專利名稱：：新的蒽衍生物、其制備方法以及使用該衍生物的有機電子發(fā)光器件的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種新的蒽衍生物、其制備方法以及一種使用該衍生物的有機電子發(fā)光器件。本申請要求獲得2006年3月15日提交的韓國專利申請?zhí)?0-2006-0023830的優(yōu)先權的權益，該申請的全部內容以引用方式完整并入本文。
背景技術：
：術語"有機電子器件，，是指需要在使用空穴和/或電子的電極與有機材料之間交換電荷的器件。根據(jù)其工作原理，有機電子器件可以大致分為兩種類型一種類型為具有以下構造的電子器件，其中通過由外部光源流入器件的光子而在有機材料層中形成激子，并且將該激子分為電子和空穴，使形成的電子和空穴分別傳輸?shù)讲煌碾姌O用作電流源(電壓源)；另一種類型為具有以下構造的電子器件，其中通過對兩個或更多個'電極施加電壓或電流使空穴和/或電子注入有機材料半導體內并形成與電極的界面，使得該器件通過注入的電子和空穴而工作。有機電子器件的實例包括有機發(fā)光器件、有機太陽能電池、有機光電導體(OPC)和有機晶體管，所有的器件需具有空穴注入或空穴傳輸材料、電子注入或電子傳輸材料或發(fā)光材料用于驅動該器件。以下，將主要具體描述有機發(fā)光器件，但在上述有機電子器件中，空穴注入或空穴傳輸材料、電子注入或電子傳輸材料或者發(fā)光材料根據(jù)相似的原理起注入作用。一般而言，術語"有機發(fā)光現(xiàn)象"是指通過有機材料將電能轉化成光能的現(xiàn)象。應用有機發(fā)光現(xiàn)象的有機發(fā)光器件具有通常包括陽極、陰極和插在兩者之間的有機材料層的結構。這里，為改善有機發(fā)光器件的效率和穩(wěn)定性，所述有機材料層可主要形成包括不同材料層，例如空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層等的多層結構。在具有這樣的結構的有機發(fā)光器件中，當在兩個電極間施加電壓時，來自陽極的空穴和來自陰極的電子注入到有機材料層，注入的空穴和電子結合在一起形成激子。進而，當激子降至基態(tài)時發(fā)出光。已知這樣的有機發(fā)光器件具有如自發(fā)光、高亮度、高效率、低驅動電壓、寬視角、高對比度和高速響應的特點。有機發(fā)光器件中有機材料層所用的材料，根據(jù)其功能可以分為發(fā)光材料和電荷傳輸材料，例如空穴注入材料、空穴傳輸材料、電子傳輸材料和電子注入材料。發(fā)光材料根據(jù)其分子量可以分為高分子量類型和低分子量類型，以及根據(jù)其發(fā)光機理分為來自單重激發(fā)態(tài)的熒光材料和來自三重激發(fā)態(tài)的磷光材料。此外，發(fā)光材料根據(jù)發(fā)光顏色可以分成發(fā)藍色、綠色和紅色光的材料，和為提供更自然顏色的發(fā)黃色和橙色光的材料。另一方面，當僅將一種材料用作發(fā)光材料時，由于分子間的相互作用使最大發(fā)光波長偏移至更長的波長處造成器件效率降低、色純度劣化和發(fā)光效率降低，因此為了通過能量轉化提高色純度和發(fā)光效率，可以使用主體/摻雜體體系作為發(fā)光材料。其基于的原理為如果能量帶隙小于主體的少量摻雜體形成發(fā)光層，將產自發(fā)光層的激子傳輸至摻雜體，從而發(fā)出具有高效率的光。這里，由于主體的波長是根據(jù)摻雜體的波長偏移，因此可以根據(jù)摻雜體的種類獲得具有預期波長的光。為了使有機發(fā)光器件完全表現(xiàn)出上述優(yōu)良特性，構成器件中有機材料層的如空穴注入材料、空穴傳輸材料、發(fā)光材料、電子傳輸材料和電子注入材料的材料應該主要由穩(wěn)定的和高效的材料組成。然而，還沒有完全開發(fā)出用于有機發(fā)光器件的穩(wěn)定且高效的有機材料層材料。因此，持續(xù)需要開發(fā)新材料。上述其它有機電子器件同樣需要開發(fā)這種材料。
發(fā)明內容技術問題因此，本發(fā)明人已經(jīng)合成了一種新的蒽衍生物，然后已經(jīng)發(fā)現(xiàn)當出以下效果提高的效率、更低的驅動電壓、延長的壽命和更高的穩(wěn)定性，因此完成了本發(fā)明。技術方案因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種新的蒽衍生物。本發(fā)明的另一目的是提供一種制備該蒽衍生物的方法。本發(fā)明的再一目的是提供一種使用該蒽衍生物的有機電子器件。有益效果根據(jù)本發(fā)明所述的蒽衍生物可以用作包括有機發(fā)光器件的有機電子器件中的空穴注入材料、空穴傳輸材料、電子注入材料、電子傳輸材料或者發(fā)光材料，并特別用作發(fā)光主體或者摻雜體，尤其是單獨用作綠光主體或者摻雜體。根據(jù)本發(fā)明所述的有機電子器件在效率、驅動電壓、壽命和穩(wěn)定性中均表現(xiàn)出優(yōu)良的特性。圖1為示例根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案所述的有機發(fā)光器件結構的圖具體實施方式本發(fā)明提供了一種由下式1表示的蒽衍生物:[式1]Y—X其中，Rl和R2各自獨立地為由選自由卣素、CN、N02、d-C2o烷基、dC20》克氧基、dC20》克基胺基、C！~C2(^克基口塞卩分基、C6C2o芳基p塞p分基、C2C20《連少?；?、C2—C20犬夾基、C3C加^^克基、C6C2Q芳基、N一i氘取代的C6C20芳基、C8C2。芳基鏈烯基、取代或未取代的硅烷基、取代或未取代的硼基團(borongroup)、取代或未取代的鍺基團(germaniumgroup),和取代或未取代的C5~C20雜環(huán)基組成的組中的至少之一取代或未取代的C6C2o芳基；由選自由鹵素、CN、N02、d~C20》克基、CtC20》克氧基、dC20》克基胺基、d—C2o》克石克基、G2~C加鏈烯基、C2C20炔基、C3C20環(huán)烷基、C6C20芳基、氘取代的C6C20芳基、取代或未取代的硅烷基、取代或未取代的硼基團、取代或未取代的鍺基團和取代或未取代的C5~C2o雜環(huán)基組成的組中的至少之一取代或未取代的C5~C20雜環(huán)基；或者C6~C20芳香環(huán)和C4~C20脂肪環(huán)的稠環(huán)基，X可以彼此相同或不同，并且各自獨立地為由選自由鹵素、CN、N02、d-C2。烷基、C廣C20烷氧基、C廣C20烷基胺基、dC2。烷基p塞口分基、C6C20芳基p塞卩分基、C2C2o《連》希基、C2—C2o丈夾基、C3~C20環(huán)烷基、C6C20芳基、氖取代的C6~C20芳基、取代或未取代的硅烷基、取代或未取代的硼基團、取代或未取代的鍺基團和取代或未取代的C5C2。雜環(huán)基組成的組中的至少之一取代或未取代的C6C2。亞芳基；或者由選自由鹵素、CN、N02、C,C2o烷基、C,-C2o烷氧基、C廣C2。烷基胺基、C廣C2Q烷硫基、C廣C2Q鏈烯基、C2C2。炔基、C3Qo環(huán)烷基、C6C20芳基、氘取代的C6-C2Q芳基、取代或未取代的硅烷基、取代或未取代的硼基團、取代或未取代的鍺基團和取代或未取代的c5~CM雜環(huán)基組成的組中的至少之一取代或未取代的二價CsC2。雜環(huán)基，Y為氫、氘、鹵素、CN、N02、C廣C2o烷基、C,C2。烷氧基、Ci~C2。烷基胺基、C6~C2。芳基胺基、C,~C2。烷硫基、c6~C2Q芳硫基、C！~C20》克基p塞p分基、C6~C20芳基p塞卩分基、C2C2o《連》希基、c2~c20炔基、C3C20環(huán)烷基、C6C20芳基、氘取代的C6C20芳基、取代或未取代的硅烷基、取代或未取代的硼基團、取代或未取代的鍺基團或取代或未取代的c5~c20雜環(huán)基，和Z為CN、N02、氘、dC2o;^石克基、C6C加芳石克基、C^Cm烷基噻吩基、C6~C20芳基噻吩基、C2~C2o鏈烯基、C2~C20炔基、C3~C20環(huán)烷基、取代或未取代的硅烷基、取代或未取代的硼基團或取代或未取代的鍺基團。在式l中，Rl和R2優(yōu)選各自獨立地為苯基、由取代或未取代的C廣C2o雜環(huán)基取代的苯基、d5-苯基、萘基、聯(lián)苯基、芴基、蒽基、并四苯基、并五苯基、三聯(lián)苯基、四氫化萘基、芪基、亞咔唑基、茈基、芘基、菲基、苯并[9,10]菲基、蓋基、吡咬基、聯(lián)p比咬基、咔唑基、苯硫基、喹啉基或異喹啉基，但不限于此。在式1中，X可以彼此相同或不同，并且優(yōu)選各自獨立地為亞苯基、由取代或未取代的C廣C20雜環(huán)基取代的亞苯基、氘取代的亞苯基、亞萘基、亞耳關笨基、亞藥基(fluorenylenegroup)、亞蒽基(anthracenylenegroup)、亞并四苯基(tetracenylenegroup)、亞并五苯基(pentacenylenegroup)、亞三聯(lián)苯基(terphenylenegroup)、四氫化亞萘基(tetralinylenegroup)、亞蔑基(stilbenylenegroup)、亞口卡口坐基(carbazolylenegroup)、亞芘基(perylenylenegroup)、亞芘基(pyrenylenegroup)、亞菲基(phenathrenylenegroup)、亞苯并[9,10]菲基(triphenylenylenegroup)、亞篇基、p比咬亞基(pyridylenegroup)、聯(lián)口比咬亞基(bipyridylenegroup)、口卡唑基、硫代亞苯基、喹啉亞基或異喹啉亞基，但不限于此。在式l中，Y優(yōu)選為氬、氘、氘取代的C6C2o芳基、取代或未取代的硅烷基、取代或未取代的硼基團或取代或未取代的鍺基團、取代或未取代的c5~c20雜環(huán)基或c6~c20芳基，但不限于此。在式1中，Z優(yōu)選為CN、N02、氘、取代或未取代的硅烷基或取代或未取代的鍺基團，但不限于此。在式1中，如R1、R2、X和Z含有不同的取代基，這些取代基可以選自由烷基、烷氧基、鏈烯基、芳基、芳基胺基、雜環(huán)基、硅烷基、硼基團、脂肪環(huán)基、氨基、腈基、硝基、卣素基團、酰胺基、酯基和醚基纟且成的纟且。根據(jù)本發(fā)明所述式1的蒽衍生物的具體實例如下所示，但不限于此。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>[化合物13][化合物14][化合物15][化合物16][化合物17][化合物18]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>[化合物19][化合物20][化合物21][化合物22][化合物23][化合物24]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>[化合物34][化合物35][化合物36][化合物31][化合物32][化合物33]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula>此外，本發(fā)明提供了一種制備由式1表示的蒽衍生物的方法。根據(jù)本發(fā)明所述的蒽衍生物可以通過二溴芳基化合物與芳基胺化合物在把催化劑存在下反應制備。所述芳基胺化合物優(yōu)選含有甲硅烷基、氘或鍺。根據(jù)本發(fā)明所述的式1的化合物可以在多步驟化學反應中合成。通過以下實施例的方式描述所述化合物的合成。如實施例中詳述，首先合成某些中間體化合物，然后由該中間體化合物制備式1的化合物。以下以化合物A~Q列出了一些例證性中間體化合物。在這些化合物中，"Br"可以被任何其它反應原子或官能基團取代。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula>[化合物G][化合物H][化合物I][化合物J][化合物K][化合物L]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula>此外，本發(fā)明提供一種使用式l化合物的有機電子器件,除了采用上述化合物形成一種或多種有機材料層以外，可以通過.器件。以下，將舉例說明所述有機發(fā)光器件。工上述本發(fā)明的化合物可以用作有機發(fā)光器件中的空穴注入材料、穴傳輸材料、電子注入材料、電子傳輸材料或發(fā)光材料，并特別單獨用作發(fā)光材料，以及與適合發(fā)光摻雜體的發(fā)光主體或與適合發(fā)光主體的發(fā)光摻雜體。在本發(fā)明的另一個實施方案中，該有機發(fā)光器件可為包含第一電極、第二電極和插在其間的有機材料層的結構，并且除了采用上述化合物形成有機發(fā)光器件中的至少一層有機材料層外，可以通過通常制備有機發(fā)光器件的方法和材料制備該器件。例如，通過采用如濺射法和電子束蒸發(fā)法的PVD(物理氣相沉積)法，將金屬、具有導電性的金屬氧化物或其合金在基板上沉積形成陽極；在該陽極上形成包含空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳本發(fā)明所述的有機發(fā)光器件。或者，通過在基板上依次沉積陰極材料、有機材料層和陽極材料可以制備有機發(fā)光器件。所述有機材料層可以具有包含空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層等的多層結構，但不限于此，并且可以具有單層結構。此外，采用多種聚合材料，通過如旋涂、浸涂、刮涂、絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷和熱轉錄法的溶劑法而不是沉積法可以制備具有少數(shù)幾層的有機材料層。所述陽極材料優(yōu)選具有大功函的材料，以l足進空穴通常注入到有銅、鋅和金的金屬，或者其合金；如氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)的金屬氧化物；如ZnO:Al和Sn02:Sb的金屬和氧化物的組合；如聚(3-甲基噻吩)、聚[3，4-(亞乙基-l，2-二氧基)噻吩(PEDT)、聚吡咯和聚苯胺，但不限于此。所述陰極材料優(yōu)選具有小功函的材料，以促進電子通常注入到有機材料層。該陰極材料的具體實例包括如鎂、鈣、鈉、鉀、鈦、銦、銥、鋰、禮、鋁、銀、錫和鉛的金屬，和其合金；以及如LiF/Al和Li02/Al的多層材料，但不限于此。所述空穴注入材料是在低電壓下促進空穴由陽極注入的材料。該空穴注入材;阡的HOMO(最高占有分子軌道)優(yōu)選介于陽極材料功函和其相鄰有機材料層的HOMO能級之間?？昭ㄗ⑷氩牧系木唧w實例包括金屬卟啉、低聚噻吩、芳基胺系的有機材料、六腈六氮雜苯并菲(hexanitrilehexaazatriphenylene)、壹吖咬酉同系的有機材料、茈系的有機材料、蒽醌和聚苯胺系及聚噻吩系的導電聚合物，但不限于此。所述空穴傳輸材料是具有高空穴遷移率、能將空穴由陽極或空穴注入層傳輸?shù)桨l(fā)光層的材料。其具體實例包括芳基胺系的有機材料、導電聚合物和具有共軛部分和非共軛部分的嵌段共聚物，但不限于此。所述發(fā)光材料是通過接受和重組來自空穴傳輸層的空穴和來自電子傳輸層的電子能夠發(fā)出可見光的材料，優(yōu)選具有熒光和磷光的高量子效率的材料。其具體實例包括8-輕基會啉鋁配合物(Alq3);呼唑系化合物；二聚苯乙烯化合物；BAlq;10-羥基苯并喹啉-金屬化合物；苯并噁唑、苯并p塞唑和笨并咪唑系的化合物；聚(對苯乙炔)(PPV)系的聚合物；螺環(huán)化合物；聚藥和紅焚烯化合物，但不限于此。適合的電子傳輸材料為具有高電子遷移率、能夠容易地由陰極接收電子然后將它們傳輸?shù)桨l(fā)光層的材料。其具體實例包括8-羥基喹啉鋁配合物；包括Alq3的配合物；有機自由基化合物；和羥基黃酮-金屬配合物，但不限于此。根據(jù)本發(fā)明所述的有機發(fā)光器件根據(jù)使用的材料可以為前面、后面，或只又面發(fā)光。依據(jù)與應用于有機發(fā)光器件類似的原則，根據(jù)本發(fā)明所述的化合物也可以用于包括有機太陽能電池、有機光電導體和有機晶體管的有機電子器件中。實施方式以下，為更好地理解本發(fā)明，提供了優(yōu)選實施例。同樣地，為舉例說明本發(fā)明提供實施例，但本發(fā)明的范圍不限于此。[制備實施例1]化合物A的制備將2,6-二氨基蒽醌(".8g，100mmol)分散在^wt。/。的溴化氫水溶液中。在-20。C下，將亞硝酸鈉(NaN02,14.1g，204mmol)緩慢加入到上述混合物中，其析出氮氣。當氣體析出結束后，在該混合物中緩慢加入溶于48wt。/。的溴化氬水溶液(63mL)的溴化銅(CuBr，29.5g,206mmol)和少量乙醇(50mL)。緩慢升高終混合物的溫度，然后緩慢回流該混合物。將該混合物冷卻至室溫并用水稀釋。通過抽吸過濾混合物中的沉淀物，用水洗滌，并在真空中干燥。將干燥的沉淀物溶解于氯仿中，經(jīng)硅月交過濾，并在減壓下濃縮。經(jīng)柱層析提純殘渣并由氯仿重結晶，獲得化合物A(10.0g,27%)。&畫R(300MHz,CDC13),8.44(d,J=2.1Hz,2H)，8.18(d，J-8.0Hz,2H),7.95(dd,J=2.1，8.0Hz,2H)。[制備實施例2]化合物B的制備在氮氣氛、室溫下，將2-溴聯(lián)苯(8.83mL,51.2mmol)溶解于無水四氫呋喃(THF,200mL)。將該溶液冷卻至-78。C，在-78。C將^k丁基鋰(60mL,1.7M戊烷溶液)緩慢加入該溶液中，并在相同的溫度下攪拌該終混合物大約40分鐘。然后，在相同的溫度下，將化合物A(7.50g,20.5mmol)加入到該混合物中。移除冰浴，并在室溫下攪拌該混合物大約15分鐘。然后，將該混合物加入到二乙醚(200mL)和2N鹽酸(200mL)中，并在室溫下攪拌大約40分鐘。用抽吸過濾沉淀物，并用水和乙醚洗滌。干燥生成物獲得化合物B(29.3g,85%)。[制備實施例3]化合物C的制備化合物B(4.00g,5.93mmol)、械化鉀(9.85g，59.3mmol)和次磷酸鈉水合物(104g，98.0mmo1)的混合物在乙酸(80mL)和鄰二氯苯(600mL)的混合液中回流。將終混合物冷卻至室溫。然后，用氯仿萃取該混合物，硫酸鎂千燥，并在減壓下濃縮。在氯仿中溶解濃縮的固體，將其通過硅膠，并在減壓下濃縮。在正己烷中分散該固體，攪拌并過濾，然后在真空下干燥獲得淡黃色的化合物C(3.30g,87%)。m.p.478.1°C;'H薩R(300MHz,CDC13)7.92(d，J二7.6Hz，4H),7.46(t,J=8.0Hz，4H),7.33(t，J=7.4Hz，4H),7.21(d，J=7.6Hz,4H),6.88(dd，J=2.1,8.6Hz,2H),6.47(d，J=2.1Hz，2H),6.22(d,J=8.6Hz,2H);MS(M+)=636;C3sH22Br2:C的分析理論值(Ana1.Calc'd.):C,71.50;H，3.47;Br，25.03。測得值(Found):C，71.90;H,3.40Br，25.7。[制備實施例4]化合物D的制備除使用2-溴代萘(10.6g，51.2mmol)代替2-溴聯(lián)苯(8.83mL,51,2mmol)外，進行同制備實施例2中相同的步驟以獲得化合物D(28.6g,90%)。[制備實施例5]化合物E的制備除使用化合物D(3.69g，5.93mmol)代替化合物B(4.00g,5.93mmol)夕卜，進行同制備實施例3中相同的步驟以獲得淡黃色的化合物E(2.96g，85%)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula>[制備實施例6]化合物F的制備在氮氣氛、室溫下，將二溴苯(20g，84.78mmol)溶解于無水四氫呋喃(THF,Z00mL)中。將上述溶液冷卻至-"78。C。在-8。C下將正丁基鋰(34mL，2.5M戊烷溶液)緩慢加入到該溶液中，并經(jīng)大約1小時將混合物的溫度緩慢升至0。C。將三曱基氯硅烷(13ml,101.74mmol)加入到該混合物中，并且經(jīng)1個多小時將該混合物的溫度升至常溫。確定反應完成后，由乙酸乙酯萃取、硫酸鎂干燥該混合物，并在減壓下蒸餾得到化合物F(18g,93%)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula>[制備實施例7]化合物G的制備將化合物F(15g，65.45mmol)、苯胺(6.6ml,72mmol)、pd(dba)2(0.125g，0.13mmol)、P(t-Bu)3(0.04g,0.2mmol)和^又丁醇鈉(1.80g，18.7mmol)加入到曱苯(200mL)中，并將該混合物回流大約3小時。反應完成后，將該混合物冷卻至室溫，并將反應混合物加入到THF和H20的混合物溶液中。有機層經(jīng)相分離，MgS04干燥，濃縮，然后由柱層析分離以獲得化合物G(15g，86%)。MS[M]二143[制備實施例8]化合物H的制備除使用l-萘胺(10.3g,72mmol)代替苯胺(6.6ml,72mmol)夕卜,進行同制備實施例7中相同的步驟以獲得化合物H(14.8g，78%)。MS岡=291[制備實施例9]化合物I的制備除使用4-氨基聯(lián)苯(10.3g，72mmol)代替苯胺(6.6ml,72mmol)外，進行同制備實施例7中相同的步驟以獲得化合物I(15.58g，75%)。MS網(wǎng)=317[制備實施例10]化合物J的制備除使用三曱基溴化鍺(trimethylgemmaniumbromide)(18ml,101.74mmol)代替三曱基氯硅烷(13ml,101.74mmol)外，進行同制備實施例6中相同的步驟以獲得化合物J(20g,90%)。MS[M]=273[制備實施例U]化合物K的制備除了使用化合物J(18g,65.45mmol)代替化合物F(15g,65,45mmol)外，采用同制備實施例7中相同的步驟以獲得化合物K(16g，85%)。MS[M]=286[制備實施例12]化合物L的制備除使用2-氨基萘(10.3g，72mmol)代替苯胺(6.6ml,72mmol)外，進行同制備實施例7中相同的步驟以獲得化合物L(14.8g，78%)。MS[M]=291[制備實施例13]化合物M的制備除使用化合物J(18g,65.45mmol)代替化合物F(15g，65.45mmol)，并使用1-氨基萘(10.3g,72mmol)代替苯胺(6.6ml,72mmol)外，進行同制備實施例7中相同的步驟以獲得化合物M(7.6g，80%)。MS網(wǎng)=336[制備實施例14]化合物N的制備除使用2-氨基萘(10.3g，72mmol)代替1-萘胺(10.3g,72mmol)外，進行同制備實施例13中相同的步驟以獲得化合物N(18g，820/。)。MS[M]=336[制備實施例15]化合物P的制備將化合物O(6.84ml,65.45mmol)、苯胺(6.6ml，72mmol)、pd(dba)2(0.125g,0.13mmol)、P(t-Bu)3(0.04g,0.2mmol)和叔丁醇鈉(1.80g,18.7mmol)加入到曱苯(200mL)中，并將該混合物回流大約3小時。反應完成后，將該混合物冷卻至室溫，并將反應混合物加入到THF和H20的混合溶液中。有機層經(jīng)相分離，MgS04千燥，濃縮，然后經(jīng)柱層析分離以獲得化合物P(9.23g，81%)。MS[M]=174[制備實施例16]化合物Q的制備除使用l-氨基萘(10.3g，72mmo1)代替苯胺(6.6ml,72mmol)夕卜，進行同制備實施例15中相同的步驟以獲得化合物Q(llg，750/0)。MS岡=224[實施例1]化合物1的制備將化合物C(5.4g,8.5mmol)、化合物G(4.92g,20.4mmol)、pd(dba)2(0'097g，0.17mmol)、P(t-Bu)3(0.05g，0.255mmol)和叔丁醇鈉(2.45g,25.5mmol)加入到曱苯(IOOmL)中,并將該混合物回流2小時。反應完成后，將該混合物冷卻至常溫，并將反應混合物加入到THF和H20的混合溶液中。有機層經(jīng)相分離，MgS04干燥，濃縮，然后經(jīng)柱層析分離以獲得化合物1(4.74g,58%)。MS[M〗=960[實施例2]化合物16的制備除4吏用化合物H(5.94g，20.4mmol)代替化合物G(4.92g，20.4mmol)外，進行同實施例1中相同的步驟以獲得化合物16(5.87g,65%)。MS岡=1060[實施例3]化合物25的制備除使用化合物I(6.5g,20.4mmol)代替化合物G(4.92g，20.4mmol)外，進行同實施l中相同的步驟以獲得化合物25(5.68g,600/。)。MS岡=1112[實施例4]化合物3的制備除使用化合物E(5.0g，8.5mmol)代替化合物C(5.4g,8.5mmol)外，進行同實施例1中相同的步驟以獲得化合物3(5.02g,65%)。MS岡=910[實施例5]化合物13的制備除使用化合物E(5.0g，8.5mmol)代替化合物C(5.4g，8.5mmol)外，進行同實施例1相同的步驟以獲得化合物13(6.0g,70%)。MS[M]=1008[實施例6]化合物21的制備除使用化合物E(5.0g,8.5mmol)代替化合物C(5.4g,8.5mmol)，并使用化合物I(6.48g，20.4mmol)代替化合物G(4.92g,20.4mmol)外，進行同實施例1中相同的步驟以獲得化合物21(5.77g,64%)。MS[M]=1060[實施例7]化合物29的制備除使用化合物E(5.0g,8.5mmol)代替化合物C(5.4g，8.5mmol)，并使用化合物K(5.83g，20.4mmol)代替化合物G(4.92g,20.4mmol)外，進行同實施例1中相同的步驟以獲得化合物29(4.84§,57%)。MS[M]=998[實施例8]化合物30的制備34除使用化合物E(5.0g，8.5mmol)代替化合物C(5.4g，8.5mmol),并使用化合物M(6.85g,20.4mmol)代替化合物G(4.92g,20.4mmol)外，進行同實施例1中相同的步驟以獲得化合物30(4.67g,50%)。MS[M]=1098[實施例9]化合物38的制備除使用化合物E(5.0g，8.5mmol)代替化合物C(5.4g,8.5mmol)，并使用化合物L(5.94g,20.4mmol)代替化合物G(4.92g，20.4mmol)外，進行同實施例1中相同的步驟以獲得化合物38(4.98g，580/0)。MS[M]=1008[實施例10]化合物39的制備除使用化合物E(5.0g,8,5mmol)代替化合物C(5.4g,8.5mmol)，并4吏用化合物N(6.85g,20.4mmol)代一務化合物G(4.92g，20.4mmol)外，進行同實施1中相同的步驟以獲得化合物39(5.79g,62%)。MS[M]=1098[實施例11]化合物40的制備將化合物E(5.0g，8.5mmol)、化合物P(3.55g,20.4mmol)、pd(dba)2(0.097g，0.17mmol)、P(t-Bu)3(0.05g,0.255mmol)和A又丁醇鈉(2.45g,25.5mmol)加入到甲苯(100mL)中，并將該混合物回流2小時。反應完成后，將該混合物冷卻至常溫，并將反應混合物加入到THF和H20的混合溶液中。有機層經(jīng)相分離，MgS04干燥，濃縮，然后經(jīng)柱層析分離以獲得化合物40(4.08g，62%)。MS網(wǎng)=774[實施例12]化合物41的制備將化合物E(5.0g,8.5mmol)、化合物Q(4.57g,20.4mmol)、pd(dba)2(0.097g,0.17mmol)、P(t-Bu)3(0.05g,0.255mmol)和叔丁醇鈉(2.45g，25.5mmol)加入到甲笨(IOOmL)中，并將該混合物回流大約2小時。反應完成后，將該混合物冷卻至常溫，并將反應混合物加入到THF和H20的混合溶液中。有機層經(jīng)相分離，MgS04干燥，濃縮，然后經(jīng)柱層析分離以獲得化合物41(4.31g,58%)。MS岡=874[實驗實施例1]將其上涂布有厚度為1,000A的ITO(氧化銦錫)薄膜的玻璃基板(康寧7059玻璃)浸入其中溶解有洗滌劑的蒸餾水中以使用超聲波洗滌該基板。這里使用的洗滌劑是Fisher公司市售可得的產品，并且通過使用Millipore公司市售可得的過濾器過濾兩次的蒸餾水。洗滌ITO30分鐘，然后使用蒸餾水用10分鐘重復兩次超聲波洗滌。使用蒸餾水洗滌完成后，通過采用作為溶劑的異丙醇、丙酮和曱醇以此順序進行超聲波洗涂，然后進行干燥。將上述基板送入等離子清洗機。使用氧等離子體洗滌該基板5分鐘，然后將其送入真空沉積機。將3,6-雙-2-萘基苯基氨基-N-[4-(2-萘基笨基)氨基苯基]呼唑(800A)、A扎雙[N-(l-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(NPB)(300A)和在實施例1中制備的化合物1與下述的化合物R(300A)—起依次沉積在ITO電極上，然后通過熱真空沉積將9,10-雙-2-萘基-2-[4-(N-苯基苯并咪唑基)苯基]蒽(300A)涂布在上述電極上，從而依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層。依次在上述電子傳輸層上沉積氟化鋰(LiF)和鋁分別達到12A和2,000A的厚度，以形成陰極，從而獲得有機發(fā)光器件。在上述步驟中，有機材料、氟化鋰和鋁在陰極上的沉積率分別保持在0.40.7A/sec、0.3A/sec和2A/sec。在沉積時真空度保持在2x10一75xlO一s托。當對上述制備的有機發(fā)光器件施加8.0V的正向電場時，觀察到在100mA/口的電流密度下的18.1cd/A綠色發(fā)光，基于1931C正色坐標其x=0.31并且y=0.64?！?〉:、M一廠、〉'[化合物RJ[實驗實施例2]除了使用化合物3代替化合物1夕卜，進行同實驗實施例1中相同的步驟以制備有機發(fā)光器件。當對上述制備的有機發(fā)光器件施加8.5V的正向電場時，觀察到在100mA/口的電流密度下的18.5cd/A綠色發(fā)光，基于1931C正色坐標其x=0.32并且y=0.65。[實驗實施例3]除使用化合物13代替化合物l外，進行同實驗實施例l相同的步驟以制備有機發(fā)光器件。當對上述制備的有機發(fā)光器件施加8.7V的正向電場時，觀察到在100mA/口的電流密度下的18.1cd/A綠色發(fā)光，基于1931C正色坐標其x=0.33并且y=0.65。[實驗實施例4]除使用化合物16代替化合物1外，進行同實驗實施例1相同的步驟以制備有機發(fā)光器件。當對上述制備的有機發(fā)光器件施加8.9V的正向電場時，觀察到在100mA/口的電流密度下的18.5cd/A綠色發(fā)光，基于1931C正色坐標其x=0.33并且y=0.65。[實驗實施例5]除使用化合物21代替化合物1外，進行同實驗實施例1相同的步驟以制備有機發(fā)光器件。當對上述制備的有機發(fā)光器件施加9.4V的正向電場時，觀察到在100mA/口的電流密度下的17.8cd/A綠色發(fā)光，基于1931CIE色坐標其x=0.33并且y=0.64。[實驗實施例6〗除使用化合物25代替化合物1外，進行同實驗實施例1相同的步驟以制備有機發(fā)光器件。當對上述制備的有機發(fā)光器件施加9.6V的正向電場時，觀察到在100mA/口的電流密度下的17.9cd/A綠色發(fā)光，基于1931C正色坐標其x=0.32并且y=0.65。[實—瞼實施例7]除使用化合物29代替化合物1外，進行同實驗實施例1相同的步驟以制備有機發(fā)光器件。當對上述制備的有機發(fā)光器件施加9.0V的正向電場時，觀察到在100mA/口的電流密度下的18.0cd/A綠色發(fā)光，基于1931C正色坐標其x=0.32并且y=0.63。[實驗實施例8]除使用化合物30代替化合物1外，進行同實驗實施例1相同的步驟以制備有機發(fā)光器件。39當對上述制備的有機發(fā)光器件施加9.1V的正向電場時，觀察到在100mA/口的電流密度下的18.2cd/A綠色發(fā)光，基于1931C正色坐標其x=0.33并且y=0.64。[實'驗實施例9]除使用化合物38代替化合物1外，進行同實驗實施例1相同的步驟以制備有機發(fā)光器件。當對上述制備的有機發(fā)光器件施加9.4V的正向電場時，觀察到在100mA/口的電流密度下的18.3cd/A綠色發(fā)光，基于1931CIE色坐標其x=0.35并且y=0.66。[實馬企實施例10]除使用化合物39代替化合物1外，進行同實驗實施例1相同的步驟以制備有機發(fā)光器件。當對上述制備的有機發(fā)光器件施加9.5V的正向電場時，觀察到在100mA/口的電流密度下的18.4cd/A綠色發(fā)光，基于1931CIE色坐標其x=0.35并且y=0.67。權利要求1、一種由下式1表示的蒽衍生物[式1]其中，R1和R2各自獨立地為由選自由鹵素、CN、NO2、C1～C20烷基、C1～C20烷氧基、C1～C20烷基胺基、C1～C20烷基噻吩基、C6～C20芳基噻吩基、C2～C20鏈烯基、C2～C20炔基、C3～C20環(huán)烷基、C6～C20芳基、氘取代的C6～C20芳基、C8～C20芳基鏈烯基、取代或未取代的硅烷基、取代或未取代的硼基團、取代或未取代的鍺基團和取代或未取代的C5～C20雜環(huán)基組成的組中的至少之一取代或未取代的C6～C20芳基；由選自由鹵素、CN、NO2、C1～C20烷基、C1～C20烷氧基、C1～C20烷基胺基、C1～C20烷硫基、C2～C20鏈烯基、C2～C20炔基、C3～C20環(huán)烷基、C6～C20芳基、氘取代的C6～C20芳基、取代或未取代的硅烷基、取代或未取代的硼基團、取代或未取代的鍺基團和取代或未取代的C5～C20雜環(huán)基組成的組中的至少之一取代或未取代的C5～C20雜環(huán)基；或者C6～C20芳香環(huán)和C4～C20脂肪環(huán)的稠環(huán)基，X可以彼此相同或不同，并且各自獨立地為由選自由鹵素、CN、NO2、C1～C20烷基、C1～C20烷氧基、C1～C20烷基胺基、C1～C20烷基噻吩基、C6～C20芳基噻吩基、C2～C20鏈烯基、C2～C20炔基、C3～C20環(huán)烷基、C6～C20芳基、氘取代的C6～C20芳基、取代或未取代的硅烷基、取代或未取代的硼基團、取代或未取代的鍺基團和取代或未取代的C5～C20雜環(huán)基組成的組中的至少之一取代或未取代的C6～C20亞芳基；或者由選自由鹵素、CN、NO2、C1～C20烷基、C1～C20烷氧基、C1～C20烷基胺基、C1～C20烷硫基、C2～C20鏈烯基、C2～C20炔基、C3～C20環(huán)烷基、C6～C20芳基、氘取代的C6～C20芳基、取代或未取代的硅烷基、取代或未取代的硼基、取代或未取代的鍺基，和取代或未取代的C5～C20雜環(huán)基組成的組中的至少之一取代或未取代的二價C5～C20雜環(huán)基，Y為氫、氘、鹵素、CN、NO2、C1～C20烷基、C1～C20烷氧基、C1～C20烷基胺基、C6～C20芳基胺基、C1～C20烷硫基、C6～C20芳硫基、C1～C20烷基噻吩基、C6～C20芳基噻吩基、C2～C20鏈烯基、C2～C20炔基、C3～C20環(huán)烷基、C6～C20芳基、氘取代的C6～C20芳基、取代或未取代的硅烷基、取代或未取代的硼基團、取代或未取代的鍺基團或者取代或未取代的C5～C20雜環(huán)基，和Z為CN、NO2、氘、C1～C20烷硫基、C6～C20芳硫基、C1～C20烷基噻吩基、C6～C20芳基噻吩基、C2～C20鏈烯基、C2～C20炔基、C3～C20環(huán)烷基、取代或未取代的硅烷基、取代或未取代的硼基團或者取代或未取代的鍺基團。2、根據(jù)權利要求1所述的蒽衍生物，其中，式1中的Rl和R2各自獨立地為苯基、由取代或未取代的C5C20雜環(huán)基取代的苯基、d5-苯基、萘基、聯(lián)苯基、芴基、蒽基、并四苯基、并五苯基、三聯(lián)苯基、四氫化萘基、芪基、亞咔唑基、茈基、芘基、菲基、苯并[9，10]菲基、窟基、p比咬基、聯(lián)吡咬基、咔唑基、苯硫基、喹啉基或者異喹啉基。3、根據(jù)權利要求1所述的蒽衍生物，其中，式1中的X可以彼此相同或不同，并且各自獨立地為亞苯基、由取代或未取代的C5~C20雜環(huán)基取代的亞苯基、氖取代的亞苯基、亞萘基、亞聯(lián)苯基、亞藥基、亞蒽基、亞并四苯基、亞并五苯基、亞三聯(lián)苯基、四氫化亞萘基、亞芪基、亞咔唑基、亞茈基、亞芘基、亞菲基、亞苯并[9，10]菲基、亞篇基、吡啶亞基、聯(lián)吡啶亞基、呼唑基、硫代亞苯基、喹啉亞基或者異奮啉亞基。4、根據(jù)權利要求1所述的蒽衍生物，其中，式1中的Y為氫、氘、氖取代的C6C20芳基、取代或未取代的硅烷基、取代或未取代的硼基團、取代或未取代的鍺基團、取代或未取代的C5~C20雜環(huán)基或者C6~C20芳基。5、根據(jù)權利要求1所述的蒽衍生物，其中，式1中的Z為CN、N02、氘、取代或未取代的硅烷基或者取代或未取代的鍺基團。6、根據(jù)權利要求1所述的蒽衍生物，其中，由式l表示的化合物選自由以下結構式組成的組[化合物7][化合物8][化合物9]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula><table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table><formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>7、一種制備由式l表示的蒽衍生物的方法，所述方法包括在鈀催化劑存在下使二溴芳基化合物與芳基胺化合物反應的步驟。8、根據(jù)權利要求7所述的制備由式1表示的蒽衍生物的方法，其中，所述芳基胺化合物包含曱硅烷基、氘或鍺基團。9、一種有機電子器件，其包括第一電極、第二電極和插在其之間的一層或多層有機材料層，其中，至少一層有機材料層含有權利要求1~6中任一項所述的蒽衍生物。10、根據(jù)權利要求9所述的有機電子器件，其中，所述有機材料層包括空穴注入層、空穴傳輸層以及空穴注入和空穴傳輸中的至少一層，并且所述層中的一層含有根據(jù)權利要求1~6中任一項所述的蒽衍生物。11、根據(jù)權利要求9所述的有機電子器件，其中，所述有機材料層包括發(fā)光層，并且該發(fā)光層含有根據(jù)權利要求1~6中任一項所述的蒽衍生物。12、根據(jù)權利要求9所述的有機電子器件，其中，所述有機材料層包括電子傳輸層，并且該電子傳輸層含有根據(jù)權利要求1~6中任一項所述的蒽衍生物。13、根據(jù)權利要求9所述的有機電子器件，其中，所述有機電子器件選自由有機發(fā)光器件、有機太陽能電池、有機光電導體(OPC)和有機晶體管組成的組。全文摘要本發(fā)明涉及一種新的蒽衍生物、其制備方法以及使用該蒽衍生物的有機電子器件。根據(jù)本發(fā)明所述的蒽衍生物可用作包括有機發(fā)光器件的有機電子器件中的空穴注入材料、空穴傳輸材料、電子注入材料、電子傳輸材料或發(fā)光材料，尤其是用作發(fā)光主體或摻雜體，特別是單獨用作綠光主體或摻雜體。根據(jù)本發(fā)明所述的有機電子器件在效率、驅動電壓、壽命和穩(wěn)定性方面均表現(xiàn)出優(yōu)良的特性。文檔編號C07C211/54GK101331111SQ200780000746公開日2008年12月24日申請日期2007年3月15日優(yōu)先權日2006年3月15日發(fā)明者張惠榮,樸胎潤,李大雄,李載澈,洪性佶,鄭棟燮,金公謙,金淵煥,金芝垠申請人:Lg化學株式會社