技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開了一種CoO/SnO2敏感材料的組成及其制備方法，本發(fā)明是由SnO2花狀分等級結構和其在表面生長的CoO納米顆粒組成，SnO2花狀分等級結構的尺寸是在1μm以上，且由厚度為100nm以下的納米片構成，CoO納米顆粒生產在片花結構上；本發(fā)明方法簡單，采用兩步水熱法制備CoO/SnO2敏感材料，首先采用水熱法先制備花狀分等級結構SnO2，再將得到的花狀分等級結構SnO2用氨水和雙氧水的混合水溶液進行處理后，然后將經溶液處理后的SnO2為反應物水熱法制備CoO/SnO2敏感材料；本發(fā)明增加了表面活性位點，增加了氣體在半導體氧化物表面的擴散與滲透，具有很好的敏感特性、長期穩(wěn)定性。

技術研發(fā)人員：王慶吉;李旭;林婷婷;李爽;孫彩堂;李剛;周逢道;林君
受保護的技術使用者：吉林大學
技術研發(fā)日：2017.03.28
技術公布日：2017.07.21