本申請涉及掩膜板技術領域，更具體地說，涉及一種掩膜板及其制作方法。

背景技術：

掩膜板是半導體芯片、微機電產品、顯示面板等制造過程中經常使用的工具之一，其可結合光刻、蒸鍍、濺射等工藝，以形成半導體結構。一般情況下，掩膜板是在金屬薄板的特定位置上制作出工藝所需的開口，之后再進行光刻、刻蝕、蒸鍍、濺射等工藝，在半導體膜層上形成特定圖案。

隨著半導體技術的發(fā)展，工藝尺寸越來越小，掩膜板的精度也越來越高，其厚度也越來越薄。這種高精度掩膜板的常用制備方法有電鑄法。電鑄法制備掩膜板的過程包括：提供基板；在基板上涂覆貼膜；對貼膜進行曝光；去除部分貼膜，形成開口；在開口處采用電鑄工藝，得到電鑄層；將電鑄層從基體上剝離，得到掩膜板。

現有技術中，通常采用機械剝離的方式，將電鑄層從基體上剝離。但是，發(fā)明人發(fā)現，采用現有技術制得的掩膜板，時常會有損壞，即掩膜板的良率較低。

技術實現要素：

為解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種掩膜板制作方法，相較于現有技術，在一定程度上提高了掩膜板的良率。

為實現上述技術目的，本發(fā)明實施例提供了如下技術方案：

一種掩膜板制作方法，包括：

提供基板；

在所述基板上形成過渡層，所述過渡層的材料為導電材料；

在所述過渡層上形成掩膜板定義層，所述掩膜板定義層上具有多個開口，以暴露出所述過渡層，且所述掩膜板定義層的材料為絕緣材料；

以所述掩膜板定義層為掩膜，以所述掩膜板定義層上的多個開口暴露出的所述過渡層為電極，采用電鑄工藝，在掩膜板定義層的所述開口內形成電鑄膜；

去除所述掩膜板定義層，保留所述電鑄膜；

采用機械剝離工藝，將所述電鑄膜剝離所述過渡層，得到掩膜板；

其中，所述電鑄膜與所述過渡層之間的附著力，小于所述過渡層與所述基板之間的附著力，且所述電鑄膜與所述過渡層之間的附著力，小于所述電鑄膜與所述基板之間的附著力。

優(yōu)選的，所述基板的材料為導電材料。

優(yōu)選的，所述基板的材料的布氏硬度大于100hv。

優(yōu)選的，所述基板的材料為金屬。

優(yōu)選的，所述基板的材料為不銹鋼。

優(yōu)選的，所述過渡層的材料為軟金屬、石墨烯、導電聚合物、或透明金屬氧化物。

優(yōu)選的，所述軟金屬為布氏硬度在20hv-58hv以內的金屬。

優(yōu)選的，所述軟金屬為金、銀、錫、鉛、鎂、或銦。

優(yōu)選的，所述導電聚合物為含有共軛π鍵的高分子聚合物。

優(yōu)選的，所述導電聚合物為聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撐、聚苯撐乙烯、或聚雙炔。

優(yōu)選的，透明金屬氧化物為氧化銦錫ito、氧化銦鋅izo、氧化銻錫ato、或氧化鋁鋅azo。

優(yōu)選的，所述電鑄膜的材料為鎳、鎳鈷合金、或鐵鎳合金。

優(yōu)選的，所述過渡層的材料為軟金屬、導電聚合物、或透明金屬氧化物時，所述在所述基板上形成過渡層具體為，采用濺射工藝或電沉積工藝，在所述基板上形成所述過渡層，所述過渡層的厚度在0.1μm～0.5μm以內。

優(yōu)選的，所述過渡層的材料為石墨烯時，所述在所述基板上形成過渡層具體為，采用旋涂工藝或化學氣相沉積工藝，在所述基板上形成所述過渡層，所述過渡層的厚度小于2μm。

優(yōu)選的，掩膜板定義層的材料為光刻膠。

本發(fā)明實施例還公開了采用上述方法制作而成的掩膜板。

從上述技術方案可以看出，本發(fā)明實施例提供的掩膜板制作方法，通過在基板和電鑄膜之間增加了過渡層，并在過渡層上形成圖案化的掩膜板定義層，由位于掩膜板定義層的開口處暴露出的過渡層作為電極，在過渡層上形成電鑄膜，即電鑄膜直接與過渡層接觸，之后采用機械剝離工藝，將電鑄膜剝離過渡層，得到掩膜板。

由于電鑄膜與過渡層之間的附著力小于過渡層與基板之間的附著力，因此可確保在剝離電鑄膜過程中，不會影響過渡層與基板的結合，即不會將過渡層剝離基板，并且，由于電鑄膜與過渡層之間的附著力，小于電鑄膜與基板之間的附著力，從而相較于現有技術中直接將電鑄膜剝離基板的方案，在將電鑄膜剝離過渡層的過程中，減小了對電鑄膜的損傷，在一定程度上提高了掩膜板的成品率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例提供的一種掩膜板制作方法的流程圖；

圖2-圖6為本發(fā)明實施例提供的一種掩膜板制作方法各步驟的剖面圖。

具體實施方式

正如背景技術所述，采用現有技術中的方法制得的掩膜板的良率較低，發(fā)明人發(fā)現，出現這種問題的原因在于，由于高精度掩膜板的厚度很薄，約在5μm-15μm之間，并且掩膜板內有大量的開口，在這種情況下，再采用機械剝離工藝，將電鑄膜從基板上直接剝離下來，由于電鑄膜與基板之間具有一定的附著力，機械剝離電鑄膜的過程中極易損壞電鑄膜，導致掩膜板的良率降低。

并且，現有技術中多采用不銹鋼等金屬材料作為基板，而電鑄膜的材料也多為金屬或合金，基板材料和電鑄膜的材料屬性相近，導致二者間的附著力較大，因此，采用機械剝離的方式必然容易導致電鑄膜的損壞。

基于此，本發(fā)明實施例提供了一種掩膜板制作方法，包括以下步驟：

提供基板；

在所述基板上形成過渡層，所述過渡層的材料為導電材料；

在所述過渡層上形成掩膜板定義層，所述掩膜板定義層上具有多個開口，以暴露出所述過渡層，且所述掩膜板定義層的材料為絕緣材料；

以所述掩膜板定義層為掩膜，以所述掩膜板定義層上的多個開口暴露出的所述過渡層為電極，采用電鑄工藝，在掩膜板定義層的所述開口內形成電鑄膜；

去除所述掩膜板定義層，保留所述電鑄膜；

采用機械剝離工藝，將所述電鑄膜剝離所述過渡層，得到掩膜板；

其中，所述電鑄膜與所述過渡層之間的附著力，小于所述過渡層與所述基板之間的附著力，且所述電鑄膜與所述過渡層之間的附著力，小于所述電鑄膜與所述基板之間的附著力。

本發(fā)明實施例提供的掩膜板制作方法，通過在基板和電鑄膜之間增加了過渡層，并在過渡層上形成圖案化的掩膜板定義層，由位于掩膜板定義層的開口處暴露出的過渡層作為電極，在過渡層上形成電鑄膜，即電鑄膜直接與過渡層接觸，之后采用機械剝離工藝，將電鑄膜剝離過渡層，得到掩膜板。由于電鑄膜與過渡層之間的附著力小于過渡層與基板之間的附著力，因此可確保在剝離電鑄膜過程中，不會影響過渡層與基板的結合，即不會將過渡層剝離基板，并且，由于電鑄膜與過渡層之間的附著力，小于電鑄膜與基板之間的附著力，從而相較于現有技術中直接將電鑄膜剝離基板的方案，在將電鑄膜剝離過渡層的過程中，減小了對電鑄膜的損傷，在一定程度上提高了掩膜板的成品率。

下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

本發(fā)明實施例提供了一種掩膜板制作方法，該方法的流程圖如圖1所示，各步驟的剖面圖如圖2-圖6所示，各步驟的具體說明如下。

步驟s1：參見圖2，提供基板11；

本實施例中的基板僅起到支撐其它膜層的作用即可，因此本實施例中對基板材料的具體性能不做限定。本實施例中優(yōu)選基板材料為導電材料，該基板材料的布氏硬度大于100hv，具體可選用滿足該硬度要求的金屬材料，如不銹鋼材料?；蛘?，本實施例中的基板材料的選擇可以與現有技術中的基板材料相同。

步驟s2：參見圖2，在基板11上形成過渡層12，所述過渡層12的材料為導電材料；

本實施例中的過渡層在后續(xù)電鑄過程中，用來作為電鑄工藝的電極使用，因此，過渡層需采用導電材料形成。根據過渡層12材料的不同，形成過渡層12的方式不同。

需要說明的是，本實施例中為了避免在后續(xù)的機械剝離電鑄膜過程中，不影響過渡層12與基板11之間的結合，即避免將過渡層12剝離基板11，因此，本實施例中電鑄膜15與過渡層12之間的附著力，小于過渡層12與基板11之間的附著力。并且，為了達到提高掩膜板成品率的效果，減小機械剝離電鑄膜過程中對電鑄膜的損傷，本實施例中還要求電鑄膜與過渡層12之間的附著力，小于電鑄膜與基板11之間的附著力。

為了達到這一需求，同樣也為了進一步驗證本發(fā)明實施例的效果，本實施例中優(yōu)選采用中國國家標準gb5210-85《涂層附著力的測定法-拉開法》中規(guī)定的方法，來測量基板與電鑄膜之間的附著力，以及電鑄膜與電極之間的附著力。具體的，拉開法所測定的附著力是指在規(guī)定的速度下，在試樣的膠結面上施加垂直、均勻的拉力，以測定涂層間或涂層與底材間附著破壞時所需的力。當然，本實施例中還可以采用其他方法來測定基板與電鑄膜之間的附著力、基板與過渡層之間的附著力，以及電鑄膜與過渡層之間的附著力，本實施例中對此不做限定。

經實際測量發(fā)現，現有技術中的不銹鋼等金屬基板與電鑄膜直接接觸時，二者之間的附著力在5mpa～10mpa之間，為了達到提高掩膜板成品率的目的，本實施例中的過渡層與電鑄膜接觸時，二者之間的附著力需小于5mpa。

為達到以上對基板與過渡層、以及過渡層與電鑄膜之間附著力的要求，本實施例中的過渡層12的材料優(yōu)選為軟金屬、石墨烯、導電聚合物、或透明金屬氧化物。

其中，本實施例中的軟金屬為布氏硬度在20hv-58hv以內的金屬，優(yōu)選為為金、銀、錫、鉛、鎂、或銦。

本實施例中的導電聚合物為含有共軛π鍵的高分子聚合物，優(yōu)選為聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撐、聚苯撐乙烯、或聚雙炔。

本實施例中的透明金屬氧化物優(yōu)選為氧化銦錫ito、氧化銦鋅izo、氧化銻錫ato、或氧化鋁鋅azo。

當過渡層12的材料為軟金屬、導電聚合物、或透明金屬氧化物時，在所述基板上形成過渡層具體為，采用濺射工藝或電沉積工藝，在基板11上形成所述過渡層12，所述過渡層的厚度在0.1μm～0.5μm以內。

當過渡層12的材料為石墨烯時，在基板11上形成過渡12層具體為，采用旋涂工藝或化學氣相沉積工藝，在所述基板上形成所述過渡層12，所述過渡層12的厚度小于2μm，更優(yōu)選的，石墨烯材料的過渡層12厚度小于0.5μm。

步驟s3：參見圖3，在所述過渡層上形成掩膜板定義層13，所述掩膜板定義層13上具有多個開口14，以暴露出所述過渡層12，且所述掩膜板定義層的材料為絕緣材料；

本實施例中的掩膜板定義層13用于在后續(xù)的電鑄工藝中，形成滿足掩膜板形狀需求的電鑄膜，而在電鑄過程中，導電的過渡層12作為電鑄工藝中的電極，因此，為了避免對電鑄工藝的影響，掩膜板定義層13需由絕緣材料制成，本實施例中優(yōu)選掩膜板定義層13的材料為光刻膠。

具體的，形成掩膜板定義層的方式為，先在過渡層12上旋涂光刻膠層，之后采用具有電鑄膜圖形的掩膜板對該光刻膠層進行曝光、顯影，去除部分光刻膠材料，在光刻膠層上形成多個開口14，以在多個開口14處暴露出過渡層材料，得到圖案化的光刻膠層，即得到掩膜板定義層13。

在后續(xù)電鑄工藝中，需在掩膜板定義層13上的多個開口14處生長電鑄膜材料，因此，開口14的尺寸與最終形成的掩膜板的非開口區(qū)域的尺寸相同，而掩膜板定義層13上保留下來的光刻膠材料的尺寸，則與最終形成的掩膜板的開口區(qū)域的尺寸相同。

步驟s4：如圖4所示，以掩膜板定義層13為掩膜，以掩膜板定義層13上的多個開口14暴露出的過渡層12為電極，采用電鑄工藝，在掩膜板定義層的所述開口14內形成電鑄膜15；

本實施例中的電鑄膜15的材料優(yōu)選為鎳、鎳鈷合金、或鐵鎳合金，或者其它金屬或合金材料，本實施例中的電鑄膜材料可與現有技術中相同或不同。

需要說明的是，電鑄膜15的形成過程中，經掩膜板定義層13上的多個開口14暴露出的過渡層12即作為電鑄過程的電極，將電鑄液中的電鑄膜材料吸附于過渡層12上。電鑄過程中，各個方向電鑄得到的電鑄材料的厚度是相同的，以確保電鑄膜表面的平整度。

本實施例中對電鑄工藝參數并不做具體限定，只要能夠滿足電鑄膜的生長需要即可。舉例來說，本實施例中電鑄工藝的電流密度為0.03a/㎡，電鑄液的溫度在35℃～40℃以內，電鑄液的ph值為2.5～3.5；或者所述電鑄工藝的電流密度為0.05a/㎡，電鑄液的溫度在45℃～50℃以內，電鑄液的ph值為3.5～4.5。以電鑄膜15的厚度為10μm，大小為10cm×10cm為例，形成該電鑄膜15，在以上電鑄液的參數設置下，所需的電鑄工藝的電鑄時間為5min～8min。

步驟s5：參見圖5，去除所述掩膜板定義層13，保留所述電鑄膜15；

即去除過渡層12上的光刻膠材料，以便后續(xù)進行電鑄膜15的剝離工序。

步驟s6：參見圖6，采用機械剝離工藝，將電鑄膜15剝離過渡層12，得到掩膜板16。

本實施例中還可以通過緩慢增加機械脫模力的方式，進一步的減小機械剝離電鑄膜時，損壞電鑄膜的風險，以提高掩膜板的良率。

經實際測量得到，采用軟金屬材料作為過渡層材料時，在剝離電鑄膜的過程中，軟金屬材料的過渡層12與電鑄膜15之間的附著力小于或等于1mpa，遠遠小于現有技術中的不銹鋼基板與電鑄膜之間的附著力，在機械剝離電鑄膜的過程中，對電鑄膜的損傷大大減小。而軟金屬材料的過渡層12與不銹鋼基板11之間的附著力大于1mpa，并且，實際操作過程中，在剝離電鑄膜的過程中，對過渡層與基板的結合情況無影響。

當采用以上所述的導電聚合物材料作為過渡層材料時，經測量，導電聚合物材料的過渡層12與所述電鑄膜15之間的附著力小于或等于0.1mpa，并且，導電聚合物材料的過渡層12與不銹鋼基板11之間的附著力大于0.1mpa，在實際操作過程中，在剝離電鑄膜的過程中，對過渡層與基板的結合情況無影響。

當采用以上所述的透明金屬氧化物材料作為過渡層材料時，經測量，透明金屬氧化物材料的過渡層12與所述電鑄膜15之間的附著力在0.05mpa～0.1mpa以內，并且，透明金屬氧化物材料的過渡層12與不銹鋼基板11之間的附著力大于0.1mpa，在實際操作過程中，在剝離電鑄膜的過程中，對過渡層與基板的結合情況無影響。

當采用以上石墨烯作為過渡層材料時，經測量，石墨烯過渡層12與電鑄膜之間的附著力在0.5mpa～1mpa以內，并且，石墨烯的過渡層12與不銹鋼基板11之間的附著力大于1mpa，在實際操作過程中，在剝離電鑄膜的過程中，對過渡層與基板的結合情況無影響。

本發(fā)明是實施例還公開了一種采用以上實施例中的掩膜板制作方法制作而成的掩膜板。

本發(fā)明實施例中的掩膜板，通過在基板11和電鑄膜15之間增加了過渡層12，并在過渡層12上形成圖案化的掩膜板定義層13，由位于掩膜板定義層13的開口處暴露出的過渡層作為電極，在過渡層上形成電鑄膜15，即電鑄膜直接與過渡層接觸，之后采用機械剝離工藝，將電鑄膜剝離過渡層，得到掩膜板16。

由于電鑄膜15與過渡層12之間的附著力小于過渡層12與基板11之間的附著力，因此可確保在剝離電鑄膜過程中，不會影響過渡層與基板的結合，即不會將過渡層剝離基板，并且，由于電鑄膜15與過渡層12之間的附著力，小于電鑄膜15與基11板之間的附著力，從而相較于現有技術中直接將電鑄膜剝離基板的方案，在將電鑄膜剝離過渡層的過程中，減小了對電鑄膜的損傷，在一定程度上提高了掩膜板的成品率。

并且本實施例中的基板和電鑄膜材料的選擇可與現有技術中相同，通過在二者之間增加過渡層，減小了機械剝離電鑄膜的過程中對電鑄膜的損傷，巧妙的解決了現有技術中的問題。

舉例來說，本實施例中的掩膜板及其制作方法，可用于oled(organiclight-emittingdiode，有機電激光顯示)顯示面板或lcd顯示面板等制作過程中使用的高精度掩膜板。但本實施例對該掩膜板及其制作方法的應用范圍不做限制。

本說明書中各個實施例采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分互相參見即可。

對所公開的實施例的上述說明，使本領域專業(yè)技術人員能夠實現或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領域的專業(yè)技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。