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改性lds添加劑及含該添加劑的tpae組合物的制作方法

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改性lds添加劑及含該添加劑的tpae組合物的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及改性L(fǎng)DS添加劑,還涉及LDS添加劑的改性方法,以及含有該LDS添加 劑的組合物。
【背景技術(shù)】
[0002] 激光直接成型(LDS)技術(shù)是指利用計(jì)算機(jī)控制激光掃描的區(qū)域,將激光照射到含 有激光敏感添加劑的制件上,活化出電路圖案,該制件上被活化的區(qū)域可以在無(wú)電化學(xué)鍍 中沉積金屬銅、鎳、金等金屬,從而實(shí)現(xiàn)在三維塑料制件上制造出導(dǎo)電圖案。
[0003] 隨著激光直接成型(LDS)技術(shù)的快速發(fā)展,模塑互聯(lián)器件(MouldedInterconnect Device)的生產(chǎn)速度更迅捷,流程更簡(jiǎn)化,成本更可控,應(yīng)用領(lǐng)域更寬廣,其最大的優(yōu)勢(shì)在 于,它能夠減少電子產(chǎn)品的元器件數(shù)量并節(jié)約空間。比如,采用LDS技術(shù)制造的天線(xiàn)被廣泛 地應(yīng)用在智能手機(jī)、筆記本電腦等移動(dòng)終端上,采用LDS技術(shù)制造的傳感器,最小導(dǎo)線(xiàn)寬度 可達(dá)150ym,最小線(xiàn)間寬度可達(dá)150ym,這不但減少了元器件的數(shù)量,還達(dá)到了節(jié)約空間 和減重的目的。
[0004] 此外,LDS技術(shù)的優(yōu)勢(shì)還體現(xiàn)在它的靈活性上。如果需要改變?cè)骷蠈?dǎo)電路徑, 只需要更改CAD中的電路圖形設(shè)計(jì)即可,不需重新設(shè)計(jì)模具。因?yàn)長(zhǎng)DS技術(shù)不需要掩膜,所 以其加工過(guò)程更加簡(jiǎn)便,加工成本更低。應(yīng)用于LDS技術(shù)的材料科學(xué)也得到了快速的發(fā)展。 樹(shù)脂基體覆蓋了通用塑料、工程塑料以及特種工程塑料。其中比較典型的應(yīng)用是聚碳酸酯、 聚碳酸酯與丙烯腈/ 丁二烯/苯乙烯的合金,用它們來(lái)制作的LDS天線(xiàn)已經(jīng)廣泛地應(yīng)用在 智能手機(jī)、平板電腦以及筆記本電腦上。
[0005] 但是,現(xiàn)有技術(shù)中制備得到的塑料制件上的金屬薄膜附著力不強(qiáng),雖然大部分金 屬薄膜的百格測(cè)試基本在4-10%,但是,隨著金屬薄膜的所處環(huán)境越來(lái)越惡劣、廠(chǎng)家對(duì)廢品 率的嚴(yán)格要求、消費(fèi)者對(duì)質(zhì)量的苛刻要求,金屬薄膜的附著力需要能通過(guò)各種復(fù)雜和嚴(yán)格 的測(cè)試,而現(xiàn)有技術(shù)的LDS材料無(wú)法滿(mǎn)足該要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明的目的之一為提供一種改性L(fǎng)DS添加劑。
[0007] 改性L(fǎng)DS添加劑,包括100重量份的激光敏感化合物和10-30重量份的含氨基改 性化合物,所述含氨基改性化合物部分包覆于所述激光敏感化合物表面,所述激光敏感化 合物的化學(xué)通式為XY204,激光敏感化合物為等軸晶系,X與Y均為金屬元素,X與Y來(lái)自元 素周期表中第IIIA族、IB族、IIB族、VIB族、WB族、或VID族;
[0008] 所述含氨基改性化合物的化學(xué)結(jié)構(gòu)式如下:
[0009]
[0010] 所述m為0-5的整數(shù),X為具有氨基基團(tuán)的一價(jià)基團(tuán)或氨基,所述X在吡啶環(huán)上的 位置為磺酸基團(tuán)的鄰位或間位或?qū)ξ弧?br>[0011] 作為本發(fā)明的一種技術(shù)方案,本發(fā)明所述的改性L(fǎng)DS添加劑還包括含羧基改性化 合物,所述含羧基改性化合物的化學(xué)結(jié)構(gòu)式如下:
[0013] 所述m為0-5的整數(shù),X為具有羧基基團(tuán)的一價(jià)基團(tuán)或羧基,所述X在吡啶環(huán)上的 位置為磺酸基團(tuán)的鄰位或間位或?qū)ξ弧?br>[0014] 作為本發(fā)明的一種技術(shù)方案,本發(fā)明所述含羧基改性化合物與含氨基改性化合物 的質(zhì)量比為1 :〇. 5-2。
[0015] 作為本發(fā)明的一種技術(shù)方案,本發(fā)明所述的改性L(fǎng)DS添加劑還包括1-10重量份的 金屬氫氧化物,所述金屬氫氧化物部分包覆于激光敏感化合物表面。
[0016] 作為本發(fā)明的一種技術(shù)方案,本發(fā)明所述金屬氫氧化物與含氨基改性化合物的質(zhì) 量比為1 :3-5。
[0017] 作為本發(fā)明的一種技術(shù)方案,本發(fā)明所述的激光敏感化合物的粒徑為1-50微米。
[0018] 改性L(fǎng)DS添加劑的制備方法,包括以下步驟:
[0019] S10、將100重量份激光敏感化合物、10-30重量份含氨基改性化合物中超聲分散 5~30min,得到乳池液;
[0020] S20、將所得的乳濁液在50~90°C下攪拌5~30min后,溫度保持在70-85°C,繼 續(xù)反應(yīng)2~4h;
[0021] S30、所得到的溶膠經(jīng)離心分離后分別用去離子水、無(wú)水乙醇各洗滌4次,再在 90°C下烘干獲得前驅(qū)體粉末;
[0022] S40、將干燥后的前驅(qū)體粉末放置在150~200°C下煅燒2~3h得到改性L(fǎng)DS添加 劑。
[0023] 作為本發(fā)明的一種技術(shù)方案,本發(fā)明所述的S10步驟還包括含羧基改性化合物, 所述含羧基改性化合物與含氨基改性化合物的質(zhì)量比為1 :〇. 5-2。
[0024] 作為本發(fā)明的一種技術(shù)方案,本發(fā)明所述的S10步驟還包括以金屬氫氧化物為質(zhì) 量計(jì)算,以金屬氫氧化物計(jì),1-10重量份的金屬氯化物,在S20步驟之后還包括S201步驟: 緩慢滴加30重量份碳酸按沉淀劑溶液,繼續(xù)反應(yīng)2~4h。
[0025] TPAE組合物,包括100重量份的TPAE樹(shù)脂,10-100重量份的填料,1-30重量份的 前述的LDS添加劑。
[0026] 在下文中將進(jìn)一步詳細(xì)描述本發(fā)明的方法。在以下方案中,除非另有說(shuō)明,各定義 如上所限定。
【具體實(shí)施方式】
[0027] 本文提到的所有出版物、專(zhuān)利申請(qǐng)、專(zhuān)利和其它參考文獻(xiàn),如果沒(méi)有相反說(shuō)明,均 將其全部?jī)?nèi)容明確地援引加入本文,如同它們?cè)诒疚闹斜煌耆_(kāi)。
[0028] 除非另有限定,本文使用的所有技術(shù)以及科學(xué)術(shù)語(yǔ)具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域普通技 術(shù)人員通常理解的相同的含義。當(dāng)存在矛盾時(shí),以本說(shuō)明書(shū)中的定義為準(zhǔn)。
[0029] 如本文所用術(shù)語(yǔ)"由…制備"與"包含"同義。本文中所用的術(shù)語(yǔ)"包含"、"包括"、 "具有"、"含有"或其任何其它變形,意在覆蓋非排它性的包括。例如,包含所列要素的組合 物、步驟、方法、制品或裝置不必僅限于那些要素,而是可以包括未明確列出的其它要素或 此種組合物、步驟、方法、制品或裝置所固有的要素。
[0030] 連接詞"由…組成"排除任何未指出的要素、步驟或組分。如果用于權(quán)利要求中,此 短語(yǔ)將使權(quán)利要求為封閉式,使其不包含除那些描述的材料以外的材料,但與其相關(guān)的常 規(guī)雜質(zhì)除外。當(dāng)短語(yǔ)"由…組成"出現(xiàn)在權(quán)利要求主體的子句中而不是緊接在主題之后時(shí), 其僅限定在該子句中描述的要素;其它要素并不被排除在作為整體的所述權(quán)利要求之外。
[0031] 當(dāng)量、濃度、或者其它值或參數(shù)以范圍、優(yōu)選范圍、或一系列上限優(yōu)選值和下限優(yōu) 選值限定的范圍表示時(shí),這應(yīng)當(dāng)被理解為具體公開(kāi)了由任何范圍上限或優(yōu)選值與任何范圍 下限或優(yōu)選值的任一配對(duì)所形成的所有范圍,而不論該范圍是否單獨(dú)公開(kāi)了。例如,當(dāng)公開(kāi) 了范圍"1至5"時(shí),所描述的范圍應(yīng)被解釋為包括范圍"1至4"、"1至3"、"1-2"、"1-2和 4-5"、"1-3和5"等。當(dāng)數(shù)值范圍在本文中被描述時(shí),除非另外說(shuō)明,否則該范圍意圖包括 其端值和在該范圍內(nèi)的所有整數(shù)和分?jǐn)?shù)。
[0032] 此外,除非存在明確的相反指示,否則"或"是指包括性的"或"而不是排他性的 "或"。例如,以下任何一種形式均滿(mǎn)足條件A"或"B:A為真(或存在)并且B為偽(或不 存在),A為偽(或不存在)并且B為真(或存在),以及A和B均為真(或存在)。
[0033] 此外,本發(fā)明要素或組分前的不定冠詞"一種"和"一個(gè)"對(duì)要素或組分的數(shù)量要求 (即出現(xiàn)次數(shù))無(wú)限制性。因此"一個(gè)"或"一種"應(yīng)被解讀為包括一個(gè)或至少一個(gè),并且單 數(shù)形式的要素或組分也包括復(fù)數(shù)形式,除非所述數(shù)量明顯旨指單數(shù)形式。
[0034] 本發(fā)明所述的激光敏感化合物是指在特定的激光,如波長(zhǎng)為1064nm的激光下活 化的化合物。
[0035] 改性L(fǎng)DS添加劑,包括100重量份的激光敏感化合物和10-30重量份的含氨基改 性化合物,所述含氨基改性化合物部分包覆于所述激光敏感化合物表面,所述激光敏感化 合物的化學(xué)通式為XY204,激光敏感化合物為等軸晶系,X與Y均為金屬元素,X與Y來(lái)自元 素周期表中第IIIA族、IB族、IIB族、VIB族、WB族、或VID族;
[0036] 所述含氨基改性化合物的化學(xué)結(jié)構(gòu)式如下:
[0037]
[0038] 所述m為0-5的整數(shù),X為具有氨基基團(tuán)的一價(jià)基團(tuán)或氨基,所述X在吡啶環(huán)上的 位置為磺酸基團(tuán)的鄰位或間位或?qū)ξ弧?br>[0039] 激光敏感化合物
[0040] 所述金屬化合物優(yōu)選包含可定義晶體形式內(nèi)的兩種或更多種金屬氧化物的團(tuán)簇 構(gòu)形。總晶體形式處于理想(即未被污染、未衍生)狀態(tài)時(shí)具有如下通式:
[0041] XY204
[0042] 激光敏感化合物
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