本發(fā)明涉及電鍍工藝，具體涉及一種集成電路引線框架電鍍工藝。
背景技術(shù)：
引線框架作為集成電路的芯片載體，是一種借助于鍵合金絲實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件，它起到和外部導(dǎo)線連接的橋梁作用，是電子信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。為了滿足制造集成電路半導(dǎo)體元件的導(dǎo)電性能，集成電路的引線框架往往要在其表面局部點(diǎn)位區(qū)域進(jìn)行電鍍金屬銀或其他金屬。由于lc芯片的焊接、封裝等生產(chǎn)過程都是采用的全自動大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)，因此，對于ic引線框架的鍍層質(zhì)量也提出了很高的要求，每批框架的鍍層厚度均勻度、硬度、光亮度等都要相當(dāng)?shù)囊恢?，不得忽高忽低，且電鍍鍍區(qū)也要控制得非常好。若用一般的電鍍控制方法，難以達(dá)到其要求，必須采用專門的工藝。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的就是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供的一種能夠保證鍍層厚度均勻度、硬度、光亮度一致的集成電路引線框架電鍍工藝。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采取如下技術(shù)方案：
一種集成電路引線框架電鍍工藝，包括lc框架半成品，其特征在于：所述的電鍍工藝包括：去油→第一道清洗→酸活化→第二道清洗→預(yù)鍍銅→第三道清洗→預(yù)浸銀→第四道清洗→鍍銀→銀回收→退銀→第五道清洗→防銅變色→純水洗→烘干。
所述的去油采用的試劑為去油劑和水按照10:50比例配比，溫度為55攝氏度，去3時間為15～30秒。
所述的去油劑為希普勵公司生產(chǎn)的dlf去油劑。
所述的去油酸活化的試劑為10～15％h2so4或6～10％hcl。
所述的預(yù)鍍銅采用的化學(xué)試劑為cucn、kcn和koh按照質(zhì)量份數(shù)比40:20:10的比例混合。
所述的預(yù)浸銀的防置換藥劑采用的是希普勵公司的silverjetpridip981。
所述的退銀中使用的退銀劑為希普勵公司的silverstripef1000或安格凱隆公司的ec888。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果為：
本發(fā)明一種集成電路引線框架電鍍工藝，采用如上工藝能有效的在引線框架上形成一層厚度均勻度、硬度、光亮度一致的鍍銀層。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例
一種集成電路引線框架電鍍工藝，包括lc框架半成品，所述的電鍍工藝包括：去油→第一道清洗→酸活化→第二道清洗→預(yù)鍍銅→第三道清洗→預(yù)浸銀→第四道清洗→鍍銀→銀回收→退銀→第五道清洗→防銅變色→純水洗→烘干。
所述的去油采用的試劑為去油劑和水按照10:50比例配比，溫度為55攝氏度，去3時間為15～30秒。
所述的去油劑為希普勵公司生產(chǎn)的dlf去油劑。
所述的去油酸活化的試劑為10～15％h2so4或6～10％hcl。
所述的預(yù)鍍銅采用的化學(xué)試劑為cucn、kcn和koh按照質(zhì)量份數(shù)比40:20:10的比例混合。
所述的預(yù)浸銀的防置換藥劑采用的是希普勵公司的silverjetpridip981。
所述的退銀中使用的退銀劑為希普勵公司的silverstripef1000或安格凱隆公司的ec888。
本發(fā)明工藝鍍銀采用硝酸銀、氨水和蒸餾水混合物，將經(jīng)過去油→第一道清洗→酸活化→第二道清洗→預(yù)鍍銅→第三道清洗→預(yù)浸銀→第四道清洗后的集成電路引線框架進(jìn)行鍍銀后，經(jīng)過銀回收→退銀→第五道清洗→防銅變色→純水洗→烘干，采用本發(fā)明電鍍工藝，能有效的在引線框架上形成一層厚度均勻度、硬度、光亮度一致的鍍銀層。