本實用新型涉及傳感器領(lǐng)域,特別是涉及一種液位傳感器校準(zhǔn)裝置。
背景技術(shù):
基于全球經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展,IC技術(shù)(Integrated circuit)已經(jīng)滲透到國防建設(shè)和國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的各個領(lǐng)域,成為世界第一大產(chǎn)業(yè)。IC所用的材料主要是硅和砷化鎵等,全球90%以上IC都采用硅片。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的飛速發(fā)展,一方面,為了增大芯片產(chǎn)量,降低單元制造成本,要求硅片的直徑不斷增大;另一方面,為了提高IC的集成度,要求硅片的刻線寬度越來越細(xì)。半導(dǎo)體硅片拋光工藝是銜接材料與器件制備的邊沿工藝,它極大地影響著材料和器件的成品率,并肩負(fù)消除前加工表面損傷沾污以及控制誘生二次缺陷和雜質(zhì)的雙重任務(wù)。在特定的拋光設(shè)備條件下,硅片拋光效果取決于拋光劑及其拋光工藝技術(shù)。
最初的半導(dǎo)體基片(襯底片)拋光沿用機(jī)械拋光,例如氧化鎂、氧化鋯拋光等,但是得到的晶片表面損傷是及其嚴(yán)重的。直到60年代末,一種新的拋光技術(shù)——化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)(CMP Chemical Mechanical Polishing)取代了舊的方法,它借助超微粒子的研磨作用以及拋光液(漿料)的化學(xué)腐蝕作用,在化學(xué)成膜和機(jī)械去膜的交替過程中,從被研磨的介質(zhì)表面上去除極薄的一層材料,實現(xiàn)超精密平坦表面加工。CMP技術(shù)綜合了化學(xué)和機(jī)械拋光的優(yōu)勢:單純的化學(xué)拋光,拋光速率較快,表面光潔度高,損傷低,完美性好,但表面平整度和平行度差,拋光后表面一致性差;單純的機(jī)械拋光表面一致性好,表面平整度高,但表面光潔度差,損傷層深。化學(xué)機(jī)械拋光可以獲得較為完美的表面,又可以得到較高的拋光速率,得到的平整度比其他方法高兩個數(shù)量級,是目前能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的唯一有效方法。
研磨液是CMP的關(guān)鍵要素之一,研磨液的性能直接影響拋光后表面的質(zhì)量,研磨液一般由超細(xì)固體粒子研磨劑、表面活性劑、穩(wěn)定劑、氧化劑、螯合劑、去離子水混合后組成,固體粒子提供研磨作用,化學(xué)氧化劑提供腐蝕溶解作用。
研磨液通常是由研磨液自動配比裝置配比并且供應(yīng)到機(jī)臺,當(dāng)研磨液配比裝置的液位傳感器教點(teach point)發(fā)生偏移時,需要對其進(jìn)行校準(zhǔn)。而現(xiàn)有技術(shù)是直接使用研磨液配比裝置對其進(jìn)行校準(zhǔn),其校準(zhǔn)裝置如圖1所示,包括儲液罐1,以及位于所述儲液罐上的液位傳感器2。
當(dāng)使用上述裝置對液位傳感器進(jìn)行校準(zhǔn)時,需要等研磨液實際到達(dá)液位傳感器的位置時,才可以進(jìn)行校準(zhǔn),由于儲液罐體積較大,如果正常消耗研磨液,則需要耗費較長時間,而如果在短時間內(nèi)排出大量研磨液,則造成了研磨液的浪費;因此,使用現(xiàn)有裝置無法進(jìn)行多次校準(zhǔn),不僅降低了校準(zhǔn)效率而且還降低了校準(zhǔn)的準(zhǔn)確度。
鑒于此,有必要設(shè)計一種新的液位傳感器校準(zhǔn)裝置用以解決上述技術(shù)問題。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點,本實用新型的目的在于提供一種液位傳感器校準(zhǔn)裝置,解決了利用現(xiàn)有校準(zhǔn)裝置進(jìn)行校準(zhǔn)時不僅耗費時間、浪費研磨液,而且還降低了校準(zhǔn)的效率和準(zhǔn)確度的問題。
為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本實用新型提供一種液位傳感器校準(zhǔn)裝置,所述液位傳感器校準(zhǔn)裝置包括:
儲液罐;
位于所述儲液罐側(cè)壁上且垂直排列的至少兩個液位傳感器;
位于所述儲液罐內(nèi),并通過與第一閥門和第二閥門配合,將所述儲液罐隔離成第一腔室和第二腔室的隔離墻壁,其中,所述第一閥門位于所述儲液罐上方,所述第二閥門位于所述儲液罐下方,所述隔離墻壁分別與所述儲液罐上方和下方設(shè)有預(yù)設(shè)距離;
位于所述儲液罐上方、且部分進(jìn)入所述儲液罐內(nèi)的液流管,其中,所述液流管上設(shè)置有第三閥門;
位于所述第二腔室上表面的注入口;以及
位于所述第二腔室下表面的排泄口。
優(yōu)選地,所述液流管包括主管路,與所述主管路分別連接的第一管路和第二管路,其中,所述第一管路位于所述儲液罐上方且部分進(jìn)入所述第一腔室,所述第二管路位于所述儲液罐上方且部分進(jìn)入所述第二腔室。
優(yōu)選地,所述第三閥門位于所述主管路上或所述第三閥門位于所述第二管路上。
優(yōu)選地,所述第一腔室和第二腔室的寬度比大于或等于5:1。
優(yōu)選地,所述隔離墻壁與所述儲液罐上方的預(yù)設(shè)距離、和所述隔離墻壁與所述儲液罐下方的預(yù)設(shè)距離相等。
優(yōu)選地,所述預(yù)設(shè)距離小于所述儲液罐高度的一半。
優(yōu)選地,所述液位傳感器為接觸式液位傳感器或非接觸式液位傳感器中的一種。
優(yōu)選地,所述隔離墻壁為防酸堿腐蝕隔離墻壁。
優(yōu)選地,所述儲液罐為半透明儲液罐。
優(yōu)選地,所述液位傳感器的數(shù)量為4個。
如上所述,本實用新型的液位傳感器校準(zhǔn)裝置,具有以下有益效果:
1.本實用新型所述液位傳感器校準(zhǔn)裝置通過將所述儲液罐設(shè)置為第一腔室和第二腔室,并通過小體積的第二腔室進(jìn)行液位傳感器的校準(zhǔn),不僅節(jié)省了大量時間,而且還減少了研磨液的浪費,提高了校準(zhǔn)的效率。
2.本實用新型所述液位傳感器校準(zhǔn)裝置校準(zhǔn)簡單方便,可短時間內(nèi)進(jìn)行多次校準(zhǔn),提高了校準(zhǔn)準(zhǔn)確度。
附圖說明
圖1顯示為現(xiàn)有液位傳感器校準(zhǔn)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2顯示為本實用新型所述液位傳感器校準(zhǔn)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3~圖6顯示為本實用新型所述液位傳感器校準(zhǔn)裝置進(jìn)行液位傳感器校準(zhǔn)時的步驟示意圖。
元件標(biāo)號說明
1 儲液罐
2 液位傳感器
3 隔離墻壁
4 第一閥門
5 第二閥門
6 第一腔室
7 第二腔室
8 液流管
81 主管路
82 第一管路
83 第二管路
9 第三閥門
10 注入口
11 排泄口
12 研磨液
13 測試液
14 清洗液
具體實施方式
以下通過特定的具體實例說明本實用新型的實施方式,本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實用新型的其他優(yōu)點與功效。本實用新型還可以通過另外不同的具體實施方式加以實施或應(yīng)用,本說明書中的各項細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點與應(yīng)用,在沒有背離本實用新型的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。
請參閱圖2和圖6。須知,本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等,均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容,以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀,并非用以限定本實用新型可實施的限定條件,故不具技術(shù)上的實質(zhì)意義,任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整,在不影響本實用新型所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下,均應(yīng)仍落在本實用新型所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時,本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語,亦僅為便于敘述的明了,而非用以限定本實用新型可實施的范圍,其相對關(guān)系的改變或調(diào)整,在無實質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下,當(dāng)亦視為本實用新型可實施的范疇。
如圖2所示,本實用新型提供一種液位傳感器校準(zhǔn)裝置,所述液位傳感器校準(zhǔn)裝置包括:
儲液罐1;
位于所述儲液罐1側(cè)壁上且垂直排列的至少兩個液位傳感器2;
位于所述儲液罐1內(nèi),并通過與第一閥門4和第二閥門5配合,將所述儲液罐1隔離成第一腔室6和第二腔室7的隔離墻壁3,其中,所述第一閥門4位于所述儲液罐上方,所述第二閥門5位于所述儲液罐下方,所述隔離墻壁3分別與所述儲液罐上方和下方設(shè)有預(yù)設(shè)距離;
位于所述儲液罐上方、且部分進(jìn)入所述儲液罐1內(nèi)的液流管8,其中,所述液流管8上設(shè)置有第三閥門9;
位于所述第二腔室7上表面的注入口10;以及
位于所述第二腔室7下表面的排泄口11。
具體的,所述儲液罐1為防酸堿腐蝕的儲液罐,且所述儲液罐1為半透明儲液罐。優(yōu)選地,在本實施例中,所述儲液罐1的材料為工程塑料PVC。
具體的,所述液位傳感器2為接觸式液位傳感器或非接觸式液位傳感器中的一種。優(yōu)選地,在本實施例中,所述液位傳感器為接觸式液位傳感器。優(yōu)選地,在本實施例中,所述液位傳感器2的數(shù)量為4個。
具體的,所述隔離墻壁3與所述儲液罐上方的預(yù)設(shè)距離、和所述隔離墻壁3與所述儲液罐下方的預(yù)設(shè)距離相等。優(yōu)選地,所述預(yù)設(shè)距離小于所述儲液罐高度的一半。
需要說明的是,當(dāng)所述第一閥門4和第二閥門5打開時,所述預(yù)設(shè)距離用于使研磨液自由流通在第一腔室6和第二腔室7之間。
優(yōu)選地,所述隔離墻壁3為防酸堿腐蝕隔離墻壁。進(jìn)一步優(yōu)選地,在本實施例中,所述隔離墻壁3的材料為工程塑料PVC。
具體的,所述第一腔室6的寬度為W1,所述第二腔室7的寬度為W2,并且所述W1與W2的比大于或等于5:1。
需要說明的是,小體積的第二腔室7用于進(jìn)行液位傳感器2的校準(zhǔn),但所述第二腔室的寬度并非越小越好,即所述第二腔室7的寬度太小會影響到液位傳感器2的校準(zhǔn)。
具體的,所述液流管8包括主管路81,與所述主管路81分別連接的第一管路82和第二管路83,其中,所述第一管路82位于所述儲液罐上方且部分進(jìn)入所述第一腔室6,所述第二管路83位于所述儲液罐上方且部分進(jìn)入所述第二腔室7。
優(yōu)選地,所述第三閥門9位于所述主管路81上或所述第三閥門9位于所述第二管路83上。進(jìn)一步優(yōu)選地,在本實施例中,所述第三閥門9位于所述第二管路83上。
需要說明的是,當(dāng)所述裝置作為研磨液儲液罐正常使用時,所述第三閥門9為打開狀態(tài),并通過第一管路82和第二管路83向所述第一腔室6和第二腔室7注入研磨液12,以供拋光研磨使用;當(dāng)所述裝置進(jìn)行液位傳感器校準(zhǔn)時,所述第三閥門則為關(guān)閉狀態(tài),此時僅通過第一管路82向所述第一腔室6內(nèi)注入研磨液,以供拋光研磨使用。
下面請參閱圖3至圖6,對本實用新型所述液位傳感器校準(zhǔn)裝置的使用方法進(jìn)行詳細(xì)說明。
如圖3所示,所述液位傳感器校準(zhǔn)裝置作為研磨液儲液罐正常使用時,所述第一閥門4、第二閥門5及第三閥門9均處于打開狀態(tài),所述注入口10和排泄口11則處于關(guān)閉狀態(tài),此時第一腔室6和第二腔室7為導(dǎo)通狀態(tài),研磨液12從第一管路82和第二管路83分別進(jìn)入第一腔室6和第二腔室7內(nèi),以供拋光研磨使用。
當(dāng)需要使用該裝置進(jìn)行液位傳感器2校準(zhǔn)時,關(guān)閉第一閥門4、第二閥門5和第三閥門9,并打開排泄口11,將所述第二腔室7內(nèi)的研磨液通過排泄口11排放掉后關(guān)閉排泄口11,如圖4所示;而后通過注入口10向所述第二腔室7內(nèi)注入測試液13,進(jìn)行液位傳感器2的校準(zhǔn),如圖5所示。
當(dāng)校準(zhǔn)完成后,打開排泄口11,將所述第二腔室7內(nèi)的測試液排放掉后關(guān)閉所述排泄口11;而后通過注入口10向所述第二腔室7內(nèi)注入清洗液14,對所述第二腔室7進(jìn)行清洗,如圖6所示;清洗完成后,清洗液14通過排泄口11排出;最后打開所述第一閥門4、第二閥門5和第三閥門9,將所述第一腔室6內(nèi)的研磨液12流入所述第二腔室7內(nèi)的同時,通過第二管路83向所述第二腔室7內(nèi)注入研磨液12,使所述裝置作為研磨液儲液罐正常使用。
需要說明的是,所述液位傳感器2的校準(zhǔn)方法為現(xiàn)有任意一種可實現(xiàn)校準(zhǔn)液位傳感器的方法。
需要說明的是,在本實施例中,所述測試液為去離子水,所述清洗液為超純水。
綜上所述,本實用新型的液位傳感器校準(zhǔn)裝置,具有以下有益效果:
1.本實用新型所述液位傳感器校準(zhǔn)裝置通過將所述儲液罐設(shè)置為第一腔室和第二腔室,并通過小體積的第二腔室進(jìn)行液位傳感器的校準(zhǔn),不僅節(jié)省了大量時間,而且還減少了研磨液的浪費,提高了校準(zhǔn)的效率。
2.本實用新型所述液位傳感器校準(zhǔn)裝置校準(zhǔn)簡單方便,可短時間內(nèi)進(jìn)行多次校準(zhǔn),提高了校準(zhǔn)準(zhǔn)確度。
上述實施例僅例示性說明本實用新型的原理及其功效,而非用于限制本實用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實用新型的精神及范疇下,對上述實施例進(jìn)行修飾或改變。因此,舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者在未脫離本實用新型所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變,仍應(yīng)由本實用新型的權(quán)利要求所涵蓋。