專利名稱：低介電常數(shù)低損耗的組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及復(fù)合材料領(lǐng)域，尤其涉及一種低介電常數(shù)(low dielectricconstant)低損耗(low loss)浸潤溶液、用于其制備的組合物、基于上述浸潤溶液制備的介質(zhì)基板、介質(zhì)基板應(yīng)用電磁波通訊領(lǐng)域的層壓制件的芯片載體及類似應(yīng)用。
背景技術(shù)：
在通訊系統(tǒng)中，低介電常數(shù)低損耗介質(zhì)基板、PCB板及類似應(yīng)用件必須的滿足很多物理和電性能標(biāo)準(zhǔn)，尤其需要考慮低介電常數(shù)、低損耗、優(yōu)良耐熱性、尺寸的穩(wěn)定性、機(jī)械性能以及粘結(jié)性及類似性能。鑒于對此類材料成品件的高要求和廣泛應(yīng)用，除了滿足上述工 作電磁特性之外，同時也是期望此類材料相對低價的原材料、實用容易升級的低成本工藝制備。例如，目前最常用的浸潤料、組合物、介質(zhì)基板、芯片載體及類似應(yīng)用件是采用玻璃纖維布作為增強(qiáng)材料，環(huán)氧樹脂作為基體原材料。然而基于上述組合物加工成的應(yīng)用件的介電常數(shù)一般4. 5左右，介電損耗在0. 025左右。然而上述介質(zhì)基板、芯片載體及類似應(yīng)用件的參數(shù)指標(biāo)提升不能滿足現(xiàn)在快速發(fā)展的電子信息產(chǎn)業(yè)的要求，尤其上述介質(zhì)基板、芯片載體及類似應(yīng)用件的介電常數(shù)性能和介電損耗等方面的性能指標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容
基于此，為了提升現(xiàn)有介質(zhì)基板、芯片載體及類似應(yīng)用件的參數(shù)指標(biāo)的技術(shù)問題，因此提供一種生產(chǎn)用于介質(zhì)基板、芯片載體及類似應(yīng)用件的低介電常數(shù)、低損耗的組合物。一種低介電常數(shù)低損耗的組合物包括玻纖布；第一組份，包含環(huán)氧樹脂 '及第二組份，包含與所述環(huán)氧樹脂發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的化合物。進(jìn)一步地，所述組合物在IGHz頻率下工作，具有彡4. 0的標(biāo)稱介電常數(shù)和彡0. 01的電損耗正切量。進(jìn)一步地，所述化合物包含極性高分子與非極性高分子化合的共聚物。進(jìn)一步地，所述共聚物包含苯乙烯馬來酸酐共聚物，其分子式如下
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O進(jìn)一步地，所述化合物包含氰酸酯預(yù)聚體。進(jìn)一步地，所述化合物包含由極性高分子與非極性高分子化合的共聚物和氰酸酯預(yù)聚體。
進(jìn)一步地，所述環(huán)氧樹脂與共聚物按照官能值的比例進(jìn)行配制。進(jìn)一步地，所述第一組份與第二組份配制過程中還加入一種或者多種溶劑。進(jìn)一步地，所述一種或者多種溶劑選用丙酮、丁酮、N, N-二甲基甲酰胺、乙二醇甲醚、甲苯中任意一種或上述兩種以上溶劑之間混合形成的混合溶劑。進(jìn)一步地，所述第一組份與第二組份膠化過程中還加入促進(jìn)劑。進(jìn)一步地，所述促進(jìn)劑促進(jìn)第一組份與第二組份膠化時間在200-400秒之間。進(jìn)一步地，所述促進(jìn)劑促進(jìn)第一組份與第二組份膠化時間在260秒之間。進(jìn)一步地，所述促進(jìn)劑可選用叔胺類，咪唑類以及三氟化硼單乙胺中的任意一類或他們之間混合物。與相對現(xiàn)有技術(shù)相比，通過引入極性與非極性高分子共聚物或相類似的化合物來降低上述制件(天線基板、PCB板、覆銅基板、芯片載體件或類似應(yīng)用件、單層或多層壓壓板)的介電常數(shù)以及介電損耗。
具體實施例方式現(xiàn)在詳細(xì)參考附圖
中描述的實施例。為了全面理解本發(fā)明，在以下詳細(xì)描述中提到了眾多具體細(xì)節(jié)。但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，本發(fā)明可以無需這些具體細(xì)節(jié)而實現(xiàn)。在其他實施方式中，不詳細(xì)描述公知的方法。過程、組件和電路，以免不必要地使實施例模糊。第一類實施方式如下在該類實施方式中，用于生產(chǎn)加工本發(fā)明中的介質(zhì)基板(包括單層或多層層壓板片、覆銅基板、PCB板、芯片載體件或類似應(yīng)用件等)的一些低介電常數(shù)低損耗的浸潤溶液。所述浸潤溶液包括第一組份，包含環(huán)氧樹脂；第二組份，包含與所述環(huán)氧樹脂發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的化合物；及一種或者多種溶劑。其中第一組份和第二組份按照一定比例配置混合。上述第一組份、第二組份及所述一種或者多種溶劑配成所述浸潤溶液。所述浸潤溶液經(jīng)過攪 拌后、將所述一玻纖布浸潤所述浸潤溶液中使第一組份與第二組份吸附在玻纖布中或者表面上；然后烘拷所述玻纖布使所述一種或者多種溶劑揮發(fā)，并使第一組份與第二組份相互化合交聯(lián)形成半固化物或者固化物。半固化物是指將吸附第一組份與第二組份的玻纖布在烘拷溫度相對較低環(huán)境中，第一組份包含環(huán)氧樹脂與第二組份包含化合物部分發(fā)生化合交聯(lián)反應(yīng)的軟性混合物。固化物是指將吸附第一組份與第二組份的玻纖布在烘拷溫度相對較高環(huán)境中，第一組份包含環(huán)氧樹脂與第二組份包含化合物部分發(fā)生化合交聯(lián)反應(yīng)的相對較硬的混合物。其中所述半固化或固化物在IGHz頻率下工作，具有< 4. O的標(biāo)稱介電常數(shù)和^ 0.01的電損耗正切量。在本實施方式中，所述浸潤過的玻纖布通過低溫烘烤形成半固化物(呈片狀)，然后所述半固化物剪裁成剪裁片，根據(jù)厚度需要將所述多片剪裁片疊合并進(jìn)行熱壓成本實施所述的多層介質(zhì)基板(即多層層壓板或片)。其中熱壓工序目的就是使得第一組份包含環(huán)氧樹脂與第二組份包含化合物全部發(fā)生化合交聯(lián)反應(yīng)。當(dāng)然也可以理解，所述浸潤過的玻纖布直接通過高溫烘烤形成固化物，即本發(fā)明所述的單層介質(zhì)基板(即單層層壓板或片)。在具體的實施例中，所述第二組份的化合物可選用包含由極性高分子與非極性高分子化合的共聚物，如苯乙烯馬來酸酐共聚物?？梢岳斫獾氖?，可以與環(huán)氧樹脂發(fā)生化合交聯(lián)反應(yīng)的共聚物均可用于本實施方式的配方成份。其中本實施方式的苯乙烯馬來酸酐共聚物，其分子式如下
權(quán)利要求
1.一種低介電常數(shù)低損耗的組合物，其特征在于，包括 玻纖布； 第一組份，包含環(huán)氧樹脂 '及 第二組份，包含與所述環(huán)氧樹脂發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的化合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的組合物，其特征在于所述組合物在IGHz頻率下工作，具有^ 4. O的標(biāo)稱介電常數(shù)和彡0. 01的電損耗正切量。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的組合物，其特征在于所述化合物包含極性高分子與非極性高分子化合的共聚物。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的組合物，其特征在于所述共聚物包含苯乙烯馬來酸酐共聚物，其分子式如下
5.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的組合物，其特征在于所述化合物包含氰酸酯預(yù)聚體。
6.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的組合物，其特征在于所述化合物包含由極性高分子與非極性高分子化合的共聚物和氰酸酯預(yù)聚體。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的組合物，其特征在于所述環(huán)氧樹脂與共聚物按照官能值的比例進(jìn)行配制。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任意一種所述的組合物，其特征在于所述第一組份與第二組份配制過程中還加入一種或者多種溶劑。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組合物，其特征在于所述一種或者多種溶劑選用丙酮、丁酮、N，N-二甲基甲酰胺、乙二醇甲醚、甲苯中任意一種或上述兩種以上溶劑之間混合形成的混合溶劑。
10.根據(jù)權(quán)利要1-9任意一種所述的組合物，其特征在于所述第一組份與第二組份膠化過程中還加入促進(jìn)劑。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的組合物，其特征在于所述促進(jìn)劑促進(jìn)第一組份與第二組份膠化時間在200-400秒之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的組合物，其特征在于所述促進(jìn)劑促進(jìn)第一組份與第二組份膠化時間在260秒之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求10-12中任意一種所述的組合物，其特征在于所述促進(jìn)劑可選用叔胺類，咪唑類以及三氟化硼單乙胺中的任意一類或他們之間混合物。
全文摘要
一種低介電常數(shù)低損耗的組合物包括玻纖布；第一組份，包含環(huán)氧樹脂；及第二組份，包含與所述環(huán)氧樹脂發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的化合物。通過引入與所述環(huán)氧樹脂發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的化合物，如極性與非極性高分子共聚物或類似物質(zhì)以降低天線基板、PCB板、覆銅基板、芯片載體件或類似應(yīng)用件、單層或多層壓壓板片的介電常數(shù)以及介電損耗。
文檔編號C08G59/42GK102702677SQ201210051040
公開日2012年10月3日 申請日期2012年2月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月29日
發(fā)明者劉若鵬, 徐冠雄, 胡侃 申請人:深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司