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一種合成CoGa合金高指數(shù)晶面的方法與流程

文檔序號:12353141閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種由水滑石前體焙燒還原的方法控制暴露的非貴金屬合金高指數(shù)晶面的催化劑的方法,其特征在于,包括以下步驟:

制備水滑石前體為[M2+(1-x)M3+x(OH)2]x+[An-]x/n·mH2O,水滑石層板二價陽離子選擇Zn2+或Mg2+,三價陽離子選擇Al3+,進(jìn)入層板間的金屬活性中心離子為Co2+和Ga3+,其中進(jìn)入水滑石層板金屬活性中心離子Co2+和Ga3+的總摩爾數(shù)與水滑石層板中二價陽離子和三價陽離子之和摩爾比為(0~10):1,且不為0,水滑前驅(qū)所有二價金屬陽離子與水滑石前體所有三價金屬陽離子摩爾比為(2~5):1,將水滑石前體在H2氣氛中還原,還原溫度控制在400℃~850℃,還原時間控制在5min~6h,升溫速率控制在2-10℃/min,即可得到暴露CoGa合金高指數(shù)晶面(221)的催化劑。

2.按照權(quán)利要求1的方法,其特征在于,還原溫度控制在800℃。

3.按照權(quán)利要求1的方法,其特征在于,水滑石前體的陰離子為碳酸根。

4.按照權(quán)利要求1的方法,其特征在于,制備水滑石層板的沉淀劑為氫氧化鈉、尿素。

5.按照權(quán)利要求1的方法,其特征在于,制備水滑石層板的沉淀劑為氫氧化鈉。

6.按照權(quán)利要求1的方法,其特征在于,升溫速率5℃/min。

7.按照權(quán)利要求1的方法,其特征在于,Co2+和Ga3+的摩爾比為1:(1-0.2)。

8.按照權(quán)利要求1的方法,其特征在于,在800℃、升溫速率控制在5℃/min、還原時間為4小時得到CoGa合金晶面全部(221)。

9.按照權(quán)利要求1-8任一項方法制備得到的暴露的非貴金屬合金高指數(shù)晶面的催化劑。

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