1.制造硅晶片的方法，其包含步驟：
安裝用于剝落的浮區(qū)硅工件；
為微波裝置供能來產(chǎn)生足以穿透所述浮區(qū)硅工件外表面層的能量束；
用所述能量束剝落所述浮區(qū)硅工件的所述外表面層；和
從所述浮區(qū)硅工件除去所述剝落的外表面層，作為厚度小于100微米的硅晶片。
2.權(quán)利要求1的方法，其中所述浮區(qū)硅工件包含厚度為160-600微米的預(yù)切的浮區(qū)硅工件。
3.權(quán)利要求1的方法，其中所述浮區(qū)硅工件包括小于1015氧原子/立方厘米的氧含量。
4.權(quán)利要求1的方法，其中所述硅晶片包含2-70微米的厚度。
5.權(quán)利要求1的方法，其中所述硅晶片包含4-20微米的厚度。
6.權(quán)利要求1的方法，其中所述能量束包含大約5x1014-5x1016離子/cm2的注入密度。
7.權(quán)利要求1的方法，其包括將所述硅晶片切割成多個硅晶片的步驟。
8.權(quán)利要求7的方法，其包括將所述多個硅晶片的每個沿著傳送機移動的步驟。
9.權(quán)利要求1的方法，其中所述硅晶片包含正方形硅晶片。
10.權(quán)利要求1的方法，其中所述微波裝置包含速調(diào)管，用于產(chǎn)生包含離子束或者質(zhì)子束的能量束。
11.權(quán)利要求1的方法，其中所述能量束包含大約與所述浮區(qū)硅工件的寬度相同的寬度。
12.權(quán)利要求11的方法，其中所述能量束相對于所述浮區(qū)硅工件移動。
13.權(quán)利要求1的方法，其中所述浮區(qū)硅工件包含矩形形狀。
14.制造硅晶片的方法，其包含下列步驟：
安裝浮區(qū)硅工件，所述浮區(qū)硅工件包含小于1015氧原子/立方厘米的氧含量；
為微波裝置供能，來產(chǎn)生包含注入密度大約5x1014-5x1016離子/cm2的能量束，用于穿透所述浮區(qū)硅工件的外表面層；
用所述能量束剝落所述浮區(qū)硅工件的所述外表面層；和
從所述浮區(qū)硅工件除去所述剝落的外表面層，作為厚度小于100微米的硅晶片。
15.權(quán)利要求14的方法，其中所述浮區(qū)硅工件包含厚度為160-600微米的預(yù)切的浮區(qū)硅工件。
16.權(quán)利要求14的方法，其中所述硅晶片包含4-20微米的厚度。
17.權(quán)利要求14的方法，其包括將所述硅晶片切割成多個硅晶片和將所述多個硅晶片的每個沿著傳送機移動的步驟。
18.權(quán)利要求14的方法，其中所述硅晶片包含厚度2-70微米的正方形硅晶片。
19.權(quán)利要求14的方法，其中所述微波裝置包含速調(diào)管，用于產(chǎn)生包含離子束或者質(zhì)子束的能量束，其中所述能量束相對于所述浮區(qū)硅工件移動。
20.權(quán)利要求14的方法，其中所述能量束包含大約與矩形浮區(qū)硅工件的寬度相同的寬度。
21.制造多個硅晶片的方法，其包含下列步驟：
安裝預(yù)切的浮區(qū)硅工件，所述預(yù)切的浮區(qū)硅工件包含小于1015氧原子/立方厘米的氧含量和160-600微米的厚度；
為微波裝置供能來產(chǎn)生足以穿透所述浮區(qū)硅工件的外表面層的能量束；
用所述能量束剝落所述浮區(qū)硅工件的所述外表面層，其中所述能量束相對于所述浮區(qū)硅工件移動；
從所述浮區(qū)硅工件除去所述剝落的外表面層，作為包含厚度2-70微米的硅晶片；
將所述硅晶片切割成多個硅晶片；和
將所述多個硅晶片的每個沿著傳送機移動。
22.由浮區(qū)硅工件來制造多個硅晶片的設(shè)備，其包含：
裝配臺，用于選擇性接收和保持具有剝落表面的浮區(qū)硅工件；
微波，用于產(chǎn)生包含大約5x1014-5x1016離子/cm2的注入密度的能量束，所述微波相對于所述裝配臺布置以在剝落表面方向上發(fā)射能量束，其中所述微波和浮區(qū)硅工件的相對移動從所述剝落表面上剝落了包含小于100微米厚度的硅晶片；和
傳送機，用于將從剝落表面上剝落的所述多個硅晶片的每個縱向帶離所述浮區(qū)硅工件。
23.權(quán)利要求22的設(shè)備，其中所述微波包含速調(diào)管或DC加速器。
24.權(quán)利要求22的設(shè)備，其中所述能量束包含離子束或者質(zhì)子束。
25.權(quán)利要求22的設(shè)備，其中所述能量束包含寬度大約是剝落表面的寬度的延長的束。
26.權(quán)利要求22的設(shè)備，其中所述浮區(qū)硅工件包含矩形形狀。
27.權(quán)利要求22的設(shè)備，其中所述浮區(qū)硅工件包含小于1015氧原子/立方厘米的氧含量。
28.權(quán)利要求22的設(shè)備，其中所述硅晶片包含2-70微米的厚度。