本發(fā)明涉及l(fā)ed用熒光粉領(lǐng)域，尤其是高亮度白光led用硅基氮氧化物熒光粉及其制備方法。

背景技術(shù)：

白光led(lightemittingdiode)由于其節(jié)能、環(huán)保、長壽命等優(yōu)異的特點(diǎn)，被稱為下一代照明光源。目前在獲取白光led的技術(shù)方案中，光轉(zhuǎn)換涂覆白光led(phosphor-convertedwhitelightemittingdiodes，簡稱pc-w-led)成為白光發(fā)展的主流。pc-w-led發(fā)光材料要求其具有寬的激發(fā)帶(特別是波長在450～470nm的藍(lán)光激發(fā))、較高的轉(zhuǎn)化效率、良好的化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性及在制備和使用過程中對環(huán)境不造成污染。目前商業(yè)化的熒光粉主要有yag:ce³+、硫?qū)倩衔镆约肮杷猁}基熒光粉等，但是在實(shí)際應(yīng)用中仍存在不足。此外，隨著大功率白光led的發(fā)展和其工作時發(fā)熱量的增加，對led的熱穩(wěn)定性提出更高的要求（更高的熱猝滅溫度和溫度變化時的光色穩(wěn)定性），因此，研制高效率、高穩(wěn)定性以及可被藍(lán)光或紫外光激發(fā)的白光led用熒光粉已是當(dāng)務(wù)之急。

硅基氮化物是由six4（x=o，n）四面體形成的網(wǎng)絡(luò)組成，具有很高的化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性，同時稀土離子(eu2+，ce3+等)的5d殼層裸露于外層，受晶體場環(huán)境的影響顯著，4f～5d躍遷能量隨晶體環(huán)境（結(jié)構(gòu)、價態(tài)、配位、占位和鍵長）的改變而變化明顯。富氮的晶體場環(huán)境引起較大的電子云重排效應(yīng)(nephelauxeticeffect)和發(fā)光離子（eu2+，ce3+等）的5d電子軌道能量下降，從而呈現(xiàn)長波方向的熒光激發(fā)和發(fā)射。six4（x=o，n）四面體形成的剛性穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)引起的斯托克斯位移較小，使硅基氮氧化物熒光粉具有較高的光轉(zhuǎn)換效率和光色穩(wěn)定性，對溫度和驅(qū)動電流的變化不敏感，本發(fā)明專利用eu2+激活硅基氮化物m3si6o3n8（m=ca、sr、ba）制備出高亮度且發(fā)光顏色從綠光到黃光顏色可調(diào)的熒光粉。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光亮度高、熱穩(wěn)定性好的高亮度白光led用硅基氮氧化物熒光粉及其制備方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述的技術(shù)目的，本發(fā)明的技術(shù)方案為：

一種高亮度白光led用硅基氮氧化物熒光粉，所述的熒光粉發(fā)射峰值位于490～550nm，其化學(xué)組成為m3-xsi6o3n8:eux²⁺，其中0.01≤x≤0.1，m為ca、sr或ba。

進(jìn)一步，所述的熒光粉可被波長在380～410nm的近紫外光和波長在440～470nm的藍(lán)光激發(fā)。

根據(jù)上述一種高亮度白光led用硅基氮氧化物熒光粉的制備方法，其包括以下步驟：

（1）按照化學(xué)式m3-xsi6o3n8:eux²⁺的化學(xué)計量比分別稱取mco3、si3n4、eu2o3和適量的助溶劑，其中0.01≤x≤0.1，m為ca、sr或ba；

（2）將上述稱量好的各物料加入到球磨機(jī)中，再加入無水乙醇作為分散劑進(jìn)行球磨6～8h，待球磨結(jié)束后，將球磨混合均勻的物料裝入坩堝中；

（3）將上述裝有球磨后物料的坩堝置于高溫實(shí)驗爐中，再將高溫實(shí)驗爐的溫度設(shè)定在1400～1600℃，并在通入氮?dú)夂蜌錃獾幕旌蠚怏w作為保護(hù)氣體的條件下，對坩堝進(jìn)行煅燒3～8h，煅燒結(jié)束后，仍持續(xù)通入保護(hù)氣體，直至高溫實(shí)驗爐的爐溫冷卻至低于200℃后再停止通入保護(hù)氣體，再將高溫實(shí)驗爐冷卻至是室溫后，即可取出坩堝；

（4）將坩堝中的物料倒出并進(jìn)行研磨后，再經(jīng)篩網(wǎng)過篩得到硅基氮氧化物熒光粉的粗產(chǎn)品；

（5）將上述制得的硅基氮氧化物熒光粉粗產(chǎn)品加入到蒸餾水中進(jìn)行溶解，并利用超聲波設(shè)備進(jìn)行輔助分散處理10～30min，分散處理完畢后，進(jìn)行靜置分層并將上層清液部分移取出，再補(bǔ)充加入蒸餾水，并進(jìn)行攪拌過后，再利用超聲波設(shè)備進(jìn)行輔助分散處理10～30min，分散處理完畢后，按照前述方法再進(jìn)行靜置分層和移取出上清液，如此循環(huán)處理直至移取出的上清液呈電中性為止，最后將溶液中的固形物濾出，并在80～100℃條件下進(jìn)行干燥2～3h，即可制得硅基氮氧化物熒光粉。

進(jìn)一步，所述的步驟（1）中，當(dāng)m為ca時，步驟（3）中的高溫實(shí)驗爐的溫度設(shè)定值為1550℃；當(dāng)m為sr時，步驟（3）中的高溫實(shí)驗爐的溫度設(shè)定值為1600℃；當(dāng)m為ba時，步驟（3）中的高溫實(shí)驗爐的溫度設(shè)定值為1400℃。

進(jìn)一步，所述的步驟（3）中，保護(hù)氣體為95%的氮?dú)馀c5%氫氣混合而成。

進(jìn)一步，所述的坩堝為剛玉坩堝。

進(jìn)一步，所述步驟（4）中的篩網(wǎng)目數(shù)為200目。

進(jìn)一步，所述步驟（5）中硅基氮氧化物熒光粉粗產(chǎn)品與蒸餾水按10：1的質(zhì)量比進(jìn)行混合溶解。

進(jìn)一步，所述步驟（1）中稱取的si3n4、caco3、srco3或baco3的純度均大于等于99.9%，eu2o3的純度大于等于99.99%。

進(jìn)一步，所述步驟（1）中的助溶劑為硼酸、氟化鈣、氟化銨或氯化銨，所述的助溶劑的按質(zhì)量百分比為1%的添加量加入到mco3、si3n4、eu2o3的混合顆粒中。

采用上述的技術(shù)方案，本發(fā)明的有益效果為：通過利用高溫固相法并結(jié)合超聲波設(shè)備來制取白光led用硅基氮氧化物熒光粉，經(jīng)過研磨、煅燒后，在利用多次超聲波分散來使熒光粉不會蓄積成團(tuán)，提高熒光粉粉體的穩(wěn)定性、并使其在激發(fā)后能夠產(chǎn)生較高的亮度，且發(fā)光顏色在綠黃和黃光之間可調(diào)。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對本發(fā)明做進(jìn)一步的闡述：

圖1為本發(fā)明產(chǎn)品制備方法的簡要流程圖；

圖2為熒光粉m3si6o3n8:eu²⁺（其中m為ca、sr、ba）在x射線衍射裝置中測試所得的xrd圖；

圖3為熒光粉m3si6o3n8:eu²⁺（其中m為ca、sr、ba）在分光光度計中測試所得的激發(fā)光譜和發(fā)射光譜圖；

圖4為熒光粉sr3si6o3n8:eu²⁺與某商用黃粉yag在分光光度計中測試所得的激發(fā)光譜和發(fā)射光譜對比圖；

圖5為熒光粉sr3si6o3n8:eu²⁺與某商用黃粉yag在分光光度計中，在450nm的激發(fā)波長和0～250℃的溫度環(huán)境中的吸收光強(qiáng)度變化對比圖。

具體實(shí)施方式

一種高亮度白光led用硅基氮氧化物熒光粉，所述的熒光粉發(fā)射峰值位于490～550nm，其化學(xué)組成為m3-xsi6o3n8:eux²⁺，其中0.01≤x≤0.1，m為ca、sr或ba。

進(jìn)一步，所述的熒光粉可被波長在380～410nm的近紫外光和波長在440～470nm的藍(lán)光激發(fā)。

如圖1所示，根據(jù)上述一種高亮度白光led用硅基氮氧化物熒光粉的制備方法，其包括以下步驟：

（1）按照化學(xué)式m3-xsi6o3n8:eux²⁺的化學(xué)計量比分別稱取mco3、si3n4、eu2o3和適量的助溶劑，其中0.01≤x≤0.1，m為ca、sr或ba；

（2）將上述稱量好的各物料加入到球磨機(jī)中，再加入無水乙醇作為分散劑進(jìn)行球磨6～8h，待球磨結(jié)束后，將球磨混合均勻的物料裝入坩堝中；

（3）將上述裝有球磨后物料的坩堝置于高溫實(shí)驗爐中，再將高溫實(shí)驗爐的溫度設(shè)定在1400～1600℃，并在通入氮?dú)夂蜌錃獾幕旌蠚怏w作為保護(hù)氣體的條件下，對坩堝進(jìn)行煅燒3～8h，煅燒結(jié)束后，仍持續(xù)通入保護(hù)氣體，直至高溫實(shí)驗爐的爐溫冷卻至低于200℃后再停止通入保護(hù)氣體，再將高溫實(shí)驗爐冷卻至是室溫后，即可取出坩堝；

（4）將坩堝中的物料倒出并進(jìn)行研磨后，再經(jīng)篩網(wǎng)過篩得到硅基氮氧化物熒光粉的粗產(chǎn)品；

（5）將上述制得的硅基氮氧化物熒光粉粗產(chǎn)品加入到蒸餾水中進(jìn)行溶解，并利用超聲波設(shè)備進(jìn)行輔助分散處理10～30min，分散處理完畢后，進(jìn)行靜置分層并將上層清液部分移取出，再補(bǔ)充加入蒸餾水，并進(jìn)行攪拌過后，再利用超聲波設(shè)備進(jìn)行輔助分散處理10～30min，分散處理完畢后，按照前述方法再進(jìn)行靜置分層和移取出上清液，如此循環(huán)處理直至移取出的上清液呈電中性為止，最后將溶液中的固形物濾出，并在80～100℃條件下進(jìn)行干燥2～3h，即可制得硅基氮氧化物熒光粉。

進(jìn)一步，所述的步驟（1）中，當(dāng)m為ca時，步驟（3）中的高溫實(shí)驗爐的溫度設(shè)定值為1550℃；當(dāng)m為sr時，步驟（3）中的高溫實(shí)驗爐的溫度設(shè)定值為1600℃；當(dāng)m為ba時，步驟（3）中的高溫實(shí)驗爐的溫度設(shè)定值為1400℃。

進(jìn)一步，所述的步驟（3）中，保護(hù)氣體為95%的氮?dú)馀c5%氫氣混合而成。

進(jìn)一步，所述的坩堝為剛玉坩堝。

進(jìn)一步，所述步驟（4）中的篩網(wǎng)目數(shù)為200目。

進(jìn)一步，所述步驟（5）中硅基氮氧化物熒光粉粗產(chǎn)品與蒸餾水按10：1的質(zhì)量比進(jìn)行混合溶解。

進(jìn)一步，所述步驟（1）中稱取的si3n4、caco3、srco3或baco3的純度均大于等于99.9%，eu2o3的純度大于等于99.99%。

進(jìn)一步，所述步驟（1）中的助溶劑為硼酸、氟化鈣、氟化銨或氯化銨，所述的助溶劑的按質(zhì)量百分比為1%的添加量加入到mco3、si3n4、eu2o3的混合顆粒中。

實(shí)施例1

一種高亮度白光led用硅基氮氧化物熒光粉的制備方法，其包括以下步驟：

（1）按照化學(xué)式ca3-xsi6o3n8:eux²⁺的化學(xué)計量比分別稱取caco3、si3n4、eu2o3和按1%的質(zhì)量百分比添加氟化鋁作為助溶劑，其中x=0.01；

（2）將上述稱量好的各物料加入到球磨機(jī)中，再加入無水乙醇作為分散劑進(jìn)行球磨8h，待球磨結(jié)束后，將球磨混合均勻的物料裝入剛玉坩堝中；

（3）將上述裝有球磨后物料的坩堝置于高溫實(shí)驗爐中，再將高溫實(shí)驗爐的溫度設(shè)定在1550℃，并在通入氮?dú)夂蜌錃獾幕旌蠚怏w作為保護(hù)氣體的條件下，對坩堝進(jìn)行煅燒5h，煅燒結(jié)束后，仍持續(xù)通入保護(hù)氣體，直至高溫實(shí)驗爐的爐溫冷卻至低于200℃后再停止通入保護(hù)氣體，再將高溫實(shí)驗爐冷卻至是室溫后，即可取出坩堝，其中，所述的保護(hù)氣體為95%的氮?dú)馀c5%氫氣混合而成；

（4）將坩堝中的物料倒出并進(jìn)行研磨后，再經(jīng)200目的篩網(wǎng)過篩得到硅基氮氧化物熒光粉的粗產(chǎn)品；

（5）將上述制得的硅基氮氧化物熒光粉粗產(chǎn)品按硅基氮氧化物熒光粉粗產(chǎn)品與蒸餾水的質(zhì)量比為10：1的比值加入到蒸餾水中進(jìn)行溶解，并利用超聲波設(shè)備進(jìn)行輔助分散處理30min，分散處理完畢后，進(jìn)行靜置分層并將上層清液部分移取出，再補(bǔ)充加入蒸餾水，并進(jìn)行攪拌過后，再利用超聲波設(shè)備進(jìn)行輔助分散處理30min，分散處理完畢后，按照前述方法再進(jìn)行靜置分層和移取出上清液，如此循環(huán)處理直至移取出的上清液呈電中性為止，最后將溶液中的固形物濾出，并在100℃條件下進(jìn)行干燥3h，即制得硅基氮氧化物熒光粉，即ca2.99si6o3n8:eu0.01²⁺。

上述使用的si3n4、caco3的純度均大于等于99.9%，eu2o3的純度大于等于99.99%，所述氟化鋁還可以用氟化鈣、氯化銨、硼酸或氟化銨替代。

按照上述方法再進(jìn)行制取當(dāng)x=0.02、0.03、0.04、0.05、0.06、0.07、0.08、0.09、0.10時的硅基氮氧化物熒光粉，利用熒光分光光度計f-4500進(jìn)行測量x=0.01、0.02、0.03、0.04、0.05、0.06、0.07、0.08、0.09、0.10時，按上述方法制取的硅基氮氧化物熒光粉樣品的相對發(fā)光強(qiáng)度，最終可確定當(dāng)樣品eu²⁺的摻雜量為0.02mol，即x=0.02時，制取的硅基氮氧化物熒光粉的相對發(fā)光強(qiáng)度最佳。

實(shí)施例2

一種高亮度白光led用硅基氮氧化物熒光粉的制備方法，其包括以下步驟：

（1）按照化學(xué)式sr3-xsi6o3n8:eux²⁺的化學(xué)計量比分別稱取srco3、si3n4、eu2o3和按1%的質(zhì)量百分比添加硼酸作為助溶劑，其中x=0.01；

（2）將上述稱量好的各物料加入到球磨機(jī)中，再加入無水乙醇作為分散劑進(jìn)行球磨8h，待球磨結(jié)束后，將球磨混合均勻的物料裝入剛玉坩堝中；

（3）將上述裝有球磨后物料的坩堝置于高溫實(shí)驗爐中，再將高溫實(shí)驗爐的溫度設(shè)定在1600℃，并在通入氮?dú)夂蜌錃獾幕旌蠚怏w作為保護(hù)氣體的條件下，對坩堝進(jìn)行煅燒5h，煅燒結(jié)束后，仍持續(xù)通入保護(hù)氣體，直至高溫實(shí)驗爐的爐溫冷卻至低于200℃后再停止通入保護(hù)氣體，再將高溫實(shí)驗爐冷卻至是室溫后，即可取出坩堝，其中，保護(hù)氣體為95%的氮?dú)馀c5%氫氣混合而成；

（4）將坩堝中的物料倒出并進(jìn)行研磨后，再經(jīng)200目的篩網(wǎng)過篩得到硅基氮氧化物熒光粉的粗產(chǎn)品；

（5）將上述制得的硅基氮氧化物熒光粉粗產(chǎn)品按硅基氮氧化物熒光粉粗產(chǎn)品與蒸餾水的質(zhì)量比為10：1的比值加入到蒸餾水中進(jìn)行溶解，并利用超聲波設(shè)備進(jìn)行輔助分散處理10min，分散處理完畢后，進(jìn)行靜置分層并將上層清液部分移取出，再補(bǔ)充加入蒸餾水，并進(jìn)行攪拌過后，再利用超聲波設(shè)備進(jìn)行輔助分散處理10min，分散處理完畢后，按照前述方法再進(jìn)行靜置分層和移取出上清液，如此循環(huán)處理直至移取出的上清液呈電中性為止，最后將溶液中的固形物濾出，并在100℃條件下進(jìn)行干燥3h，即制得硅基氮氧化物熒光粉，即sr2.99si6o3n8:eu0.01²⁺。

上述使用的si3n4、srco3的純度均大于等于99.9%，eu2o3的純度大于等于99.99%，所述硼酸還可以用氟化鈣、氯化銨、氟化鋁或氟化銨替代。

按照上述方法再進(jìn)行制取當(dāng)x=0.02、0.03、0.04、0.05、0.06、0.07、0.08、0.09、0.10時的硅基氮氧化物熒光粉，利用熒光分光光度計f-4500進(jìn)行測量x=0.01、0.02、0.03、0.04、0.05、0.06、0.07、0.08、0.09、0.10時，按上述方法制取的硅基氮氧化物熒光粉樣品的相對發(fā)光強(qiáng)度，最終可確定當(dāng)樣品eu²⁺的摻雜量為0.02mol，即x=0.02時，制取的硅基氮氧化物熒光粉的相對發(fā)光強(qiáng)度最佳。

實(shí)施例3

一種高亮度白光led用硅基氮氧化物熒光粉的制備方法，其包括以下步驟：

（1）按照化學(xué)式ba3-xsi6o3n8:eux²⁺的化學(xué)計量比分別稱取baco3、si3n4、eu2o3和按1%的質(zhì)量百分比添加硼酸作為助溶劑，其中x=0.01；

（2）將上述稱量好的各物料加入到球磨機(jī)中，再加入無水乙醇作為分散劑進(jìn)行球磨8h，待球磨結(jié)束后，將球磨混合均勻的物料裝入剛玉坩堝中；

（3）將上述裝有球磨后物料的坩堝置于高溫實(shí)驗爐中，再將高溫實(shí)驗爐的溫度設(shè)定在1400℃，并在通入氮?dú)夂蜌錃獾幕旌蠚怏w作為保護(hù)氣體的條件下，對坩堝進(jìn)行煅燒5h，煅燒結(jié)束后，仍持續(xù)通入保護(hù)氣體，直至高溫實(shí)驗爐的爐溫冷卻至低于200℃后再停止通入保護(hù)氣體，再將高溫實(shí)驗爐冷卻至是室溫后，即可取出坩堝，其中，保護(hù)氣體為95%的氮?dú)馀c5%氫氣混合而成；

（4）將坩堝中的物料倒出并進(jìn)行研磨后，再經(jīng)200目的篩網(wǎng)過篩得到硅基氮氧化物熒光粉的粗產(chǎn)品；

（5）將上述制得的硅基氮氧化物熒光粉粗產(chǎn)品按硅基氮氧化物熒光粉粗產(chǎn)品與蒸餾水的質(zhì)量比為10：1的比值加入到蒸餾水中進(jìn)行溶解，并利用超聲波設(shè)備進(jìn)行輔助分散處理30min，分散處理完畢后，進(jìn)行靜置分層并將上層清液部分移取出，再補(bǔ)充加入蒸餾水，并進(jìn)行攪拌過后，再利用超聲波設(shè)備進(jìn)行輔助分散處理30min，分散處理完畢后，按照前述方法再進(jìn)行靜置分層和移取出上清液，如此循環(huán)處理直至移取出的上清液呈電中性為止，最后將溶液中的固形物濾出，并在100℃條件下進(jìn)行干燥3h，即制得硅基氮氧化物熒光粉，即ba2.99si6o3n8:eu0.01²⁺。

上述使用的si3n4、baco3的純度均大于等于99.9%，eu2o3的純度大于等于99.99%，所述硼酸還可以用氟化鈣、氯化銨、氟化鋁或氟化銨替代。

按照上述方法再進(jìn)行制取當(dāng)x=0.02、0.03、0.04、0.05、0.06、0.07、0.08、0.09、0.10時的硅基氮氧化物熒光粉，利用熒光分光光度計f-4500進(jìn)行測量x=0.01、0.02、0.03、0.04、0.05、0.06、0.07、0.08、0.09、0.10時，按上述方法制取的硅基氮氧化物熒光粉樣品的相對發(fā)光強(qiáng)度，最終可確定當(dāng)樣品eu²⁺的摻雜量為0.02mol，即x=0.05時，制取的硅基氮氧化物熒光粉的相對發(fā)光強(qiáng)度最佳。

性能測試與對比

分別按化學(xué)式m3si6o3n8:eu²⁺（m=ba、sr、ca）進(jìn)行制備測試樣品，其中，當(dāng)m為ca時，步驟（3）中的高溫實(shí)驗爐的溫度設(shè)定值為1550℃，當(dāng)m為sr時，步驟（3）中的高溫實(shí)驗爐的溫度設(shè)定值為1600℃，當(dāng)m為ba時，步驟（3）中的高溫實(shí)驗爐的溫度設(shè)定值為1400℃；然后將分別制成的測試樣品放入到x射線衍射裝置中進(jìn)行檢測得到如圖2所示的衍射峰，從圖2中可看出，m3si6o3n8:eu²⁺（m=ba、sr、ca）的衍射峰分別與對應(yīng)的413882-icsd、172877-icsd、419450-icsd卡片固有的特征衍射峰相基本一致，沒有觀察到與原材料caco3、srco3、baco3、eu2o3、si3n4和sio2相對應(yīng)的雜峰；只是ba3si6o3n8:eu²⁺晶胞體積略微減小，主要原因是因為摻雜的eu²⁺(cn=6，r=0.117nm)取代ba²⁺（cn=6，r=0.135nm）進(jìn)入晶格所致；在樣品sr3si6o3n8:eu²⁺中，摻雜的eu²⁺（cn=6，r=0.117nm）取代sr²⁺（cn=6，r=0.116nm）且兩者半徑幾乎相等，故其晶胞體積基本保持不變。而ca3si6o3n8:eu²⁺的晶胞體積略微增大，因eu²⁺(cn=6，r=0.117nm)離子取代部分ca²⁺（cn=6，r=0.1nm），以上結(jié)果表明該系列樣品均是純相。

分別按化學(xué)式m3si6o3n8:eu²⁺（m=ba、sr、ca）進(jìn)行制備測試樣品，其中，當(dāng)m為ca時，步驟（3）中的高溫實(shí)驗爐的溫度設(shè)定值為1550℃，當(dāng)m為sr時，步驟（3）中的高溫實(shí)驗爐的溫度設(shè)定值為1600℃，當(dāng)m為ba時，步驟（3）中的高溫實(shí)驗爐的溫度設(shè)定值為1400℃，再將分別制成測試樣品放入到熒光分光光度計中測試其在250～500nm的紫外-可見光區(qū)的激發(fā)光譜，以及在450nm的藍(lán)光激發(fā)下的發(fā)射光譜，測試得到如圖3所示的激光光譜和發(fā)射光譜圖，可知，在450m的藍(lán)光激發(fā)下，發(fā)射光譜峰值分別位于560nm、535nm和490nm，由此可見，其可與ingan藍(lán)光芯片配合制備成白光led。

將熒光粉sr3si6o3n8:eu²⁺與某商用黃粉yag分別制成測試樣品放入到熒光分光光度計中進(jìn)行測試，得到如圖4所示的激發(fā)光譜和發(fā)射光譜圖，同時測試其在450nm的激發(fā)波長下，在0～250℃內(nèi)的吸收光強(qiáng)度，得到如圖5所示結(jié)果，由圖4和圖5對比可知，本發(fā)明方案所制得的sr3si6o3n8:eu²⁺系列的熒光粉與傳統(tǒng)商用黃粉yag相比，具有良好的發(fā)光性能和熱穩(wěn)定性性能。

以上所述為本發(fā)明的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)，在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下凡依本發(fā)明申請專利范圍所做的均等變化、修改、替換和變型，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。