相關(guān)申請的交叉引用
本申請要求于2016年1月5日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2016-0001122號韓國專利申請的權(quán)益,所述申請的公開內(nèi)容以整體援引方式并入本文。
本發(fā)明的示例性實施方案涉及稠環(huán)化合物,并且更特別地,涉及包含所述稠環(huán)化合物的有機發(fā)光裝置。
背景技術(shù):
有機發(fā)光裝置可以是自發(fā)射裝置。有機發(fā)光裝置可以產(chǎn)生全色圖象。有機發(fā)光裝置可以具有相對廣的視角、相對高的對比度、相對短的響應(yīng)時間以及增加的亮度、驅(qū)動電壓和響應(yīng)速度特性。
有機發(fā)光裝置可以包括布置在襯底上的第一電極。有機發(fā)光裝置可以包括依次布置在所述第一電極上的空穴傳輸區(qū)、發(fā)射層、電子傳輸區(qū)和第二電極。由所述第一電極提供的空穴可以通過所述空穴傳輸區(qū)向所述發(fā)射層移動。由所述第二電極提供的電子可以通過所述電子傳輸區(qū)向所述發(fā)射層移動。諸如空穴和電子的載流子可以在所述發(fā)射層中復(fù)合以產(chǎn)生激子。所述激子可以從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)變至基態(tài),由此產(chǎn)生光。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案可以包括稠環(huán)化合物以及包含所述稠環(huán)化合物的有機發(fā)光裝置。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方案,稠環(huán)化合物由式1-1或1-2表示:
<式1-1>
<式1-2>
在式1-1和1-2中,
環(huán)a1是苯,
環(huán)a2選自c10-c60芳環(huán)或c1-c60雜芳環(huán),
x1選自c(r1)(r2)、o或s,
x2選自c(r6)(r7)、o或s,
r1至r3、r6和r7各自獨立地選自氫、氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價非芳族稠多環(huán)基團、取代或未取代的單價非芳族稠雜多環(huán)基團、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(=o)(q1)、-s(=o)2(q1)或-p(=o)(q1)(q2),
r4和r5各自獨立地選自由式2表示的基團、氫、氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價非芳族稠多環(huán)基團、取代或未取代的單價非芳族稠雜多環(huán)基團、-si(q4)(q5)(q6)、-n(q4)(q5)、-b(q4)(q5)、-c(=o)(q4)、-s(=o)2(q4)或-p(=o)(q4)(q5),條件是r4和r5中的至少一個是由式2表示的基團:
<式2>
其中,在式2中,
l1和l2各自獨立地選自取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60亞芳基、取代或未取代的c1-c60亞雜芳基、取代或未取代的二價非芳族稠多環(huán)基團、或者取代或未取代的二價非芳族稠雜多環(huán)基團,
a1和a2各自是獨立地選自0、1、2或3的整數(shù),
ar1選自氫、氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價非芳族稠多環(huán)基團、取代或未取代的單價非芳族稠雜多環(huán)基團、-si(q7)(q8)(q9)、-n(q7)(q8)、-b(q7)(q8)、-c(=o)(q7)、-s(=o)2(q7)或-p(=o)(q7)(q8),
c1是選自1至9的整數(shù),
*表示與鄰近原子的連接點,
b3是選自1至10的整數(shù),
b4是選自1或2的整數(shù),以及
b5是選自1至4的整數(shù),
選自所述取代的c3-c10亞環(huán)烷基、所述取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、所述取代的c3-c10亞環(huán)烯基、所述取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、所述取代的c6-c60亞芳基、所述取代的c1-c60亞雜芳基、所述取代的二價非芳族稠多環(huán)基團、所述取代的二價非芳族稠雜多環(huán)基團、所述取代的c1-c60烷基、所述取代的c2-c60烯基、所述取代的c2-c60炔基、所述取代的c1-c60烷氧基、所述取代的c3-c10環(huán)烷基、所述取代的c1-c10雜環(huán)烷基、所述取代的c3-c10環(huán)烯基、所述取代的c1-c10雜環(huán)烯基、所述取代的c6-c60芳基、所述取代的c6-c60芳氧基、所述取代的c6-c60芳硫基、所述取代的c1-c60雜芳基、所述取代的單價非芳族稠多環(huán)基團和所述取代的單價非芳族稠雜多環(huán)基團的一個取代基或多個取代基中的至少一個取代基選自:
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基或者c1-c60烷氧基;
各自被選自氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價非芳族稠多環(huán)基團、單價非芳族稠雜多環(huán)基團、-si(q11)(q12)(q13)、-n(q11)(q12)、-b(q11)(q12)、-c(=o)(q11)、-s(=o)2(q11)和-p(=o)(q11)(q12)中的至少一個取代的c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基或c1-c60烷氧基;
c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價非芳族稠多環(huán)基團或者單價非芳族稠雜多環(huán)基團;
各自被選自氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價非芳族稠多環(huán)基團、單價非芳族稠雜多環(huán)基團、-si(q21)(q22)(q23)、-n(q21)(q22)、-b(q21)(q22)、-c(=o)(q21)、-s(=o)2(q21)和-p(=o)(q21)(q22)中的至少一個取代的c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價非芳族稠多環(huán)基團或單價非芳族稠雜多環(huán)基團;或者
-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(=o)(q31)、-s(=o)2(q31)或-p(=o)(q31)(q32)。
q1至q9、q11至q13、q21至q23以及q31至q33各自獨立地選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c1-c60雜芳基、單價非芳族稠多環(huán)基團、單價非芳族稠雜多環(huán)基團、聯(lián)苯基或三聯(lián)苯基。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方案,有機發(fā)光裝置包括:第一電極;面向所述第一電極的第二電極;以及布置在所述第一電極與所述第二電極之間的有機層。所述有機層包括發(fā)射層。所述有機層包含由式1-1或式1-2表示的稠環(huán)化合物中的至少一種。
附圖說明
參考附圖,通過詳細地描述本發(fā)明的示例性實施方案,本發(fā)明的以上特征和其他特征將變得更顯而易見,其中:
圖1是例示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方案的有機發(fā)光裝置的橫截面示意圖;
圖2是例示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方案的有機發(fā)光裝置的橫截面示意圖;
圖3是例示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方案的有機發(fā)光裝置的橫截面示意圖;以及
圖4是例示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方案的有機發(fā)光裝置的橫截面示意圖。
具體實施方式
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方案的稠環(huán)化合物可以由式1-1或1-2表示:
<式1-1>
<式1-2>
在式1-1和1-2中,環(huán)a1可以是苯。
式1-1和1-2中的環(huán)a2可以是c10-c60芳環(huán)或c1-c60雜芳環(huán)。例如,式1-1和1-2中的環(huán)a2可以選自萘、蒽、菲或苯并菲。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,式1-1和1-2中的環(huán)a2可以是萘。
在式1-1和1-2中,x1可以選自c(r1)(r2)、o或s,并且x2可以選自c(r6)(r7)、o或s。r1、r2、r6和r7可以與本文所述的相同。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,在式1-1和1-2中:
x1和x2可以是s;
x1可以是c(r1)(r2),并且x2可以是s;
x1可以是s,并且x2可以是c(r6)(r7);
x1可以是o,并且x2可以是s;
x1和x2可以是o;
x1可以是c(r1)(r2),并且x2可以是o;
x1可以是o,并且x2可以是c(r6)(r7);或者
x1可以是s,并且x2可以是o。
在式1-1和1-2中:
r1至r3、r6和r7可以各自獨立地選自氫、氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價非芳族稠多環(huán)基團、取代或未取代的單價非芳族稠雜多環(huán)基團、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(=o)(q1)、-s(=o)2(q1)或-p(=o)(q1)(q2)。
r4和r5可以各自獨立地選自由式2表示的基團、氫、氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價非芳族稠多環(huán)基團、取代或未取代的單價非芳族稠雜多環(huán)基團、-si(q4)(q5)(q6)、-n(q4)(q5)、-b(q4)(q5)、-c(=o)(q4)、-s(=o)2(q4)或-p(=o)(q4)(q5)。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,式1-1和1-2中的r1至r3、r6和r7可以各自獨立地選自:
氫、氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基或c1-c20烷氧基;
-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(=o)(q1)、-s(=o)2(q1)或-p(=o)(q1)(q2);
苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、并環(huán)戊二烯基、茚基、萘基、甘菊環(huán)基、庚搭烯基、引達省基、苊烯基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、
各自被選自氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、并環(huán)戊二烯基、茚基、萘基、甘菊環(huán)基、庚搭烯基、引達省基、苊烯基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、
在式1-1和1-2中的r4和r5可以各自獨立地選自:
由式2表示的基團;
氫、氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基或c1-c20烷氧基;
-si(q4)(q5)(q6)、-n(q4)(q5)、-b(q4)(q5)、-c(=o)(q4)、-s(=o)2(q4)或-p(=o)(q4)(q5);
苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、并環(huán)戊二烯基、茚基、萘基、甘菊環(huán)基、庚搭烯基、引達省基、苊烯基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、
各自被選自氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、并環(huán)戊二烯基、茚基、萘基、甘菊環(huán)基、庚搭烯基、引達省基、苊烯基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、
q1至q6以及q31至q33可以各自獨立地選自氫、氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,在式1-1和1-2中:
r1至r3、r6以及r7可以各自獨立地選自:
氫、氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基或c1-c20烷氧基;
-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)或-b(q1)(q2);
苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、
各自被選自氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、
在式1-1和1-2中:
r4和r5可以各自獨立地選自:
由式2表示的基團;
氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基或c1-c20烷氧基;
-si(q4)(q5)(q6)、-n(q4)(q5)或-b(q4)(q5);
苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、
各自被選自氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、
q1至q6以及q31至q33可以各自獨立地選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基或萘基。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,在式1-1和1-2中:
r4可以選自由式2表示的基團,并且r5可以選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基或c1-c20烷氧基;或者
r4可以選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基或c1-c20烷氧基,并且r5可以選自由式2表示的基團;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。
選自式1-1和1-2中的r4和r5中的至少一個可以是由式2表示的基團:
<式2>
在式2中,l1和l2可以各自獨立地選自取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60亞芳基、取代或未取代的c1-c60亞雜芳基、取代或未取代的二價非芳族稠多環(huán)基團或者取代或未取代的二價非芳族稠雜多環(huán)基團。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,在式2中,l1和l2可以各自獨立地選自亞苯基、亞并環(huán)戊二烯基、亞茚基、亞萘基、亞甘菊環(huán)基、亞庚搭烯基、亞引達省基、亞苊烯基、亞芴基、亞螺二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞非那烯基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞
各自被選自氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、甘菊環(huán)基、庚搭烯基、引達省基、苊烯基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,式2中的l1和l2可以各自獨立地選自由式3-1至3-22表示的基團;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。
在式3-1至3-22中,
y1可以選自o、s、c(z3)(z4)、n(z5)或si(z6)(z7)。
z1至z7可以各自獨立地選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、
q31至q33可以各自獨立地選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、萘基、聯(lián)苯基或三聯(lián)苯基。
d1可以是選自1至4的整數(shù)。
d2可以是選自1至3的整數(shù)。
d3可以是選自1至6的整數(shù)。
d4可以是選自1至8的整數(shù)。
d5可以是選自1至5的整數(shù)。
符號*和*’可以各自表示與鄰近原子的連接點。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,式2中的l1和l2可以各自獨立地選自由式4-1至4-35表示的基團:
式4-1至4-35中的符號*和*’可以各自表示與鄰近原子的連接點。
式2中的a1可以表示l1的數(shù)量。式2中的a1可以是選自0、1、2或3的整數(shù)。例如,式2中的a1可以是0或1;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。當a1是0時,*-(l1)a1-*’可以是單鍵。當a1是2或大于2時,兩個或更多個l1可以彼此相同或不同。
式2中的a2可以表示l2的數(shù)量。式2中的a2可以是選自0、1、2或3的整數(shù)。例如,式2中的a2可以是0或1;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。當a2是0時,*-(l2)a2-*’可以是單鍵。當a2是2或大于2時,兩個或更多個l2可以彼此相同或不同。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,在式2中,
a1可以是0,并且a2可以是1;或者
a1可以是1,并且a2可以是0;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。
式2中的ar1可以選自氫、氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價非芳族稠多環(huán)基團、取代或未取代的單價非芳族稠雜多環(huán)基團、-si(q7)(q8)(q9)、-n(q7)(q8)、-b(q7)(q8)、-c(=o)(q7)、-s(=o)2(q7)或-p(=o)(q7)(q8)。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,式2中的ar1可以選自:
氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基或c1-c20烷氧基;
苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、并環(huán)戊二烯基、茚基、萘基、甘菊環(huán)基、庚搭烯基、引達省基、苊烯基、芴基、螺芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、
各自被選自氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、并環(huán)戊二烯基、茚基、萘基、甘菊環(huán)基、庚搭烯基、引達省基、苊烯基、芴基、螺芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、
q31至q33可以各自獨立地選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、萘基、聯(lián)苯基或三聯(lián)苯基。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,式2中的ar1可以選自:
氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c10烷基或c1-c10烷氧基;或者
由式5-1至5-16表示的基團:
在式5-1至5-16中,
y31可以選自氧(o)、硫(s)、c(z33)(z34)、n(z35)或si(z36)(z37)。
z31至z37可以各自獨立地選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基或c1-c20烷氧基;
苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、苯并菲基、芘基、
各自被選自氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、苯并菲基、芘基、
e3可以是選自1至3的整數(shù)。
e4可以是選自1至4的整數(shù)。
e5可以是選自1至5的整數(shù)。
e6可以是選自1至6的整數(shù)。
e7可以是選自1至7的整數(shù)。
e9可以是選自1至9的整數(shù)。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,式2中的ar1可以選自:
氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c10烷基或c1-c10烷氧基;或者
式5-1至5-16表示的基團;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。
在式5-1至5-16中,
y31可以選自o、s、c(z33)(z34)、n(z35)或si(z36)(z37)。
z31至z37可以各自獨立地選自:
氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基或c1-c20烷氧基;
苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、苯并菲基、芘基、
各自被選自氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、苯并菲基、芘基、
e3可以是選自1至3的整數(shù)。
e4可以是選自1至4的整數(shù)。
e5可以是選自1至5的整數(shù)。
e6可以是選自1至6的整數(shù)。
e7可以是選自1至7的整數(shù)。
e9可以是選自1至9的整數(shù)。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,式2中的ar1可以選自:
氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c10烷基或c1-c10烷氧基;或者
式6-1至6-44表示的基團;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。
式6-1至6-44中的符號*可以表示與鄰近原子的連接點。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,在式2中:
ar1可以選自:
苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、苯并菲基、芘基、
各自被選自氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基和萘基中的至少一個取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、苯并菲基、芘基、
式2中的c1可以是選自1至9的整數(shù)。
式2中的c1可以表示-[(l1)a1-ar1]的數(shù)量。當c1是2或大于2時,兩個或更多個-[(l1)a1-ar1]可以彼此相同或不同。例如,c1可以是選自1至4的整數(shù)。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,式2中的c1可以是1或2。
在式1-1和1-2中:
b3可以是選自1至10的整數(shù)。
b4可以是選自1或2的整數(shù)。
b5可以是選自1至4的整數(shù)。
式1-1和1-2中的b3可以表示r3的數(shù)量。當b3是2或大于2時,兩個或更多個r3可以彼此相同或不同。b4和b5可以與式1-1和1-2的結(jié)構(gòu)中的b3相同。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,選自式1-1和1-2中的r4和r5中的至少一個可以由式2a表示:
<式2a>
在式2a中:
l1、l2、a1和a2可以與上述相同。
ar1a至ar1i可以與ar1相同。
符號*可以表示與鄰近原子的連接點。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,式2a中的ar1a至ar1i可以各自獨立地選自:
氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c10烷基或c1-c10烷氧基;或者
由式6-1至6-44表示的基團。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,選自式1-1和1-2中的r4和r5中的至少一個可以由式2a(1)表示:
<式2a(1)>
在式2a(1)中:
l1、l2、a1和a2可以與上述相同。
ar1e可以與ar1相同。
*可以表示與鄰近原子的連接點。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,式2a(1)中的ar1e可以選自由式6-1至6-44表示的基團。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,式2a(1)中的ar1e可以選自:
苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、苯并菲基、芘基、
各自被選自氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基和萘基中的至少一個取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、苯并菲基、芘基、
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,所述稠環(huán)化合物可以由選自式1(1)至1(10)中的至少一個表示:
<式1(1)>
<式1(2)>
<式1(3)>
<式1(4)>
<式1(5)>
<式1(6)>
<式1(7)>
<式1(8)>
<式1(9)>
<式1(10)>
在式1(1)至1(10)中:
a1、a2、x1、x2、l2、a2、r3至r5以及b3至b5可以與上述相同。
r5a至r5c可以與r5相同。
ar1a至ar1i可以與ar1相同。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,式1(1)至1(10)中的a2可以是萘。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,所述稠環(huán)化合物可以由選自式1(1)-1至1(10)-1中的至少一個表示;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此:
<式1(1)-1>
<式1(2)-1>
<式1(3)-1>
<式1(4)-1>
<式1(5)-1>
<式1(6)-1>
<式1(7)-1>
<式1(8)-1>
<式1(9)-1>
<式1(10)-1>
在式1(1)-1至1(10)-1中:
a1、a2、x1、x2、l1、l2、a1以及a2可以與上述相同。
ar1e可以與ar1相同。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,式1(1)-1至1(10)-1中的a2可以是萘。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,所述稠環(huán)化合物可以選自以下例示的化合物;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此:
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,所述稠環(huán)化合物可以是選自化合物h1至h9中的至少一個:
由式1-1或1-2表示的稠環(huán)化合物可以通過已知的有機合成方法合成。鑒于以下實施例,由式1-1或1-2表示的稠環(huán)化合物的合成方法可以是由本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可辨識的。
圖1是例示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方案的有機發(fā)光裝置的橫截面示意圖。有機發(fā)光裝置10可以包括第一電極110、有機層150和第二電極190。
以下將參考圖1更詳細地描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方案的有機發(fā)光裝置10的結(jié)構(gòu)以及根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方案的制造有機發(fā)光裝置10的方法。
參考圖1,襯底可以布置在第一電極110之下。或者,襯底可以布置在第二電極190之上。襯底可以包括玻璃襯底或塑料襯底。玻璃襯底和塑料襯底可以各自具有相對高的機械強度、熱穩(wěn)定性、透明度、表面光滑度、操作簡易性和耐水性。
可以通過在襯底上沉積或濺射包含在第一電極110中的材料而形成第一電極110。當?shù)谝浑姌O110為陽極時,第一電極110中包含的材料可以包括具有相對高的功函的材料,這可以促進空穴注入。
第一電極110可以是反射電極、半透射電極或透射電極。當?shù)谝浑姌O110是透射電極時,用于形成第一電極的材料可以包括氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化錫(sno2)、氧化鋅(zno)或其任意組合;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。當?shù)谝浑姌O110是半透射電極或反射電極時,第一電極110中包含的材料可以包括鎂(mg)、銀(ag)、鋁(al)、鋁-鋰(al-li)、鈣(ca)、鎂-銦(mg-in)、鎂-銀(mg-ag)或其任意組合。然而,第一電極110中包含的材料不限于此。
第一電極110可以具有單層結(jié)構(gòu)?;蛘?,第一電極110可以具有包括兩層或多于兩層的多層結(jié)構(gòu)。例如,第一電極110可以具有ito/ag/ito的三層結(jié)構(gòu);然而,第一電極110的結(jié)構(gòu)不限于此。
有機層150可以布置在第一電極110上。有機層150可以包括發(fā)射層。
有機層150可以包含由式1-1或1-2表示的稠環(huán)化合物。
有機層150可以包括空穴傳輸區(qū)和電子傳輸區(qū)??昭▊鬏攨^(qū)可以布置在第一電極110與發(fā)射層之間。電子傳輸區(qū)可以布置在發(fā)射層與第二電極190之間。
空穴傳輸區(qū)可以具有包括含單一材料的單層的單層結(jié)構(gòu)??昭▊鬏攨^(qū)可以具有包括含不同材料的單層的單層結(jié)構(gòu)??昭▊鬏攨^(qū)可以具有多層結(jié)構(gòu),所述多層結(jié)構(gòu)具有各自含不同材料的多個層。
空穴傳輸區(qū)可以包含由式1-1或1-2表示的稠環(huán)化合物。
空穴傳輸區(qū)可以包括選自空穴注入層(hil)、空穴傳輸層(htl)、發(fā)射輔助層和電子阻擋層(ebl)中的至少一層。
例如,空穴傳輸區(qū)可以具有單層結(jié)構(gòu)。所述單層結(jié)構(gòu)可以包括含多種不同材料的單層?;蛘撸昭▊鬏攨^(qū)可以具有多層結(jié)構(gòu)。所述多層結(jié)構(gòu)可以包括空穴注入層/空穴傳輸層結(jié)構(gòu)、空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)射輔助層結(jié)構(gòu)、空穴注入層/發(fā)射輔助層結(jié)構(gòu)、空穴傳輸層/發(fā)射輔助層結(jié)構(gòu),或空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層結(jié)構(gòu)。對于每一結(jié)構(gòu),所述層可以依次堆疊在第一電極110上;然而,空穴傳輸區(qū)的結(jié)構(gòu)不限于此。
空穴傳輸區(qū)可以包含選自m-mtdata、tdata、2-tnata、npb(npd)、β-npb、tpd、螺-tpd、螺-npb、甲基化-npb、tapc、hmtpd、4,4’,4”-三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、pedot/pss(聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯))、聚苯胺/樟腦磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(pani/pss)、由式201表示的化合物以及由式202表示的化合物中的至少一個:
<式201>
<式202>
在式201和202中:
l201至l204可以各自獨立地選自取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60亞芳基、取代或未取代的c1-c60亞雜芳基、取代或未取代的二價非芳族稠多環(huán)基團或者取代或未取代的二價非芳族稠雜多環(huán)基團。
l205可以選自*-o-*’、*-s-*’、*-n(q201)-*’、取代或未取代的c1-c20亞烷基、取代或未取代的c2-c20亞烯基、取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60亞芳基、取代或未取代的c1-c60亞雜芳基、取代或未取代的二價非芳族稠多環(huán)基團或者取代或未取代的二價非芳族稠雜多環(huán)基團。
xa1至xa4可以各自獨立地是選自0至3的整數(shù)。
xa5可以是選自1至10的整數(shù)。
r201至r204以及q201可以各自獨立地選自取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價非芳族稠多環(huán)基團或者取代或未取代的單價非芳族稠雜多環(huán)基團。
例如,在式202中,r201和r202可以經(jīng)由單鍵、二甲基-亞甲基或二苯基-亞甲基連接,r203和r204可以經(jīng)由單鍵、二甲基-亞甲基或二苯基-亞甲基連接。然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,在式201和202中,
l201至l205可以各自獨立地選自:
亞苯基、亞并環(huán)戊二烯基、亞茚基、亞萘基、亞甘菊環(huán)基、亞庚搭烯基、亞引達省基、亞苊烯基、亞芴基、亞螺二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞非那烯基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞
各自被選自氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、被c1-c10烷基取代的苯基、被-f取代的苯基、并環(huán)戊二烯基、茚基、萘基、甘菊環(huán)基、庚搭烯基、引達省基、苊烯基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、
q31至q33可以各自獨立地選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基或萘基。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,在式201和202中,xa1至xa4可以各自獨立地是選自0、1或2的整數(shù)。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,在式201和202中,xa5可以是選自1、2、3或4的整數(shù)。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,在式201和202中,r201至r204以及q201可以各自獨立地選自:
苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、并環(huán)戊二烯基、茚基、萘基、甘菊環(huán)基、庚搭烯基、引達省基、苊烯基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、
各自被選自氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、被c1-c10烷基取代的苯基、被-f取代的苯基、并環(huán)戊二烯基、茚基、萘基、甘菊環(huán)基、庚搭烯基、引達省基、苊烯基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、
q31至q33可以與上述相同。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,式201中的r201至r203中的至少一個可以各自獨立地選自:
芴基、螺二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基;或者
各自被選自氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、被c1-c10烷基取代的苯基、被-f取代的苯基、萘基、芴基、螺二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基中的至少一個取代的芴基、螺二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,在式202中,r201和r202可以經(jīng)由單鍵連接,和/或r203和r204可以經(jīng)由單鍵連接。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,式202中的r201至r204中的至少一個可以選自:
咔唑基;或者
被選自氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、被c1-c10烷基取代的苯基、被-f取代的苯基、萘基、芴基、螺二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基中的至少一個取代的咔唑基;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。
由式201表示的化合物可以由式201a表示:
<式201a>
由式201表示的化合物可以由式201a(1)表示;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此:
<式201a(1)>
由式201表示的化合物可以由式201a-1表示;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此:
<式201a-1>
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,由式202表示的化合物可以由式202a表示:
<式202a>
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,由式202表示的化合物可以由式202a-1表示:
<式202a-1>
在式201a、201a(1)、201a-1、202a和202a-1中,l201至l203、xa1至xa3、xa5以及r202至r204可以各自獨立地與上述相同。
在式201a、201a(1)、201a-1、202a和202a-1中,r211和r212可以各自獨立地與r203相同。
在式201a、201a(1)、201a-1、202a和202a-1中,r213至r217可以各自獨立地選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基、環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、被c1-c10烷基取代的苯基、被-f取代的苯基、并環(huán)戊二烯基、茚基、萘基、甘菊環(huán)基、庚搭烯基、引達省基、苊烯基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、
空穴傳輸區(qū)可以包含選自化合物ht1至ht39中的至少一個化合物;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此:
空穴傳輸區(qū)的厚度可以在約
發(fā)射輔助層可以通過根據(jù)由發(fā)射層發(fā)射的光的波長補償光學共振距離而增加發(fā)光效率。電子阻擋層可以降低或防止來自電子傳輸區(qū)的電子的流動。發(fā)射輔助層和電子阻擋層可以包含如本文所述的材料。
空穴傳輸區(qū)可以包含電荷產(chǎn)生材料,其可以增加空穴傳輸區(qū)的傳導(dǎo)性。電荷產(chǎn)生材料可以基本均勻或不均勻地分散在空穴傳輸區(qū)中。
電荷產(chǎn)生材料可以例如為p-摻雜劑。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,p-摻雜劑的最低未占據(jù)分子軌道(lumo)水平可以是-3.5ev或低于-3.5ev。
p-摻雜劑可以包括醌衍生物、金屬氧化物或含氰基的化合物中的至少一種;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。
例如,p-摻雜劑可以包括選自以下的至少一種:
醌衍生物,例如四氰基醌二甲烷(tcnq)或2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(f4-tcnq);
金屬氧化物,例如氧化鎢或氧化鉬;
1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲-六甲腈(hat-cn);以及
由式221表示的化合物;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此:
<式221>
在式221中:
r221至r223可以各自獨立地選自取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價非芳族稠多環(huán)基團和取代或未取代的單價非芳族稠雜多環(huán)基團,條件是選自r221至r223中的至少一個具有選自氰基、-f、-cl、-br、-i、被-f取代的c1-c20烷基、被-cl取代的c1-c20烷基、被-br取代的c1-c20烷基和被-i取代的c1-c20烷基中的至少一個取代基。
當有機發(fā)光裝置10是全色有機發(fā)光裝置時,發(fā)射層可以根據(jù)亞像素而構(gòu)圖成紅色發(fā)射層、綠色發(fā)發(fā)射層或藍色發(fā)射層。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,發(fā)射層可以具有堆疊結(jié)構(gòu)。所述堆疊結(jié)構(gòu)可以包括選自紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層或藍色發(fā)射層中的兩個或多于兩個的層。所述兩個或多于兩個的層可以彼此直接接觸?;蛘撸鰞蓚€或多于兩個的層可以彼此分隔開。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,發(fā)射層可以包含兩種或多于兩種的材料。所述兩種或多于兩種的材料包括紅光發(fā)射材料、綠光發(fā)射材料或藍光發(fā)射材料。所述兩種或多于兩種的材料可以彼此混合在單一層中。彼此混合在單一層中的兩種或多于兩種的材料可以發(fā)射白光。
發(fā)射層可以包含主體和摻雜劑。摻雜劑可以包括磷光摻雜劑或熒光摻雜劑中的至少一種。
發(fā)射層可以包含由式1-1或1-2表示的稠環(huán)化合物。
主體可以包括由式1-1或1-2表示的稠環(huán)化合物。
除了由式1-1或1-2表示的稠環(huán)化合物之外,發(fā)射層可以還包含熒光摻雜劑。
基于100重量份的主體,發(fā)射層中的摻雜劑的量可以在約0.01重量份至約15重量份的范圍內(nèi);然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。
發(fā)射層的厚度可以在約
磷光摻雜劑可以包括由式401表示的有機金屬絡(luò)合物:
<式401>
m(l401)xc1(l402)xc2
<式402>
在式401中,m可以選自銥(ir)、鉑(pt)、鈀(pd)、鋨(os)、鈦(ti)、鋯(zr)、鉿(hf)、銪(eu)、鋱(tb)、銠(rh)或銩(tm)。
在式401中,l401可以選自由式402表示的配體。xc1可以是選自1、2或3的整數(shù)。當xc1是2或大于2時,至少兩個l401可以彼此相同或不同。
在式401中,l402可以是有機配體。xc2可以是選自0至4的整數(shù)。當xc2是2或大于2時,至少兩個l402可以彼此相同或不同。
在式402中,x401至x404可以各自獨立地選自氮(n)或碳(c)。
在式402中,x401和x403可以經(jīng)由單鍵或雙鍵連接。x402和x404可以經(jīng)由單鍵或雙鍵連接。
在式402中,a401和a402可以各自獨立地選自c5-c60碳環(huán)基團或c1-c60雜環(huán)基團。
在式402中,x405可以選自單鍵、*-o-*'、*-s-*'、*-c(=o)-*'、*-n(q411)-*'、*-c(q411)(q412)-*'、*-c(q411)=c(q412)-*'、*-c(q411)=*'或*=c=*'。q411和q412可以選自氫、氘、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基或萘基。
在式402中,x406可以選自單鍵、氧(o)或硫(s)。
在式402中,r401和r402可以各自獨立地選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代或未取代的c1-c20烷基、取代或未取代的c1-c20烷氧基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價非芳族稠多環(huán)基團或取代或未取代的單價非芳族稠雜多環(huán)基團、-si(q401)(q402)(q403)、-n(q401)(q402)、-b(q401)(q402)、-c(=o)(q401)、-s(=o)2(q401)或-p(=o)(q401)(q402)。
q401至q403可以各自獨立地選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、c6-c20芳基或c1-c20雜芳基。
在式402中,xc11和xc12可以各自獨立地選自0至10的整數(shù)。
在式402中,*和*'可以各自表示與式401中的m的連接點。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,式402中的a401和a402可以各自獨立地選自苯基、萘基、芴基、螺二芴基、茚基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、異苯并噻吩基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基。
在式402中,x401可以是氮(n),并且x402可以是碳(c)。或者,x401和x402可以各自是氮(n)。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,式402中的r401和r402可以各自獨立地選自:
氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基或c1-c20烷氧基;
各自被選自氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、苯基、萘基、環(huán)戊基、環(huán)己基、金剛烷基、降冰片烷基和降冰片烯基中的至少一個取代的c1-c20烷基或c1-c20烷氧基;
環(huán)戊基、環(huán)己基、金剛烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基;
各自被選自氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、環(huán)戊基、環(huán)己基、金剛烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基中的至少一個取代的環(huán)戊基、環(huán)己基、金剛烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基;或者
-si(q401)(q402)(q403)、-n(q401)(q402)、-b(q401)(q402)、-c(=o)(q401)、-s(=o)2(q401)或-p(=o)(q401)(q402)。
q401至q403可以各自獨立地選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基或萘基;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,當式401中的xc1是2或大于2時,至少兩個l401中的兩個a401可以經(jīng)由作為連接基團的x407彼此連接?;蛘撸辽賰蓚€l401中的兩個a402可以經(jīng)由作為連接基團的x408彼此連接(參見,例如,化合物pd1至pd4以及pd7)。x407和x408可以各自獨立地選自單鍵、*-o-*'、*-s-*'、*-c(=o)-*'、*-n(q413)-*'、*-c(q413)(q414)-*'或*-c(q413)=c(q414)-*',其中q413和q414可以各自獨立地選自氫、氘、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基或萘基;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。
式401中的l402可以選自單價、二價或三價的有機配體。例如,l402可以選自鹵素、二酮(例如,乙酰丙酮化物)、羧酸(例如,吡啶甲酸酯)、-c(=o)、異腈、-cn或磷(例如,膦或亞磷酸酯);然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,磷光摻雜劑可以選自,例如,化合物pd1至pd25;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此:
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,熒光摻雜劑可以包括芳基胺化合物或苯乙烯胺化合物。
熒光摻雜劑可以包括由式501表示的化合物:
<式501>
在式501中,ar501可以選自取代或未取代的c5-c60碳環(huán)基團或者取代或未取代的c1-c60雜環(huán)基團。
在式501中,l501至l503可以各自獨立地選自取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60亞芳基、取代或未取代的c1-c60亞雜芳基、取代或未取代的二價非芳族稠多環(huán)基團或者取代或未取代的二價非芳族稠雜多環(huán)基團。
在式501中,xd1至xd3可以各自獨立地是選自0至3的整數(shù)。
在式501中,r501和r502可以各自獨立地選自取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價非芳族稠多環(huán)基團或者取代或未取代的單價非芳族稠雜多環(huán)基團。
在式501中,xd4可以是選自1至6的整數(shù)。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,式501中的ar501可以選自:
萘基、庚搭烯基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、
各自被選自氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基和萘基中的至少一個取代的萘基、庚搭烯基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,式501中的l501至l503可以各自獨立地選自:
亞苯基、亞萘基、亞芴基、亞螺二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞
各自被選自氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,式501中的r501和r502可以各自獨立地選自:
苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、
各自被選自氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、
q31至q33可以各自獨立地選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基或萘基。
式501中的xd4可以是2;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。
作為實例,熒光摻雜劑可以選自化合物fd1至fd22:
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,熒光摻雜劑可以選自以下化合物;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。
電子傳輸區(qū)可以具有包括含單一材料的單層的單層結(jié)構(gòu)。電子傳輸區(qū)可以具有包括含不同材料的單層的單層結(jié)構(gòu)。電子傳輸區(qū)可以具有多層結(jié)構(gòu),所述多層結(jié)構(gòu)具有各自含不同材料的多個層。
電子傳輸區(qū)可以包含由式1-1或1-2表示的稠環(huán)化合物。
電子傳輸區(qū)可以包括選自緩沖層、空穴阻擋層、電子控制層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一個;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。
例如,電子傳輸區(qū)可以具有電子傳輸層/電子注入層結(jié)構(gòu)、空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層結(jié)構(gòu)、電子控制層/電子傳輸層/電子注入層結(jié)構(gòu),或緩沖層/電子傳輸層/電子注入層結(jié)構(gòu)。對于每一結(jié)構(gòu),所述層可以依次地堆疊在發(fā)射層上。然而,電子傳輸區(qū)的結(jié)構(gòu)的示例性實施方案不限于此。
電子傳輸區(qū),例如在電子傳輸區(qū)中的緩沖層、空穴阻擋層、電子控制層或電子傳輸層,可以包含不含金屬的化合物,所述不含金屬的化合物包含至少一個π電子欠乏的含氮的環(huán)。
π電子欠乏的含氮的環(huán)可以表示具有作為成環(huán)部分的至少一個*-n=*'部分的c1-c60雜環(huán)基團。
例如,π電子欠乏的含氮的環(huán)可以是具有至少一個*-n=*'部分的5-元至7-元雜單環(huán)基團。π電子欠乏的含氮的環(huán)可以是其中各自具有至少一個*-n=*'部分的兩個或多于兩個的5-元至7-元雜單環(huán)基團彼此稠合的雜多環(huán)基團。π電子欠乏的含氮的環(huán)可以是其中各自具有至少一個*-n=*'部分的至少一個5-元至7-元雜單環(huán)基團與至少一個c5-c60碳環(huán)基團稠合的雜多環(huán)基團。
π電子欠乏的含氮的環(huán)的實例包括咪唑、吡唑、噻唑、異噻唑、噁唑、異噁唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、噠嗪、吲唑、嘌呤、喹啉、異喹啉、苯并喹啉、酞嗪、萘啶、喹喔啉、喹唑啉、噌啉、菲啶、吖啶、菲咯啉、吩嗪、苯并咪唑、異苯并噻唑、苯并噁唑、異苯并噁唑、三唑、四唑、噁二唑、三嗪、噻二唑、咪唑并吡啶、咪唑并嘧啶或氮雜咔唑;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。
例如,電子傳輸區(qū)可以包含由式601表示的化合物:
<式601>
[ar601]xe11-[(l601)xe1-r601]xe21。
在式601中,ar601可以選自取代或未取代的c5-c60碳環(huán)基團或者取代或未取代的c1-c60雜環(huán)基團。
在式601中,xe11可以是選自1、2或3的整數(shù)。
在式601中,l601可以選自取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60亞芳基、取代或未取代的c1-c60亞雜芳基、取代或未取代的二價非芳族稠多環(huán)基團或者取代或未取代的二價非芳族稠雜多環(huán)基團。
在式601中,xe1可以是選自0至5的整數(shù)。
在式601中,r601可以選自取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價非芳族稠多環(huán)基團、取代或未取代的單價非芳族稠雜多環(huán)基團、-si(q601)(q602)(q603)、-c(=o)(q601)、-s(=o)2(q601)或-p(=o)(q601)(q602)。
q601至q603可以各自獨立地選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基或萘基。
在式601中,xe21可以是選自1至5的整數(shù)。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,xe11數(shù)量的ar601中的至少一個ar601和/或xe21數(shù)量的r601中的至少一個r601可以包括π電子欠乏的含氮的環(huán)。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,式601中的環(huán)ar601可以選自:
苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、
各自被選自氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、-si(q31)(q32)(q33)、-s(=o)2(q31)和-p(=o)(q31)(q32)中的至少一個取代的苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、
q31至q33可以各自獨立地選自c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基或萘基。
當式601中的xe11是2或大于2時,至少兩個ar601可以經(jīng)由單鍵彼此連接。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,式601中的ar601可以是蒽基。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,由式601表示的化合物可以由式601-1表示:
<式601-1>
在式601-1中,x614可以是氮(n)或c(r614),x615可以是氮(n)或c(r615),x616可以是氮(n)或c(r616),并且x614至x616中的至少一個可以是氮(n)。
在式601-1中,l611至l613可以與l601相同。
在式601-1中,xe611至xe613可以與xe1相同。
在式601-1中,r611至r613可以與r601相同。
在式601-1中,r614至r616可以各自獨立地選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基或萘基。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,式601和601-1中的l601以及l(fā)611至l613可以各自獨立地選自:
亞苯基、亞萘基、亞芴基、亞螺二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并菲基、亞芘基、亞
各自被選自氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,式601和601-1中的xe1以及xe611至xe613可以各自獨立地為選自0、1或2的整數(shù)。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,式601和601-1中的r601以及r611至r613可以各自獨立地選自:
苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、
各自被選自氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、萘基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并菲基、芘基、
-s(=o)2(q601)或-p(=o)(q601)(q602)。
q601和q602可以與上述相同。
電子傳輸區(qū)可以包含選自化合物et1至et36中的至少一種化合物;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,電子傳輸區(qū)可以包含選自2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、alq3、balq、3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4h-1,2,4-三唑(taz)和ntaz中的至少一種化合物。
緩沖層、空穴阻擋層或電子控制層的厚度可以各自獨立地在約
電子傳輸層的厚度可以在約
電子傳輸區(qū),例如,電子傳輸區(qū)中的電子傳輸層,可以包含含金屬的材料。
含金屬的材料可以包括堿金屬絡(luò)合物和堿土金屬絡(luò)合物中的至少一種。堿金屬絡(luò)合物可以包含選自鋰(li)離子、鈉(na)離子、鉀(k)離子、銣(rb)離子或銫(cs)離子中的金屬離子。堿土金屬絡(luò)合物可以包含選自鈹(be)離子、鎂(mg)離子、鈣(ca)離子、鍶(sr)離子或鋇(ba)離子中的金屬離子。與堿金屬絡(luò)合物或堿土金屬絡(luò)合物的金屬離子配位的配體可以選自羥基喹啉、羥基異喹啉、羥基苯并喹啉、羥基吖啶、羥基菲啶、羥基苯基噁唑、羥基苯基噻唑、羥基苯基噁二唑、羥基苯基噻二唑、羥基苯基吡啶、羥基苯基苯并咪唑、羥基苯基苯并噻唑、聯(lián)吡啶、菲咯啉或環(huán)戊二烯;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。
例如,含金屬的材料可以包括鋰(li)絡(luò)合物。鋰(li)絡(luò)合物可以包括,例如,化合物et-d1(羥基喹啉鋰,liq)或et-d2。
電子傳輸區(qū)可以包括電子注入層。電子注入層可以配置為促進來自第二電極190的電子的注入。電子注入層可以與第二電極190直接接觸。
電子注入層可以具有包括含單一材料的單層的單層結(jié)構(gòu)。電子注入層可以具有包括含不同材料的單層的單層結(jié)構(gòu)。電子注入層可以具有多層結(jié)構(gòu),所述多層結(jié)構(gòu)具有含不同材料的多個層。
電子注入層可以包含堿金屬、堿土金屬、稀土金屬、堿金屬化合物、堿土金屬化合物、稀土金屬化合物、堿金屬絡(luò)合物、堿土金屬絡(luò)合物、稀土金屬絡(luò)合物或其任意組合。
堿金屬可以選自li、na、k、rb或cs。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,堿金屬可以是li、na或cs。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,堿金屬可以是li或cs;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。
堿土金屬可以選自mg、ca、sr或ba。
稀土金屬可以選自sc、y、ce、tb、yb或gd。
堿金屬化合物、堿土金屬化合物和稀土金屬化合物可以選自堿金屬、堿土金屬或稀土金屬的氧化物或鹵化物(例如,氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)。
堿金屬化合物可以選自堿金屬氧化物如li2o、cs2o或k2o,或堿金屬鹵化物如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi或ki。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,堿金屬化合物可以選自lif、li2o、naf、lii、nai、csi或ki;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。
堿土金屬化合物可以選自堿土金屬氧化物如bao、sro、cao、baxsr1-xo(0<x<1)或baxca1-xo(0<x<1)。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,堿土金屬化合物可以選自bao、sro或cao;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。
稀土金屬化合物可以選自ybf3、scf3、sco3、y2o3、ce2o3、gdf3或tbf3。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,稀土金屬化合物可以選自ybf3、scf3、tbf3、ybi3、sci3或tbi3;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。
堿金屬絡(luò)合物、堿土金屬絡(luò)合物和稀土金屬絡(luò)合物可以各自包括上述的堿金屬的離子、堿土金屬的離子或稀土金屬的離子。與堿金屬絡(luò)合物、堿土金屬絡(luò)合物或稀土金屬絡(luò)合物的金屬離子配位的配體可以各自獨立地選自羥基喹啉、羥基異喹啉、羥基苯并喹啉、羥基吖啶、羥基菲啶、羥基苯基噁唑、羥基苯基噻唑、羥基苯基噁二唑、羥基苯基噻二唑、羥基苯基吡啶、羥基苯基苯并咪唑、羥基苯基苯并噻唑、聯(lián)吡啶、菲咯啉或環(huán)戊二烯;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。
電子注入層可以包含上述的還原摻雜劑?;蛘撸娮幼⑷雽涌梢园€原摻雜劑和有機材料。當電子注入層包含還原摻雜劑和有機材料時,還原摻雜劑可以基本均勻或不均勻地分散在包含有機材料的基質(zhì)中。
電子注入層的厚度可以在約
第二電極190可以布置在有機層150上。有機層150可以具有上述的結(jié)構(gòu)。第二電極190可以是陰極。陰極可以是電子注入電極。因此,第二電極190可以包含可具有相對低的功函的金屬、合金、導(dǎo)電化合物或其任意組合。
第二電極190可以包含鋰(li)、銀(ag)、鎂(mg)、鋁(al)、鋁-鋰(al-li)、鈣(ca)、鎂-銦(mg-in)、鎂-銀(mg-ag)、氧化銦錫(ito)或氧化銦鋅(izo)中的至少一種;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。第二電極190可以是透射電極、半透射電極或反射電極。
第二電極190可以具有單層結(jié)構(gòu)?;蛘撸诙姌O190可以具有包括兩層或多于兩層的多層結(jié)構(gòu)。
圖2是例示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方案的有機發(fā)光裝置的橫截面示意圖。參考圖2,有機發(fā)光裝置20可以包括第一覆蓋層210、第一電極110、有機層150和第二電極190。第一覆蓋層210、第一電極110、有機層150和第二電極190可以是依次堆疊的。
圖3是例示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方案的有機發(fā)光裝置的橫截面示意圖。參考圖3,有機發(fā)光裝置30可以包括第一電極110、有機層150、第二電極190和第二覆蓋層220。第一電極110、有機層150、第二電極190和第二覆蓋層220可以是依次堆疊的。
圖4是例示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方案的有機發(fā)光裝置的橫截面示意圖。參考圖4,有機發(fā)光裝置40可以包括第一覆蓋層210、第一電極110、有機層150、第二電極190和第二覆蓋層220。第一覆蓋層210、第一電極110、有機層150、第二電極190和第二覆蓋層220可以是依次堆疊的。
在有機發(fā)光裝置20和40的每一個的有機層150中,發(fā)射層中產(chǎn)生的光可以朝向外面穿過第一電極110和第一覆蓋層210。第一電極110可以是半透射或透射電極。在有機發(fā)光裝置30和40的每一個的有機層150中,發(fā)射層中產(chǎn)生的光可以朝向外面穿過第二電極190和第二覆蓋層220。第二電極190可以是半透射或透射電極。
第一覆蓋層210和第二覆蓋層220可以根據(jù)相長干涉的原理增加外部發(fā)光效率。
第一覆蓋層210和第二覆蓋層220可以各自獨立地是包含有機材料的有機覆蓋層、包含無機材料的無機覆蓋層、或包含有機材料和無機材料的復(fù)合覆蓋層。
第一覆蓋層210和第二覆蓋層220中的至少一個可以包含選自碳環(huán)化合物、雜環(huán)化合物、基于胺的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘菁衍生物、堿金屬絡(luò)合物和基于堿土金屬的絡(luò)合物中的至少一種材料。碳環(huán)化合物、雜環(huán)化合物和基于胺的化合物可以被包括選自o、n、s、se、si、f、cl、br和i中的至少一種元素的取代基取代。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,第一覆蓋層210和第二覆蓋層220中的至少一個可以包含基于胺的化合物。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,第一覆蓋層210和第二覆蓋層220中的至少一個可以包含由式1-1或1-2表示的稠環(huán)化合物。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,選自第一覆蓋層210和第二覆蓋層220中的至少一個可以包含由式201表示的化合物或由式202表示的化合物。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,第一覆蓋層210和第二覆蓋層220中的至少一個可以包含選自化合物ht28至ht33以及化合物cp1至cp5中的化合物;然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。
已經(jīng)參考圖1至圖4描述了根據(jù)本發(fā)明的一些示例性實施方案的有機發(fā)光裝置。然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于此。
可以通過例如真空沉積、旋轉(zhuǎn)涂布、澆鑄、朗格繆爾-布吉特(langmuir-blodgett,lb)沉積、噴墨印刷、激光印刷或激光誘導(dǎo)的熱成像(liti)來形成包括在空穴傳輸區(qū)、發(fā)射層和電子傳輸區(qū)中的層。
當空穴傳輸區(qū)、發(fā)射層和電子傳輸區(qū)的各個層通過真空沉積形成時,例如,考慮到用于形成待沉積的層的化合物和待形成的層的結(jié)構(gòu),可以在約100℃至約500℃的沉積溫度下、約10-8托至約10-3托的真空度下、以及約
當包括在空穴傳輸區(qū)、發(fā)射層和電子傳輸區(qū)中的層通過旋轉(zhuǎn)涂布形成時,取決于待包含在層中的化合物和待形成的每一層的結(jié)構(gòu),可以在約2,000rpm至約5,000rpm的涂布速率和約80℃至約200℃的熱處理溫度下進行旋轉(zhuǎn)涂布。
本文所用的術(shù)語“c1-c60烷基”是指具有1至60個碳原子的直鏈或支鏈的飽和脂肪族烴單價基團,并且其非限制性實例可以包括甲基、乙基、丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、異戊基或己基。在一些實施方案中,c1-c60烷基可以為c1-c20烷基、c1-c10烷基或c1-c6烷基。本文所用的術(shù)語“c1-c60亞烷基”是指具有與c1-c60烷基相同結(jié)構(gòu)的二價基團。在一些實施方案中,c1-c60亞烷基可以為c1-c20亞烷基、c1-c10亞烷基或c1-c6亞烷基。
本文所用的術(shù)語“c2-c60烯基”是指通過在c2-c60烷基的中部或末端處替換至少一個碳-碳雙鍵而形成的烴基,并且其非限制性實例可以包括乙烯基、丙烯基或丁烯基。在一些實施方案中,c2-c60烯基可以為c2-c20烯基、c2-c10烯基或c2-c6烯基。本文所用的術(shù)語“c2-c60亞烯基”是指具有與c2-c60烯基相同結(jié)構(gòu)的二價基團。在一些實施方案中,c2-c60亞烯基可以為c2-c20亞烯基、c2-c10亞烯基或c2-c6亞烯基。
本文所用的術(shù)語“c2-c60炔基”是指通過在c2-c60烷基的中部或末端處替換至少一個碳-碳叁鍵而形成的烴基,并且其非限制性實例可以包括乙炔基或丙炔基。在一些實施方案中,c2-c60炔基可以為c2-c20炔基、c2-c10炔基或c2-c6炔基。本文所用的術(shù)語“c2-c60亞炔基”是指具有與c2-c60炔基相同結(jié)構(gòu)的二價基團。在一些實施方案中,c2-c60亞炔基可以為c2-c20亞炔基、c2-c10亞炔基或c2-c6亞炔基。
本文所用的術(shù)語“c1-c60烷氧基”是指由-oa101表示的單價基團,其中a101是c1-c60烷基,并且其非限制性實例可以包括甲氧基、乙氧基或異丙氧基。在一些實施方案中,c1-c60烷氧基可以為c1-c20烷氧基、c1-c10烷氧基或c1-c6烷氧基。
本文所用的術(shù)語“c3-c10環(huán)烷基”是指具有3至10個碳原子的單價飽和烴單環(huán)基團,并且其非限制性實例可以包括環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基或環(huán)庚基。本文所用的術(shù)語“c3-c10亞環(huán)烷基”是指具有與c3-c10環(huán)烷基相同結(jié)構(gòu)的二價基團。
本文所用的術(shù)語“c1-c10雜環(huán)烷基”是指具有作為成環(huán)原子的選自n、o、si、p和s的至少一個雜原子以及1至10個碳原子的單價飽和單環(huán)基團,并且其非限制性實例可以包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氫呋喃基或四氫噻吩基。本文所用的術(shù)語“c1-c10亞雜環(huán)烷基”是指具有與c1-c10雜環(huán)烷基相同結(jié)構(gòu)的二價基團。
本文所用的術(shù)語“c3-c10環(huán)烯基”是指在其環(huán)中具有3至10個碳原子和至少一個碳-碳雙鍵且不具有芳香性的單價單環(huán)基團,并且其非限制性實例可以包括環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基或環(huán)庚烯基。本文所用的術(shù)語“c3-c10亞環(huán)烯基”是指具有與c3-c10環(huán)烯基相同結(jié)構(gòu)的二價基團。
本文所用的術(shù)語“c1-c10雜環(huán)烯基”是指在其環(huán)中具有作為成環(huán)原子的選自n、o、si、p和s的至少一個雜原子、1至10個碳原子以及至少一個雙鍵的單價單環(huán)基團。其非限制性實例可以包括4,5-二氫-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氫呋喃基或2,3-二氫噻吩基。本文所用的術(shù)語“c1-c10亞雜環(huán)烯基”是指具有與c1-c10雜環(huán)烯基相同結(jié)構(gòu)的二價基團。
本文所述的術(shù)語“c6-c60芳基”是指具有含6至60個碳原子的碳環(huán)芳族體系的單價基團。本文所述的術(shù)語“c6-c60亞芳基”是指具有含6至60個碳原子的碳環(huán)芳族體系的二價基團。c6-c60芳基的非限制性實例可以包括苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基或
本文所用的術(shù)語“c1-c60雜芳基”是指具有雜環(huán)芳族體系的單價基團,所述雜環(huán)芳族體系除具有1至60個碳原子之外,還具有作為成環(huán)原子的選自n、o、si、p和s的至少一個雜原子。本文所用的術(shù)語“c1-c60亞雜芳基”是指具有雜環(huán)芳族體系的二價基團,所述雜環(huán)芳族體系除具有1至60個碳原子之外,還具有作為成環(huán)原子的選自n、o、si、p和s的至少一個雜原子。c1-c60雜芳基的非限制性實例可以包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基或異喹啉基。當c1-c60雜芳基和c1-c60亞雜芳基各自包含兩個或多個環(huán)時,所述環(huán)可以彼此化學連接。在一些實施方案中,c1-c60雜芳基可以為c1-c30雜芳基、c1-c18雜芳基或c1-c10雜芳基。在一些實施方案中,c1-c60亞雜芳基可以為c1-c30亞雜芳基、c1-c18亞雜芳基或c1-c10亞雜芳基。
本文所用的術(shù)語“c6-c60芳氧基”是指-oa102,其中a102是c6-c60芳基。在一些實施方案中,c6-c60芳氧基可以為c6-c30芳氧基、c6-c18芳氧基或c6-c10芳氧基。本文所用的術(shù)語“c6-c60芳硫基”是指由-sa103表示的單價基團,其中a103是c6-c60芳基。在一些實施方案中,c6-c60芳硫基可以為c6-c30芳硫基、c6-c18芳硫基或c6-c10芳硫基。
本文所用的術(shù)語“單價非芳族稠多環(huán)基團”是指例如具有8至60個碳原子的單價基團。該單價基團具有彼此稠合的兩個或多于兩個的環(huán)。另外,僅有碳原子用作成環(huán)原子。整個分子結(jié)構(gòu)具有非芳香性。單價非芳族稠多環(huán)基團的實例可以包括芴基。在一些實施方案中,單價非芳族稠多環(huán)基團可以具有8至30個碳原子或8至20個碳原子。本文所用的術(shù)語“二價非芳族稠多環(huán)基團”是指具有與單價非芳族稠多環(huán)基團相同結(jié)構(gòu)的二價基團。在一些實施方案中,二價非芳族稠多環(huán)基團可以具有8至60個碳原子、8至30個碳原子或8至20個碳原子。
本文所用的術(shù)語“單價非芳族稠雜多環(huán)基團”是指例如具有1至60個碳原子的單價基團。該單價基團具有彼此稠合的兩個或多于兩個的環(huán)。該單價基團具有選自n、o、si、p和s的至少一個雜原子。另外,除碳原子之外的原子用作成環(huán)原子。整個分子結(jié)構(gòu)具有非芳香性。單價非芳族稠雜多環(huán)基團的非限制性實例可以包括咔唑基。在一些實施方案中,單價非芳族稠雜多環(huán)基團可以具有1至30個碳原子、1至20個碳原子或1至10個碳原子。本文所用的術(shù)語“二價非芳族稠雜多環(huán)基團”是指具有與單價非芳族稠雜多環(huán)基團相同結(jié)構(gòu)的二價基團。在一些實施方案中,二價非芳族稠雜多環(huán)基團可以具有1至60個碳原子、1至30個碳原子、1至20個碳原子或1至10個碳原子。
本文所用的術(shù)語“c5-c60碳環(huán)基團”是指具有5至60個碳原子的單環(huán)或多環(huán)基團,其中成環(huán)原子僅是碳原子。c5-c60碳環(huán)基團可以是芳族碳環(huán)基團或非芳族碳環(huán)基團。c5-c60碳環(huán)基團可以是環(huán)如苯、單價基團如苯基、或二價基團如亞苯基。根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,取決于與c5-c60碳環(huán)基團連接的取代基的數(shù)量,c5-c60碳環(huán)基團可以是三價基團或四價基團。在一些實施方案中,c5-c60碳環(huán)基團可以為c5-c30碳環(huán)基團、c5-c20碳環(huán)基團或c5-c10碳環(huán)基團。
本文所用的術(shù)語“c1-c60雜環(huán)基團”是指具有與c1-c60碳環(huán)基團相同結(jié)構(gòu)的基團,但是作為成環(huán)原子,除碳之外,還使用選自n、o、si、p和s的至少一個雜原子。碳原子的數(shù)量可以在1至60的范圍內(nèi)。在一些實施方案中,c1-c60雜環(huán)基團可以為c1-c30雜環(huán)基團、c1-c20雜環(huán)基團或c1-c10雜環(huán)基團。
選自取代的c5-c60碳環(huán)基團、取代的c1-c60雜環(huán)基團、取代的c3-c10亞環(huán)烷基、取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、取代的c3-c10亞環(huán)烯基、取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、取代的c6-c60亞芳基、取代的c1-c60亞雜芳基、取代的二價非芳族稠多環(huán)基團、取代的二價非芳族稠雜多環(huán)基團、取代的c1-c60烷基、取代的c2-c60烯基、取代的c2-c60炔基、取代的c1-c60烷氧基、取代的c3-c10環(huán)烷基、取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代的c3-c10環(huán)烯基、取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代的c6-c60芳基、取代的c6-c60芳氧基、取代的c6-c60芳硫基、取代的c1-c60雜芳基、取代的單價非芳族稠多環(huán)基團和取代的單價非芳族稠雜多環(huán)基團的取代基中的至少一個取代基可以選自:
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基或c1-c60烷氧基;
各自被選自氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價非芳族稠多環(huán)基團、單價非芳族稠雜多環(huán)基團、-si(q11)(q12)(q13)、-n(q11)(q12)、-b(q11)(q12)、-c(=o)(q11)、-s(=o)2(q11)和-p(=o)(q11)(q12)中的至少一個取代的c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基和c1-c60烷氧基;
c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價非芳族稠多環(huán)基團或單價非芳族稠雜多環(huán)基團;
各自被選自氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價非芳族稠多環(huán)基團、單價非芳族稠雜多環(huán)基團、-si(q21)(q22)(q23)、-n(q21)(q22)、-b(q21)(q22)、-c(=o)(q21)、-s(=o)2(q21)和-p(=o)(q21)(q22)中的至少一個取代的c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價非芳族稠多環(huán)基團和單價非芳族稠雜多環(huán)基團;或者
-si(q31)(q32)(q33)、-n(q31)(q32)、-b(q31)(q32)、-c(=o)(q31)、-s(=o)2(q31)或-p(=o)(q31)(q32)。
q11至q13、q21至q23以及q31至q33可以各自獨立地選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c1-c60雜芳基、單價非芳族稠多環(huán)基團、單價非芳族稠雜多環(huán)基團、聯(lián)苯基或三聯(lián)苯基。
本文所用的術(shù)語“ph”是指苯基;本文所用的術(shù)語“me”是指甲基;本文所用的術(shù)語“et”是指乙基;本文所用的術(shù)語“ter-bu”或“but”是指叔丁基;以及本文所用的術(shù)語“ome”是指甲氧基。
本文所用的術(shù)語“聯(lián)苯基”是指“被苯基取代的苯基”。作為實例,“聯(lián)苯基”是具有c6-c60芳基作為取代基的取代的苯基。
本文所用的術(shù)語“三聯(lián)苯基”是指“被聯(lián)苯基取代的苯基”。作為實例,“三聯(lián)苯基”是具有被c6-c60芳基取代的c6-c60芳基作為取代基的取代的苯基。
本文所用的符號*和*',除非另外定義,否則各自是指在相對應(yīng)的式中與鄰近原子的連接點。
以下將參考合成例和實施例更詳細地描述根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案的化合物和根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案的有機發(fā)光裝置。然而,本發(fā)明的示例性實施方案不限于本文所述的實施例。在描述合成例中所用的措辭“使用b替代a”是指其中使用摩爾等量的b替代a的實例。
實施例
合成例1:化合物h1的合成
中間體(a-1)的合成
在氬氣氣氛中,向燒瓶中添加22.0g的2,3-二甲氧基苯基硼酸、17.5g的1-溴-2-氟萘、2.32g的四(三苯基膦)鈀(0)、300ml的1,2-二甲氧基乙烷和150ml的2m碳酸鈉水溶液,并且隨后,將混合物加熱、回流并攪拌約8小時。將混合物冷卻至室溫,并從其去除水層。然后,使用飽和鹽水溶液清洗有機層。有機層通過使用mgso4干燥,并濃縮。從其獲得的殘余物通過硅膠柱色譜法而純化,由此制備23.9g(84.8%)的中間體(a-1)。
中間體(a-2)的合成
在氬氣氣氛中,向燒瓶中添加23.9g的中間體(a-1)和500ml的無水四氫呋喃(thf),并且向其添加60ml的1.6m正丁基鋰的己烷溶液。然后,將反應(yīng)溶液在室溫攪拌約4小時。將反應(yīng)溶液冷卻至-78℃的溫度,并且向其添加30ml的含28.1g硼酸三甲酯的thf溶液。然后,將反應(yīng)溶液加熱至室溫,并攪拌約8小時。向反應(yīng)溶液添加200ml的10%hcl,并攪拌約2小時。通過使用乙醚對反應(yīng)溶液進行萃取過程,并且從其去除水層。然后,使用飽和鹽水溶液清洗有機層。有機層通過使用mgso4干燥,并濃縮。獲得的殘余物使用己烷清洗,由此制備18.0g(65.1%)的中間體(a-2)。
中間體(a-3)的合成
在氬氣氣氛中,向燒瓶中添加18.0g的中間體(a-2)、16.6g的4-溴-1-氟-2-碘苯、1.28g的四(三苯基膦)鈀(0)、180ml的甲苯和90ml的2m碳酸鈉水溶液,并且隨后,將反應(yīng)溶液加熱、回流并攪拌約8小時。在將反應(yīng)溶液冷卻至室溫之后,通過使用甲苯對反應(yīng)溶液進行萃取過程,并且從其去除水層。然后,使用飽和鹽水溶液清洗有機層。有機層通過使用mgso4干燥,并濃縮。從其獲得的殘余物通過硅膠柱色譜法而純化,由此制備19.2g(76.8%)的中間體(a-3)。
中間體(a-4)的合成
向燒瓶中添加19.2g的中間體(a-3)和250ml的二氯甲烷(脫水的),并且冷卻至0℃的溫度。向其添加27.5g的三溴化硼(bbr3),并且在室溫下攪拌約24小時。在反應(yīng)完成之后,將溶液冷卻至-78℃的溫度,并且使用甲醇和水猝滅。將溶液添加到分液漏斗,并且通過使用二氯甲烷對其進行萃取過程。通過使用mgso4干燥生成物,并且通過硅膠短柱色譜法從其去除雜質(zhì)。真空干燥通過濃縮溶液而獲得的樣品,由此制備17.9g(99.5%)的中間體(a-4)。
中間體(a)的合成
向燒瓶中添加17.9g的中間體(a-4)、300ml的n-甲基-2-吡咯烷酮(脫水的)和24.5g的k2co3,并在200℃的溫度下攪拌約2小時。在反應(yīng)完成之后,將溶液冷卻至室溫。向其添加2l的甲苯,并且將混合的溶液添加到分液漏斗。然后,通過使用水對其進行清洗過程。通過使用mgso4干燥混合的溶液,并且通過硅膠短柱色譜法從其去除雜質(zhì)。將溶液濃縮,并且在甲苯/甲醇混合溶劑中重結(jié)晶,由此制備10.8g(66.3%)的中間體(a)。
中間體(h1-1)的合成
向燒瓶中添加38.7g的中間體(a)和500ml的thf(脫水的),并且冷卻至-78℃的溫度。向其添加66ml的n-buli(1.6m,在己烷中),并且將混合物攪拌約2小時,同時加熱至0℃的溫度。然后,將混合物再次冷卻至-78℃的溫度。向其添加27.5g的b(ome)3,并且將混合物在-78℃的溫度攪拌約10分鐘,并且隨后在室溫攪拌約5小時。在反應(yīng)完成之后,向其添加200ml的1nhcl水溶液,并且將混合溶液在室溫攪拌約1小時。將溶液添加到分液漏斗,并且通過使用乙酸乙酯對其進行萃取過程。溶液通過使用mgso4干燥,并且使用濃正己烷清洗,由此制備22.9g(64.9%)的中間體(h1-1)。
中間體(h1-2)的合成
在氬氣氣氛中,向燒瓶中添加22.9g的中間體(h1-1)、19.8g的1-溴-4-碘苯、1.52g的四(三苯基膦)鈀(0)、200ml的甲苯和100ml的2m碳酸鈉水溶液,并且隨后,將反應(yīng)溶液加熱、回流并攪拌約8小時。將反應(yīng)溶液冷卻至室溫,并且通過使用甲苯對其進行萃取過程。從其去除水層。然后,有機層通過使用mgso4干燥,并濃縮。從其獲得的殘余物通過硅膠柱色譜法而純化,由此制備24.0g(72.4%)的中間體(h1-2)。
化合物h1的合成
在氬氣氣氛中,向燒瓶中添加24.0g的中間體(h1-2)、16.4g的9-(萘-3-基)蒽-10-基-10-硼酸、1.28g的四(三苯基膦)鈀(0)、180ml的1,2-二甲氧基乙烷和90ml的2m碳酸鈉水溶液,并且隨后回流并攪拌約8小時。將混合物冷卻至室溫,并且通過過濾和分離來獲得沉淀的固體。獲得的固體使用水和甲醇清洗,并且使用甲苯重結(jié)晶,由此制備21.2g(65.8%)的化合物h1。mw=686.81,m/e=686.22。
合成例2:化合物h2的合成
中間體(b-1)的合成
在氬氣氣氛中,向燒瓶中添加20.3g的2,3-雙(甲硫基)苯基硼酸、22.5g的1-溴-2-氟萘、2.34g的四(三苯基膦)鈀(0)、300ml的1,2-二甲氧基乙烷和150ml的2m碳酸鈉水溶液,并且隨后,將混合物加熱、回流并攪拌約8小時。將混合物冷卻至室溫,并從其去除水層。然后,使用飽和鹽水溶液清洗有機層。有機層通過使用mgso4干燥,并濃縮。從其獲得的殘余物通過硅膠柱色譜法而純化,由此制備26.8g(85.2%)的中間體(b-1)。
中間體(b-2)的合成
在氬氣氣氛中,向燒瓶中添加26.8g的中間體(b-1)和500ml的無水thf,并且向其添加55ml的1.6m正丁基鋰的己烷溶液。然后,將反應(yīng)溶液在室溫攪拌約4小時。將反應(yīng)溶液冷卻至-78℃的溫度,并且向其添加30ml的含28.1g硼酸三甲酯的thf溶液。然后,將反應(yīng)溶液攪拌約8小時,同時加熱至室溫。向反應(yīng)溶液添加200ml的10%hcl,并將混合溶液攪拌約2小時。通過使用乙醚對反應(yīng)溶液進行萃取過程,并且從其去除水層。然后,使用飽和鹽水溶液清洗有機層。有機層通過使用mgso4干燥,并濃縮。從其獲得的殘余物使用己烷清洗,由此制備19.7g(64.5%)的中間體(b-2)。
中間體(b-3)的合成
在氬氣氣氛中,向燒瓶中添加19.7g的中間體(b-2)、16.5g的4-溴-1-氟-2-碘苯、1.28g的四(三苯基膦)鈀(0)、180ml的甲苯和95ml的2m碳酸鈉水溶液,并且隨后,將反應(yīng)溶液加熱、回流并攪拌約8小時。在將反應(yīng)溶液冷卻至室溫之后,通過使用甲苯對反應(yīng)溶液進行萃取過程,并且從其去除水層。然后,使用飽和鹽水溶液清洗有機層。有機層通過使用mgso4干燥,并濃縮。從其獲得的殘余物通過硅膠柱色譜法而純化,由此制備20.3g(75.9%)的中間體(b-3)。
中間體(b-4)的合成
向燒瓶中添加20.3g的中間體(b-3)和250ml的二氯甲烷(脫水的),并且冷卻至0℃的溫度。向其添加27.5g的bbr3,并且所得的混合物在室溫下攪拌約24小時。在反應(yīng)完成之后,將溶液冷卻至-78℃的溫度,并且使用甲醇和水猝滅。將溶液添加到分液漏斗,并且通過使用二氯甲烷對其進行萃取過程。通過使用mgso4干燥生成物,并且通過硅膠短柱色譜法從其去除雜質(zhì)。真空干燥通過濃縮溶液而獲得的樣品,由此制備19.0g(99.5%)的中間體(b-4)。
中間體(b)的合成
向燒瓶中添加19.0g的中間體(b-4)、300ml的n-甲基-2-吡咯烷酮和24.5g的k2co3,并在200℃的溫度下攪拌約2小時。在反應(yīng)完成之后,將溶液冷卻至室溫。向其添加2l的甲苯,并且將混合的溶液添加到分液漏斗。通過使用水對其進行清洗過程。通過使用mgso4干燥混合的溶液,并且通過硅膠短柱色譜法從其去除雜質(zhì)。將溶液濃縮,并且在甲苯/甲醇混合溶劑中重結(jié)晶,由此制備11.4g(65.8%)的中間體(b)。
中間體(h2-1)的合成
以與中間體(h1-1)的合成基本相同的方式合成24.5g(63.8%)的中間體(h2-1),但使用中間體(b)替代中間體(a)。
中間體(h2-2)的合成
以與中間體(h1-2)的合成基本相同的方式合成24.9g(71.9%)的中間體(h2-2),但使用中間體(h2-1)替代中間體(h1-1)。
化合物h2的合成
以與化合物h1的合成基本相同的方式合成21.1g(64.1%)的化合物h2,但使用中間體(h2-2)替代中間體(h1-2)。mw=718.93,m/e=718.18。
合成例3:化合物h3的合成
中間體(c-1)的合成
在氬氣氣氛中,將包含10.3g的9-碘萘并[1,2-b]苯并呋喃、8.2g的2-(乙氧基羰基)-5-溴苯基硼酸、0.4g的四(三苯基膦)鈀(0)、30ml的2m碳酸鈉水溶液和60ml的甲苯的混合物加熱并回流約8小時。將獲得的混合物冷卻至室溫,并且通過使用甲苯對其進行萃取過程。使用飽和鹽水溶液清洗有機層。有機層通過使用無水硫酸鈉干燥,并且溶劑經(jīng)減壓蒸餾。從其獲得的殘余物通過硅膠柱色譜法而純化,由此制備8.9g(66.8%)的中間體(c-1)。
中間體(c-2)的合成
在氬氣氣氛中,將30ml的含1m甲基溴化鎂的thf溶液冰冷卻,并添加到90ml的含8.9g中間體(c-1)的thf溶液,并且隨后將所得的混合物在室溫攪拌約5小時。向反應(yīng)溶液添加冰水。然后,通過使用甲苯對其進行萃取過程,并且使用飽和鹽水溶液清洗有機層。有機層通過使用無水硫酸鈉干燥,并且溶劑經(jīng)減壓蒸餾。從其獲得的殘余物通過硅膠柱色譜法而純化,由此制備6.5g(75.4%)的中間體(c-2)。
中間體(c)的合成
將0.7ml的硫酸添加到70ml的含6.5g中間體(c-2)的乙酸溶液,并且將混合物在50℃的溫度攪拌約8小時。將獲得的混合物冷卻至室溫,并且通過向其添加甲苯和水而分離。使用水和飽和鹽水溶液清洗甲苯層。隨后,所得物通過使用無水硫酸鈉干燥,并且溶劑經(jīng)減壓蒸餾。從其獲得的殘余物通過色譜法而純化,由此制備2.2g(35.6%)的中間體(c)。
化合物h3的合成
以與化合物h1的合成基本相同的方式合成4.5g(63.8%)的化合物h3,但使用中間體(c)替代中間體(h1-2)。mw=636.79,m/e=636.25。
合成例4:化合物h4的合成
中間體(d-1)的合成
在氬氣氣氛中,向燒瓶中添加17.3g的2,3-二甲氧基苯基硼酸、22.5g的2-溴-3-氟萘、2.32g的四(三苯基膦)鈀(0)、300ml的1,2-二甲氧基乙烷和150ml的2m碳酸鈉水溶液,并且隨后,將混合物加熱、回流并攪拌約8小時。將混合物冷卻至室溫,并從其去除水層。然后,使用飽和鹽水溶液清洗有機層。有機層通過使用mgso4干燥,并濃縮。獲得的殘余物通過硅膠柱色譜法而純化,由此制備22.3g(83.4%)的中間體(d-1)。
中間體(d-2)的合成
在氬氣氣氛中,向燒瓶中添加22.3g的中間體(d-1)和500ml的無水thf,并且然后向其添加55ml的含1.6m正丁基鋰的己烷溶液。然后,將反應(yīng)溶液在室溫攪拌約4小時。將反應(yīng)溶液冷卻至-78℃的溫度,并且向其添加30ml的含28.2g硼酸三甲酯的thf溶液。然后,將反應(yīng)溶液加熱至室溫,并攪拌約8小時。向反應(yīng)溶液添加200ml的10%hcl,并攪拌約2小時。通過使用乙醚對反應(yīng)溶液進行萃取過程,并且從其去除水層。使用飽和鹽水溶液清洗有機層。有機層通過使用mgso4干燥,并濃縮。獲得的殘余物使用己烷清洗,由此制備16.8g(65.2%)的中間體(d-2)。
中間體(d-3)的合成
在氬氣氣氛中,向燒瓶中添加16.8g的中間體(d-2)、16.8g的4-溴-1-氟-2-碘苯、1.28g的四(三苯基膦)鈀(0)、180ml的甲苯和90ml的2m碳酸鈉水溶液,并且將反應(yīng)溶液加熱、回流并攪拌約8小時。在將反應(yīng)溶液冷卻至室溫之后,通過使用甲苯對反應(yīng)溶液進行萃取過程,并且從其去除水層。使用飽和鹽水溶液清洗有機層。有機層通過使用mgso4干燥,并濃縮。獲得的殘余物通過硅膠柱色譜法而純化,由此制備18.4g(78.5%)的中間體(d-3)。
中間體(d-4)的合成
向燒瓶中添加18.4g的中間體(d-3)和250ml的二氯甲烷(脫水的),并且冷卻至0℃的溫度。向其添加27.8g的bbr3,并且在室溫下攪拌約24小時。在反應(yīng)完成之后,將溶液冷卻至-78℃的溫度,并且使用甲醇和水猝滅。將溶液添加到分液漏斗,并且通過使用二氯甲烷對其進行萃取過程。通過使用mgso4干燥生成物,并且通過硅膠短柱色譜法從其去除雜質(zhì)。真空干燥通過濃縮溶液而獲得的樣品,由此制備17.2g(99.7%)的中間體(d-4)。
中間體(d)的合成
向燒瓶中添加17.2g的中間體(d-4)、300ml的n-甲基-2-吡咯烷酮(脫水的)和24.5g的k2co3,并在200℃的溫度下攪拌約2小時。在反應(yīng)完成之后,將溶液冷卻至室溫。添加2l的甲苯,并且將混合的溶液添加到分液漏斗。然后,通過使用水對其進行清洗過程。通過使用mgso4干燥混合的溶液,并且通過硅膠短柱色譜法從其去除雜質(zhì)。然后,將溶液濃縮,并且在甲苯/甲醇混合溶劑中重結(jié)晶,由此制備10.4g(66.6%)的中間體(d)。
中間體(h4-1)的合成
以與中間體(h1-1)的合成基本相同的方式合成中間體(h4-1),但使用中間體(d)替代中間體(a)。
中間體(h4-2)的合成
以與中間體(h1-2)的合成基本相同的方式合成中間體(h4-2),但使用中間體(h4-1)替代中間體(h1-1),并且使用1-溴-3-碘苯替代1-溴-4-碘苯。
化合物h4的合成
以與化合物h1的合成基本相同的方式合成5.8g(65.2%)的化合物h4,但使用中間體(h4-2)替代中間體(h1-2),并且使用9-苯基蒽-10-基-10-硼酸替代9-(萘-3-基)蒽-10-基-10-硼酸。mw=636.75,m/e=636.21。
合成例5:化合物h5的合成
以與化合物h1的合成基本相同的方式合成4.8g(63.6%)的化合物h5,但使用中間體(a)替代中間體(h1-2),并且使用9-(3-(萘-1-基)苯基)蒽-10-基-10-硼酸替代9-(萘-3-基)蒽-10-基-10-硼酸。mw=686.81,m/e=686.22。
合成例6:化合物h6的合成
中間體(e-1)的合成
在氬氣氣氛中,向燒瓶中添加17.3g的2,4-二甲氧基苯基硼酸、22.5g的1-溴-2-氟萘、2.32g的四(三苯基膦)鈀(0)、300ml的1,2-二甲氧基乙烷和150ml的2m碳酸鈉水溶液,并且將所得的混合物加熱、回流并攪拌約8小時。將混合物冷卻至室溫,并從其去除水層。然后,使用飽和鹽水溶液清洗有機層。有機層通過使用mgso4干燥,并濃縮。獲得的殘余物通過硅膠柱色譜法而純化,由此制備22.5g(84.1%)的中間體(e-1)。
中間體(e-2)的合成
在氬氣氣氛中,向燒瓶中添加22.5g的中間體(e-1)和500ml的無水thf,并且向其添加55ml的含1.6m正丁基鋰的己烷溶液。然后,將反應(yīng)溶液在室溫攪拌約4小時。然后,將反應(yīng)溶液冷卻至-78℃的溫度,并且向其添加30ml的含27.9g硼酸三甲酯的thf溶液。然后,將反應(yīng)溶液加熱至室溫,并攪拌約8小時。向反應(yīng)溶液添加200ml的10%hcl,并攪拌約2小時。通過使用乙醚對反應(yīng)溶液進行萃取過程,并且從其去除水層。然后,使用飽和鹽水溶液清洗有機層。有機層通過使用mgso4干燥,并濃縮。獲得的殘余物使用己烷清洗,由此制備17.1g(65.6%)的中間體(e-2)。
中間體(e-3)的合成
在氬氣氣氛中,向燒瓶中添加17.1g的中間體(e-2)、16.5g的4-溴-1-氟-2-碘苯、1.28g的四(三苯基膦)鈀(0)、180ml的甲苯和90ml的2m碳酸鈉水溶液,并且將所得的反應(yīng)溶液加熱、回流并攪拌約8小時。在將反應(yīng)溶液冷卻至室溫之后,通過使用甲苯對其進行萃取過程,并且從其去除水層。然后,使用飽和鹽水溶液清洗有機層。有機層通過使用mgso4干燥,并濃縮。獲得的殘余物通過硅膠柱色譜法而純化,由此制備18.4g(77.2%)的中間體(e-3)。
中間體(e-4)的合成
向燒瓶中添加18.4g的中間體(e-3)和250ml的二氯甲烷(脫水的),并且冷卻至0℃的溫度。向其添加27.5g的bbr3,并且所得的混合物在室溫下攪拌約24小時。在反應(yīng)完成之后,將溶液冷卻至-78℃的溫度,并且使用甲醇和水猝滅。將溶液放在分液漏斗中,并且通過使用二氯甲烷對其進行萃取過程。然后,通過使用mgso4干燥生成物,并且通過硅膠短柱色譜法從其去除雜質(zhì)。真空干燥通過濃縮溶液而獲得的樣品,由此制備17.2g(99.8%)的中間體(e-4)。
中間體(e)的合成
向燒瓶中添加17.2g的中間體(e-4)、300ml的n-甲基-2-吡咯烷酮(脫水的)和24.2g的k2co3,并在200℃的溫度下攪拌約2小時。在反應(yīng)完成之后,將溶液冷卻至室溫。向其添加2l的甲苯,并且將混合的溶液添加到分液漏斗。然后,通過使用水對其進行清洗過程。通過使用mgso4干燥混合的溶液,并且通過硅膠短柱色譜法從其去除雜質(zhì)。然后,將溶液濃縮,并且在甲苯/甲醇混合溶劑中重結(jié)晶,由此制備10.3g(66.2%)的中間體(e)。
中間體(h6-1)的合成
以與中間體(h1-1)的合成基本相同的方式合成5.7g(64.3%)的中間體(h6-1),但使用中間體(e)替代中間體(a)。
中間體(h6-2)的合成
以與中間體(h1-2)的合成基本相同的方式合成6.5g(72.3%)的中間體(h6-2),但使用中間體(h6-1)替代中間體(h1-1),并且使用1-溴-4-碘萘替代1-溴-4-碘苯。
化合物h6的合成
以與化合物h1的合成基本相同的方式合成5.3g(65.8%)的化合物h6,但使用中間體(h6-2)替代中間體(h1-2),并且使用9-苯基蒽-10-基-10-硼酸替代9-(萘-3-基)蒽-10-基-10-硼酸。mw=686.81,m/e=686.22。
合成例7:化合物h7的合成
中間體(f-1)的合成
在氬氣氣氛中,向燒瓶中添加20.3g的2,4-雙(甲硫基)苯基硼酸、22.5g的1-溴-2-氟萘、2.32g的四(三苯基膦)鈀(0)、300ml的1,2-二甲氧基乙烷和150ml的2m碳酸鈉水溶液,并且隨后,將混合物加熱、回流并攪拌約8小時。將混合物冷卻至室溫,并從其去除水層。然后,使用飽和鹽水溶液清洗有機層。有機層通過使用mgso4干燥,并濃縮。獲得的殘余物通過硅膠柱色譜法而純化,由此制備25.7g(86.2%)的中間體(f-1)。
中間體(f-2)的合成
在氬氣氣氛中,向燒瓶中添加25.7g的中間體(f-1)和500ml的無水thf,并且向其添加55ml的含1.6m正丁基鋰的己烷溶液。然后,將反應(yīng)溶液在室溫攪拌約4小時。將反應(yīng)溶液冷卻至-78℃的溫度,并且向其添加30ml的含28.2g硼酸三甲酯的thf溶液。然后,將反應(yīng)溶液加熱至室溫,并攪拌約8小時。向反應(yīng)溶液添加200ml的10%hcl,并將混合溶液攪拌約2小時。通過使用乙醚對反應(yīng)溶液進行萃取過程,并且從其去除水層。然后,使用飽和鹽水溶液清洗有機層。有機層通過使用mgso4干燥,并濃縮。獲得的殘余物使用己烷清洗,由此制備19.0g(64.8%)的中間體(f-2)。
中間體(f-3)的合成
在氬氣氣氛中,向燒瓶中添加19.0g的中間體(f-2)、16.5g的4-溴-1-氟-2-碘苯、1.28g的四(三苯基膦)鈀(0)、180ml的甲苯和90ml的2m碳酸鈉水溶液,并且隨后,將反應(yīng)溶液加熱、回流并攪拌約8小時。在將反應(yīng)溶液冷卻至室溫之后,通過使用甲苯對其進行萃取過程,并且從其去除水層。然后,使用飽和鹽水溶液清洗有機層。有機層通過使用mgso4干燥,并濃縮。獲得的殘余物通過硅膠柱色譜法而純化,由此制備19.6g(76.1%)的中間體(f-3)。
中間體(f-4)的合成
向燒瓶中添加19.6g的中間體(f-3)和250ml的二氯甲烷(脫水的),并且冷卻至0℃的溫度。向其添加27.5g的bbr3,并且所得的混合物在室溫下攪拌約24小時。在反應(yīng)完成之后,將溶液冷卻至-78℃的溫度,并且使用甲醇和水猝滅。將溶液放在分液漏斗中。然后,通過使用二氯甲烷對其進行萃取過程,并且生成物通過使用mgso4干燥。然后,通過硅膠短柱色譜法從其去除雜質(zhì)。真空干燥通過濃縮溶液而獲得的樣品,由此制備18.4g(99.4%)的中間體(f-4)。
中間體(f)的合成
向燒瓶中添加18.4g的中間體(f-4)、300ml的n-甲基-2-吡咯烷酮(脫水的)和24.2g的k2co3,并在200℃的溫度下攪拌約2小時。在反應(yīng)完成之后,將溶液冷卻至室溫。向其添加2l的甲苯,并且將混合的溶液添加到分液漏斗。然后,使用水對其進行清洗過程。通過使用mgso4干燥混合的溶液,并且通過硅膠短柱色譜法從其去除雜質(zhì)。然后,將溶液濃縮,并且在甲苯/甲醇混合溶劑中重結(jié)晶,由此制備11.2g(66.9%)的中間體(f)。
中間體(h7-1)的合成
以與中間體(h1-1)的合成基本相同的方式合成6.1g(63.6%)的中間體(h7-1),但使用中間體(f)替代中間體(a)。
中間體(h7-2)的合成
以與中間體(h1-2)的合成基本相同的方式合成6.8g(71.8%)的中間體(h7-2),但使用中間體(h7-1)替代中間體(h1-1),并且使用1-溴-4-碘萘替代1-溴-4-碘苯。
化合物h7的合成
以與化合物h1的合成基本相同的方式合成5.2g(63.5%)的化合物h7,但使用中間體(h7-2)替代中間體(h1-2),并且使用9-苯基蒽-10-基-10-硼酸替代9-(萘-3-基)蒽-10-基-10-硼酸。mw=718.93,m/e718.18。
合成例8:化合物h8的合成
中間體(g-1)的合成
在氬氣氣氛中,將包含10.8g的9-碘苯并[b]萘并[1,2-d]噻吩、8.2g的2-(乙氧基羰基)-5-溴苯基硼酸、0.4g的四(三苯基膦)鈀(0)、30ml的2m碳酸鈉水溶液和60ml的甲苯的混合物加熱并回流約8小時。將獲得的混合物冷卻至室溫,并且通過使用甲苯對其進行萃取過程。使用飽和鹽水溶液清洗有機層。有機層通過使用無水硫酸鈉干燥,并且溶劑經(jīng)減壓蒸餾。獲得的殘余物通過硅膠柱色譜法而純化,由此制備9.1g(65.7%)的中間體(g-1)。
中間體(g-2)的合成
在氬氣氣氛中,將30ml的含1m甲基溴化鎂的thf溶液冰冷卻,并添加到90ml的含9.1g中間體(g-1)的thf溶液,并且隨后將所得的混合物在室溫攪拌約5小時。向反應(yīng)溶液添加冰水。然后,通過使用甲苯對其進行萃取過程,并且使用飽和鹽水溶液清洗有機層。有機層通過使用無水硫酸鈉干燥,并且溶劑經(jīng)減壓蒸餾。獲得的殘余物通過硅膠柱色譜法而純化,由此制備6.6g(75.2%)的中間體(g-2)。
中間體(g)的合成
將0.7ml的硫酸添加到70ml的含6.6g中間體(g-2)的乙酸溶液,并且將混合物在50℃的溫度攪拌約8小時。將獲得的混合物冷卻至室溫,并且通過向其添加甲苯和水而分離。使用水和飽和鹽水溶液清洗甲苯層。隨后,生成物通過使用無水硫酸鈉干燥,并且溶劑經(jīng)減壓蒸餾。獲得的殘余物通過色譜法而純化,由此制備2.2g(35.2%)的中間體(g)。
中間體(h8-1)的合成
以與中間體(h1-1)的合成基本相同的方式合成1.2g(63.6%)的中間體(h8-1),但使用中間體(g)替代中間體(a)。
中間體(h8-2)的合成
以與中間體(h1-2)的合成基本相同的方式合成1.4g(72.0%)的中間體(h8-2),但使用中間體(h8-1)替代中間體(h1-1),并且使用1-溴-碘萘替代1-溴-4-碘苯。
化合物h8的合成
以與化合物h1的合成基本相同的方式合成1.1g(63.3%)的化合物h8,但使用中間體(h8-2)替代中間體(h1-2),并且使用9-苯基蒽-10-基-10-硼酸替代9-(萘-3-基)蒽-10-基-10-硼酸。mw=728.95,m/e728.25。
合成例9:化合物h9的合成
中間體(h-1)的合成
在氬氣氣氛中,向燒瓶中添加20.3g的2,4-雙(甲硫基)苯基硼酸、22.5g的2-溴-3-氟萘、2.34g的四(三苯基膦)鈀(0)、300ml的1,2-二甲氧基乙烷和150ml的2m碳酸鈉水溶液,并且隨后,將混合物加熱、回流并攪拌約8小時。將混合物冷卻至室溫,并從其去除水層。然后,使用飽和鹽水溶液清洗有機層。有機層通過使用mgso4干燥,并濃縮。獲得的殘余物通過硅膠柱色譜法而純化,由此制備26.6g(84.6%)的中間體(h-1)。
中間體(h-2)的合成
在氬氣氣氛中,向燒瓶中添加26.6g的中間體(h-1)和500ml的無水thf,并且向其添加55ml的含1.6m正丁基鋰的己烷溶液。然后,將反應(yīng)溶液在室溫攪拌約4小時。將反應(yīng)溶液冷卻至-78℃的溫度,并且向其添加30ml的含28.1g硼酸三甲酯的thf溶液。然后,將反應(yīng)溶液加熱至室溫,并攪拌約8小時。向反應(yīng)溶液添加200ml的10%hcl,并將混合溶液攪拌約2小時。通過使用乙醚對反應(yīng)溶液進行萃取過程,并且從其去除水層。然后,使用飽和鹽水溶液清洗有機層。有機層通過使用mgso4干燥,并濃縮。獲得的殘余物使用己烷清洗,由此制備19.2g(63.2%)的中間體(h-2)。
中間體(h-3)的合成
在氬氣氣氛中,向燒瓶中添加19.2g的中間體(h-2)、16.5g的4-溴-2-氟-1-碘苯、1.28g的四(三苯基膦)鈀(0)、180ml的甲苯和95ml的2m碳酸鈉水溶液,并且隨后,將反應(yīng)溶液加熱、回流并攪拌約8小時。在將反應(yīng)溶液冷卻至室溫之后,通過使用甲苯對反應(yīng)溶液進行萃取過程,并且從其去除水層。然后,使用飽和鹽水溶液清洗有機層。有機層通過使用mgso4干燥,并濃縮。獲得的殘余物通過硅膠柱色譜法而純化,由此制備20.0g(74.8%)的中間體(h-3)。
中間體(h-4)的合成
向燒瓶中添加20.0g的中間體(h-3)和250ml的二氯甲烷(脫水的),并且冷卻至0℃的溫度。向其添加27.5g的bbr3,并且在室溫下攪拌約24小時。在反應(yīng)完成之后,將溶液冷卻至-78℃的溫度,并且使用甲醇和水猝滅。將溶液放在分液漏斗中,并且通過使用二氯甲烷對其進行萃取過程,并且生成物通過使用mgso4干燥。然后,通過硅膠短柱色譜法從其去除雜質(zhì)。真空干燥通過濃縮溶液而獲得的樣品,由此制備18.7g(99.5%)的中間體(h-4)。
中間體(h)的合成
向燒瓶中添加18.7g的中間體(h-4)、300ml的n-甲基-2-吡咯烷酮和24.5g的k2co3,并在200℃的溫度下攪拌約2小時。在反應(yīng)完成之后,將溶液冷卻至室溫。向其添加2l的甲苯,并且將混合的溶液添加到分液漏斗。通過水對其進行清洗過程。通過使用mgso4干燥混合的溶液,并且通過硅膠短柱色譜法從其去除雜質(zhì)。然后,將溶液濃縮,并且在甲苯/甲醇混合溶劑中重結(jié)晶,由此制備11.3g(65.8%)的中間體(h)。
化合物h9的合成
以與化合物h1的合成基本相同的方式合成12.3g的化合物h9,但使用中間體(h)替代中間體(h1-2),并且使用9-(9,9-二甲基-9h-芴-3-基)蒽-10-基-10-硼酸替代9-(萘-3-基)蒽-10-基-10-硼酸。mw=708.94,m/e=708.19。
實施例1
通過將在其上沉積ito層至15ω/cm2
將化合物ht13真空沉積到ito玻璃襯底(陽極)上以形成厚度為約
將化合物h1(主體)和化合物fd1(摻雜劑)以95:5的重量比共沉積到空穴傳輸層上以形成厚度為約
將化合物et1沉積到發(fā)射層上以形成厚度為約
實施例2至9以及比較例1至4
以與實施例1基本相同的方式制造實施例2至9以及比較例1至4的有機發(fā)光裝置,但在形成發(fā)射層時各自使用表1中示出的化合物。
評價例1
通過使用吉時利(keithley)smu236和亮度計pr650評價根據(jù)實施例1至9和比較例1至4制造的有機發(fā)光裝置的效率(cd/a)和使用壽命(t80)數(shù)據(jù),并且其結(jié)果在表1中示出。使用壽命(t80)表示在50ma/cm2的電流密度下驅(qū)動有機發(fā)光裝置之后,當亮度為初始亮度(100%)的80%時流逝的時間量。
[表1]
參考表1,實施例1至9的有機發(fā)光裝置與比較例1至4的有機發(fā)光裝置相比,具有相對高的效率和使用壽命特性。
根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,包含由式1-1或1-2表示的稠環(huán)化合物的有機發(fā)光裝置可以具有相對高的效率和相對長的使用壽命。
應(yīng)理解,本文所述的本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案應(yīng)僅以描述性含義考慮,并且不用于限定目的。對本發(fā)明的每一示例性實施方案內(nèi)的特征或方面的描述應(yīng)通常認為可用于本發(fā)明的其他示例性實施方案中的其他相似的特征或方面。
盡管已經(jīng)參考附圖描述了本發(fā)明的一個或多個示例性實施方案,但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員會理解,在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下,可以在其中進行各種形式和細節(jié)的多種改變。