專利名稱：三氯硅烷制造裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及將四氯硅烷轉換為三氯硅烷的三氯硅烷制造裝置。
背景技術：
作為用來制造硅(Si)的原料而使用的三氯硅烷(SiHCl3)可以通過使四氯硅烷 (SiCl4 四氯化硅)與氫反應轉換來制造。S卩，硅通過基于以下的反應式(1) (2)的三氯硅烷的還原反應和熱分解反應生成。 三氯硅烷通過基于以下的反應式(3)的轉換反應生成。SiHCl3 + H2 — Si + 3HC1...... (1)
4SiHCl3 — Si + 3SiCl4 + 2H2...... (2)
SiCl4 + H2 — SiHCl3 + HCl...... (3)
作為制造三氯硅烷的裝置，例如在特許第3781439號公報及特開2004 — 262753號公報中，提出了使反應室為具有由同心配置的兩個管形成的外室和內室的雙層室設計、在該反應室的外側的周圍配置有發(fā)熱體的反應容器。在該反應容器中，通過由碳等形成的發(fā)熱體通過通電而發(fā)熱、將反應室內從外側加熱，使反應室內的氣體反應。另一方面，在特開2008 — 133170號公報中，提出了將反應容器通過多個同心狀的圓筒壁、和將這些圓筒壁之間的小空間的上下封閉的圓板構成、并且使各小空間連續(xù)地連通而做成反應室、在最內周位置的圓筒壁設有發(fā)熱體的三氯硅烷制造裝置。在特公昭60 - 49021號公報中，公開了在反應室內配置多根管狀的加熱器、在反應室內及加熱器內將氣體直接加熱的構造的裝置。在三氯硅烷的制造裝置中，要求以較高的熱效率將反應室內有效地加熱到三氯硅烷的反應溫度。但是，如果是特許第3781439號公報及特開2004 — 262753號公報中記載的構造， 則雖然通過配設在反應室的外部的發(fā)熱體將反應室內加熱，但不能將從發(fā)熱體向半徑方向外方放射的輻射熱有效地利用，有熱效率較低的不良狀況。此外，在特開2008 — 133170號公報中記載的構造的情況下，通過在反應容器的中央部設置發(fā)熱體，能夠將向半徑方向外方放射的輻射熱整體施加在反應室內的氣體上，能夠以比特許第3781439號公報及特開2004 — 262753號公報中記載的裝置更高的熱效率進行加熱。但是，在為了生產量的增大而使裝置大型化并使反應室的外徑變大的情況下，反應室的外周部因變得離發(fā)熱體較遠而不能加熱，在裝置自身的大型化方面存在界限。進而，在特許第3781439號公報、特開2004 — 262753號公報、以及特開2008 — 133170號公報中，由于各反應室構成為同心圓狀，所以為了使得不會有反應氣體的流速變得過慢而加熱效率下降的狀況，需要使外側的反應室為比內側的反應室窄的間隔。但是，在為了增大處理量而如特公昭60 - 49021號公報中記載的構造那樣在反應室內也設置加熱器的情況下，由于是較窄的間隔，所以將加熱器配置在外側的反應室之間是困難的。此外，在這些三氯硅烷的制造裝置中，一般為了防止高溫下的雜質的發(fā)生，在反應容器及加熱器中使用實施了碳化硅的涂層的碳部件，但由于作為脆性材料的碳部件的大型化是困難的，所以制造裝置自身的大型化也變得困難。

發(fā)明內容
本發(fā)明是鑒于上述課題而做出的，目的是提供一種能夠以較高的熱效率將供給氣體加熱、并且不會損害熱效率而實現(xiàn)裝置的大型化、能夠進行大量生產的三氯硅烷制造裝置。本發(fā)明是一種從包括四氯硅烷和氫的原料氣體制造三氯硅烷的裝置，其特征在于，
具有被供給上述原料氣體、生成包括三氯硅烷和氯化氫的反應氣體的反應室、和設在上述反應室之中的加熱器；
上述反應室的內部空間被沿著周向的第1壁沿半徑方向區(qū)劃為多個； 由上述第1壁形成的空間的至少一個被沿與周向交叉的方向延伸的第2壁區(qū)劃為多
個；
在上述反應室的內部空間中，形成由上述第1壁彼此區(qū)劃的小空間、及/或由上述第1 壁及上述第2壁區(qū)劃的小空間；
上述小空間通過形成在區(qū)劃上述小空間的上述第1壁及/或上述第2壁的上部或下部的連通部而成為連通狀態(tài)，所述連通狀態(tài)指使上述原料氣體通過上下折回而一邊改變流動的方向一邊朝向上述反應室的中心部流通；
在上述各小空間中的至少一部分中設置上述加熱器；
通過形成在上述第2壁上的上述連通部，使朝上流路用小空間與朝下流路用小空間沿周向連通。根據(jù)該三氯硅烷制造裝置，通過將加熱器設置在各小空間內，從加熱器放射的熱直接傳遞給通過小空間的原料氣體，所以能夠將原料氣體以較高的熱效率加熱。此外，在反應室的內部空間中，設有沿著周向的多個第1壁及沿與周向交叉的方向延伸的第2壁，這些壁受到輻射熱而成為加熱部件，通過將原料氣體加熱的面積增加，能夠更有效地進行加熱。此外，如上所述，在特許第3781439號公報、特開2004 — 262753號公報、以及特開 2008 - 133170號公報所示的三氯硅烷制造裝置中，由于各反應室構成為同心圓狀，所以為了使反應氣體的流速不會過慢，需要使外側的反應室為比內側的反應室窄的間隔，因為該較窄的間隔，難以設置加熱器。在本發(fā)明的三氯硅烷制造裝置中，各小空間不僅被周向的第 1壁、還被沿與周向交叉的方向延伸的第2壁區(qū)劃，所以能夠將各小空間形成為能夠設置需要數(shù)量的加熱器的寬度及形狀，并且能夠適當調節(jié)截面積以得到希望的氣體流速。進而，構成反應室及其內部空間的壁可以通過將包圍各小空間的一部分的面積的壁多個接合而構成，由此，即使使用如碳部件那樣難以大型化的部件，也能夠通過將小型的部件組合來構成大型的裝置。此外，在本發(fā)明的三氯硅烷制造裝置中，優(yōu)選的是，上述各小空間僅與使上述原料氣體對上述小空間流入的流入側小空間、和上述原料氣體流出的流出側小空間相鄰。在該三氯硅烷制造裝置中，通過將被階段性加熱的原料氣體流通的各小空間以其流通順序相鄰配置，各小空間內的原料氣體不會與比其溫度顯著低的原料氣體相鄰。因此， 原料氣體不會從相鄰的小空間經(jīng)由壁被顯著地冷卻，能夠可靠且迅速地升溫。此外，由于在各小空間之間沒有進行反應氣體的溫度的平均化，所以能夠對應于各自的反應氣體的溫度有效地設定各小空間內的加熱器溫度。進而，在本發(fā)明的三氯硅烷制造裝置中，優(yōu)選的是，上述各小空間不與兩個以上之前或兩個以上之后的形成原料氣體的流動的小空間相鄰。由此，相鄰的小空間內的原料氣體間的溫度差變小，所以能夠更可靠且迅速地升并且，在本發(fā)明的三氯硅烷制造裝置中，優(yōu)選的是，在上述反應室及上述小空間中，在上述第1壁及上述第2壁的接合部上，設有接觸在上述反應室的底板及頂板上的支持部件。有在反應室的上方設置在導入到反應容器中的原料氣體與從反應容器導出的反應氣體之間進行熱交換的熱交換器的情況。在本發(fā)明中，在此情況下，通過反應室內的多個支持部件支承熱交換器的重量，能夠減輕第1壁及第2壁的重量負擔，在隨著裝置的大型化而使熱交換器大型化、或設有多個的情況下也能夠容易地對應。根據(jù)有關本發(fā)明的三氯硅烷制造裝置，通過將加熱器設置在反應室內，能夠將加熱器的熱直接傳遞給原料氣體、將原料氣體以較高的熱效率加熱。此外，通過將反應室內區(qū)劃為小區(qū)間，能夠使通過調整各小空間的截面積，并且還可能是設有加熱器的截面積得到希望的氣體流速，能夠不損害熱效率而實現(xiàn)裝置的大型化。


圖1是表示本發(fā)明的三氯硅烷制造裝置的第1實施方式的橫剖面圖。圖2是沿著圖1中的A — A線的剖面圖。圖3是改變了原料氣體供給管及氣體導出口的配置的三氯硅烷制造裝置的縱剖面圖。圖4是表示本發(fā)明的三氯硅烷制造裝置的第2實施方式的橫剖面圖。圖5是沿著圖4中的D — D線的剖面圖。圖6是表示本發(fā)明的另一實施方式的三氯硅烷制造裝置的橫剖面圖。圖7是表示本發(fā)明的再另一實施方式的三氯硅烷制造裝置的橫剖面圖。
具體實施例方式以下，對有關本發(fā)明的三氯硅烷制造裝置的一實施方式進行說明。本實施方式的三氯硅烷制造裝置100是將包括四氯硅烷和氫的原料氣體加熱、通過轉換反應而生成包括三氯硅烷和氯化氫的反應氣體、來制造三氯硅烷的裝置，如圖1及圖2所示，具備被供給原料氣體的反應容器10、和裝備在該反應容器10中、將原料氣體加熱的多個加熱器40。圖1是沿著圖2所示的B — B線的剖面圖，對于用斷裂線X包圍的部分X表示沿
5著圖2的C— C線的剖面圖。反應容器10具備絕熱容器30，防止因加熱器40的熱被從反應容器10釋放造成的加熱效率的下降。并且，反應容器10具備大致筒狀的壁11A、將該壁IlA的內部空間的上端封閉的頂板13a、和將下端封閉的底板13b，由壁11A、頂板13a及底板13b圍成的空間為三氯硅烷制造裝置100的反應室101。此外，反應室101的外側被大致圓筒狀的絕熱容器30覆蓋。反應室101的內部空間如圖1所示，由排列為同心狀的五層筒狀的第1壁IlA 11E、和沿正交于該第1壁IlA IlE的方向延伸的第2壁12A、12B區(qū)劃為最外周位置的圓筒狀流路20a及其內側的多個小空間21 沈。第1壁IlA IlE及第2壁12A、12B為碳制，對表面實施了碳化硅的涂層。此外，第1壁IlA IlD是將多個圓弧狀壁體Ila Ild 沿周向組合而構成的。在構成各小空間21 沈的第1壁IlB IlE及第2壁12A、12B的上部或下部， 形成有對相鄰的小空間21 沈連通原料氣體的連通部28。小空間21 沈以該順序成為由連通部28連通的狀態(tài)。并且，在最外側的圓筒狀流路20a的內側，以二列同心狀配置有橫截面圓弧狀的小空間21 25，在最內側配置有環(huán)狀的小空間26。各小空間21 26中的小空間21、23、 25是原料氣體沿圖2的朝上方向流通的朝上流路用小空間，小空間22、24、沈是原料氣體沿朝下方向流通的朝下流路用小空間。所謂朝上，是從底板Hb朝向頂板13a的方向，所謂朝下，是從頂板13a朝向底板13b的方向。這些小空間21 沈通過經(jīng)過連通部28使原料氣體交替地依次經(jīng)由朝上流路用小空間21、23、25、朝下流路用小空間22、24、沈而上下折回， 成為一邊按照小空間改變流動的朝向一邊朝向反應室101的中心部流通的結構。此外，在由第2壁12A在第1壁IlBUlC間區(qū)劃的小空間21 23中，為原料氣體從小空間21起依次沿著周向流通的結構。此外，同樣，在由第2壁12B在第1壁IlCUlD間區(qū)劃的小空間M、25中，也為原料氣體沿著周向從小空間M向小空間25流通的結構。在形成各小空間21 25的第2壁12A、12B上形成有連通部28。但是，在配置在圖1的紙面的0°及180°上的第2壁12A、12B上沒有設置連通部。即，在第1實施方式中，在以同心狀的筒狀排列的第1壁IlB與IlC之間形成的圓筒狀的空間中，設置了兩個沒有設有連通部的第2壁12A，以使其相對于第1壁IlB和IlC 的切線垂直地交叉，形成了兩個橫截面為半圓弧狀(中心角180° )的空間。進而，在這些半圓弧狀的空間中，使設有連通部28的第2壁12A與第1壁IlB及IlC的切線垂直地交叉而進行區(qū)劃，形成橫截面為圓弧狀(0°〈中心角<180° )的小空間21 23。此夕卜，在形成在以同心狀的筒狀排列的第1壁IlC與IlD之間的圓筒狀的空間中設有兩個沒有設置連通部的第2壁12B，以使其相對于第1壁IlC和IlD的切線垂直地交叉，形成兩個橫截面為半圓弧狀(中心角180° )的空間。進而，在這些半圓弧狀的空間中， 使設有連通部觀的第2壁12B與第1壁IlC及IlD的切線垂直地交叉而進行區(qū)劃，形成橫截面為圓弧狀(0°〈中心角<180° )的小空間24、25。最外周位置的圓筒狀流路20a是第1壁11B、與配置在第1壁IlB的外周側的第1 壁IlA之間的圓筒狀空間。小空間沈是第1壁11D、與配置在第1壁IlD的內周側的第1 壁IlE之間的環(huán)狀的空間。
如果用圖1表示從圓筒狀流路20a到小空間沈的原料氣體的流通順序，則為圓筒狀流路20a —小空間21 —小空間22 —小空間23 —小空間M —小空間25 —小空間26。在反應室101的外周部的第1壁IlAUlB之間，形成有圓筒狀的空間(圓筒狀流路 20a)，在圓筒狀流路20a的上部連接著環(huán)狀流路20b。環(huán)狀流路20b和圓筒狀流路20a通過沿著它們周向的縫隙20c連通。并且，在環(huán)狀流路20b的上部連接著原料氣體供給管14。 此外，連接著將反應氣體向裝置外導出的氣體導出口 15，以使其貫通將反應室101的上端封閉的頂板13a的中央。第1壁IlB的下端部連接在底板1 上，而在其一部分中形成有將原料氣體導入到小空間21中的氣體導入口 20d。在小空間21 沈內，設置有沿著第1壁IlB IlE在上下方向上延伸的加熱器 40。在該反應室101內將原料氣體加熱的多個加熱器40分別由固定在一對電極上、通過通電而電阻發(fā)熱的發(fā)熱體構成，構成為延伸到小空間的上端的上下倒置的U字板狀。加熱器 40為碳制，對于電極及加熱器40，實施了覆蓋其表面的碳化硅的涂層。在如以上那樣構成的三氯硅烷制造裝置100中，被從原料氣體供給管14供給到反應室101中的原料氣體在充滿到環(huán)狀流路20b中之后被導入到圓筒狀流路20a中，通過氣體導入口 20d被向反應室101內的小空間21的下部導入。被導入到反應室101中的原料氣體例如是400°C 700°C，一邊通過各小空間 21 沈一邊被加熱器40加熱。此時，受到設置在小空間21 沈內的加熱器40的熱，包圍加熱器40的第1壁IlB IlE以及第2壁12A、12B被加熱到高溫，所以原料氣體也被這些第1壁IlB IlE及第2壁12A、12B加熱。通過加熱后的原料氣體的轉換反應生成的反應氣體例如是800°C 1100°C，通過氣體導出口 15被從該三氯硅烷制造裝置100取出。如以上說明，根據(jù)該三氯硅烷制造裝置100，通過將加熱器40設置在各小空間內， 從加熱器40放射的熱直接傳遞給通過小空間21 沈的原料氣體，所以能夠將原料氣體以較高的熱效率加熱。此外，在反應室101的內部空間中，設有沿著周向的多個第1壁IlA IlE及沿與周向交叉的方向延伸的第2壁12A、12B，它們接受輻射熱而成為加熱部件，通過將原料氣體加熱的面積增加，能夠進行高效率的加熱。此外，構成反應室101及小空間21 沈的第1壁IlA IlD將多個圓弧狀壁體 Ila Ild接合而構成，即使如本實施方式的三氯硅烷制造裝置100那樣、使用作為脆性材料的碳部件等的難以進行大型的一體形成的部件，通過將小型的部件組合也能夠構成大型的裝置。此外，本實施方式的三氯硅烷制造裝置100由于各小空間21 沈不僅被周向的第1壁IlB 11E、還被沿與周向交叉的方向延伸的第2壁12A、12B區(qū)劃，所以能夠將各小空間21 沈自由地形成為能夠設置需要數(shù)量的加熱器40的寬度及形狀，并且能夠適當調節(jié)各小空間21 沈的截面積，以便能夠與原料氣體的反應狀態(tài)匹配而得到希望的氣體流速。另外，在上述第1實施方式中，做成了在反應室101的上方設置原料氣體供給管14 及氣體導出口 15、通過該原料氣體供給管14將原料氣體從圓筒狀流路20a導入到反應室 101內、將在反應室101內生成的反應氣體通過上方的氣體導出口 15從三氯硅烷制造裝置 100取出的結構，但也可以如圖3所示的三氯硅烷制造裝置110那樣，做成將原料氣體供給管14及氣體導出口 15設在反應室101的下方的結構。此外，原料氣體供給管14及氣體導出口 15并不限定于匹配于反應室101的上方或下方的某個方向設置的結構，例如也可以為將原料氣體供給管14設在反應室101的上方、將氣體導出口 15設在下方的結構。圖4及圖5表示本發(fā)明的第2實施方式。第1實施方式將反應室101內的小空間21 沈做成了原料氣體一邊沿半徑方向及周向連通、一邊流通到反應室101的中心部的結構。但第2實施方式構成為，原料氣體在各小空間50 53內流通，以使其總是接近于反應室201的中心部。第2實施方式的三氯硅烷制造裝置200及反應室201的內部空間如圖4所示，被沿著周向的以五層同心狀配置的第1壁31A 31E、和將該第1壁中的、從外側數(shù)第3圈的第1壁31C與第四圈的第1壁31D之間連結、沿與周向交叉的方向延伸的第2壁32A區(qū)劃為多個小空間50 53。外側數(shù)第3圈的第1壁31C形成為十二邊形，從外側數(shù)第四圈的第1壁31D形成為六邊形，將這些多邊形的頂點用第2壁32A連結。各小空間50 53的橫截面形狀從外側起為環(huán)狀的小空間50、菱形的小空間51、三角形的小空間52、環(huán)狀的小空間53。第1壁31A 31E及第2壁32A與第1實施方式同樣，為碳制，對表面實施了碳化硅的涂層。配置在反應室201的外周部的第一圈和第二圈的第1壁31A、31B是將圓弧狀的壁體31a、31b組合而構成的，第三圈和第四圈的第1壁31C、31D由平板狀的壁體31c、31d構成。環(huán)狀的小空間50及三角形的小空間52是原料氣體向圖5的朝上方向流動的朝上流路用小空間，菱形的小空間51及環(huán)狀的小空間53是原料氣體向朝下方向流動的朝下流路用小空間。此外，各小空間50 53設計為，使其僅與使原料氣體對自身的小空間流入的流入側小空間、和使原料氣體流出的流出側小空間相鄰。這些小空間50 53為通過經(jīng)過連通部28使原料氣體交替地依次經(jīng)由朝上流路用小空間50、52、和朝下流路用小空間51、 53上下折回、一邊改變流動的方向一邊朝向反應室201的中心部流通的結構。在圖4所示的例子中，原料氣體在從圓筒狀流路20a到小空間53之間以圓筒狀流路20a —環(huán)狀的小空間50 —菱形的小空間51 —三角形的小空間52 —環(huán)狀的小空間53的順序流動。在第2實施方式的三氯硅烷制造裝置200中，通過將被階段性加熱的原料氣體流通的各小空間50 53以其流通順序相鄰配置，各小空間內50 53的原料氣體不會被比其溫度顯著低的原料氣體冷卻，能夠可靠地提高反應室201的氣體導出口 15中的氣體溫度。 此外，由于在各小空間50 53之間反應氣體的溫度沒有被平均化，所以能夠對應于各自的反應氣體溫度而設定各小空間50 53內的加熱器溫度，是效率的。其他結構與第1實施方式相同，對于共通部分賦予相同的附圖標記而省略說明。圖6及圖7表示本發(fā)明的另一實施方式，圖6所示的三氯硅烷制造裝置300是在構成圖ι所示的裝置100的第1壁IlA IlD的圓弧狀壁體Ila lid、與第2壁體12A、 12B的接合部上設有支承部件41的結構，圖7所示的三氯硅烷制造裝置400是在構成圖4 所示的裝置200的第1壁31A 31D的圓弧狀壁體31a、31b及平板狀壁體31c、31d、與第2 壁體32A的接合部上設有支承部件41的結構。這些支承部件41接觸在反應室的頂板13a 及底板1 上，為支承從頂板13a受到的載荷的構造。因而，即使是在頂板13a的上方設置使導入到反應容器中的原料氣體與從反應容器導出的反應氣體熱交換的熱交換器的情況， 也能夠通過支承部件41承受該載荷。另外，本發(fā)明并不限定于上述實施方式的結構，在細節(jié)部結構中，在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍中施加各種變更。例如，在上述實施方式中，做成了在反應室101、201的外周部上設置圓筒狀流路 20a、從該圓筒狀流路20a將原料氣體導入到反應室101、201內的結構，但也可以不設置圓筒狀流路20a，而做成直接導入到外側的小空間21、50中的結構。此外，在上述第2實施方式中，將各小空間設計為，使其僅與使原料氣體流入的流入側小空間、和原料氣體流出的流出側小空間相鄰，但并不限定于此，也包括相對于某個小空間、不是其流入側小空間或流出側小空間、而是與這些流入側小空間、流出側小空間或自身的小空間和流動的順序相同的小空間相鄰的結構。所謂流動的順序相同，是指從圓筒狀流路20a數(shù)流動的順序相同的小空間。在圖4中，對于相同的流動的順序的小空間賦予了相同的附圖標記。即，各小空間不與兩個以上之前或兩個以上之后的形成原料氣體的流動的小空間相鄰是重要的。S卩，可以是由連通部觀連通的小空間、或相互不連通而沿著周向連續(xù)的具有相同形狀的橫截面的小空間相鄰。詳細地說，優(yōu)選的是，在從反應室的外側(環(huán)狀小空間50)朝向反應室的中心部(環(huán)狀小空間53)沿著原料氣體的流動，將小空間數(shù)為第1號、第2號、…… 第η號……時，在位于第η號(η為自然數(shù))的小空間中，僅第η+1號及第η_1號的小空間相鄰(adjoin)。即，優(yōu)選的是，在位于第η號的單元中，配置為，第η+2號、第η+3號、第η+4 號……單元、及第η-2號、第η-3號、第η_4號……單元不相鄰。這樣，只要做成各小空間不與兩個以上之前或兩個以上之后的形成原料氣體的流動的小空間相鄰的結構，被階段性加熱的各小空間內的原料氣體就不會與比其溫度顯著低的原料氣體相鄰，所以能夠使原料氣體效率地升溫。此外，在第2實施方式中，從外側數(shù)第三圈的第1壁31C形成為十二邊形，從外側數(shù)第四圈的第1壁31D形成為六邊形，但這些多邊形的形狀并沒有特別限定。附圖標記說明 10反應容器
IlA 11Ε、31Α 31Ε 第 1 壁 Ila lld、31a、31b圓弧狀壁體 12A、12B、32A 第 2 壁 13a頂板 13b底板
14原料氣體供給管
15氣體導出口
20a圓筒狀流路
20b環(huán)狀流路
20c槽狀開口部
20d氣體導入口
21 26,50 53小空間
928連通部 30絕熱容器 31c、31d平板狀壁體 40加熱器 41支持部件
100、110、200、300、400三氯硅烷制造裝置 101,201反應室。
權利要求
1.一種三氯硅烷制造裝置，是從包括四氯硅烷和氫的原料氣體制造三氯硅烷的裝置， 其特征在于，具有被供給上述原料氣體、生成包括三氯硅烷和氯化氫的反應氣體的反應室、和設在上述反應室之中的加熱器；上述反應室的內部空間被沿著周向的第1壁沿半徑方向區(qū)劃為多個； 由上述第1壁形成的空間的至少一個被沿與周向交叉的方向延伸的第2壁區(qū)劃為多個；在上述反應室的內部空間中，形成由上述第1壁彼此區(qū)劃的小空間、及/或由上述第1 壁及上述第2壁區(qū)劃的小空間；上述小空間通過形成在區(qū)劃上述小空間的上述第1壁及/或上述第2壁的上部或下部的連通部而成為連通狀態(tài)，以使上述原料氣體通過上下折回而一邊改變流動的方向一邊朝向上述反應室的中心部流通；在上述各小空間中的至少一部分中設置上述加熱器；通過形成在上述第2壁上的上述連通部，使朝上流路用小空間與朝下流路用小空間沿周向連通。
2.如權利要求1所述的三氯硅烷制造裝置，其特征在于，上述各小空間僅與使上述原料氣體對上述小空間流入的流入側小空間、和上述原料氣體流出的流出側小空間相鄰而設置。
3.如權利要求1所述的三氯硅烷制造裝置，其特征在于，上述各小空間不與兩個以上之前或兩個以上之后的形成原料氣體的流動的小空間相鄰。
4.如權利要求1所述的三氯硅烷制造裝置，其特征在于，在上述反應室及上述小空間中，在上述第1壁及上述第2壁的接合部上，設置接觸在上述反應室的底板及頂板上的支持部件。
全文摘要
在該三氯硅烷制造裝置中，反應室(101)的內部空間被沿著周向的第1壁(11A～11E)沿半徑方向區(qū)劃，并且被沿與周向交叉的方向延伸的第2壁(12A、12B)區(qū)劃為多個，在第1壁(11A～11E)及第2壁(12A、12B)的上部或下部，形成使導入的原料氣體依次經(jīng)由各小空間(21～26)一邊上下折回一邊朝向反應室(101)的中心部流通的連通部(28)，在各小空間(21～26)中設置有加熱器(40)，第2壁(12A、12B)的兩側的小空間(21～25)的一個是朝上流路用小空間，另一個為朝下流路用小空間，這些小空間(21～25)經(jīng)由第2壁(12A、12B)的連通部(28)連通。
文檔編號C01B33/107GK102190305SQ20111005869
公開日2011年9月21日 申請日期2011年3月11日 優(yōu)先權日2010年3月15日
發(fā)明者三宅政美, 斎木涉, 村上直也, 水島一樹 申請人:三菱綜合材料株式會社