本發(fā)明屬于發(fā)光材料領(lǐng)域，具體涉及一種用于白光LED的氮氧化物熒光體；尤其涉及一種與Si₅AlON₇晶體結(jié)構(gòu)相同的氮氧化物熒光體及其發(fā)光器件。

背景技術(shù)：

白光LED具有綠色、環(huán)保、長(zhǎng)壽命等優(yōu)勢(shì)，已經(jīng)在照明和顯示領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。目前，白光LED主要是以藍(lán)光芯片配合熒光粉的實(shí)現(xiàn)方式為主，因而熒光粉的發(fā)光性能直接影響并決定著白光LED器件的照明和顯示性能。

近年來(lái)，一類新型的氮化物/氮氧化物發(fā)光材料被開(kāi)發(fā)出來(lái)，其中，具有塞隆結(jié)構(gòu)的Eu離子激活的熒光粉備受關(guān)注。例如，用Eu離子激活的Si_6-zAl_zO_zN_8-z:xEu(簡(jiǎn)稱：β型塞隆熒光粉，0＜z＜4.2，0.0005＜x＜0.5)能夠被紫外光至藍(lán)光波長(zhǎng)的大范圍波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)的光激發(fā)。發(fā)射峰值的波長(zhǎng)為520-545nm，半高寬約為50nm左右。這種β型塞隆熒光粉具有高的光效和窄的半高寬，從而導(dǎo)致其在液晶顯示背光源領(lǐng)域，尤其是在廣色域液晶顯示領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。長(zhǎng)時(shí)間以來(lái)，國(guó)內(nèi)外研究者對(duì)這類熒光粉的結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能等進(jìn)行了持續(xù)深入的研究。

中國(guó)專利申請(qǐng)CN200680016345.X公開(kāi)了一種β型塞隆陶瓷熒光體，其由通式Si_6-zAl_zO_zN_8-z所示的β型塞隆陶瓷為母體材料、且固溶Eu作為發(fā)光中心的β型塞隆陶瓷構(gòu)成，所述通式中的組成z為0.24～0.42，且Eu含量為0.05原子％-0.25原子％。中國(guó)專利申請(qǐng)CN200780021389.6公開(kāi)的熒光粉為β-sialon結(jié)構(gòu)，激活劑為Eu離子，該粉末通過(guò)激光衍射散射法測(cè)定的粒徑分布為：累計(jì)分?jǐn)?shù)中的10％粒徑(D₁₀)為7-20μm、且90％粒徑(D₉₀)為50-90μm。此外，中國(guó)專利申請(qǐng)CN201080003227.1、CN201180028320.2和CN201180029917.9等也對(duì)β-sialon:Eu熒光粉的發(fā)光性能參數(shù)的限定、制備方法等方面作了詳細(xì)介紹。然而，上述β型塞隆熒光粉的光效和半高寬仍然不能讓人滿意；同時(shí)所制成的器件的發(fā)光效率和色域顯示色域不能滿足應(yīng)用需要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的之一在于提供一種在藍(lán)光激發(fā)下能夠發(fā)出綠光的氮氧化物熒光體。本發(fā)明的目的之二在于提供含有該熒光體的發(fā)光器件。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，發(fā)明人對(duì)β-sialon:Eu氮氧化物進(jìn)行了深入研究，結(jié)果 發(fā)現(xiàn)，Eu元素的固溶量、β-sialon基質(zhì)的組成以及微量的摻雜元素對(duì)熒光體的發(fā)光特性會(huì)產(chǎn)生很大影響。因此，當(dāng)上述參數(shù)控制在特定范圍內(nèi)后，可以獲得具有高光效和窄半高寬的氮氧化物熒光體。

為此，根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種熒光體，包含無(wú)機(jī)化合物，所述無(wú)機(jī)化合物至少含有元素Si、Al、O、N和Eu，并且所述無(wú)機(jī)化合物進(jìn)一步含有元素B、C中的一種或者兩種，并且具有與Si₅AlON₇相同的晶體結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，所述無(wú)機(jī)化合物的組成為：Si_6-zAl_zO_zN_8-zB_mC_nN_k:xEu，滿足以下條件：0.10≤z≤0.6，0.0001≤x≤0.1，0＜k≤0.1，0≤m≤0.05，0≤n≤0.05，其中m和n不同時(shí)為0；并且具有與Si₅AlON₇相同的晶體結(jié)構(gòu)。

其中，z優(yōu)選0.10≤z≤0.50，進(jìn)一步優(yōu)選0.15≤z≤0.45，最優(yōu)選0.20≤z≤0.40。x優(yōu)選0.0003≤x≤0.08，進(jìn)一步優(yōu)選0.0005≤x≤0.05，更優(yōu)選0.001≤x≤0.05，最優(yōu)選0.001≤x≤0.02。

優(yōu)選地，0＜n≤0.02，更優(yōu)選為0＜n≤0.015。

優(yōu)選地，0＜m≤0.02，更優(yōu)選為0＜m≤0.015。

優(yōu)選地，所述無(wú)機(jī)化合物同時(shí)含有B和C，且0＜m≤0.015，0＜n≤0.015。

優(yōu)選地，0＜k≤0.05，更優(yōu)選為0.004≤k≤0.04。

在一個(gè)更優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述無(wú)機(jī)化合物的組成為：Si_6-zAl_zO_zN_8-zB_mC_nN_k:xEu，滿足以下條件：0.20≤z≤0.40，0.001≤x≤0.02，0.004≤k≤0.04，0＜n≤0.015，0＜n≤0.015；并且具有與Si₅AlON₇相同的晶體結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，所述無(wú)機(jī)化合物的一次粒徑滿足以下條件：30μm≤D₅₀≤60μm，且長(zhǎng)徑比大于2。

優(yōu)選地，所述無(wú)機(jī)化合物中Fe、Co、Ni的雜質(zhì)含量總和不大于50ppm。

優(yōu)選地，所述熒光體的發(fā)光色坐標(biāo)y滿足以下條件：0.60≤y≤0.68，優(yōu)選為0.62≤y≤0.67。

根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種發(fā)光器件，該發(fā)光器件包含上述熒光體。

附圖說(shuō)明

圖1實(shí)施例1熒光體的XRD圖譜。

圖2實(shí)施例1熒光體的SEM圖。

圖3實(shí)施例1熒光體的激發(fā)和發(fā)射光譜。

具體實(shí)施方式

發(fā)明所述的目的/或方案將以優(yōu)選實(shí)施方式的形式給出。對(duì)這些實(shí)施方式的說(shuō)明用于幫助對(duì)本發(fā)明的理解，而非限制其它可行的實(shí)施方式，這些可行的其它實(shí)施方式可由對(duì)本發(fā)明的實(shí)踐得知。以下，參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的代表性實(shí)施方式。

首先，說(shuō)明本發(fā)明的熒光體。

一種熒光體，包含無(wú)機(jī)化合物，所述無(wú)機(jī)化合物至少含有元素Si、Al、O、N和Eu，其特征在于，所述無(wú)機(jī)化合物進(jìn)一步含有元素B、C中的一種或者兩種，并且具有與Si₅AlON₇相同的晶體結(jié)構(gòu)。

上述熒光體中，其包含無(wú)機(jī)化合物，所述無(wú)機(jī)化合物至少含有元素Si、Al、O、N和Eu，且進(jìn)一步含有元素B和C中的一種或者兩種，更主要的是，上述無(wú)機(jī)化合物具有與Si₅AlON₇相同的晶體結(jié)構(gòu)。其中，Si₅AlON₇的晶體結(jié)構(gòu)與Si₃N₄晶體結(jié)構(gòu)相同，PDF卡片號(hào)為：PDF#48-1615；與Si₃N₄相比，Si₅AlON₇只是在XRD衍射角上有微小偏移(XRD測(cè)試采用Co靶)，并且部分衍射峰強(qiáng)度會(huì)有略微變化，具體的晶體結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)如下：

表1 Si₅AlON₇的X射線衍射結(jié)果(Co靶)

在上述熒光體中，所述無(wú)機(jī)化合物的組成為：Si_6-zAl_zO_zN_8-zB_mC_nN_k:xEu，滿足以下條件：0.1≤z≤0.6，0.0001≤x≤0.1，0＜k≤0.1，0≤m≤0.05，0≤n≤0.05，其中m和n不同時(shí)為0；并且具有與Si₅AlON₇相同的晶體結(jié)構(gòu)。

除了含有Si、Al、O、N四種元素之外，所述無(wú)機(jī)化合物還進(jìn)一步含有元素B和C中的一種或者兩種元素。少量的B元素和/或C元素的加入對(duì)熒光體的發(fā)光性能提升有較大幫助。例如，低熔點(diǎn)的B元素有利于強(qiáng)化焙燒，在不改善發(fā)光材料顆粒大小及分布的前提下能夠降低焙燒溫度，且使得該發(fā)光材料具有高的發(fā)光效率和良好的溫度特性。此外，B的摻雜量必須控制在合適的范圍內(nèi)。過(guò)量的B會(huì)引起晶格畸變，反而對(duì)熒光體的發(fā)光效率不利，因此B的摻雜量為：0≤m≤0.05。此外，C元素能夠提供一種還原氣氛，有利于穩(wěn)定發(fā)光中心Eu²⁺的 價(jià)態(tài)，防止被還原的Eu²⁺再次轉(zhuǎn)化成Eu³⁺，從而損害其發(fā)光效率。但是當(dāng)C含量超過(guò)一定數(shù)值時(shí)，會(huì)污染發(fā)光材料，不僅影響體色，光效也大幅下降，因此，C的摻雜量為：0≤n≤0.05。

在本發(fā)明的氮氧化物熒光體中，Eu²⁺元素固溶于Si_6-zAl_zO_zN_8-z的難易性與z值關(guān)系密切，z值的取值范圍為：0.1≤z≤0.6。當(dāng)z值小于0.1時(shí)，由于Eu²⁺元素的固溶量有限，導(dǎo)致獲得的熒光體的亮度較低。隨著z值升高，為了獲得這種Si_6-zAl_zO_zN_8-z:xEu熒光體，就必須增加原料中的SiO₂和Al₂O₃，但是上述化合物在低于合成溫度時(shí)會(huì)形成液相，促進(jìn)粒子間的燒結(jié)，不利于目標(biāo)相熒光體的形成。當(dāng)z值大于0.6時(shí)，SiO₂量和/或Al₂O₃量增加過(guò)多，在合成的過(guò)程中，這些物質(zhì)與作為Eu原料源的Eu₂O₃之間會(huì)形成穩(wěn)定的化合物，從而阻礙充足的Eu固溶于熒光體中。z優(yōu)選0.10≤z≤0.50，進(jìn)一步優(yōu)選0.15≤z≤0.45，最優(yōu)選0.15≤z≤0.40。

對(duì)于發(fā)光中心Eu元素而言，通過(guò)多次實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，Eu元素的x值取值范圍為：0.0001≤x≤0.1。當(dāng)Eu含量x值小于0.0001時(shí)，溶入熒光體中的發(fā)光中心較少，因此發(fā)光亮度較低。當(dāng)x值大于0.1時(shí)，一方面，由于z值范圍的限定，固溶入熒光體中的Eu元素的量是一定的，過(guò)多Eu元素的加入，反而使得部分Eu元素未參與反應(yīng)，沒(méi)有進(jìn)入晶格，造成資源的浪費(fèi)，另一方面，固溶入太多的Eu元素會(huì)因離子間距太小產(chǎn)生濃度猝滅效應(yīng)，發(fā)光亮度反而隨著Eu的增加而下降。x優(yōu)選0.0003≤x≤0.08，進(jìn)一步優(yōu)選0.0005≤x≤0.05，最優(yōu)選0.001≤x≤0.05。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，該無(wú)機(jī)化合物僅含有元素C。在本發(fā)明中的氮氧化物熒光體中，元素C的含量n的上限為0.02。微量元素C的存在有利于穩(wěn)定熒光體發(fā)光中心Eu²⁺的價(jià)態(tài)，防止轉(zhuǎn)化為Eu³⁺而損害發(fā)光效率，更加明顯的效果是能夠與元素B和元素N形成BCN化合物，有利于發(fā)光效率的提升。但是當(dāng)其含量n超過(guò)0.02時(shí)會(huì)污染發(fā)光材料，不僅影響體色，反而光效也會(huì)下降。更優(yōu)選的是：0＜n≤0.005。

在另一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，該無(wú)機(jī)化合物僅含有元素B。例如，低熔點(diǎn)的元素B有利于強(qiáng)化焙燒，在不改善發(fā)光材料顆粒大小及分布的前提下能夠降低焙燒溫度，且使得該發(fā)光材料具有高的發(fā)光效率和良好的溫度特性。此外，元素B的引入要合適，應(yīng)當(dāng)與元素C和元素N的引入量相匹配，過(guò)量的元素B的 引入會(huì)引起晶格畸變，反而對(duì)熒光體的發(fā)光效率不利。因此元素B的摻雜量為：0＜m≤0.02；更優(yōu)選的范圍為：0＜m≤0.005。

在又一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，該無(wú)機(jī)化合物同時(shí)含有元素B和C。元素B和C的共同引入，不僅能夠起到各自單獨(dú)的作用效果，更重要的是元素B和C的共同加入能夠與N₂形成BCN結(jié)構(gòu)化合物，這種結(jié)構(gòu)化合物中存在B-C、B-N、C-N化學(xué)鍵，即BCN化合物中的三種元素間互相都發(fā)生了化學(xué)鍵結(jié)合，而非簡(jiǎn)單的化合物，這種簡(jiǎn)單的化合物為寬帶隙半導(dǎo)體，能夠發(fā)出400-500nm間的發(fā)射峰。此外，更為重要的是BCN化合物具有與BN相同的晶體結(jié)構(gòu)，且β-sialon:Eu與Si₃N₄具有相同的晶體結(jié)構(gòu)，再加上BN和Si₃N₄本身具有相同的晶體結(jié)構(gòu)，因此BCN化合物與β-sialon能夠進(jìn)行很好的固溶。而且，經(jīng)過(guò)試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，BCN化合物摻入后，一方面能夠使得Si_6-zAl_zO_zN_8-z晶體結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)固，能夠提升熒光體的穩(wěn)定性；另一方面，發(fā)射出的400-500nm間的發(fā)射峰，能夠增強(qiáng)Eu²⁺的激發(fā)強(qiáng)度，從而提升熒光體的發(fā)光性能。綜上所述，BCN化合物的加入對(duì)熒光體發(fā)光性能的提升大有益處。但是摻入的元素B和C的量要互相匹配，以起到良好的效果，但是也不能太多，太多會(huì)引起晶格畸變，反而對(duì)熒光體的發(fā)光效率不利。優(yōu)選的范圍是：0＜m≤0.01，0＜n≤0.01。

此外，BCN化合物中除B、C、N元素外還含有一定量的O元素，B、N含量明顯高于C含量，說(shuō)明得到了富B、N的BCN化合物，其中的O主要來(lái)源于表面吸附氧和結(jié)構(gòu)中尚未完全脫除的氧。而且隨著熱解溫度的升高，BCN化合物中的B、N含量逐漸增大，C含量逐漸減小，O含量也隨著結(jié)構(gòu)氧的進(jìn)一步脫除而明顯減小，這樣有利于高y值熒光體的合成。

優(yōu)選的是，該無(wú)機(jī)化合物的一次粒徑30μm≤D₅₀≤60μm，且長(zhǎng)徑比大于2。上述提到的一次粒徑，指的是經(jīng)過(guò)高溫焙燒后，未經(jīng)處理的熒光體通過(guò)激光粒度儀測(cè)試的粒徑。如果該無(wú)機(jī)化合物熒光體的粒徑過(guò)小，被熒光體表面反射而成為散射光的比例就會(huì)增加，即被熒光體吸收的激發(fā)光減少，因此其產(chǎn)生的熒光強(qiáng)度也會(huì)降低，進(jìn)而影響其發(fā)光器件的性能，而如果將該無(wú)機(jī)化合物熒光體的粒徑增大的話，在照明器具、發(fā)光器件等使用過(guò)程中，存在分散性變差、產(chǎn)生顏色不均的問(wèn)題，因此優(yōu)選為一次粒徑30μm≤D₅₀≤60μm。如果長(zhǎng)徑比太小，則晶粒的完整性差，也會(huì)影響熒光體的亮度，因此優(yōu)選為長(zhǎng)徑比大于2。

優(yōu)選的是，該無(wú)機(jī)化合物中Fe、Co、Ni的雜質(zhì)含量總和不大于50ppm。 為了獲得顯示高發(fā)光亮度的熒光體，包含在本發(fā)明中的無(wú)機(jī)化合物中的雜質(zhì)含量?jī)?yōu)選盡可能地小。特別地，由于大量Fe、Co、Ni的雜質(zhì)污染嚴(yán)重抑制熒光體的發(fā)光強(qiáng)度，因此優(yōu)選的是通過(guò)原料雜質(zhì)的控制以及控制合成步驟從而使得這些雜質(zhì)元素的總和小于50ppm，從而能夠提高熒光體的發(fā)光強(qiáng)度。

優(yōu)選的是，所述熒光體的發(fā)光色坐標(biāo)y滿足的條件為：0.60≤y≤0.68。在用作白光LED顯示用的熒光體中，綠色熒光體的色坐標(biāo)y值直接決定白光LED顯示器件的色域范圍，要想獲得顯色色域(％NTSC)范圍較高的白光LED器件，必須要求氮氧化物綠粉的色坐標(biāo)滿足以下條件：0.60≤y≤0.68。更優(yōu)選的是：0.62≤y≤0.67。

下面，舉例說(shuō)明獲得本發(fā)明的氮氧化物熒光體的制備方法。

原料可以是在本領(lǐng)域公知的制備方法中使用的原料，例如氮化硅(Si₃N₄)、氮化鋁(AlN)、氧化硅(SiO₂)、氧化鋁(Al₂O₃)。此外，發(fā)光中心Eu的原料選擇的是Eu的金屬、氧化物、碳酸鹽或氮化物；B的原料選擇的是單質(zhì)B、BCl₃或BN；C的原料為C粉，也可以是爐膛內(nèi)部揮發(fā)出的C粉。

按照Si_6-zAl_zO_zN_8-z·B_mC_nN_k:xEu(滿足以下條件：0.1≤z≤0.6，0.0001≤x≤0.1，0＜k≤0.1，0≤m≤0.05，0≤n≤0.05，其中m和n不同時(shí)為0)的化學(xué)計(jì)量比準(zhǔn)確稱取所需要的原料，混合均勻后放入BN坩堝內(nèi)，在高溫氮化爐內(nèi)加熱至1850-2300℃，保溫5-20h，焙燒氣氛為N₂氣氛，壓力為0.5-2MPa。加熱溫度低于1850℃時(shí)不能使Eu固溶在氮氧化物熒光體中。若加熱溫度高于2300℃時(shí)，為了抑制原料及氮氧化物熒光體的分解，必須提供非常高的氮?dú)鈮毫Α?/p>

將合成的氮氧化物熒光體通過(guò)破碎、后處理，獲得所需要的規(guī)定尺寸，即獲得本發(fā)明的氮氧化物熒光體。

根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種發(fā)光器件，該發(fā)光器件至少包含上述所述的無(wú)機(jī)化合物。該發(fā)光器件，還包括輻射源。其中輻射源可以是任何一種能夠發(fā)出峰值波長(zhǎng)位于480nm以下的輻射光的輻射源。優(yōu)選地，輻射源為紫外、紫光或藍(lán)光輻射源，在它們激發(fā)下，本發(fā)明的熒光體均能夠發(fā)出高效的綠光。

優(yōu)選地，上述發(fā)光器件中，除具有通式為Si_6-zAl_zO_zN_8-z·B_mC_nN_k:xEu中組成和結(jié)構(gòu)的氮氧化物綠粉外，還可以加入其他能夠被相應(yīng)輻射源有效激發(fā)的熒光體，如在“藍(lán)光LED+本發(fā)明的熒光體”組合中，加入能夠被藍(lán)光有效激發(fā)的綠色熒光粉或紅色熒光粉可形成白光發(fā)光器件。上述這些白光發(fā)光器件能夠用于照 明或顯示領(lǐng)域，尤其是在廣色域液晶顯示白光LED器件中。

上述發(fā)光器件中可用于與本發(fā)明氮氧化物熒光體混合使用的其他發(fā)光材料包括，但不限于：β-sialon:Eu、Zn₂SiO₄:Mn、(La,Ca)₃Si₆N₁₁:Ce、(Y,Gd,Lu,Tb)₃(Al,Ga)₅O₁₂:Ce、(Mg,Ca,Sr,Ba)₂SiO₄:Eu、(Ca,Sr)AlSiN₃:Eu、(Ca,Sr)₂Si₅N₈:Eu、K₂(Si,Ge,Ti)F₆:Mn、K₃AlF₆:Mn等。

以下結(jié)合具體實(shí)施例1-21和對(duì)比例1進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明所提供的氮氧化物綠色熒光體的色坐標(biāo)、相對(duì)強(qiáng)度和半高寬等情況。同時(shí)，結(jié)合實(shí)施例22-25進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明所提供的發(fā)光器件的有益效果。

實(shí)施例1-21中氮氧化物綠色熒光體的化學(xué)式如表2所示，對(duì)比例選擇的是：Si_5.6Al_0.4Si_0.4N_7.6:0.005Eu(在Si_6-zAl_zO_zN_8-z:xEu結(jié)構(gòu)式中z＝0.4，x＝0.005)

對(duì)比例1：根據(jù)Si_5.6Al_0.4Si_0.4N_7.6:0.002Eu(在Si_6-zAl_zO_zN_8-z:xEu結(jié)構(gòu)式中z＝0.4，x＝0.002)化學(xué)計(jì)量比，準(zhǔn)確稱取Si₃N₄、AlN、SiO₂、Al₂O₃和Eu₂O₃，混合均勻后裝入BN坩堝內(nèi)，在氮?dú)鈿夥障拢?000℃的高溫下焙燒10h，焙燒壓力為2MPa，隨爐冷卻后，經(jīng)過(guò)破碎、經(jīng)稀鹽酸和去離子水洗滌，在100-120℃下烘干，即得到對(duì)比例1中的氮氧化物熒光體。

實(shí)施例1：與對(duì)比例的制備方法相比，只是在原料中加入BCl₃和C粉，獲得的實(shí)施例1熒光體的XRD見(jiàn)圖1所示，SEM見(jiàn)圖2所示，激發(fā)和發(fā)射光譜見(jiàn)圖3所示。

實(shí)施例2-21：實(shí)施例2-21中氮氧化物熒光體的制備方法同對(duì)比例1，只是在原料中加入B和C的原料，加入的原料分別為：BCl₃和C粉。

測(cè)試方法：采用分光光度計(jì)對(duì)對(duì)比例和實(shí)施例1-21中氮氧化物綠色熒光體進(jìn)行相對(duì)亮度、峰值波長(zhǎng)和半高寬的測(cè)試，其中設(shè)定激發(fā)波長(zhǎng)為460nm，并定義對(duì)比例發(fā)光材料的相對(duì)亮度為100，測(cè)試結(jié)果見(jiàn)表2所示。

Cokα線的粉末X射線衍射圖譜的測(cè)量：用Co靶(λ＝1.78892nm)進(jìn)行X射線衍射。

表2實(shí)施例1-21的各元素比值和發(fā)光性能結(jié)果

從表2列舉的實(shí)施例1-21結(jié)果不難看出，本發(fā)明涉及的新型發(fā)光材料具有比對(duì)比例1(化學(xué)式為：Si_5.6Al_0.4Si_0.4N_7.6:0.005Eu)發(fā)光材料更高的發(fā)光強(qiáng)度和更窄的半峰寬，這些均非常有利于液晶顯示器件中發(fā)光效率和顯色色域的提升。

以下將結(jié)合實(shí)施例22-25，進(jìn)一步說(shuō)明利用上述本發(fā)明制備的無(wú)機(jī)化合物作為綠光熒光體用于藍(lán)光LED芯片時(shí)的有益效果。

本發(fā)明所提供的上述無(wú)機(jī)化合物均可以作為綠光熒光體用于藍(lán)光LED芯片，為了節(jié)省文字篇幅，以下將以對(duì)比例和實(shí)施例1為例進(jìn)行說(shuō)明。

實(shí)施例22

一種發(fā)光裝置，采用藍(lán)光LED芯片、對(duì)比例中的氮氧化物綠色無(wú)機(jī)化合物和紅色熒光物質(zhì)K₂SiF₆:Mn，前后兩種熒光物質(zhì)的重量比為：綠：紅＝80：20，將熒光物質(zhì)均勻分散在折射率1.41，透射率99％的硅膠中，將芯片與光轉(zhuǎn)換膜組合在一起，焊接好電路、封結(jié)后得到液晶背光源模組，其光效為98lm/W，顯示色域?yàn)?9％NTSC。

實(shí)施例23

一種發(fā)光裝置，采用藍(lán)光LED芯片、對(duì)比例中的氮氧化物綠色無(wú)機(jī)化合物和紅色熒光物質(zhì)K₂SiF₆:Mn，前后兩種熒光物質(zhì)的重量比為：綠：紅＝75：25，將熒光物質(zhì)均勻分散在折射率1.41，透射率99％的硅膠中，將芯片與光轉(zhuǎn)換膜組合在一起，焊接好電路、封結(jié)后得到液晶背光源模組，其光效為108lm/W，顯示色域?yàn)?0％NTSC。

實(shí)施例24

一種發(fā)光裝置，采用采用藍(lán)光LED芯片、實(shí)施例1中的氮氧化物綠色無(wú)機(jī)化合物和紅色熒光物質(zhì)K₂SiF₆:Mn，前后兩種熒光物質(zhì)的重量比為：綠：紅＝75：25，將熒光物質(zhì)均勻分散在折射率1.41，透射率99％的硅膠中，將芯片與光轉(zhuǎn)換膜組合在一起，焊接好電路、封結(jié)后得到液晶背光源模組，其光效為105lm/W，顯示色域?yàn)?5％NTSC。

實(shí)施例25

一種發(fā)光裝置，采用采用藍(lán)光LED芯片、實(shí)施例1中的氮氧化物綠色無(wú)機(jī)化合物和紅色熒光物質(zhì)K₂SiF₆:Mn，前后兩種熒光物質(zhì)的重量比為：綠：紅＝60：40，將熒光物質(zhì)均勻分散在折射率1.41，透射率99％的硅膠中，將芯片與光轉(zhuǎn)換 膜組合在一起，焊接好電路、封結(jié)后得到液晶背光源模組，其光效為100lm/W，顯示色域?yàn)?00％NTSC。

通過(guò)比較可以發(fā)現(xiàn)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的氮氧化物熒光體具有更高的發(fā)光強(qiáng)度和更窄的半峰寬。當(dāng)用在廣色域液晶顯示LED背光源器件中時(shí)，不僅發(fā)光效率高，而且色域顯示色域范圍廣。

以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。