技術(shù)總結(jié)
制造硅晶片的方法，其包括下列步驟：安裝用于剝落的浮區(qū)硅工件，為微波裝置供能來產(chǎn)生足以穿透所述浮區(qū)硅工件外表面層的能量束，用所述能量束剝落所述浮區(qū)硅工件的所述外表面層，和從所述浮區(qū)硅工件除去所述剝落的外表面層作為厚度小于100微米的硅晶片。

技術(shù)研發(fā)人員：A·X·雅庫博;J·B·羅森茨威格;M·S·格爾斯基
受保護(hù)的技術(shù)使用者：雷頓太陽能股份有限公司
文檔號碼：201580015272
技術(shù)研發(fā)日：2015.02.18
技術(shù)公布日：2016.11.16