專利名稱：動態(tài)隨機存取存儲器的存取控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種動態(tài)隨機存取存儲器的存取控制方法，特別是關(guān)于一種以相同的BIOS程序即可供內(nèi)存控制器存取DDR-I DRAMDIMM或DDR-II DRAM DIMM的動態(tài)隨機存取存儲器的存取控制方法。
背景技術(shù)：
動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory；DRAM)因具有儲存容量大及成本低的特性，因此，許多電子產(chǎn)品(例如桌上型計算機、筆記本型計算機、服務(wù)器或工作站等)均采用其當(dāng)作最佳的內(nèi)存解決方案，更是電子產(chǎn)品不可或缺的零件。
再者，為提高DRAM的傳輸速度，因此DRAM業(yè)者也不斷地推出不同的DRAM，例如DDR-I(Double Data Rate-I)DRAM和DDR-IIDRAM，并通過雙重內(nèi)嵌式內(nèi)存模塊(Dual In-line Memory Modules；DIMM)插槽(Slot)，將這兩種DRAM DIMM插入基板(Base Board)上，一般而言，不同的DRAM(即DDR-I DRAM或DDR-II DRAM)DIMM即具有對應(yīng)的DIMM插槽。
為配合DDR-I DRAM DIMM(以下簡稱DDR-I DIMM)及DDR-IIDRAM DIMM(以下簡稱DDR-II DIMM)兩種規(guī)格的DRAM模塊，Intel公司也推出可支持DDR-I DIMM及DDR-II DIMM的芯片組Lindenhurst，其內(nèi)含一種內(nèi)存控制器(在此將Lindenhurst芯片組簡稱為內(nèi)存芯片組Lindenhurst)。如圖1(A)及圖1(B)分別是顯示使用DDR-IDRAM DIMM插槽的基板7及DDR-II DRAM DIMM插槽的基板7′所需的基本結(jié)構(gòu)方塊示意圖。兩個基板(7、7′)分別使用相同的內(nèi)存控制器1(例如Intel公司推出的內(nèi)存芯片組Lindenhurst)，且各別使用DDR-IDIMM插槽區(qū)2及DDR-II DIMM插槽區(qū)2′，此處的DIMM插槽區(qū)(2、2′)均具有8個DIMM插槽(20、21、…、27以及20′、21′、…、27′)，且兩個DIMM插槽區(qū)(2、2′)其中的6個DIMM插槽各別安裝有DDR-IDRAM DIMM 3及DDR-II DRAM DIMM 4。
由于DDR-I DRAM DIMM 3及DDR-II DRAM DIMM 4并不兼容，且兩者的硬件設(shè)計也不相同，故雖然DDR-I DRAM DIMM 3及DDR-IIDRAM DIMM 4均可由Intel公司的內(nèi)存芯片組Lindenhurst支持，然而，在無法同時支持的情況下，即須在兩個基板(7、7′)上安裝不同的BIOS程序(5、5′)，以令該內(nèi)存芯片組Lindenhurst判斷受其執(zhí)行存取控制對象的DIMM插槽區(qū)(2、2′)是哪個規(guī)格。
由上可知，這種作法顯然造成電子產(chǎn)品業(yè)者在BIOS程序設(shè)計、BIOS程序?qū)懭?、基板測試等過程的不便。因此，如何讓電子產(chǎn)品業(yè)者僅需利用相同的BIOS程序即可隨意設(shè)計及制造出以該內(nèi)存芯片組Lindenhurst支持DDR-I DIMM或DDR-II DIMM的基板，即是目前所需解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明的主要目的在于提供一種動態(tài)隨機存取存儲器的存取控制方法，通過同一個BIOS程序即可令內(nèi)存控制器對DDR-I DRAM DIMM或DDR-II DRAM DIMM進行存取控制。
為達成上述及其它目的，本發(fā)明提供一種動態(tài)隨機存取存儲器的存取控制方法。本發(fā)明的動態(tài)隨機存取存儲器的存取控制方法，應(yīng)用在設(shè)有至少一第一規(guī)格動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)模塊插槽或至少一第二規(guī)格DRAM模塊插槽、內(nèi)存控制器及基本輸入輸出系統(tǒng)(BasicInput/Output System，BIOS)程序的基板，供該基板對安裝在第一規(guī)格DRAM模塊插槽的第一DRAM模塊或安裝在第二規(guī)格DRAM模塊插槽的第二DRAM模塊進行存取控制，該方法至少包括以下步驟令該BIOS程序預(yù)存第一規(guī)格DRAM模塊及第二規(guī)格DRAM模塊相關(guān)數(shù)據(jù)；令該基板根據(jù)該BIOS程序執(zhí)行內(nèi)存初始化程序(MemoryInitialization)；令該內(nèi)存控制器于內(nèi)存初始化程序中對該基板上所設(shè)的內(nèi)存模塊進行存取，并對內(nèi)存模塊通過SM(System Management)總線以I2C協(xié)議(Protocol)進行其SPD(Serial Present Detect)資料讀取，根據(jù)DRAM模塊SPD資料的記憶體型式字段(Memory Type Field)值判斷安裝于該DRAM模塊插槽為第一DRAM模塊或第二DRAM模塊；以及令該內(nèi)存控制器以該DRAM模塊自該BIOS程序讀取與該DRAM模塊對應(yīng)的DRAM模塊相關(guān)資料，以供內(nèi)存控制器根據(jù)所讀取到的DRAM模塊相關(guān)資料對安裝于該DRAM模塊插槽中的DRAM模塊進行存取控制。
本發(fā)明的動態(tài)隨機存取存儲器的存取控制方法顯然能有效解決現(xiàn)有內(nèi)存控制器存取DDR-I DIMM或DDR-II DIMM時在BIOS程序設(shè)計、BIOS程序?qū)懭?、基板測試等過程的不便。


圖1(A)及圖1(B)分別顯示使用DDR-I DIMM及DDR-II DIMM作為內(nèi)存模塊的基板所需的基本結(jié)構(gòu)方塊示意圖；圖2顯示應(yīng)用本發(fā)明的動態(tài)隨機存取存儲器的存取控制方法使內(nèi)存控制器以同一個BIOS程序即可對DDR-I DIMM或DDR-II DIMM進行存取控制的基本結(jié)構(gòu)方塊示意圖；以及圖3顯示本發(fā)明的動態(tài)隨機存取存儲器的存取控制方法的流程步驟示意圖。
具體實施例方式
實施例圖2是應(yīng)用本發(fā)明的動態(tài)隨機存取存儲器的存取控制方法，使內(nèi)存控制器以同一個BIOS程序即可對DDR-I DRAM DIMM(以下簡稱為DDR-I DIMM)或DDR-II DRAM DIMM(以下簡稱為DDR-II DIMM)進行存取控制的基本結(jié)構(gòu)方塊示意圖。在本實施例中，本發(fā)明的動態(tài)隨機存取存儲器的存取控制方法所需的構(gòu)件包括內(nèi)存控制器1、BIOS程序6以及DDR-I DIMM插槽區(qū)2或DDR-II DIMM插槽區(qū)2′，這些構(gòu)件是設(shè)在基板(未標(biāo)出)上，供安裝該基板的電子裝置(例如筆記本型計算機、桌上型計算機、服務(wù)器或工作站)以相同的BIOS程序6即可對DDR-I DIMM或DDR-II DIMM進行存取控制。在此須提出說明的是，該基板另具有其它各種功能單元，為簡化附圖及說明，此處的結(jié)構(gòu)僅顯示與本發(fā)明有關(guān)的構(gòu)件，其它無關(guān)的構(gòu)件，例如南橋及北橋等的硬件結(jié)構(gòu)，并未顯示在附圖中。
電子裝置基板上的DRAM均使用相同的DRAM規(guī)格，也就是，該基板具有統(tǒng)一的DRAM規(guī)格，本實施例即以DDR-I DRAM或DDR-IIDRAM為例說明，且因應(yīng)不同DRAM規(guī)格而在基板上設(shè)有相對應(yīng)的雙重內(nèi)嵌式內(nèi)存模塊(Dual In-line Memory Modules；DIMM)插槽(DIMMSlot)，也就是，不同DRAM規(guī)格對應(yīng)的DIMM外觀不相同，以提供防呆設(shè)計的功能，故可使基板上DRAM規(guī)格安裝正確。
本實施例的DDR-I DRAM模塊插槽區(qū)2及DDR-II DRAM模塊插槽區(qū)2′均具有8個DIMM插槽(20、21、…、27以及20′、21′、…、27′)，其中，該DDR-I DRAM模塊插槽區(qū)2的DIMM插槽(20、21、22、24、25及26)各安裝一個DDR-I DIMM 3，該DDR-II DIMM插槽區(qū)2′的DIMM插槽(21′、22′、23′、25′、26′及27′)各安裝一個DDR-IIDIMM4。各個DIMM(20、21、22、24、25、26以及21′、22′、23′、25′、26′、27′)各別具有例如EEPROM的存儲器(未標(biāo)出)，用于儲存DIMM參數(shù)，也就是SPD(Serial Presence Detect；SPD)資料，且DIMM的SPD資料包括內(nèi)存型號(Memory Type)的字段，故我們可由此字段值得知該DIMM是DDR-I或DDR-II。再者，每個DIMM插槽都具有一SM(System Management)總線，其具有2條信號線，一是資料線(DataLine)，另一個是時鐘線(Clock Line)，以連接到此插槽，其乃是系統(tǒng)通過SM總線使用I2C協(xié)議(Protocol)去存取DIMM SPD資料，且DIMM的規(guī)格規(guī)定DIMM插槽的I2C地址規(guī)范是A0H、A2H、A4H、A6H、A8H、AAH、ACH以及AEH。再者，該DIMM插槽的數(shù)量并未限定為本實施例所示的八個，也可以是六個或四個等，視實施例而定。
再者，本實施例的內(nèi)存控制器1是指Intel公司的內(nèi)存芯片組Lindenhurst，由于基板僅具有單一種的DRAM規(guī)格，故BIOS僅需掃描各DIMM插槽(20、21、…、27以及20′、21′、…、27′)的SPD資料中的內(nèi)存型號字段(Memory Type Filed)，便可知安裝在該DIMM插槽上的DRAM DIMM規(guī)格是DDR-I DIMM 3或DDR-II DIMM 4。SPD資料有其標(biāo)準(zhǔn)定義(其定在PC SDRAM Serial Presence Detect)，其中Byte 2的資料代表內(nèi)存型號，其值07代表DDR-I DIMM；其值08代表DDR-II DIMM。
由上可知，BIOS以掃描方式讀取各DIMM插槽(20、21、…、27以及20′、21′、…、27′)的存儲器所儲存的SPD資料的Byte 2(MemoryType Field)值，即可判斷目前安裝在DIMM插槽上的DRAM DIMM規(guī)格，并自該BIOS程序6讀取與該DRAM DIMM規(guī)格相對應(yīng)的資料(也就是程序或資料)，供電子裝置在開機程序中即順利完成內(nèi)存初始化。由于上述BIOS程序及計算機裝置開機初始化程序均為一般計算機系統(tǒng)在運行前的必要構(gòu)件及程序，也是計算機技術(shù)人員熟知的技術(shù)，因此以下不對其運行功能及內(nèi)部結(jié)構(gòu)作說明。
圖3顯示本發(fā)明的動態(tài)隨機存取存儲器的存取控制方法的流程步驟示意圖。如圖所示，首先進行步驟S1，由于DDR-I DIMM及DDR-IIDIMM的特性不同，故硬件布線的需求即不相同，例如DIMM CS(ChipSelect)組態(tài)、DIMM插槽的I2C地址、時鐘控制方式、CKE腳(Pin)模式為共享或獨立以及DIMM數(shù)量等，故需根據(jù)DDR-I DRAM及DDR-IIDRAM的特性預(yù)先在該BIOS程序6中加入DDR-I DIMM 3以及DDR-II DIMM 4的相關(guān)資料，接著進至步驟S2。
在該步驟S2中，令該電子裝置的基板根據(jù)該BIOS程序6執(zhí)行內(nèi)存初始化程序，使該內(nèi)存控制器1在初始化程序中對該基板上所設(shè)的用于安裝DDR-I DIMM 3的DIMM插槽(也就是DDR-I DIMM插槽區(qū)2)或用于安裝DDR-II DIMM 4的DIMM插槽(也就是DDR-II DIMM插槽區(qū)2′)進行存取，并對所有DRAM DIMM插槽進行SPD資料讀取，也就是BIOS以掃描方式(由I2C地址A0H、A2H、A4H、A6H、A8H、AAH、ACH及AEH依次對DIMM插槽進行掃描)，取得SPD內(nèi)存型號字段(即Byte 2)的資料值，并根據(jù)該資料值判斷DIMM插槽區(qū)是DDR-I DIMM 3或DDR-II DIMM 4，接著進行步驟S3。
在該步驟S3中，BIOS借由讀取SPD內(nèi)存型號字段(即Byte 2)的資料值，做為判斷DIMM插槽是否是DDR-I DIMM 3或DDR-II DIMM4(也就是，該Byte 2資料值為07則代表DIMM插槽區(qū)是DDR-I DIMM；該Byte 2資料值為08則代表DIMM插槽區(qū)是DDR-II DIMM)。故若該內(nèi)存控制器1判斷目前的DRAM模塊是DDR-II DIMM 4，則進至步驟S4；反之，則進行步驟S5。
在該步驟S4中，令該內(nèi)存控制器1以判斷出DDR-II DIMM規(guī)格自該BIOS程序6讀取與該DDR-II DIMM規(guī)格對應(yīng)的DRAM DIMM相關(guān)資料，例如，用于宣告DDR-II DIMM硬件電路布局的變量及程序段，供該內(nèi)存控制器1根據(jù)讀取到的DDR-II DIMM相關(guān)資料對安裝在該DIMM插槽中的DDR-II DIMM進行存取控制。
在該步驟S5中，令該內(nèi)存控制器1判斷出DDR-I DIMM規(guī)格自該BIOS程序6讀取與該DDR-I DIMM規(guī)格對應(yīng)的DRAM DIMM相關(guān)資料，例如，用于宣告DDR-I DIMM硬件電路布局的變量及程序段，供該內(nèi)存控制器1根據(jù)讀取到的DDR-I DIMM相關(guān)資料，對安裝于該DIMM插槽中的DDR-I DIMM進行存取控制。
綜上所述，本發(fā)明的動態(tài)隨機存取存儲器的存取控制方法是根據(jù)DDR-I DIMM及DDR-II DIMM的特性，在原有的BIOS程序中加入DDR-I DIMM以及DDR-II DIMM的相關(guān)資料，且在內(nèi)存初始化程序中令BIOS以掃描方式(由I2C地址A0h、A2h、…、AEh依次對DIMM插槽進行掃描)對DIMM插槽的SPD資料進行讀取，即可判斷出該DRAM規(guī)格為何，故使電子產(chǎn)品業(yè)者通過單一個BIOS程序即可隨意設(shè)計及制造出以內(nèi)存控制器支持DDR-I DIMM或DDR-II DIMM的基板，故本發(fā)明的動態(tài)隨機存取存儲器的存取控制方法顯然能有效解決現(xiàn)有內(nèi)存控制器存取DDR-I DIMM或DDR-II DIMM時在BIOS程序設(shè)計、BIOS程序?qū)懭?、基板測試等過程的不便。
權(quán)利要求
1.一種動態(tài)隨機存取存儲器的存取控制方法，應(yīng)用在設(shè)有至少一第一規(guī)格DRAM模塊插槽及至少一第二規(guī)格DRAM模塊插槽中一種規(guī)格的插槽、內(nèi)存控制器及基本輸入輸出系統(tǒng)程序的基板，供該基板對安裝在該第一規(guī)格DRAM模塊插槽的第一DRAM模塊及安裝在第二規(guī)格DRAM模塊插槽的第二DRAM模塊中的一種DRAM模塊進行存取控制，其特征在于，該方法至少包括以下步驟令該BIOS程序預(yù)存第一DRAM模塊及第二DRAM模塊相關(guān)數(shù)據(jù)；令該基板根據(jù)該BIOS程序執(zhí)行內(nèi)存初始化程序；令該內(nèi)存控制器在內(nèi)存初始化程序中，對該基板上所設(shè)的DRAM模塊插槽進行存取，并通過DRAM模塊I2C地址讀取DRAM模塊儲存的內(nèi)存型號字段的資料值，得以判斷安裝在該DRAM模塊插槽是第一DRAM模塊及第二DRAM模塊中的一種DRAM模塊；以及令該內(nèi)存控制器以該DRAM模塊自該BIOS程序讀取與該DRAM模塊對應(yīng)的DRAM模塊相關(guān)資料，供內(nèi)存控制器根據(jù)讀取到的DRAM模塊相關(guān)資料，對安裝在該DRAM模塊插槽中的DRAM模塊進行存取控制。
2.如權(quán)利要求1所述的存取控制方法，其特征在于，該內(nèi)存模塊插槽是指DIMM插槽。
3.如權(quán)利要求2所述的存取控制方法，其特征在于，該DRAM模塊儲存的內(nèi)存型號字段的資料值是指SPD資料上的Byte 2資料值。
4.如權(quán)利要求3所述的存取控制方法，其特征在于，該Byte 2資料值是07，則代表DRAM模塊是DDR-I DIMM；該Byte 2資料值是08，則代表DRAM模塊是DDR-II DIMM。
5.如權(quán)利要求3所述的存取控制方法，其特征在于，該DRAM模塊插槽是通過SM總線使用I2C協(xié)議存取SPD資料。
6.如權(quán)利要求3所述的存取控制方法，其特征在于，該SPD資料是儲存在EEPROM中。
7.如權(quán)利要求1所述的存取控制方法，其特征在于，該第一DRAM模塊是指DDR-I DRAM DIMM。
8.如權(quán)利要求1所述的存取控制方法，其特征在于，該第二DRAM模塊是指DDR-II DRAM DIMM。
9.如權(quán)利要求1所述的存取控制方法，其特征在于，內(nèi)存控制器是指Intel公司的內(nèi)存芯片組Lindenhurst。
全文摘要
一種動態(tài)隨機存取存儲器的存取控制方法，應(yīng)用在設(shè)有至少一第一規(guī)格DRAM模塊插槽或至少一第二規(guī)格DRAM模塊插槽中的一種內(nèi)存模塊插槽、BIOS程序的基板，供該基板對第一DRAM模塊或的第二DRAM模塊進行存取控制，令該BIOS程序預(yù)存第一DRAM模塊及第二DRAM模塊相關(guān)數(shù)據(jù)；且接著令該基板根據(jù)該BIOS程序執(zhí)行初始化程序，使該內(nèi)存控制器DRAM模塊進行存取，最后令該內(nèi)存控制器判斷DRAM模塊相關(guān)資料，供內(nèi)存控制器根據(jù)讀取到的DRAM模塊相關(guān)資料對安裝在該DRAM模塊插槽中的模塊進行存取控制。
文檔編號G06F3/06GK1797376SQ20041010412
公開日2006年7月5日 申請日期2004年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月30日
發(fā)明者盧盈志, 余亮宏 申請人:英業(yè)達股份有限公司