技術(shù)特征：

1.In₂O₃多面體微米晶的制備方法，其特征是用化學(xué)氣相沉積技術(shù)制備In₂O₃多面體微米顆粒的方法，首先將300mg高純In₂O₃粉末和150mg碳粉在研缽中碾磨10±5min，使二者充分混合；然后將混合物放入化學(xué)氣相沉積管中，在混合物后1.5cm處放置表面有厚10-50nm Au膜的Si片，作為收集樣品的襯底；最后，沉積管中通入98％的Ar氣和2％的O₂氣體作為載氣，按照設(shè)定的920-1000℃溫度反應(yīng)3±1h，待冷卻至室溫，取出Si襯底，在其表面處得到In₂O₃多面體微米顆粒。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的In₂O₃多面體微米晶的制備方法，其特征是在瑪瑙研缽中研磨10min，使其直徑在10μm左右，然后均勻鋪在氧化鋁舟中；將此氧化鋁舟放入水平CVD爐管中；在反應(yīng)過程中載氣為高純的氬氣按體積比98％和氧氣2％的混合氣體，流量為150sccm；將鍍有Au膜的Si襯底放在距離氧化鋁舟1.5cm處，并同時放入內(nèi)徑為1.6cm的小石英管中，再一起放入CVD爐管中；在多面體狀I(lǐng)n₂O₃微米顆粒生長過程，爐溫分別以50℃/min的升溫速度分別加熱至920、940、960、980和1000℃并保持3h，氣壓始終保持在一個標(biāo)準(zhǔn)大氣壓；在上述相應(yīng)的生長溫度條件下，In₂O₃微米顆粒的形貌分別是八面體、截頂八面體、立方八面體、截頂立方體和立方體。

3.權(quán)利要求1或2所述的In₂O₃多面體微米晶在制備高效穩(wěn)定光電化學(xué)水分解電極中的應(yīng)用。