1.用于混合至少一種氣體的設(shè)備，包括
錐形元件，該錐形元件被配置為接收第一方向的第一氣體，
逆流注射器，該逆流注射器引入第二方向的第二氣體，其中所述第一方向與所述第二方向相反；
安裝在所述錐形元件底部的可配置孔板，該可配置孔板限定所述第一氣體和所述第二氣體通過的開口；
其中所述錐形元件促進(jìn)所述第一氣體和所述第二氣體的混合；和
其中改變所述可配置孔板的開口的尺寸會(huì)改變所述第一氣體和所述第二氣體的混合的程度。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一氣體和所述第二氣體傳遞進(jìn)入具有增壓室和噴頭的反應(yīng)器系統(tǒng)。
3.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述第一氣體包括以下至少一種：氬氣(Ar)；氟化氮(NF3)；氟化鎢(WF6)；或含氟氣體。
4.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述第二氣體包括以下至少一種：氨(NH3)；胺；或氫氣(H2)。
5.如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中所述錐形元件包括以下至少一種：鋁；陽極氧化鋁；等離子體電解氧化物(PEO)涂覆的鋁；氧化鋁；氮化鋁；碳化硅；鎳；鍍鎳的鋁；或鍍鎳的不銹鋼。
6.如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述逆流注射器的尺寸經(jīng)設(shè)置以使所述第一氣體和所述第二氣體的混合物內(nèi)的自由基的重組最小化。
7.如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中所述逆流注射器包括以下至少一種：鎳；鍍鎳的不銹鋼；陽極氧化鋁基材；PEO涂覆的鋁基材；ALD Al2O3涂覆的鋁基材；氧化鋁陶瓷；氮化鋁陶瓷；或碳化硅。
8.形成膜的反應(yīng)系統(tǒng)，包括：
等離子源，該等離子源生成第一氣體；
錐形元件，該錐形元件被配置為接收第一方向的所述第一氣體，
逆流注射器，該逆流注射器引導(dǎo)第二方向的第二氣體，其中所述第一方向與所述第二方向相反；
安裝在所述錐形元件底部的可調(diào)節(jié)孔板，該可調(diào)節(jié)孔板限定所述等離子氣體和所述第一流體通過的開口；
接收所述第一氣體和所述第二氣體的反應(yīng)室，所述反應(yīng)室包括：
限定增壓室以接收所述第一氣體和所述第二氣體的外殼；和
具有多孔的噴頭，用于所述第一氣體和所述第二氣體通過至待處理的基質(zhì)上；
其中所述錐形元件促進(jìn)所述第一氣體和所述第二氣體的混合；和
其中調(diào)節(jié)所述可調(diào)節(jié)孔板的開口的尺寸會(huì)改變所述第一氣體和所述第二氣體的混合的程度。
9.如權(quán)利要求8所述的反應(yīng)系統(tǒng)，其還包括具有至少一個(gè)徑向臂的板，所述板被配置為增加第二氣體的放射狀擴(kuò)散。
10.如權(quán)利要求8所述的反應(yīng)系統(tǒng)，其還包括用于產(chǎn)生所述第二氣體的注射器氣體源。
11.如權(quán)利要求8所述的反應(yīng)系統(tǒng)，其中所述等離子氣體包括以下的至少一種：氬氣(Ar)；氟化氮(NF3)；氟化鎢(WF6)；或含氟氣體。
12.如權(quán)利要求8所述的反應(yīng)系統(tǒng)，其中所述第一流體包括以下的至少一種：氨(NH3)；胺；或氫(H2)。
13.如權(quán)利要求8-12中任一項(xiàng)所述的反應(yīng)系統(tǒng)，其中所述錐形元件包括以下至少一種：鋁；陽極氧化鋁；PEO涂覆的鋁；氧化鋁；氮化鋁；碳化硅；鎳；鎳鍍的鋁；或鍍鎳的不銹鋼。
14.如權(quán)利要求8-12中任一項(xiàng)所述的反應(yīng)系統(tǒng)，其中所述逆流注射器的尺寸經(jīng)設(shè)置以使所述等離子氣體和所述第一流體的混合物內(nèi)的自由基的重組最小化。
15.如權(quán)利要求8-12中任一項(xiàng)所述的反應(yīng)系統(tǒng)，其中所述逆流注射器包括以下至少一種：鎳；鍍鎳的不銹鋼；陽極氧化鋁基材；PEO涂覆的鋁基材；ALD Al2O3涂覆的鋁基材；氧化鋁陶瓷；氮化鋁陶瓷；或碳化硅。