技術特征：

技術總結
本發(fā)明涉及校準高溫計裝置的方法，該高溫計裝置用于測量擱置在CVD或PVD反應器的基座上的基板的表面溫度，其中該高溫計裝置具有第一高溫計，其在帶寬小于20nm的窄譜范圍內是靈敏的，且經出廠預校準或在預校準步驟中被預校準；和至少一個第二高溫計，其在帶寬大于100nm的第二寬帶譜范圍內是靈敏的，其中在第一步驟中校準所述第一高溫計，并在第二步驟中將基座或校準元件調溫至校準溫度，或依次調溫至多個不同的校準溫度(Tl、T2、T3、T4)，用所述第一高溫計測量該校準溫度，并將該溫度用作參考點(Sl、S2、S3、S4)來測定所述第二高溫計的特性曲線。

技術研發(fā)人員：B.R.范韋爾;P.J.蒂曼斯
受保護的技術使用者：艾克斯特朗歐洲公司
技術研發(fā)日：2015.11.24
技術公布日：2017.08.29