專利名稱：包含二極管緩沖器的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)設(shè)備，尤其是，涉及包括用于讀出的選擇緩沖器的RAM設(shè)備。
通常，一個(gè)RAM設(shè)備包括很多RAM單元，每一個(gè)RAM單元具有某種雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器電路，它對(duì)每個(gè)要被存儲(chǔ)的比特使用幾個(gè)晶體管。通常，一個(gè)RAM單元包含一對(duì)相互交叉耦合的驅(qū)動(dòng)器晶體管、一對(duì)負(fù)載電阻器或者負(fù)載晶體管、和連接到一個(gè)字線(在下文中稱為選擇線)和一對(duì)位線的一對(duì)傳輸晶體管(transfer transistor)。在這種RAM單元中，驅(qū)動(dòng)器晶體管中的僅僅一個(gè)被開(kāi)啟以便與存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)“1”或者“0”一致。
為了讀RAM單元，該傳輸晶體管通過(guò)改變選擇線的電勢(shì)而被開(kāi)啟，并且在驅(qū)動(dòng)器晶體管上的數(shù)據(jù)被傳送到位線上。另一方面，還通過(guò)開(kāi)啟傳輸晶體管然后將合適的電壓施加到位線上來(lái)實(shí)現(xiàn)寫(xiě)入。
一個(gè)MOS靜態(tài)類型的常規(guī)RAM設(shè)備包括大量的且沿著相互直交的行和列排列的這種存儲(chǔ)器單元。此外，該RAM設(shè)備包括多條選擇線，每條選擇線都連接到屬于一個(gè)相應(yīng)行的RAM單元；多對(duì)位線，每一對(duì)都連接到屬于一個(gè)相應(yīng)列的RAM單元；和多對(duì)位驅(qū)動(dòng)器，每一對(duì)都連接到一個(gè)相應(yīng)位線對(duì)。在這種情況下，對(duì)存儲(chǔ)器單元中的一個(gè)單元的選址是通過(guò)選擇一個(gè)選擇線和一對(duì)位線來(lái)實(shí)施的。
在上述的常規(guī)設(shè)備中，當(dāng)一個(gè)RAM單元被選中以便讀取存儲(chǔ)在該單元中的數(shù)據(jù)時(shí)，屬于該被選中的RAM單元的相同選擇線的且沒(méi)有被選中的其它RAM單元的傳輸晶體管也被開(kāi)啟，所以，電流從電源經(jīng)過(guò)沒(méi)被選中的RAM單元流到另一個(gè)電源(地)。因此，因?yàn)榇罅繘](méi)被選中的RAM單元被連接到一個(gè)選擇線上，因此，功耗很高。
在設(shè)計(jì)RAM設(shè)備時(shí)，人們有很大的興趣使它們盡可能的緊湊。一個(gè)重要的問(wèn)題是拆分(splitting)，或者將RAM劃分為不同的塊。RAM塊大小的一個(gè)制約因素是輸出總線。例如在液晶顯示器(LCD)RAM設(shè)備的情況中，其中讀出端口使用大型總線。對(duì)于多行尋址(MRA)RAM而言，這是一個(gè)很重要的問(wèn)題，因?yàn)?，?duì)于每一列，幾個(gè)像素(行)必須被一次讀出，例如，對(duì)于128列和8行尋址MRA模式，不得不一次讀出1024比特。
更精確地，限制實(shí)際上是因?yàn)镽AM設(shè)備的讀出。通過(guò)將1024條輸出位線與地短路(最糟糕的情況是所有的RAM單元值都是“0”)，來(lái)一次讀出1024比特產(chǎn)生位線電容到地的大的放電電流。這可能影響RAM的功能(RAM-地之間的不穩(wěn)定電壓)。
看看數(shù)據(jù)如何從RAM設(shè)備10中被讀出的經(jīng)典方式，我們注意到被預(yù)先充電到電壓VDD的位線11.1-11.3經(jīng)由RAM單元12.1-12.3被短路到地，如

圖1中所示。因此，位線11.1-11.3的放電主要通過(guò)選擇晶體管13.1-13.3和各個(gè)RAM單元12.1-12.3的NMOS晶體管來(lái)發(fā)生。VDD得以施加到其柵極14.1-14.3的選擇晶體管13.1-13.3處于強(qiáng)反型(strong inversion)和飽和，這意味著它在短路模式下正作為一種“理想”開(kāi)關(guān)進(jìn)行工作。該RAM設(shè)備10進(jìn)一步包括用于選擇該讀出的選擇緩沖器。在圖1中僅僅示出了一個(gè)選擇緩沖器16和一個(gè)選擇線17。當(dāng)該選擇緩沖器16接收一個(gè)選擇信號(hào)時(shí)，一個(gè)或者多個(gè)RAM單元12.1-12.3可以被讀出。
在當(dāng)前的例子中，因?yàn)檫x擇晶體管13.1被閉合，所以RAM單元12.1被讀出。表示該選擇晶體管13.1的一個(gè)“理想”開(kāi)關(guān)15在圖1的左邊被示出。當(dāng)這個(gè)開(kāi)關(guān)15被閉合時(shí)，存儲(chǔ)在RAM單元12.1的比特被讀出。
通常在顯示器驅(qū)動(dòng)器(DD)中使用的確定RAM設(shè)備只使用一個(gè)用于讀出的位線。節(jié)制互補(bǔ)的位線(也稱為相反的位線)，RAM設(shè)備可以在面積方面被減少，因?yàn)閮H僅一條位線必須被選路通過(guò)(routethrough)RAM而不是兩條位線。
在圖1中所示的方案實(shí)際上是被證實(shí)的在多個(gè)RAM設(shè)備中使用的讀出方法。
然而，顯示器變得越來(lái)越大。不僅僅顯示器的分辨率在提高，并且對(duì)改進(jìn)的灰度級(jí)的需求也增加了，特別是彩色顯示器。用于RAM的MRA結(jié)構(gòu)是解決顯示器設(shè)備的物理需求中出現(xiàn)的問(wèn)題的一種方式。MAR對(duì)于物理限制多有利，對(duì)RAM設(shè)計(jì)就具有多大的挑戰(zhàn)性。因?yàn)闉榱俗x出，多個(gè)選擇線被一次尋址，每一列不止一個(gè)比特必須被選路到RAM設(shè)備的輸出。
如果8行被一次尋址(稱為MRA-8)，這意味著，與正常的尋址方法(逐行)相比，8倍多的比特必須被一次讀出。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種有改良功能的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器設(shè)備和顯示器。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供隨機(jī)存取存儲(chǔ)器設(shè)備和顯示器，其中位線電容到地的峰值放電電流得到減小。
這里描述要求保護(hù)了一個(gè)解決方案，它通過(guò)減小由RAM讀出產(chǎn)生的峰值電流來(lái)增強(qiáng)常規(guī)RAM設(shè)備的設(shè)計(jì)。
根據(jù)本發(fā)明，一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器設(shè)備包括選擇線、位線和RAM單元。每個(gè)RAM單元連接到所述選擇線中一條相應(yīng)選擇線和所述位線中一條相應(yīng)的位線。此外，該隨機(jī)存取存儲(chǔ)器設(shè)備包含用于所述選擇線的選擇緩沖器，所述選擇緩沖器用于在接收到選擇信號(hào)時(shí)被使能的輸出。所述選擇緩沖器包含作為驅(qū)動(dòng)器的反相器(inverter)。所述反相器之后是一個(gè)用于限制輸出電壓在相應(yīng)選擇線上的漂移的二極管。
根據(jù)本發(fā)明，下面的步驟被執(zhí)行-將選擇信號(hào)施加到選擇緩沖器中的一個(gè)，-規(guī)定流過(guò)被選擇信號(hào)選中的一個(gè)選擇緩沖器的電流，所述電流流向受所述一個(gè)選擇緩沖器控制的選擇線，-然后，規(guī)定分流的電流，以便使得所述電流的一部分仍然流向受所述一個(gè)選擇緩沖器控制的選擇線，而所述電流的其余部分流過(guò)所述二極管再到地，從而限制輸出電壓在相應(yīng)選擇線上的漂移。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例非常適合發(fā)生大量讀出的RAM設(shè)備，尤其是使用電流感應(yīng)放大器來(lái)讀出的RAM設(shè)備。
對(duì)于本發(fā)明更完整的描述和它的進(jìn)一步的目的和優(yōu)點(diǎn)，將結(jié)合附圖參考下面的描述來(lái)說(shuō)明。
圖1是常規(guī)RAM設(shè)備的示意方框圖，圖2是根據(jù)本發(fā)明的RAM設(shè)備的示意方框圖，圖3A是根據(jù)本發(fā)明的二極管緩沖器的示意方框圖，圖3B是圖3A的二極管緩沖器在選擇階段的示意等效電路，圖4A是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)二極管緩沖器的示意方框圖，圖4B是圖4A的二極管緩沖器在選擇階段的示意等效電路，在這里所提議的方案規(guī)定了在讀出期間由位線放電產(chǎn)生的減小的峰值電流。為了實(shí)現(xiàn)該目的，在RAM單元中的選擇晶體管的柵極電壓不用VDD來(lái)驅(qū)動(dòng)，而是用如下的電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)，所述電壓確保處于弱反型中的選擇晶體管的工作模式。
這樣有選擇晶體管不是作為“理想”開(kāi)關(guān)而是作為高歐姆開(kāi)關(guān)工作的效果。
基本原理在圖2中說(shuō)明。示出了一個(gè)RAM設(shè)備20。它包含n條選擇線27(在圖2中僅僅示出了一條選擇線)、m條位線21.1-21.3、和n×m個(gè)RAM單元22.1-22.3。每個(gè)RAM單元22.1-22.3被連接到所述n條選擇線27中一條相應(yīng)的選擇線和所述m條位線21.1-21.3中一條相應(yīng)的位線。在當(dāng)前的例子中，RAM單元22.1連接在選擇線27和位線21.1之間，RAM單元22.2連接到選擇線27和位線21.2之間，RAM單元22.3連接到選擇線27和位線21.3之間。
選擇緩沖器被提供用于經(jīng)由選擇線27選擇RAM單元以便讀出數(shù)據(jù)。在當(dāng)前的例子中，僅僅示出了一個(gè)選擇緩沖器26。當(dāng)接收一個(gè)選擇信號(hào)時(shí)，這個(gè)選擇緩沖器26確保在選擇緩沖器輸出端28提供一個(gè)確定的電壓Vx并因此在選擇線27也提供一個(gè)確定的電壓Vx。根據(jù)本發(fā)明，這個(gè)電壓Vx小于供應(yīng)電壓VDD并大于選擇晶體管23.1-23.3的門(mén)限電壓Vthresh。也就是說(shuō)Vthresh＜Vx＜VDD。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，供應(yīng)電壓VDD在1.5V和3.3V之間，而電壓Vx在0.5V和1V之間，優(yōu)選地，在0.7V和0.9V之間。
如圖2所示，選擇緩沖器26包括一個(gè)充當(dāng)驅(qū)動(dòng)器的反相器29。該反相器29之后是二極管30，該二極管用于限制輸出電壓在選擇緩沖器輸出端28上的漂移，因而也用于限制電壓輸出在相應(yīng)選擇線27上的漂移。根據(jù)本發(fā)明選擇緩沖器26在這里被稱為二極管緩沖器。
因?yàn)槭褂枚O管緩沖器(例如，緩沖器26)，電流I從端子31(也就是在電勢(shì)VDD)流到端子32，端子32被連接到地(GND)。這個(gè)電流I不同于在常規(guī)RAM設(shè)備中的位線電流，它不是一個(gè)放電電流，這意味著這個(gè)電流I增加了整個(gè)RAM設(shè)備的功耗。
需要注意的是，相對(duì)于整個(gè)電流消耗，二極管緩沖器26的相對(duì)電流的增加對(duì)于低VDD比對(duì)于高VDD電壓更重要。當(dāng)使用標(biāo)準(zhǔn)選擇緩沖器16時(shí)，緩沖器16不得不將整個(gè)選擇線17充電到電壓VDD。選擇緩沖器16也正從電壓源提供的VDD供應(yīng)電壓中分出電流(tearcurrent)。然而，當(dāng)根據(jù)本發(fā)明使用二極管緩沖器26時(shí)，選擇線27將僅僅被充電到比門(mén)限電壓Vthres稍高的電壓Vx。典型地，該Vthres電壓小于1V。
因?yàn)樵谶x擇緩沖器輸出端28減小的電壓，對(duì)選擇線27進(jìn)行充電所需要的電流被減小。另一方面，在啟動(dòng)期間，二極管緩沖器26需要一些的電流。
從位線12.1-21.3之一的角度來(lái)看，RAM單元22.1-22.3充當(dāng)?shù)母袷菑奈痪€21.1-21.3中分出電流的電流源而不像常規(guī)RAM設(shè)備中的電壓源，其中選擇晶體管32.1-23.3在柵極24.1-24.3用VDD供應(yīng)電壓驅(qū)動(dòng)。
因?yàn)殡妷篤x比門(mén)限電壓Vthres大并且比供應(yīng)電壓VDD小的事實(shí)，選擇晶體管23.1-23.3作為高歐姆開(kāi)關(guān)操作。也就是說(shuō)，根據(jù)本發(fā)明，選擇晶體管23.1-23.3被規(guī)劃以電壓Vx操作，該電壓Vx能夠確保在弱反型狀態(tài)下的工作模式。在圖2中，選擇晶體管之一(也就是晶體管23.1)被示為高歐姆開(kāi)關(guān)25。在圖2中，高歐姆開(kāi)關(guān)25由其后跟隨有電阻R的理想開(kāi)關(guān)來(lái)表示。
因?yàn)橛晌痪€電容33.1-33.3和開(kāi)關(guān)電阻R產(chǎn)生的提高的時(shí)間常量R×C，通過(guò)高歐姆選擇晶體管23.1-23.3來(lái)實(shí)現(xiàn)峰值放電電流的減小。作為負(fù)作用，驅(qū)動(dòng)著選擇晶體管23.1-23.3的二極管緩沖器26分出從供應(yīng)電壓VDD到地的電流。
對(duì)根據(jù)本發(fā)明的二極管緩沖器26的更詳細(xì)的描述將結(jié)合圖3A和3B給出。當(dāng)RAM設(shè)備20的選擇線27被選中時(shí)，該二極管緩沖器26在它的輸入端子34接收一個(gè)選擇信號(hào)。在當(dāng)前的例子中，“0”信號(hào)充當(dāng)由二極管緩沖器26控制的選擇線27的選擇信號(hào)。當(dāng)該選擇信號(hào)被切換到“0”，該二極管緩沖器26的PMOS晶體管T1被接通并且開(kāi)始對(duì)選擇線27的電容進(jìn)行充電。在圖3A中，這個(gè)選擇線電容通過(guò)電容Csel(這里稱為第一階段)來(lái)示意地表示。因?yàn)檫x擇線27初始也有一個(gè)“0”，充當(dāng)二極管的晶體管T2不導(dǎo)通。在這種情況下，流經(jīng)PMOS晶體管T1的整個(gè)電流旨在對(duì)選擇線電容器Csel充電，如同對(duì)常規(guī)選擇線緩沖器。當(dāng)選擇線接近一個(gè)能使晶體管T2的電導(dǎo)分支為二極管的電壓時(shí)(典型是大約為Vthresh)，流經(jīng)PMOS晶體管T1的電流被偏離以便通過(guò)二極管充電(晶體管T2)并且不僅僅對(duì)選擇線電容Csel(這里稱為第二階段)。因此，在輸出端子28的電壓是這樣的使得NMOS晶體管T2和連接到這個(gè)特定選擇線27的所以其它選擇晶體管23.1-23.m都導(dǎo)通著。
因?yàn)樵谳敵龆俗?8的電壓沒(méi)有升高到VDD而是位于最小的夾斷電壓Vx(稍微高于Vthresh)，所以其它的選擇晶體管23.1-23.m也導(dǎo)通著，但是它們處于讓它們表現(xiàn)得就像高歐姆電阻一樣的弱、相應(yīng)適中的反型中。
這個(gè)電路26在選擇階段的等效電路在圖3B中圖示。需要注意的是，PMOS晶體管T1的電阻RT1主要確定在選擇階段的流動(dòng)電流。因此，PMOS晶體管T1最好是一個(gè)具有小W/L(大電阻)的晶體管。
根據(jù)本發(fā)明的二極管緩沖器46的另一個(gè)實(shí)施例在圖4A和圖4B中示出。這些圖示出了二極管緩沖器46的改進(jìn)的解決方案。該二極管在選擇階段的電流消耗的缺點(diǎn)可以通過(guò)使用電流源來(lái)限制。
當(dāng)電流源可用于其上已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了RAM設(shè)備的芯片上時(shí)，由這個(gè)電流源提供的基準(zhǔn)電流可以被用來(lái)限制在選擇階段通過(guò)二極管緩沖器46的電流。僅僅用于二極管緩沖器的電流源的實(shí)現(xiàn)可能是不可調(diào)整的，因?yàn)椋娏髟磳⑾某志玫碾娏鞑⒁虼藭?huì)提高整個(gè)RAM設(shè)備的功耗。
將電流源放置在其上已經(jīng)實(shí)現(xiàn)RAM設(shè)備的芯片上，這個(gè)電流可以被鏡像到二極管緩沖器46。該方案的電示意圖在圖4A中示出。圖4B圖示出了增強(qiáng)型二極管緩沖器46在選擇階段的等效電路。當(dāng)二極管緩沖器46不被使能時(shí)，也就是當(dāng)選擇信號(hào)“1”被施加到它的輸入端子44時(shí)，在二極管緩沖器46上的電流鏡像48被關(guān)斷。
只要通過(guò)在二極管緩沖器46的輸入端子44施加一個(gè)選擇信號(hào)“0”而使能了二極管緩沖器46，該二極管緩沖器46就接通電流鏡像4 8并且整個(gè)電流將如前面參照?qǐng)D3A和圖3B描述的那樣工作，其不同之處在于，用于在第一階段給選擇線電容Csel充電且在第二階段流過(guò)二極管的電流由電流鏡像48控制。因此，如果在端子41有一個(gè)不依賴于供應(yīng)電壓VDD的基準(zhǔn)電流，流過(guò)二極管緩沖器46的峰值電流將也不依賴供應(yīng)電壓VDD。
然而，來(lái)自電流鏡像48的電流應(yīng)當(dāng)高到足以能確保對(duì)選擇線電容Csel的充電足夠快，這意味著用于讀出的RAM單元的選擇時(shí)間被保持為小到足以能滿足RAM設(shè)備的規(guī)格。
本發(fā)明允許減小用于在RAM設(shè)備中的大量讀出的峰值放電電流。本發(fā)明規(guī)定將放電分布在一個(gè)較大的時(shí)間周期中。
本發(fā)明允許實(shí)現(xiàn)較大的RAM塊而不必拆分RAM。
在這里描述和要求保護(hù)的二極管緩沖器與使用的工藝和/或技術(shù)無(wú)關(guān)。二極管緩沖器的結(jié)構(gòu)是相對(duì)簡(jiǎn)單的。
對(duì)于電流感應(yīng)放大器來(lái)說(shuō)高歐姆電容是所希望的。換句話說(shuō)，本發(fā)明是很適合在電流感應(yīng)放大器中使用。電流感應(yīng)放大器期望著RAM設(shè)備充當(dāng)電流源。根據(jù)本發(fā)明，這只有用高歐姆開(kāi)關(guān)才是可能的。
本發(fā)明允許相同的RAM設(shè)備被用于大范圍的電源。
給出的實(shí)施例和實(shí)現(xiàn)是電流消耗和供應(yīng)電壓上的可擴(kuò)展性(scalability)之間的折衷。
這里描述的和要求保護(hù)的二極管緩沖器方法描述了用于高電壓(VDD＞3V)RAM應(yīng)用以及低電壓(VDD＜1.8V)RAM應(yīng)用的可行方案。
本發(fā)明對(duì)于高分辨率顯示器配置是非常合適的。
應(yīng)該理解，本發(fā)明為了清楚起見(jiàn)而在相互獨(dú)立的實(shí)施例的背景下描述的各種特征也可以在單個(gè)實(shí)施例中組合起來(lái)提供。反過(guò)來(lái)，本發(fā)明為了簡(jiǎn)潔起見(jiàn)而在單個(gè)實(shí)施例的背景下描述的各種特征也可以被獨(dú)立地提供或者以任何合適的子組合來(lái)提供。
在附圖和說(shuō)明書(shū)中已經(jīng)闡述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，雖然使用了專用術(shù)語(yǔ)，但是這樣給出的描述僅以通用的和描述性的角度使用了術(shù)語(yǔ)，而不是為了限制的目的。
權(quán)利要求
1.一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器設(shè)備(20)，包括n條選擇線(24；27)、m條位線(21.1-21.3)、n×m個(gè)RAM單元(22.1-22.3)，每個(gè)RAM單元(22.1-22.3)連接到所述n條選擇線(27；47)中一條相應(yīng)的選擇線和所述m條位線(21.1-21.3)中一條相應(yīng)的位線、以及k個(gè)選擇緩沖器(26；46)，所述緩沖器用于在接收到選擇信號(hào)時(shí)，選擇n條選擇線(27；47)中一條選擇線的讀出，其中k小于或者等于n，其特征在于-所述選擇緩沖器(26；46)中的每一個(gè)選擇緩沖器包含充當(dāng)驅(qū)動(dòng)器的反相器(29)，-所述反相器之后是用于限制輸出電壓在相應(yīng)選擇線(27；47)上的漂移的二極管(30)。
2.如權(quán)利要求1所述的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器設(shè)備(20)，其特征在于，所述選擇緩沖器(26；46)提供一個(gè)確定的電壓(Vx)到選擇線，所述確定電壓比所述設(shè)備(20)的供應(yīng)電壓(VDD)小。
3.如權(quán)利要求1或者2所述的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器設(shè)備(20)，其特征在于，每個(gè)RAM單元(22.1-22.3)包括一個(gè)位于所述m條位線(22.1-22.3)中的一條位線和所述n條選擇線(27；47)中的一條選擇線之間的選擇晶體管。
4.如權(quán)利要求3所述的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器設(shè)備(20)，其特征在于，所述選擇晶體管(23.1-23.3)由這樣一個(gè)電壓驅(qū)動(dòng)，該電壓能夠確保處于弱、相應(yīng)適中的反型中的所述晶體管(23.1-23.3)的工作模式。
5.如權(quán)利要求3所述的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器設(shè)備(20)，其特征在于，所述選擇晶體管(23.1-23.3)由一個(gè)電壓驅(qū)動(dòng)以便將它們作為高歐姆開(kāi)關(guān)來(lái)操作。
6.如前面任一權(quán)利要求所述的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器設(shè)備(20)，其特征在于，所述選擇緩沖器(26；46)被提供，用于通過(guò)所述選擇線(27；47)選擇n×m個(gè)MAR單元中的幾個(gè)單元，所述相應(yīng)選擇緩沖器(26；46)被連接到所述選擇線以便讀出數(shù)據(jù)。
7.如權(quán)利要求3-6之一所述的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器設(shè)備(20)，其特征在于，所述選擇緩沖器(26；46)確保在相應(yīng)選擇線上提高一個(gè)確定電壓(Vx)，該確定電壓(Vx)小于隨機(jī)存取存儲(chǔ)器設(shè)備(20)的供應(yīng)電壓(VDD)，而大于選擇晶體管(23.1-23.3)的門(mén)限電壓(Vthresh)。
8.如權(quán)利要求7所述的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器設(shè)備(20)，其特征在于，所述供應(yīng)電壓(VDD)處于1.5V和3.3V之間，所述確定電壓(Vx)處于0.5V和1V之間，優(yōu)選地，處于0.7V和0.9V之間。
9.如前面任一權(quán)利要求所述的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器設(shè)備(20)，其特征在于，分支為二極管的晶體管(T2)充當(dāng)用于限制輸出電壓漂移的二極管。
10.一種顯示器，優(yōu)選地為一種液晶顯示器，包含一個(gè)如前面任一權(quán)利要求所述的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器設(shè)備(20)。
11.一種用于從隨機(jī)存取存儲(chǔ)器設(shè)備(20)中讀取數(shù)據(jù)的方法，包括-選擇線(27；47)，-位線(21.1-21.3)，-RAM單元(22.1-22.3)，每個(gè)RAM單元(22.1-22.3)被連接到所述選擇線(27；47)中一條相應(yīng)的選擇線和所述位線(21.1-21.3)中一條相應(yīng)的位線，和-選擇緩沖器(26；46)，用于在接收到選擇信號(hào)時(shí)，選擇所述選擇線(27；47)中的一條選擇線的讀出，其特征在于，選擇緩沖器(26；46)中的每一個(gè)包括充當(dāng)驅(qū)動(dòng)器的反相器(29)和一個(gè)二極管(30)該方法包括如下步驟-將一個(gè)選擇信號(hào)施加到選擇緩沖器(26；46)中的一個(gè)選擇緩沖器，-在第一階段，規(guī)定通過(guò)由所述選擇信號(hào)選擇的一個(gè)選擇緩沖器(26；46)的電流(I)，所述電流(I)流向受所述一個(gè)選擇緩沖器(26；46)控制的選擇線(27；47)，-在第二階段，規(guī)定分流的電流(I)，以便使得電流(I)的一部分仍然流向受一個(gè)選擇緩沖器(26；46)控制的選擇線(27；47)，而所述電流(I)的其余部分流過(guò)所述二極管(30)再到地，以便限制輸出電壓在相應(yīng)選擇線(27；47)上的漂移。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，包括步驟-向所述選擇線提供一個(gè)確定電壓(Vx)，所述確定電壓(Vx)小于所述設(shè)備(20)的供應(yīng)電壓(VDD)。
全文摘要
一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器設(shè)備(20)，包括選擇線(27；47)、位線(21.1－21.3)和幾個(gè)RAM單元(22.1－22.3)，每個(gè)RAM單元(22.1－22.3)被連接到所述選擇線(27；47)中一條相應(yīng)的選擇線和所述位線21.1－21.3)中一條相應(yīng)的位線。該隨機(jī)存取存儲(chǔ)器設(shè)備(20)進(jìn)一步包括用于在接收一個(gè)選擇信號(hào)時(shí)，選擇所述選擇線(27；47)中的一條選擇線的讀出的選擇緩沖器(26；46)。每個(gè)選擇緩沖器(26；46)包括一個(gè)充當(dāng)驅(qū)動(dòng)器的反相器(29)。該反相器之后是一個(gè)用于限制輸出電壓在相應(yīng)選擇線(27；47)上的漂移的二極管(30)。
文檔編號(hào)G11C11/413GK1539147SQ02815476
公開(kāi)日2004年10月20日 申請(qǐng)日期2002年8月7日 優(yōu)先權(quán)日2001年8月8日
發(fā)明者N·斯托賈諾夫, N 斯托賈諾夫 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司