碲化鎘納米線的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及碲化鎘納米線材料的制備領(lǐng)域，具體地，涉及碲化鎘納米線的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著材料制備技術(shù)的發(fā)展，人們可以將若干半導(dǎo)體納米材料制成多維結(jié)構(gòu)。若空間維度中有兩個(gè)維度的尺寸都在10nm以下，就稱之為一維半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)。與相應(yīng)的零維納米材料相比，一維的納米材料因其在空間二維的量子限域效應(yīng)的不同，會(huì)顯示出更好的光電性能、磁性、極高的力學(xué)韌性，更高的發(fā)光效率，較強(qiáng)的熱電性能以及較低的激光發(fā)射閾值及單電子效應(yīng)等獨(dú)特的性能，其應(yīng)用也更加廣泛。通常，一維納米材料是研究電子輸運(yùn)和力學(xué)參數(shù)尺寸與維度依賴的理想研究體系，同時(shí)也可以作為納米連接以及功能組元在納米電子、光學(xué)器件中發(fā)揮核心作用。
[0003]而零維的碲化鎘需要組裝成為一維的納米線主要是由氣相、液相或者固相形成固態(tài)晶體來(lái)演化的。目前，制備碲化鎘相關(guān)納米線的方法主要有三類:氣相法、液相法和模板法。一般來(lái)說(shuō)，模板法是選用具有特定結(jié)構(gòu)的物質(zhì)作為模板，來(lái)引導(dǎo)納米材料的制備和組裝。其中，自組裝因其簡(jiǎn)單、低耗、易操作以及多功能性等優(yōu)勢(shì)日益引起人們的極大興趣。當(dāng)前，自組裝制備碲化鎘相關(guān)納米線過(guò)程中或操作復(fù)雜耗時(shí)、或產(chǎn)率不高、或同時(shí)需要大型儀器作輔助，使得制備難度加大而且成本很高，對(duì)納米線的高產(chǎn)率制備有一定的影響。
[0004]因此，提供一種制備簡(jiǎn)單，且產(chǎn)率較高，能快速且高效地自組裝成一維的碲化鎘納米線的碲化鎘納米線的制備方法是本發(fā)明亟需解決的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中常規(guī)采用自組裝制備碲化鎘相關(guān)納米線的過(guò)程或操作復(fù)雜耗時(shí)、或產(chǎn)率不高、或同時(shí)需要大型儀器作輔助，使得制備難度加大而且成本很高，對(duì)納米線的高產(chǎn)率制備有一定的影響的問(wèn)題，從而提供一種制備簡(jiǎn)單，且產(chǎn)率較高，能快速且高效地自組裝成一維的碲化鎘納米線的碲化鎘納米線的制備方法。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種碲化鎘納米線的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括:在乙醇、對(duì)苯二甲醛和水存在的條件下，將巰基乙酸修飾的碲化鎘量子點(diǎn)進(jìn)行回流，制得碲化鎘納米線。
[0007]通過(guò)上述技術(shù)方案，本發(fā)明在乙醇、對(duì)苯二甲醛和水存在的條件下，將經(jīng)過(guò)巰基乙酸修飾的碲化鎘量子點(diǎn)直接進(jìn)行回流操作，即可得到產(chǎn)率較高的碲化鎘納米線，從而大大降低了制備的難度，在保證其產(chǎn)率的前提下，大大降低操作的難度，進(jìn)而通過(guò)上述方式實(shí)現(xiàn)了制備簡(jiǎn)單，且產(chǎn)率較高，能快速且高效地自組裝成一維的碲化鎘納米線的效果。
[0008]本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的【具體實(shí)施方式】部分予以詳細(xì)說(shuō)明。
【附圖說(shuō)明】
[0009]附圖是用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分，與下面的【具體實(shí)施方式】一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中:
[0010]圖1是實(shí)施例1制得的巰基乙酸修飾的碲化鎘量子點(diǎn)的透射電鏡圖；
[0011 ] 圖2是實(shí)施例1制得的碲化鎘納米線的掃描電鏡圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]以下對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的【具體實(shí)施方式】?jī)H用于說(shuō)明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0013]本發(fā)明提供了一種碲化鎘納米線的制備方法，其中，所述制備方法包括:在乙醇、對(duì)苯二甲醛和水存在的條件下，將巰基乙酸修飾的碲化鎘量子點(diǎn)進(jìn)行回流，制得碲化鎘納米線。
[0014]上述制備方式在乙醇、對(duì)苯二甲醛和水存在的條件下，將經(jīng)過(guò)巰基乙酸修飾的碲化鎘量子點(diǎn)直接進(jìn)行回流操作，即可得到產(chǎn)率較高的碲化鎘納米線，從而大大降低了制備的難度，在保證其產(chǎn)率的前提下，大大降低操作的難度，進(jìn)而通過(guò)上述方式實(shí)現(xiàn)了制備簡(jiǎn)單，且產(chǎn)率較高，能快速且高效地自組裝成一維的碲化鎘納米線的效果。
[0015]所述碲化鎘量子點(diǎn)可以按照本領(lǐng)域常規(guī)使用的方式進(jìn)行制備，例如，在本發(fā)明的一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，為了使制得的碲化鎘量子點(diǎn)的產(chǎn)率較高，所述制備方法還可以包括:在pH為10.95-11.05的條件下，將碲源、高氯酸鉻和巰基乙酸于水中進(jìn)行接觸反應(yīng)制得所述巰基乙酸修飾的碲化鎘量子點(diǎn)。
[0016]所述碲源可以為本領(lǐng)域常規(guī)使用的碲源類型，例如，在本發(fā)明的一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述碲源可以為碲氫化鈉溶液和/或碲化氫。當(dāng)然，在本領(lǐng)域中使用的其他類型的碲源在此也可使用，不一一舉例說(shuō)明。
[0017]為了在得到相同產(chǎn)量的巰基乙酸修飾的碲化鎘量子點(diǎn)的情況下盡可能減小原料的用量，使得各原料之間的反應(yīng)更為完全，在本發(fā)明的一種更為優(yōu)選的實(shí)施方式中，相對(duì)于Imol的高氯酸鉻，所述巰基乙酸的用量2.10-2.30，mol，所述碲源的用量為0.45-0.55mol0當(dāng)然，這里碲源、高氯酸鉻和巰基乙酸進(jìn)行接觸反應(yīng)所用到的水的量可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行調(diào)節(jié)，只要保證上述物質(zhì)在水中能夠充分反應(yīng)即可。
[0018]為了在保證碲化鎘納米線的產(chǎn)量的前提下盡可能減少原料的用量，在本發(fā)明的一種更為優(yōu)選的實(shí)施方式中，相對(duì)于ImL的巰基乙酸修飾的碲化鎘量子點(diǎn)，所述乙醇的用量為3-5mL，所述對(duì)苯二甲醛的用量為1.5-3mgo同樣地，這里的水只要保證可以使水中的其他物質(zhì)充分接觸反應(yīng)即可，水的用量可以根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員的實(shí)際操作進(jìn)行調(diào)節(jié)，因而不針對(duì)具體用量作進(jìn)一步限定。
[0019]所述回流過(guò)程可以按照本領(lǐng)域常規(guī)的回流方式進(jìn)行操作，所述回流過(guò)程的條件可以按照本領(lǐng)域常規(guī)方式選擇，例如，在本發(fā)明的一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，為了使反應(yīng)速率更高且反應(yīng)產(chǎn)率更高，所述回流過(guò)程的反應(yīng)條件可以進(jìn)一步限定為65-75°C，反應(yīng)時(shí)間進(jìn)一步限定為6-10min。
[0020]為了盡可能避免在反應(yīng)過(guò)程中引入新的雜質(zhì)，在本發(fā)明的一種更為優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述回流過(guò)程可以進(jìn)一步選擇為置于惰性氣體存在的條件下進(jìn)行。
[0021]為了使最終制得的碲化鎘納米線的純度更高，在本發(fā)明的一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述制備方法還可以包括將第一回流后制得的粗制碲化鎘納米線離心后取沉淀，得到碲化鎘納米線。
[0022]所述離心過(guò)程可以按照本領(lǐng)域常規(guī)采用的離心操作進(jìn)行操作，例如，在本發(fā)明的一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，為了保證盡可能離心完全，且更好地節(jié)約制備成本，所述離心過(guò)程可以進(jìn)一步選擇為轉(zhuǎn)速為8000-12000r/min，離心時(shí)間可以限定為8_15min。
[0023]所述接觸反應(yīng)的反應(yīng)條件可以按照本領(lǐng)域常規(guī)接觸反應(yīng)的操作方法進(jìn)行操作，操作條件可以不作進(jìn)一步限定，任何環(huán)境下均可進(jìn)行，當(dāng)然，為了使制得的巰