技術(shù)編號：11819625
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬化學(xué)氣相沉積制備法范疇，涉及一種精確調(diào)控In2O3微米晶形貌的方法與應(yīng)用。背景技術(shù)無機功能半導(dǎo)體材料所暴露的特定晶面因展現(xiàn)出奇特的物理、化學(xué)性質(zhì)而備受關(guān)注，且在光催化、染料敏化電池、氣體探測和鋰離子電池等領(lǐng)域具有巨大的潛在應(yīng)用價值。合成具有高比例暴露特定晶面的微納米功能材料正逐漸成為微納米材料制備技術(shù)的研究熱點之一。在光電催化領(lǐng)域，具有不同表面原子排布的晶面不僅具有不同的催化活性位點，而且能改變半導(dǎo)體/電解液界面結(jié)的勢壘高度，從而導(dǎo)致不同的光電化催化活性。近期，大連化學(xué)物理研究所李燦等人...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。