技術(shù)特征：

1.一種用十二烷基三乙氧基硅烷制備疏水SiO₂增透膜的方法，其特征在于，用十二烷基三乙氧基硅烷與正硅酸乙酯雜化來制備疏水的SiO₂增透膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用十二烷基三乙氧基硅烷制備疏水SiO₂增透膜的方法，其特征在于，具體步驟如下：

（1）雜化溶膠的制備：將正硅酸乙酯、十二烷基三乙氧基硅烷、無水乙醇和氨水按質(zhì)量比11.0-15.6：1-8：130-200：3.6-6.6混合加入到密閉的玻璃容器中，先在25-50℃攪拌0.5-12 h，然后在20-40℃陳化3-30天；

（2）在環(huán)境相對(duì)濕度為20%以下，采用浸漬-提拉法在清洗干凈的基片上鍍膜，所得的膜層即為疏水的SiO₂增透膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用十二烷基三乙氧基硅烷制備疏水SiO₂增透膜的方法，其特征在于，正硅酸乙酯：十二烷基三乙氧基硅烷：無水乙醇：氨水質(zhì)量比為13： 3.45：130：3.6。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用十二烷基三乙氧基硅烷制備疏水SiO₂增透膜的方法，其特征在于，攪拌的溫度為30℃，時(shí)間為2 h。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用十二烷基三乙氧基硅烷制備疏水SiO₂增透膜的方法，其特征在于，混合溶膠的恒溫陳化時(shí)間為6天。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用十二烷基三乙氧基硅烷制備疏水SiO₂增透膜的方法，其特征在于，混合溶膠的陳化溫度為25℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用十二烷基三乙氧基硅烷之別疏水的SiO₂增透膜的方法，其特征在于，鍍膜的環(huán)境相對(duì)濕度為20%。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用十二烷基三乙氧基硅烷制備疏水的SiO₂增透膜的方法，其特征在于，鍍膜的提拉速度為50-200 mm/min。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的用十二烷基三乙氧基硅烷制備疏水的SiO₂增透膜的方法，其特征在于，所述十二烷基三乙氧基硅烷為正十二烷基三乙氧基硅烷。