反應(yīng)，芳基棚酸和芳基面化物在堿性條件下（例如 通過(guò)碳酸鐘或憐酸鐘）彼此反應(yīng)W形成碳-碳鍵。所述反應(yīng)在甲苯和乙醇的混合溶劑中進(jìn) 行；并且通常在回流下通過(guò)使用鈕絡(luò)合物（如四（Ξ苯基麟）鈕和乙酸鈕與S-Phos(例如 2-二環(huán)麟基-2' ,6'-二甲氧基苯基）的組合）作為催化劑來(lái)進(jìn)行。
[0065] 根據(jù)反應(yīng)流程1和2中的布赫瓦爾德-哈特維希反應(yīng)，芳基胺和芳基面化物在堿 性條件下（例如通過(guò)叔下醇鋼）彼此反應(yīng)W形成碳-氮鍵。所述反應(yīng)在芳香族有機(jī)溶劑 (如甲苯或二甲苯）中進(jìn)行；并且通常在回流下通過(guò)使用鈕絡(luò)合物（如乙酸鈕與S-Phos(例 如2-二環(huán)麟基-2' ,6'-二甲氧基苯基）的組合）作為催化劑來(lái)進(jìn)行。
[0066] 此外，本發(fā)明提供一種包含式1有機(jī)電致發(fā)光化合物的電致發(fā)光材料和一種包含 所述材料的有機(jī)電致發(fā)光裝置。
[0067] 所述材料可W由式1有機(jī)電致發(fā)光化合物組成。在其它方面，所述材料除式1化 合物之外還可W進(jìn)一步包含已經(jīng)包含在有機(jī)電致發(fā)光材料內(nèi)的常規(guī)化合物。
[0068] 有機(jī)電致發(fā)光裝置可W包含第一電極、第二電極W及至少一個(gè)安置在第一電極與 第二電極之間的有機(jī)層。有機(jī)層可W包含至少一種式1化合物。
[0069] 第一電極和第二電極中的一個(gè)可W是陽(yáng)極，并且另一個(gè)可W是陰極。有機(jī)層可W 包含發(fā)光層，并且可W進(jìn)一步包含至少一個(gè)選自W下的層：空穴注入層、空穴傳輸層、電子 傳輸層、電子注入層、夾層、空穴阻擋層W及電子阻擋層。
[0070] 本發(fā)明的化合物可W包含在發(fā)光層和空穴傳輸層中的至少一個(gè)中。當(dāng)用于空穴傳 輸層中時(shí)，本發(fā)明的化合物可W作為空穴傳輸材料包含在內(nèi)。當(dāng)用于發(fā)光層中時(shí)，本發(fā)明的 化合物可W作為主體材料包含在內(nèi)。
[0071] 包含本發(fā)明化合物的有機(jī)電致發(fā)光裝置除本發(fā)明化合物之外還可W進(jìn)一步包含 至少一種主體化合物。此外，有機(jī)電致發(fā)光裝置可W進(jìn)一步包含至少一種滲雜劑。
[0072] 在本發(fā)明的化合物作為主體材料（第一主體材料）包含在發(fā)光層中的情況下，另 一種化合物可W作為第二主體材料包含在內(nèi)。第一主體材料與第二主體材料之間的重量比 在1:99到99:1的范圍內(nèi)。
[0073] 第二主體材料可W來(lái)自已知憐光主體材料中的任一種。具體來(lái)說(shuō)，鑒于發(fā)光效率， 選自由下文式2到式4的化合物組成的群組的材料優(yōu)選作為第二主體材料。
[0074] H-(Cz-L4)h-M似 [00巧]H- (Cz)1-L4-M(3)
[0076]
[0077] 其中，Cz表示W(wǎng)下結(jié)構(gòu)：
[0078]
[007引 R2劇R24各自獨(dú)立地表示氨、気、面素、被取代或未被取代的（C1-C30)烷基、被取 代或未被取代的（C6-C30)芳基、被取代或未被取代的（3元到30元）雜芳基或R25R26R27Si-;Κζδ到R27各自獨(dú)立地表示被取代或未被取代的（C1-C30)烷基或被取代或未被取代的 (C6-C30)芳基；L4表示單鍵、被取代或未被取代的（C6-C30)亞芳基或被取代或未被取代的 巧元到30元）亞雜芳基；Μ表示被取代或未被取代的（C6-C30)芳基或被取代或未被取代 的巧元到30元）雜芳基；Υ郝Υ2各自獨(dú)立地表示-0-、-S-、-Ν化31)-或-C化2)化3)-，其 條件是Yi和Υ2不存在；R31到R33各自獨(dú)立地表示被取代或未被取代的（C1-C30)烷基、被取 代或未被取代的（C6-C30)芳基或被取代或未被取代的巧元到30元）雜芳基，R32和R33可 W相同或不同；h和i各自獨(dú)立地表示1到3的整數(shù)；j、k、οW及r各自獨(dú)立地表示ο到4 的整數(shù)；并且在h、i、j、k、o或r是2或更大的整數(shù)的情況下，（Cz-La)中的每一個(gè)、（Cz)中 的每一個(gè)、R21中的每一個(gè)、R 22中的每一個(gè)、R23中的每一個(gè)或R24中的每一個(gè)可W相同或不 同。
[0080] 具體來(lái)說(shuō)，第二主體材料包括W下：
[0081]
[0082]
[0083]
[0084] 用于本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光裝置的滲雜劑優(yōu)選地是至少一種憐光滲雜劑。用于本發(fā) 明有機(jī)電致發(fā)光裝置的憐光滲雜劑不受限制，但可W優(yōu)選地選自銀（Ir)、餓（Os)、銅（Cu) W及銷(xiāo)（Pt)的金屬化絡(luò)合物化合物，更優(yōu)選地選自銀（Ir)、餓（Os)、銅（Cu)W及銷(xiāo)（Pt) 的鄰位金屬化絡(luò)合物化合物，并且甚至更優(yōu)選地是鄰位金屬化的銀絡(luò)合物化合物。
[0085] 憐光滲雜劑可W優(yōu)選地選自由用下式5到式7表示的化合物組成的群組。
[0086]
[0087] 其中L選自W下：
[0088]
[0089] Ri。。表示氨或被取代或未被取代的（C1-C30)烷基；R1。劇Ricg和R11劇R123各自獨(dú) 立地表示氨、気、面素、未被取代或被面素取代的（C1-C30)烷基、氯基、被取代或未被取代 的（C1-C30)烷氧基或被取代或未被取代的似-C30)環(huán)烷基；或Ri2劇Ri23可W與相鄰取代 基連接W形成（3元到30元）單環(huán)或多環(huán)的脂環(huán)或芳香族環(huán)（例如哇嘟），其碳原子可W被 至少一個(gè)選自氮、氧和硫的雜原子置換；Ri24到Rm各自獨(dú)立地表示氨、気、面素、被取代或 未被取代的（C1-C30)烷基或被取代或未被取代的（C6-C30)芳基；其中Ri24到Ri27是芳基， 其可W與相鄰取代基連接W形成（3元到30元）單環(huán)或多環(huán)的脂環(huán)或芳香族環(huán)（例如巧）， 其碳原子可W被至少一個(gè)選自氮、氧和硫的雜原子置換；Rwi到Rm各自獨(dú)立地表示氨、気、 面素或未被取代或被面素取代的（C1-C30)烷基；0和P各自獨(dú)立地表示1到3的整數(shù)；在 0或P是2或更大的整數(shù)的情況下，Ri。。中的每一個(gè)可W相同或不同；并且q表示1到3的 整數(shù)。
[0090] 具體來(lái)說(shuō)，憐光滲雜劑材料包括W下：
[0091]
[0092]
[0093]
[0094]
[0095] 此外，本發(fā)明提供一種用于制備有機(jī)電致發(fā)光裝置的組合物。所述組合物可W包 含本發(fā)明化合物作為用于空穴傳輸層的材料。
[0096] 本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置可W包含第一電極、第二電極W及至少一個(gè)安置在第 一電極與第二電極之間的有機(jī)層。有機(jī)層可W包含發(fā)光層，所述發(fā)光層可W包含用于本發(fā) 明有機(jī)電致發(fā)光裝置的組合物。
[0097] 本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置除式1化合物之外還可W進(jìn)一步包含至少一種選自 由基于芳基胺的化合物和基于苯乙締基芳基胺的化合物組成的群組的化合物。
[0098] 在本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置中，有機(jī)層除式1化合物之外還可W進(jìn)一步包含至 少一種選自由W下組成的群組的金屬：周期表的第1族金屬、第2族金屬、第4周期過(guò)渡金 屬、第5周期過(guò)渡金屬、銅系元素W及d-過(guò)渡元素的有機(jī)金屬，或至少一種包含所述金屬的 絡(luò)合物化合物。有機(jī)層可W進(jìn)一步包含發(fā)光層和電荷產(chǎn)生層。
[0099] 另外，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置可通過(guò)進(jìn)一步包含至少一個(gè)發(fā)光層而發(fā)射白 光，所述發(fā)光層除本發(fā)明化合物W外還包含所屬領(lǐng)域中已知的藍(lán)光電致發(fā)光化合物、紅光 電致發(fā)光化合物或綠光電致發(fā)光化合物。必要時(shí)，其可W進(jìn)一步包含澄光發(fā)光層或黃光發(fā) 光層。
[0100] 在本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置中，優(yōu)選地，至少一個(gè)層（在下文中為"表面層"） 可W被放置在一個(gè)或兩個(gè)電極的內(nèi)表面上，所述層選自硫族化合物層、金屬面化物層W及 金屬氧化物層。具體來(lái)說(shuō)，娃或侶的硫族化合物（包括氧化物）層優(yōu)選地被放置在電致發(fā) 光中間層的陽(yáng)極表面上，并且金屬面化物層或金屬氧化物優(yōu)選地被放置在電致發(fā)光中間層 的陰極表面上。運(yùn)類(lèi)表面層為有機(jī)電致發(fā)光裝置提供操作穩(wěn)定性。優(yōu)選地，硫族化物包括 Si〇x(l《X《2)、Α10χ(1《X《1. 5)、SiON、SiAlON等；金屬面化物包括LiF、MgFz、CaFz、 稀±金屬氣化物等；并且金屬氧化物包括Cs2〇、Li2〇、MgO、SrO、BaO、CaO等。
[0101] 在本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置中，電子傳輸化合物和還原性滲雜劑的混合區(qū)、或 空穴傳輸化合物和氧化性滲雜劑的混合區(qū)可W被放置在一對(duì)電極的至少一個(gè)表面上。在運(yùn) 種情況下，電子傳輸化合物被還原為陰離子，并且因此注入電子并將其從混合區(qū)傳輸?shù)诫?致發(fā)光介質(zhì)中變得更加容易。此外，空穴傳輸化合物被氧化為陽(yáng)離子，并且因此注入空穴并 且將其從混合區(qū)傳輸?shù)诫娭掳l(fā)光介質(zhì)中變得更加容易。優(yōu)選地，氧化性滲雜劑包括各種路 易斯酸化ewis acid)和受體化合物；并且還原性滲雜劑包括堿金屬、堿金屬化合物、堿± 金屬、稀±金屬W及其混合物。還原性滲雜劑層可W用作電荷產(chǎn)生層W制備具有兩個(gè)或更 多個(gè)發(fā)光層并且發(fā)射白光的電致發(fā)光裝置。
[0102] 為了形成本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光裝置的每一層，可W使用干式成膜方法，如真空蒸 發(fā)、瓣射、等離子體和離子電鍛方法；或濕式成膜方法，如旋涂、浸涂和流涂方法。
[0103] 當(dāng)使用濕式成膜方法時(shí)，薄膜可W通過(guò)將形成每一層的材料溶解或擴(kuò)散到任何合 適的溶劑中來(lái)形成，所述溶劑如乙醇、氯仿、四氨巧喃、二嗯燒等。溶劑可W是形成每一層的 材料可w溶解或擴(kuò)散于其中并且不存在成膜能力問(wèn)題的任何溶劑。
[0104] 在下文中，將參考W下實(shí)例詳細(xì)地解釋本發(fā)明化合物、所述化合物的制備方法W 及所述裝置的