1.一種合金量子點(diǎn)的制備方法，包括以下步驟：
(1)將鋅源、鎘源、過渡金屬鹽、配位溶劑和非配位溶劑混合，加熱得到陽離子前驅(qū)體；
(2)向所述步驟(1)得到的陽離子前驅(qū)體中注入硫源，進(jìn)行第一反應(yīng)得到量子點(diǎn)前驅(qū)體；
(3)向所述步驟(2)得到的量子點(diǎn)前驅(qū)體中加入硒源，進(jìn)行第二反應(yīng)得到合金量子點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中鋅源、鎘源和過渡金屬鹽中金屬元素的摩爾比為10～100:1:0.1～2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中加熱的溫度為100～200℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中的硫源與所述步驟(1)中鎘源的摩爾比為2～50:1。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中第一反應(yīng)的溫度為280～320℃，第一反應(yīng)的時間為5～15min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中的硒源與所述步驟(1)中鎘源的摩爾比為1～30:1。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(3)中第二反應(yīng)的溫度為290～330℃，第二反應(yīng)的時間為30～90min。
8.權(quán)利要求1～7任意一項(xiàng)所述制備方法制備的合金量子點(diǎn)，具有核殼結(jié)構(gòu)，包括D:CdZnS核體和包覆在所述核體外的ZnSe殼層，D為過渡金屬元素。
9.一種電致發(fā)光二極管，包括依次設(shè)置的導(dǎo)電玻璃、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電極，所述發(fā)光層包括權(quán)利要求1～7所述制備方法制備的合金量子點(diǎn)或權(quán)利要求8所述合金量子點(diǎn)。
10.一種光致發(fā)光二極管，包括紫外芯片及其表面的發(fā)光層，所述發(fā)光層包括權(quán)利要求1～7所述制備方法制備的合金量子點(diǎn)或權(quán)利要求8所述合金量子點(diǎn)。