化合物No.30<formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage28</formula>化合物No.82化合物No.83在本發(fā)明的上述通式(I)表示的吲哚鐵化合物中，存在以由R'和R2所示的基團(tuán)所結(jié)合的不對(duì)稱原子為手性中心的對(duì)映異構(gòu)體、非對(duì)映異構(gòu)體或外消旋體等光學(xué)異構(gòu)體的情況，但也可以將這些化合物中的任何光學(xué)異構(gòu)體單獨(dú)分離使用，也可以以它們的混合物的形式使用。本發(fā)明的上述通式(I)表示吲哚鐺化合物的制造方法不受限制。例如，可以使2-甲基吲哚衍生物和芳香族醛衍生物進(jìn)行縮合反應(yīng)后，進(jìn)行鹽交換反應(yīng)來(lái)合成。另外，上述通式(II)表示的具有不飽和鍵的基團(tuán)可以在得到中間體2-甲基吲哚衍生物的過(guò)程中引入。作為該方法，例如以芳基肼衍生物為起始物質(zhì)，用上述通式(II)表示的具有不飽和鍵基團(tuán)的2-丁酮衍生物形成吲哚環(huán)時(shí)引入的方法；使鹵化衍生物在吲哚環(huán)上反應(yīng)而引入的方法。Y可以通過(guò)和吲哚環(huán)的NH反應(yīng)的Y-D(D是氯、溴、碘等鹵素基，苯基磺酰氧基、4-甲基苯基磺酰氧基、4-氯代苯基磺酰氧基等磺酰氧基)弓I入。另外，上述通式(II)表示的具有不飽和鍵基團(tuán)的2-丁酮衍生物可以通過(guò)丙酮和具有相應(yīng)不飽和鍵基團(tuán)的醛反應(yīng)得到。另外，上述通式(II')表示的具有不飽和鍵的基團(tuán)也可以通過(guò)同樣的方法引入。本發(fā)明的通式(I)表示的吲哚鎰化合物除了作為光學(xué)記錄材料使用以外，還可以作為濾光器中含有的光吸收劑等光學(xué)元件、藥品、農(nóng)藥、香料、染料等的合成中間體或者各種功能性材料等各種聚合物原料使用。但是，本發(fā)明并不受這些用途的任何限制。接著，對(duì)本發(fā)明的光學(xué)記錄材料和光學(xué)記錄介質(zhì)進(jìn)行說(shuō)明。本發(fā)明的光學(xué)記錄材料含有至少一種本發(fā)明的上述通式(I)表示的n引哚鐵化合物。另外，本發(fā)明的光學(xué)記錄材料是通過(guò)在基體上形成由該光學(xué)記錄材料構(gòu)成的光學(xué)記錄層而得到的。對(duì)本發(fā)明的光學(xué)記錄材料的制備方法以及本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)的制造方法沒(méi)有特別的限定，其中該光學(xué)記錄介質(zhì)的制造方法的特征在于在基體上形成由該光學(xué)記錄材料構(gòu)成的光學(xué)記錄層。通常，可以列舉出在甲醇、乙醇等低級(jí)醇類(lèi)；甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丁基溶纖劑、二乙二醇單丁醚等醚醇類(lèi)；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環(huán)己酮和二丙酮醇等酮類(lèi)；乙酸乙酯、乙酸丁酯和乙酸甲氧基乙基酯等酯類(lèi)；丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯等丙烯酸酯類(lèi)；2，2，3，3-四氟丙醇等氟代醇類(lèi)；苯、甲苯、二甲苯等烴類(lèi)；二氯甲垸、二氯乙烷、氯仿等氯化烴類(lèi)等有機(jī)溶劑中，將本發(fā)明的吲哚鎗化合物和根據(jù)需要使用的后述的各種化合物溶解，制造溶液狀光學(xué)記錄材料，使用通過(guò)旋涂、噴涂、浸涂等在基體上涂敷該光學(xué)記錄材料的濕式涂敷法，也可以使用蒸鍍法、濺射法等。在使用上述有機(jī)溶劑時(shí)，其用量?jī)?yōu)選為本發(fā)明的光學(xué)記錄材料中的上述口引哚鎗化合物的含量的0.1~10質(zhì)量％的量。上述光學(xué)記錄層以薄膜的形式形成，其厚度通常合適的是0.001-10um，優(yōu)選為0.015ym的范圍。另外，在本發(fā)明的光學(xué)記錄材料中，本發(fā)明的吲哚鎗化合物的含量在本發(fā)明的光學(xué)記錄材料所含有的固體成分中，優(yōu)選為10~100質(zhì)量％。上述光學(xué)記錄層優(yōu)選形成為在光學(xué)記錄層中含有50-100質(zhì)量％上述口引哚錄化合物。為了形成這種吲哚鎗化合物含量的光學(xué)記錄層，以本發(fā)明的光學(xué)記錄材料含有的固體成分為基準(zhǔn)，本發(fā)明的光學(xué)記錄材料進(jìn)一步優(yōu)選含有50~100質(zhì)量o/。上述吲哚鎗化合物。本發(fā)明的光學(xué)記錄材料中含有的上述固體成分是從該光學(xué)記錄材料除去有機(jī)溶劑等固體成分以外成分后的成分。在上述光學(xué)記錄材料中，該固體成分的含量?jī)?yōu)選為0.01100質(zhì)量％，更優(yōu)選為0.1-10質(zhì)量%。本發(fā)明光學(xué)記錄材料除了本發(fā)明的吲哚鑰化合物外，也可以根據(jù)需要含有偶氮類(lèi)化合物、酞菁類(lèi)化合物、氧雜菁(oxonol)類(lèi)化合物、方酸內(nèi)鐵鹽類(lèi)化合物、吲哚化合物、苯乙烯類(lèi)化合物、卟吩類(lèi)化合物、甘菊環(huán)型鐡(azulenium)類(lèi)化合物、克酮酸亞甲酯(croconicmethine)類(lèi)化合物、吡喃鎗鹽類(lèi)化合物、硫代吡喃鐺鹽類(lèi)化合物、三芳基甲烷類(lèi)化合物、二苯基甲烷類(lèi)化合物、四氫膽堿類(lèi)化合物、靛酚類(lèi)化合物、蒽醌類(lèi)化合物、萘醌類(lèi)化合物、咕噸(xanthene)類(lèi)化合物、噻嗪類(lèi)化合物、吖啶類(lèi)化合物、噁嗪類(lèi)化合物、螺吡喃類(lèi)化合物、芴類(lèi)化合物、若丹明類(lèi)化合物等通常可用于光學(xué)記錄層的化合物；聚乙烯、聚酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯等樹(shù)脂類(lèi)；表面活性劑；抗靜電劑；潤(rùn)滑劑；阻燃劑；受阻胺等自由基捕獲劑；二茂鐵衍生物等凹點(diǎn)(pit)形成促進(jìn)劑；分散劑；抗氧化劑；交聯(lián)劑；耐光性賦予劑等。另外，本發(fā)明的光學(xué)記錄材料還可以含有作為單態(tài)氧等的淬滅劑的芳香族亞硝基化合物、銨鐺(aminium)化合物、亞胺鑰化合物(iminium)、二亞胺鐵化合物、過(guò)渡金屬螯合物等。本發(fā)明的光學(xué)記錄材料中，這些各種化合物以在本發(fā)明的光學(xué)記錄材料所含有的固體中為050重量％范圍的量使用。本發(fā)明的光學(xué)記錄材料可以含有二亞胺鑰(diimmonium)化合物。由于含有該二亞胺鐺化合物，可以更有效地防止本發(fā)明的光學(xué)記錄介質(zhì)的吸光度殘留率隨著時(shí)間變化而降低。另外，含有該二亞胺鐵化合物時(shí)，在本發(fā)明的光學(xué)記錄材料所含有的固體成分中，其含量?jī)?yōu)選為0~99質(zhì)量％，更優(yōu)選為50~95質(zhì)量％。設(shè)置這種光學(xué)記錄層的上述基體的材料只要是對(duì)寫(xiě)入(記錄)光和讀出(再生)光基本上是透明的，就沒(méi)有特別的限制，可以使用例如聚甲基丙烯酸甲酯、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯等樹(shù)脂，玻璃等。另外，其形狀根據(jù)用途，可以使用條狀、鼓狀、筒狀、盤(pán)狀等任意的形狀。另外，也可以在上述光學(xué)記錄層上，使用金、銀、鋁、銅等通過(guò)蒸鍍法或?yàn)R射法形成反射膜，也可以用丙烯酸樹(shù)脂、紫外線固化性樹(shù)脂等形成保護(hù)層。本發(fā)明的光學(xué)記錄材料適于在記錄、再生時(shí)使用半導(dǎo)體激光的光學(xué)記錄介質(zhì)，特別是適于高速記錄型的CD-R、DVD土R、HD-DVD-R、BD-R等公知的單層式、雙層式、多層式光盤(pán)。實(shí)施例以下，舉出實(shí)施例、比較例和評(píng)價(jià)例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)地說(shuō)明。但是，本發(fā)明并不受到以下的實(shí)施例等的任何限定。下述制造例1~4表示本發(fā)明的上述通式(I)表示的吲哚鎗化合物No.lNo.3以及No.73的制造例。另外，下述實(shí)施例l-4表示含有制造例l-4得到的化合物No.lNo.3以及No.73的光學(xué)記錄材料的制備以及使用了該光學(xué)記錄材料的光學(xué)記錄介質(zhì)No.lNo.4的制造例。下述比較例1和2表示使用了和本發(fā)明的上述通式(I)表示的n引哚鎗化合物具有不同結(jié)構(gòu)的吲哚鑰化合物的比較光學(xué)記錄材料的制備以及使用了該比較光學(xué)記錄材料的比較光學(xué)記錄介質(zhì)No.l和No.2的制造例。在下述評(píng)價(jià)例l-ll-3以及比較評(píng)價(jià)例1-1和1-2中，通過(guò)測(cè)定UV吸收光譜的最大吸收波長(zhǎng)(入max)下的吸光度殘留率來(lái)評(píng)價(jià)實(shí)施例1~3得到的光學(xué)記錄介質(zhì)No.lNo.3以及比較例1和2得到的比較光學(xué)記錄介質(zhì)No.l和No.2的耐光性。它們的結(jié)果如表2表示。剛哚鑰化合物No.l和No.3的六氟化磷酸鹽以及化合物No.2和化合物No.73的高氯酸鹽的制造使用下述表示的合成方法，合成吲哚鐵化合物No.lNo.3以及化合物No.73。所得的化合物通過(guò)'H-NMR分析來(lái)進(jìn)行鑒定?；衔颪o.lNo.3的分析結(jié)果分別如圖1~圖3表示。另夕卜，在表1中表示所得的化合物的收率以及特性值[溶液狀態(tài)下的光吸收特性(Amax和入max下的e)、分解點(diǎn)]的測(cè)定結(jié)果。另外，在表1中，分解點(diǎn)是在1(TC/分鐘的升溫速度下差示熱分析的質(zhì)量開(kāi)始減少的溫度。(合成方法)剛哚鎗化合物No.lNo.3和化合物No.73的合成<步驟1>醛衍生物的合成在氮?dú)庵脫Q的反應(yīng)燒瓶中加入0.8mol二甲基甲酰胺，在冰水冷卻下，滴加0.24mol三氯氧磷后，再滴加0.2mol胺衍生物。在室溫下攪拌2小時(shí)后，將反應(yīng)物滴加到300ml冰水中。然后，加入50%氫氧化鈉水溶液直到溶液為堿性。加入40g甲苯，分離油層，分3次加入40g的水以進(jìn)行水洗。餾去溶劑，分別得到作為目標(biāo)物的醛衍生物。<步驟2>二茂鐵基11引哚的合成在氮?dú)庵脫Q的反應(yīng)燒瓶中，加入0.04mol的2-甲基吲哚衍生物、0.044mol的二茂鐵醇對(duì)甲苯磺?；?ferrocenealcoholtosylester)、0.002mol四丁基溴化銨以及35g四氫呋喃，在5(TC下每次少量地加入0.08mol氫氧化鉀，在56'C下攪拌1小時(shí)。加入50g甲苯和75g水，分離油層，分2次加入50g的水以進(jìn)行水洗。餾去溶劑，將所得的殘?jiān)鼜募妆?正己烷的混和溶劑重結(jié)晶，分別得到目標(biāo)物即二茂鐵基吲哚。<步驟3〉二茂鐵基假n引哚季鹽的合成加入0.025mol步驟2得到的二茂鐵基吲哚、0.038mol具有不飽和鍵的取代基的鹵化物以及15g乙醇，在7(TC下攪拌3.5小時(shí)。加入20g水和0.030mol高氯酸鈉或六氟化磷酸鉀，進(jìn)行鹽交換，加入20g水進(jìn)行水洗。餾去溶劑，分別得到目標(biāo)物即二茂鐵基假吲哚季鹽?！床襟E4^引哚錄化合物No.lNo.3以及No.73的合成加入1.2mmo1步驟3得到的二茂鐵基假吲哚季鹽、1.2mmo1步驟1得到的醛衍生物以及4g甲醇，在6(TC下攪拌1.5小時(shí)。再加入lml吡啶，在6(TC下攪拌4小時(shí)。通過(guò)柱色譜精制，分別得到目標(biāo)物即吲哚鎿化合物No.lNo.3以及No.73。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table>[實(shí)施例1~3]將上述制造例1~3得到的化合物No.lNo.3分別溶解到2，2,3，3-四氟丙醇中，使得吲哚鏠化合物的濃度為1.0質(zhì)量％，以2，2，3,3-四氟丙醇溶液的形式得到光學(xué)記錄材料。涂布鈦螯合物(T-50，日本曹達(dá)公司制造)，水解，在設(shè)置了基底層(0.01um)的直徑12cm的聚碳酸酯圓盤(pán)基板上，通過(guò)旋涂法涂布上述光學(xué)記錄材料，形成厚度100nm的光學(xué)記錄層，分別得到光學(xué)記錄介質(zhì)No.lNo.3。對(duì)實(shí)施例13得到的光學(xué)記錄介質(zhì)No.lNo.3以及比較例1禾卩2得到的比較光學(xué)記錄介質(zhì)No.l和No.2評(píng)價(jià)耐光性。評(píng)價(jià)是對(duì)該光學(xué)記錄介質(zhì)照射55000勒克斯的光，分別照射50小時(shí)、IOO小時(shí)后，測(cè)定照射前的UV吸收光譜在入max下的吸光度殘留率。評(píng)價(jià)結(jié)果如下述表2表示。<table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table>從表2表明，具有由本發(fā)明的光學(xué)記錄材料形成的光學(xué)記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)即使在照射100小時(shí)后，吸光度殘留率也較高。另一方面，具有由含有比較化合物的比較光學(xué)記錄材料形成的光學(xué)記錄層的比較光學(xué)記錄介質(zhì)在照射50小時(shí)后，有發(fā)現(xiàn)吸光度殘留率降低的情況，而且在照射100小時(shí)后，發(fā)現(xiàn)吸光度殘留率明顯降低，耐光性差。根據(jù)本發(fā)明，可以提供適合形成光學(xué)記錄介質(zhì)的光學(xué)記錄層的新型吲哚鎗化合物以及含有該吲哚鑰化合物而形成的光學(xué)記錄材料。本發(fā)明的特定吲哚鑰化合物由于分解點(diǎn)低，所以蓄熱性低，可以抑制熱干擾，而且耐光性高，適合形成光學(xué)記錄介質(zhì)的光學(xué)記錄層。權(quán)利要求1.下述通式(I)表示的吲哚鎓化合物，式中，環(huán)A表示苯環(huán)或萘環(huán)，環(huán)B表示五元或六元的雜環(huán)或芳香環(huán)，Z表示可以被鹵素基取代或者也可以被-O-、-CO-、-OCO-或-COO-中斷的碳原子數(shù)為1～8的烷基、具有碳原子數(shù)為1～8的烴基的磺?；⒕哂刑荚訑?shù)為1～8的烴基的亞磺?；?、具有碳原子數(shù)為1～8的烷基的烷基氨基、具有碳原子數(shù)為1～8的烷基的二烷基氨基、氰基、硝基、羥基或鹵素基；R1表示下述通式(II)或(II’)表示的基團(tuán)，R2表示碳原子數(shù)為1～30的有機(jī)基團(tuán)、下述通式(II)、下述通式(II’)或下述通式(III)表示的基團(tuán)，Y表示下述通式(III)表示的基團(tuán)，n表示0～4的整數(shù)，Anm-表示m價(jià)的陰離子，m表示1或2，p表示保持電荷為中性的系數(shù)；在所述通式(II)中，S和T間的鍵是雙鍵或三鍵，S表示碳原子，T表示碳原子、氧原子或氮原子，x、y和z表示0或1，R5表示氫原子、鹵原子、可以被鹵原子取代的碳原子數(shù)為1～4的烷基或可以被鹵原子取代的碳原子數(shù)為1～4的烷氧基，R6、R7和R8各自獨(dú)立地表示氫原子、鹵原子或可以被鹵原子取代的碳原子數(shù)為1～4烷基，R6和R8可以結(jié)合形成環(huán)結(jié)構(gòu)；在所述通式(II’)中，S’和T’間的鍵為雙鍵，S’表示碳原子，T’表示碳原子、氧原子或氮原子，含有S’和T’的環(huán)表示可以含有雜原子的5元環(huán)、可以含有雜原子的6元環(huán)、萘環(huán)、喹啉環(huán)、異喹啉環(huán)、蒽環(huán)或蒽醌環(huán)，這些含有S’和T’的環(huán)可以被鹵原子、硝基、氰基、烷基、烷氧基取代；在所述通式(III)中，Ra～Ri各自獨(dú)立地表示氫原子或碳原子數(shù)為1～4的烷基，該烷基中的亞甲基可以被-O-或-CO-取代，Q表示直接鍵合或可以具有取代基的碳原子數(shù)為1～8的亞烷基，該亞烷基中的亞甲基可以被-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-SO2-、-NH-、-CONH-、-NHCO-、-N＝CH-或-CH＝CH-取代，M表示Fe、Co、Ni、Ti、Cu、Zn、Zr、Cr、Mo、Os、Mn、Ru、Sn、Pd、Rh、Pt或Ir。2.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的吲哚鐵化合物，該吲哚鎗化合物為下述通式(IV)表示的吲哚鎗化合物，式中，113和114各自獨(dú)立地表示氫原子、碳原子數(shù)為130的有機(jī)基團(tuán)或所述通式(III)表示的基團(tuán)，RS和W結(jié)合形成5~6元的不含不飽和鍵的雜環(huán)或與NRS^所結(jié)合的苯環(huán)連接而形成5~6元環(huán)結(jié)構(gòu)；X表示可以具有鹵原子或羥基作為取代基或者可以被醚鍵中斷的碳原子數(shù)為1~8的垸基、可以具有鹵原子或羥基作為取代基或者被醚鍵中斷的碳原子數(shù)為18的烷氧基、羥基、硝基、氰基或鹵素基，q表示04的整數(shù)；環(huán)A、Z、R1、R2、Y、ArT、n和p與所述通式(I)相同。3.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的吲哚総化合物，該吲哚鎰化合物為下述通式(V)表示的吲哚鐺化合物，(V)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>式中，環(huán)C表示5元雜環(huán)，環(huán)A、Z、R1、R2、Y、Anm'、n和p與所述通式(I)相同。4.根據(jù)權(quán)利要求2所記載的吲哚錄化合物，該n引哚鎗化合物為下述通式(VI)表示的B引哚錄化合物，(VI)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>式中，q'表示O或l，環(huán)A、Z、R1、R2、Y、Anm—、n和p與所述通式(I灘同，R3和R4與所述通式(IV)相同。5.根據(jù)權(quán)利要求3所記載的吲哚鑰化合物，該吲哚鎗化合物為下述通式(VII)表示的吲哚鐺化合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>(VII)式中，X'表示氧原子、硫原子、硒原子或-NR11-，XS表示碳原子數(shù)為18的烷基、碳原子數(shù)為1~8的烷氧基、羥基、硝基、氰基或鹵原子，R"表示碳原子數(shù)為1~8的烷基或碳原子數(shù)為6~20的芳基，s表示0~3的整數(shù)，環(huán)A、Z、R1、R2、Y、An""、n和p與所述通式(I)相同。6.根據(jù)權(quán)利要求2或4所記載的吲哚鎗化合物，其中在所述通式(IV)中，W和W表示的基團(tuán)為碳原子數(shù)為1~8的垸基、W和W結(jié)合形成56元的不含不飽和鍵的雜環(huán)的基團(tuán)或與NRS^所結(jié)合的苯環(huán)連接而形成5~6元環(huán)結(jié)構(gòu)的基團(tuán)。7.—種光學(xué)記錄材料，其含有至少一種權(quán)利要求1~6任一項(xiàng)所記載的吲哚鎗化合物，該光學(xué)記錄材料被用于在基體上形成有光學(xué)記錄層的光學(xué)記錄介質(zhì)的該光學(xué)記錄層的形成中。8.—種光學(xué)記錄介質(zhì)，其特征在于在基體上具有由權(quán)利要求7所記載的光學(xué)記錄材料形成的光學(xué)記錄層。全文摘要下述通式(I)表示的吲哚鎓化合物，式(I)中，環(huán)A表示苯環(huán)或萘環(huán)，環(huán)B表示五元或六元的雜環(huán)或芳香環(huán)，Z表示可以被鹵素基取代或者也可以被-O-、-CO-、-OCO-或-COO-中斷的碳原子數(shù)為1～8的烷基、具有碳原子數(shù)為1～8的烴基的磺酰基、具有碳原子數(shù)為1～8的烴基的亞磺酰基、具有碳原子數(shù)為1～8的烷基的烷基氨基、具有碳原子數(shù)為1～8的烷基的二烷基氨基、氰基、硝基、羥基或鹵素基。R¹表示通式(II)或(II’)表示的基團(tuán)，R²表示碳原子數(shù)為1～30的有機(jī)基團(tuán)、通式(II)、通式(II’)或通式(III)表示的基團(tuán)，Y表示通式(III)表示的基團(tuán)，n表示0～4的整數(shù)，An^m-表示m價(jià)的陰離子，m表示1或2，p表示保持電荷為中性的系數(shù)。文檔編號(hào)G11B7/246GK101415780SQ20078001156公開(kāi)日2009年4月22日申請(qǐng)日期2007年3月23日優(yōu)先權(quán)日2006年3月31日發(fā)明者滋野浩一,矢野亨申請(qǐng)人:株式會(huì)社艾迪科