專利名稱：內酯類光致酸發(fā)生劑和樹脂以及包含其的光致抗蝕劑的制作方法
技術領域：
本申請請求基于35U. S. C . § 119(3)提出的申請日為2010年11月15日的美國臨時申請No. 61/458,015的優(yōu)先權，其全部內容作為參考納入本申請。本發(fā)明涉及新的內酯類單體。特別是，本發(fā)明涉及包含內酯的光致酸發(fā)生劑化合物(“PAG”)和包含這種PAG化合物的光致抗蝕劑組合物。并且，本發(fā)明涉及含有內酯重復單元的樹脂和包含該內酯樹脂的光致抗蝕劑組合物。
背景技術：
光致抗蝕劑是將圖像轉移到基底的光敏感性薄膜。它們形成負性和正性圖象。將光致抗蝕劑涂覆在基底上之后，通過有圖案的光掩模，涂層暴露于激發(fā)能量源，例如紫外光，從而在光致抗蝕劑涂層中形成潛像。光掩模具有對激發(fā)輻射不透明區(qū)域和透明區(qū)域，限定了想要轉移到下面的基底上的圖象。在抗蝕劑涂層中的潛像圖案經(jīng)過顯影得到浮雕圖像。光致抗蝕劑的使用是本領域技術人員通常所熟知的。已知的光致抗蝕劑對于許多現(xiàn)有的商業(yè)用途來說，能夠提供充足的分辨率和尺寸。但是對于更多其他的用途，需要能夠在亞微米尺寸上提供高分辨率的新型光致抗蝕劑。已經(jīng)有很多嘗試去改變光致抗蝕劑組合物的組成來改善其功能性特性。其中，報道了大量光敏化合物用于光致抗蝕劑組合物。參見，例如，美國專利No. 7，304，175和美國專利申請公開No. 2007/0027336。特別地，用聚合物修飾的具有可控的酸擴散和改善的混溶性的合適的光致酸發(fā)生劑(PAGs)對于滿足高分辨光刻所需的蝕刻材料的挑戰(zhàn)非常重要。例如，如果PAG在抗蝕薄膜中不均勻分布的話,一些缺陷比如T形凸起(T-topping),足印成型(foot formation)和切口就可能在成像的光致抗蝕劑膜中出現(xiàn)。人們相信PAG陰離子的結構通過影響光致酸發(fā)生劑和其他光致抗蝕劑成分之間的相互作用在光致抗蝕劑的總體性能中發(fā)揮關鍵作用。這些相互作用反過來對光生酸的擴散特性有深刻的影響。PAG結構和尺寸很大程度上影響PAG在光致抗蝕劑膜中的均勻分布。對于具有特定結構、化學和物理特性來提高光致酸擴散速率(diffusion rate)并提供更好的與其他光致抗蝕劑成分的混溶性的PAG陰離子的需求依然存在。

發(fā)明內容
本發(fā)明提供新型的光致酸發(fā)生劑化合物，其包括一個或更多氧雜金剛烷酮(oxaadamantan-one)內酯基團。優(yōu)選的氧雜金剛燒酮內酯基團包括如下通式結構⑴所示的那些
權利要求
1.一種下式表示光致酸發(fā)生劑化合物
2.權利要求I所述的光致酸發(fā)生劑，其中Y選自化學鍵，-0-，和Y1J1是具有I到30個碳原子的基團，該基團可以任選含有一個或更多選自0，S，和N的雜原子。
3.權利要求I所述的光致酸發(fā)生劑，其中M具有下述結構
4.權利要求3所述的光致酸發(fā)生劑，其中M選自具有下述結構的锍陽離子
5.權利要求I所述的光致酸發(fā)生劑，進一步包括與磺酸根相連的氟亞甲基基團或二氟亞甲基基團。
6.權利要求5所述的光致酸發(fā)生劑，其結構為
7.權利要求6所述的光致酸發(fā)生器，其中A=氟；Rf =氫；Y選自化學鍵，-OC (O)-，-OC (O)CH2O-,和-OCH2C(O)O- ；p = 1-2 ;并且 m = 0-2。
8.權利要求I所述的光致酸發(fā)生劑，具有結構選自
全文摘要
內酯類光致酸發(fā)生劑和樹脂以及包含其的光致抗蝕劑。提供新型包含內酯的光致酸發(fā)生劑化合物(“PAGs”)和包含該PAG化合物光致抗蝕劑組合物。這些光致抗蝕劑組合物可應用于電子設備的生產(chǎn)。提供一種下式表示光致酸發(fā)生劑化合物，其中每個R相同或不同，為氫和非氫取代基；Y是連接基團；每個Rf獨立地選自氫、氟、和氟代(C1-C10)烷基；M是陽離子；n是0到6的整數(shù)；以及m是1到10的整數(shù)。
文檔編號C07D313/10GK102621806SQ201110462560
公開日2012年8月1日 申請日期2011年11月15日 優(yōu)先權日2010年11月15日
發(fā)明者C-B·徐, E·阿恰達, 劉驄, 李明琦 申請人:羅門哈斯電子材料有限公司