專利名稱：三氯硅烷制造裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種將四氯化硅轉(zhuǎn)換成三氯硅烷的三氯硅烷制造裝置。
背景技術(shù)：
作為用于制造硅(Si 硅)的原料而使用的三氯硅烷(SiHC13)能夠通過使四氯化硅(SiC14 四氯化硅)和氫氣反應(yīng)并進(jìn)行轉(zhuǎn)換來制造。S卩，通過基于以下反應(yīng)式(1)、(2)的三氯硅烷的還原反應(yīng)和熱解反應(yīng)生成硅。三氯硅烷通過基于以下反應(yīng)式(3)的轉(zhuǎn)換反應(yīng)生成。SiHC13+H2 — Si+3HC1. . . (1)4SiHC13 — Si+3SiC14+2H2. . . (2)SiC14+H2 — SiHC13+HCl. . . (3)作為制造三氯硅烷的裝置，例如在專利文獻(xiàn)1、2中提出有如下反應(yīng)容器，即反應(yīng)室成為帶有由同心配置的2個(gè)管形成的外室和內(nèi)室的雙重室設(shè)計(jì)，且繞該反應(yīng)室的外側(cè)配置發(fā)熱體的反應(yīng)容器。在該反應(yīng)容器中，由碳等形成的發(fā)熱體因通電發(fā)熱而從外側(cè)對(duì)反應(yīng)室內(nèi)進(jìn)行加熱，從而使反應(yīng)室內(nèi)的氣體反應(yīng)。在專利文獻(xiàn)3中公開有如下結(jié)構(gòu)的裝置多條管狀加熱器配置于反應(yīng)室內(nèi)且在反應(yīng)室內(nèi)及加熱器內(nèi)直接加熱氣體。專利文獻(xiàn)1 日本專利第3781439號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本專利公開2004-262753號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本專利公告昭60-49021號(hào)公報(bào)在三氯硅烷的制造裝置中要求以高的熱效率對(duì)反應(yīng)室內(nèi)進(jìn)行加熱。但是，若是專利文獻(xiàn)1、2中記載的結(jié)構(gòu)，則有如下問題點(diǎn)通過配設(shè)于反應(yīng)室外部的發(fā)熱體對(duì)反應(yīng)室內(nèi)進(jìn)行加熱，但是無法有效利用從發(fā)熱體向半徑方向外方放射的輻射熱，從而熱效率低。另外，如專利文獻(xiàn)3在反應(yīng)室內(nèi)部設(shè)置加熱器時(shí)，加熱器設(shè)置部分需要用于通電的電極等機(jī)構(gòu)，并需要用于絕緣、冷卻這些機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)或反應(yīng)室的貫穿部的密封結(jié)構(gòu)等。因此，存在如下問題加熱器設(shè)置部分成為各機(jī)構(gòu)緊密連接的復(fù)雜的結(jié)構(gòu)，為了實(shí)現(xiàn)大容量化而加熱器的設(shè)置數(shù)量越多，裝配、檢查等作業(yè)性越差。在三氯硅烷的制造裝置中，為了防止在高溫下產(chǎn)生雜質(zhì)，一般在反應(yīng)容器或加熱器中使用施有碳化硅涂層的石墨部件。另外，在三氯硅烷的制造裝置中要求以高的熱效率將反應(yīng)室內(nèi)有效地加熱至三氯硅烷的反應(yīng)溫度，但另一方面，若加熱器溫度變得過高，則損傷加熱器表面的碳化硅涂層而導(dǎo)致石墨外露，有可能由石墨產(chǎn)生雜質(zhì)，因此需要將加熱器表面的最高溫度保持在限定值以下的同時(shí)增加高溫區(qū)域。就專利文獻(xiàn)3中記載的結(jié)構(gòu)而言，高溫狀態(tài)的氣體所流過的筒狀加熱器的內(nèi)面容易變高溫，為了將該部分的溫度保持在限定值以下，需要使加熱器的輸出降低，裝置整體的溫度下降，并非有效。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于前述課題而完成的，其目的在于提供一種簡化了抑制反應(yīng)室內(nèi)的加熱器表面的最高溫度的同時(shí)增大反應(yīng)室內(nèi)的傳熱面積且能夠以高的熱效率加熱供給氣體的結(jié)構(gòu)，且裝配及檢查等作業(yè)性優(yōu)異的三氯硅烷制造裝置。本發(fā)明的由包含四氯化硅和氫氣的原料氣體制造三氯硅烷的裝置，其具備有反應(yīng)室，供給所述原料氣體而生成包含三氯硅烷和氯化氫的反應(yīng)氣體；多個(gè)加熱器，具備在所述反應(yīng)室內(nèi)沿上下方向設(shè)置的發(fā)熱部，并加熱所述原料氣體；多個(gè)電極，連接于這些加熱器的基端部；及輻射板，設(shè)置于所述加熱器的發(fā)熱部彼此之間。根據(jù)該三氯硅烷制造裝置，通過在反應(yīng)室內(nèi)設(shè)置加熱器，從而加熱器的熱直接傳至在其周圍流通的原料氣體，因此能夠以高的熱效率加熱原料氣體。另外，由于在反應(yīng)室內(nèi)設(shè)置加熱器，因此即便使反應(yīng)室大型化，也可以在其所需部位設(shè)置加熱器。并且，在本發(fā)明的三氯硅烷制造裝置中，輻射板設(shè)置于加熱器的發(fā)熱部之間。相比加熱器與非發(fā)熱面的面相面對(duì)的情況，加熱器彼此相面對(duì)的各加熱器的面因輻射而被奪去的熱變少，因此變成高溫。因此，若配置輻射板以免加熱器彼此相互面對(duì)，則可下調(diào)加熱器表面的最高溫度。輻射板通過接受來自加熱器的輻射熱并被熱加而成高溫，能夠有效地加熱原料氣體的同時(shí)，可通過將其熱進(jìn)一步向周圍輻射來加熱反應(yīng)室內(nèi)的壁面。由此可使反應(yīng)室內(nèi)成高溫度的傳熱面積增加，因此能夠以高的熱效率加熱原料氣體。另外，由于通過輻射板加熱原料氣體，因此可通過設(shè)置適當(dāng)數(shù)量的該輻射板來減少加熱器的設(shè)置數(shù)量。由于輻射板不需要用于通電的電極等結(jié)構(gòu)，因此可簡化反應(yīng)室的底面等結(jié)構(gòu)而實(shí)現(xiàn)裝配、檢查等作業(yè)性優(yōu)異的三氯硅烷制造裝置。另外，在本發(fā)明的三氯硅烷制造裝置中，所述多個(gè)加熱器在所述反應(yīng)室內(nèi)以同心圓狀設(shè)置有2列以上，所述輻射板夾在各加熱器列彼此之間而設(shè)置即可。在反應(yīng)室的周向上通過電極以環(huán)狀串聯(lián)連結(jié)多個(gè)加熱器而配置多列加熱器，并在這些多個(gè)加熱器列之間以遮擋各加熱器列彼此相對(duì)面的方式夾入輻射板，從而通過接受配置于兩側(cè)的加熱器的熱的輻射板的輻射熱能夠有效地加熱反應(yīng)室內(nèi)，且能夠下調(diào)加熱器表面的最高溫度。另外，原料氣體沿對(duì)置配置的加熱器和輻射板流動(dòng)，來自加熱器及輻射板的熱直接傳至原料氣體，以高的熱效率加熱原料氣體，從而能夠提高向三氯硅烷的轉(zhuǎn)換率。另外，在本發(fā)明的三氯硅烷制造裝置中，設(shè)置與所述反應(yīng)室的下部連通，而向所述反應(yīng)室內(nèi)導(dǎo)入所述原料氣體的導(dǎo)入口的同時(shí)，所述加熱器與所述電極的連接部位配置于所述反應(yīng)室的所述下部即可。通過在反應(yīng)室內(nèi)設(shè)置加熱器，加熱器的熱能夠直接傳至在其周圍流通的原料氣體，并以高的熱效率加熱原料氣體，但此時(shí)，由于電極也設(shè)置于反應(yīng)室內(nèi)，因此設(shè)置于反應(yīng)室下部的加熱器與電極的連接部位的周邊暴露于原料氣體中。因此，有可能從其連接部位產(chǎn)生雜質(zhì)。另外，由于電極在反應(yīng)室外與電源連接，因此需要以任意方法冷卻，并且還需要與底板之間的絕緣或密封等機(jī)構(gòu)。本發(fā)明的三氯硅烷的制造裝置中，將原料氣體的導(dǎo)入口配置于反應(yīng)室的下部或底部，并將加熱器與電極的連接部配置于反應(yīng)室的下部，因此從氣體導(dǎo)入口導(dǎo)入的比較低溫的原料氣體接觸于連接部而抑制連接部的溫度上升，并可防止雜質(zhì)的產(chǎn)生，連接部中的冷卻機(jī)構(gòu)等的設(shè)計(jì)變得容易。另外，本發(fā)明的三氯硅烷制造裝置中，所述輻射板為包圍所述各加熱器的周圍而配置的輻射筒即可。并且，隔開間隔設(shè)置經(jīng)所述反應(yīng)室的下部而向所述反應(yīng)室內(nèi)導(dǎo)入所述原料氣體的多個(gè)導(dǎo)入口，在所述輻射筒上設(shè)置朝向所述導(dǎo)入口的開口部即可。這時(shí)，開口部也可以貫穿設(shè)置于輻射筒。通過設(shè)置包圍各加熱器周圍的多個(gè)輻射筒且從設(shè)置于輻射筒的開口部引導(dǎo)原料氣體，從而原料氣體穿過由加熱器與輻射筒的一組形成的上下方向連通的空間流通。這樣原料氣體沿發(fā)熱部及輻射筒的內(nèi)側(cè)流動(dòng)，來自高溫部的熱直接傳至原料氣體，并以高的熱效率加熱原料氣體，能夠提高向三氯硅烷的轉(zhuǎn)換率。另外，通過將輻射板設(shè)成筒狀，能夠完全遮擋各加熱器彼此的相對(duì)面，并可下調(diào)加熱器表面的最高溫度。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明所涉及的三氯硅烷制造裝置，通過將加熱器設(shè)置于反應(yīng)室中，能夠?qū)⒓訜崞鞯臒嶂苯觽髦猎蠚怏w，并以高的熱效率加熱原料氣體，所以能夠進(jìn)一步提高向三氯硅烷的轉(zhuǎn)換率。并且，通過以包圍加熱器的方式設(shè)置輻射板，抑制加熱器表面的最高溫度的同時(shí)，通過增加加熱器及輻射板的表面溫度的高溫區(qū)域，能夠得到高的反應(yīng)效率。另外， 通過采用可利用不需要電極的輻射板來有效加熱的結(jié)構(gòu)，可簡化加熱器設(shè)置部的結(jié)構(gòu)，并能夠提高裝置的裝配及檢查等作業(yè)性。


圖1是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的三氯硅烷制造裝置的縱剖面圖。圖2是沿圖1中的A-A線的剖面圖。圖3是表示加熱器的側(cè)視圖。圖4是表示輻射板的側(cè)視圖。圖5是表示加熱器中的假想發(fā)熱面的立體圖。圖6是表示加熱器及輻射板的配置例的橫剖面圖。圖7是表示加熱器及輻射板的其他配置例的橫剖面圖。圖8是表示加熱器及輻射板的另一其他配置例的橫剖面圖。圖9是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的三氯硅烷制造裝置的剖面圖。圖10是說明第2實(shí)施方式的加熱器及輻射筒的立體圖。符號(hào)說明10-反應(yīng)容器，11-壁體，Ila-圓筒狀流道，lib-氣體導(dǎo)入口，Ilc-環(huán)狀流道， IlA-內(nèi)側(cè)壁體，IlB-外側(cè)壁體，12-頂板，13-底板，14-原料氣體供給管，15-氣體導(dǎo)出口，16-導(dǎo)出管，20-加熱器，21-發(fā)熱部，22-基端部，23-電極，24-輻射板，25-輻射筒， 25a-開口部，25b-螺絲，30-絕熱容器，40-分散板，40a-分散流道，100-三氯硅烷制造裝置，101-反應(yīng)室，101A-下部，101B-上部，A-假想發(fā)熱面。
具體實(shí)施例方式以下，對(duì)本發(fā)明所涉及的三氯硅烷制造裝置的一實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式的三氯硅烷制造裝置100為如下裝置，即對(duì)包含四氯化硅和氫氣的原料氣體進(jìn)行加熱并通過轉(zhuǎn)換反應(yīng)生成包含三氯硅烷和氯化氫等的反應(yīng)氣體來制造三氯硅烷的裝置，如圖1所示，具備有供給原料氣體的反應(yīng)容器10、具備于該反應(yīng)容器10中并對(duì)原料氣體進(jìn)行加熱的多個(gè)加熱器20、及連接于這些加熱器20的下端的多個(gè)電極23。反應(yīng)容器10具備有絕熱容器30，防止由加熱器20產(chǎn)生的熱從反應(yīng)容器10放出引起的加熱效率的下降。反應(yīng)容器10具備有大致筒狀的壁體11、蓋上該壁體11的上端的頂板12、及關(guān)閉壁體11的下端的底板13。壁體11具備有分別設(shè)計(jì)成同心狀的大致筒狀的內(nèi)側(cè)壁體IlA和外側(cè)壁體11B。在這些內(nèi)側(cè)壁體IlA和外側(cè)壁體IlB之間形成有圓筒狀的空間(圓筒狀流道Ila)。外側(cè)壁體 IlB的下端部連接于底板13而被堵塞。另一方面，內(nèi)側(cè)壁體IlA設(shè)置成下端接觸到底板13 上。在與該底板13的接合部附近形成有貫穿內(nèi)側(cè)壁體IlA而使圓筒狀流道Ila和內(nèi)側(cè)壁體IlA的內(nèi)部空間連通的多個(gè)氣體導(dǎo)入口 lib。這些氣體導(dǎo)入口 lib沿周向以大致相等間隔(本實(shí)施方式中以45°間隔)設(shè)置以免產(chǎn)生氣體的偏流。在該壁體11中，設(shè)置有連接于圓筒狀流道Ila上部的環(huán)狀流道11c。在該環(huán)狀流道Ilc的上部連接有原料氣體供給管14。以貫穿蓋上壁體11的上端的頂板12中央的方式設(shè)置將反應(yīng)氣體導(dǎo)出至裝置外的氣體導(dǎo)出口 15，在該氣體導(dǎo)出口 15上設(shè)置有向上方延伸的導(dǎo)出管16。反應(yīng)容器10的底板13連接于外側(cè)壁體IlB的下端而關(guān)閉壁體11的下端。如圖 2所示，多個(gè)加熱器20及輻射板M以描繪出多重同心圓的方式立設(shè)在該底板13上。反應(yīng)容器10的頂板12連接于壁體11的內(nèi)側(cè)壁體IlA及外側(cè)壁體IlB的上端而蓋上壁體11的上端。由該頂板12、壁體11 (內(nèi)側(cè)壁體11A)及底板13包圍并立設(shè)有多個(gè)加熱器20及輻射板M的空間為該三氯硅烷制造裝置100中的反應(yīng)室101。在該反應(yīng)室101內(nèi)加熱原料氣體的多個(gè)加熱器20由如下構(gòu)成板狀的發(fā)熱部21， 從電極23通電而電阻發(fā)熱；及基端部22，電阻發(fā)熱量小并保持發(fā)熱部21。如圖3所示發(fā)熱部21構(gòu)成為向上方延伸的倒U字板狀，其兩端通過基端部22連接于電極23。電極23及加熱器20為石墨制，由碳化硅包覆其表面，但是這些連接部位上為了通電而沒有施有涂層。各電極23貫穿反應(yīng)室101的底板13而設(shè)置，且電連接鄰接的加熱器20彼此。由此，多個(gè)(例如4個(gè))加熱器20串聯(lián)連接。通過并排連接這些串聯(lián)連接的加熱器20來供給電力，各發(fā)熱部21進(jìn)行電阻加熱而能夠?qū)Ψ磻?yīng)室101內(nèi)的原料氣體進(jìn)行加熱。如圖4所示，輻射板M由與加熱器20的發(fā)熱部21相同高度的平板形成。輻射板 24為石墨制，在表面施有碳化硅涂層。這樣形成的加熱器20及輻射板M在反應(yīng)室101內(nèi)如圖2所示地配列成描繪四重同心圓。最內(nèi)周的列Pl及列p3由多個(gè)輻射板M構(gòu)成。夾在列pl、p3的列p2及最外周的列P4由多個(gè)加熱器20構(gòu)成。關(guān)于構(gòu)成為倒U字狀的發(fā)熱部21，如圖5所示若設(shè)想加熱器20的假想發(fā)熱面A， 則通過將輻射板M夾在加熱器20之間而配置以免各加熱器20的假想發(fā)熱面A彼此面對(duì)，由此這些輻射板M接受來自發(fā)熱部21的熱而被加熱，抑制發(fā)熱部21的表面過熱的同時(shí)， 反應(yīng)室101內(nèi)的傳熱面積增加，能夠有效地加熱原料氣體。本實(shí)施方式中，各輻射板M設(shè)置于各加熱器20的假想發(fā)熱面A之間。這樣輻射板M無需設(shè)置成遮擋假想發(fā)熱面A彼此不相互面對(duì)的加熱器20之間，換言之，無需設(shè)置成遮擋在大致同一面上并排鄰接的各加熱器20之間。在加熱器20的基端部22的上端位置大致水平地設(shè)置有配置于氣體導(dǎo)入口 1 Ib上方的分散板40。分散板40具有與反應(yīng)室101內(nèi)各加熱器20及輻射板M的配置位置對(duì)應(yīng)的氣體流通孔40a。反應(yīng)室101通過如此配置的分散板40被隔開成低溫的下部101A，收容電極23與加熱器20的連接部22且導(dǎo)入原料氣體；及高溫的上部101B，收容加熱器20的發(fā)熱部21且加熱原料氣體。在如以上構(gòu)成的三氯硅烷制造裝置100中，從原料氣體供給管14供給至反應(yīng)容器 10的原料氣體，充滿于環(huán)狀流道Ilc之后，導(dǎo)入至圓筒狀流道11a，經(jīng)過氣體導(dǎo)入口 lib導(dǎo)入至反應(yīng)室101的下部101A。導(dǎo)入至反應(yīng)室101的原料氣體例如為400°C 700°C，由于流通阻力而充滿于分散板40的下方(下部101A)，通過分散流道40a而分散供給至分散板40的上方(上部101B)， 并由加熱器20加熱。這時(shí)，被設(shè)置以免加熱器20的發(fā)熱部21彼此相互面對(duì)的輻射板M接受發(fā)熱部21 的熱而加熱成高溫，因此原料氣體也通過該輻射板M加熱。因此，利用輻射板M的效果能夠有效地加熱原料氣體。通過被加熱的原料氣體的轉(zhuǎn)換反應(yīng)生成的反應(yīng)氣體例如為800°C 1100°C，經(jīng)過氣體導(dǎo)出口 15從該三氯硅烷制造裝置100中輸出。如以上說明，根據(jù)該三氯硅烷制造裝置100，通過在反應(yīng)室101中設(shè)置多個(gè)加熱器 20及輻射板M來抑制加熱器20的表面過熱的同時(shí)，反應(yīng)室101內(nèi)的加熱至高溫的傳熱面積增加且直接傳至在其周圍流通的原料氣體，因此能夠以高的熱效率加熱原料氣體。另外，由于電極23也設(shè)置于反應(yīng)室101內(nèi)，因此設(shè)置于反應(yīng)室101的下部IOlA的電極23與加熱器20的連接部位的周邊也被暴露于原料氣體中。因此，有可能從無碳化硅包覆的連接部位產(chǎn)生雜質(zhì)，但是，在該三氯硅烷制造裝置100中，由于將原料氣體的導(dǎo)入口 lib設(shè)置于反應(yīng)室101的下部101A，因此能夠使比較低溫的原料氣體接觸于連接部位，并且抑制連接部位的溫度上升，防止雜質(zhì)的產(chǎn)生。另外，由于設(shè)置于各加熱器20之間的輻射板M中不需要用于通電的結(jié)構(gòu)，因此可簡化反應(yīng)室101底部(即底板13)的結(jié)構(gòu)。由此實(shí)現(xiàn)裝置本身的裝配、檢查等作業(yè)性優(yōu)異的裝置。在圖6中表示加熱器20及輻射板M的其他配置例。該例子中，在p2列及p4列中的加熱器20之間配置有輻射板M。即，在周向鄰接的各加熱器20之間及徑向鄰接的各加熱器20之間配置有輻射板M。在圖7中表示加熱器20及輻射板M的另外其他配置例。該例子中，在p2列的各加熱器20之間及pi列、p3列配置有輻射板24。在圖8中表示加熱器20及輻射板M的另一其他配置例。該例子中，p4列的各加熱器20之間狹窄且個(gè)數(shù)多，并且在p4列的各加熱器20之間配置有輻射板24。
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圖9及圖10示出本發(fā)明的第2實(shí)施方式。第1實(shí)施方式成為如下結(jié)構(gòu)在設(shè)置成同心圓狀的加熱器20之間夾著輻射板M以免發(fā)熱器20彼此的發(fā)熱部21相互面對(duì)，由輻射板M包圍加熱器20，但是第2實(shí)施方式成為如下結(jié)構(gòu)由筒狀的作為輻射板的輻射筒25 包圍各加熱器20的周圍。如圖10所示，該輻射筒25載置于底板13上且通過螺絲25b固定于底板13上。如圖9所示，反應(yīng)室101的壁體11的下部設(shè)置有在周向上隔開間隔導(dǎo)入原料氣體的氣體導(dǎo)入口 lib。輻射筒25的基端部設(shè)置有朝向反應(yīng)室101的氣體導(dǎo)入口 lib方向的開口部25a，以使從該氣體導(dǎo)入口 lib對(duì)加熱器20能夠有效地供給原料氣體。這時(shí)，開口部2 可以僅設(shè)置于氣體導(dǎo)入口 lib側(cè)，也可以從氣體導(dǎo)入口 lib側(cè)貫穿至相反側(cè)而設(shè)置。 這時(shí)，由于能夠通過輻射筒25沿加熱器20引導(dǎo)原料氣體并以高的熱效率加熱，因此可省略分散板40。通過包圍設(shè)置于反應(yīng)室101內(nèi)的各加熱器20周圍的多個(gè)輻射筒25，從輻射筒25 基端部的開口部25a引導(dǎo)原料氣體，原料氣體穿過由加熱器20與輻射筒25的一組形成的上下方向連通的空間而流通。這樣原料氣體沿加熱器20的發(fā)熱部21及輻射筒25的內(nèi)側(cè)流動(dòng)，因此來自加熱成高溫的發(fā)熱部21及輻射筒25的熱直接傳至原料氣體，并以高的熱效率加熱原料氣體，從而能夠提高向三氯硅烷的轉(zhuǎn)換率。另外，在輻射筒25的外側(cè)流通的原料氣體也通過在輻射筒25的外側(cè)壁面及由來自輻射筒25的輻射熱加熱的反應(yīng)室101的內(nèi)側(cè)壁體IlA之間流通來加熱。其他結(jié)構(gòu)與第1實(shí)施方式相同，對(duì)共同部分附加相同符號(hào)而省略說明。另外，本發(fā)明不限定于所述實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)，詳細(xì)部位的結(jié)構(gòu)中可以在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)施加各種變更。例如，設(shè)成在反應(yīng)室101的下部IOlA設(shè)置電極23并連接加熱器20的同時(shí)從反應(yīng)室101的IOlA供給原料氣體的結(jié)構(gòu)，但是也可以設(shè)成在反應(yīng)室的上方設(shè)置電極并從反應(yīng)室的上部供給原料氣體的結(jié)構(gòu)。這時(shí)，加熱器設(shè)成從上部向下方延伸而設(shè)置發(fā)熱部的結(jié)構(gòu)，通過在輻射筒的上部設(shè)置開口部，能夠得到與本發(fā)明的實(shí)施方式相同的效果。
權(quán)利要求
1.一種三氯硅烷制造裝置，其由包含四氯化硅和氫氣的原料氣體制造三氯硅烷，其特征在于，具備有反應(yīng)室，供給所述原料氣體而生成包含三氯硅烷和氯化氫的反應(yīng)氣體； 多個(gè)加熱器，具備在所述反應(yīng)室內(nèi)沿上下方向設(shè)置的發(fā)熱部，并加熱所述原料氣體； 多個(gè)電極，連接于這些加熱器的基端部；及輻射板，設(shè)置于所述加熱器的發(fā)熱部彼此之間。
2.如權(quán)利要求1所述的三氯硅烷制造裝置，其特征在于，所述多個(gè)加熱器在所述反應(yīng)室內(nèi)以同心圓狀設(shè)置有2列以上，所述輻射板夾在各加熱器列彼此之間而設(shè)置。
3.如權(quán)利要求1或2所述的三氯硅烷制造裝置，其特征在于，設(shè)置與所述反應(yīng)室的下部連通而向所述反應(yīng)室內(nèi)導(dǎo)入所述原料氣體的導(dǎo)入口的同時(shí)， 所述加熱器與所述電極的連接部位配置于所述反應(yīng)室的所述下部。
4.如權(quán)利要求1所述的三氯硅烷制造裝置，其特征在于， 所述輻射板為包圍所述各加熱器周圍而配置的輻射筒。
5.如權(quán)利要求4所述的三氯硅烷制造裝置，其特征在于，隔開間隔設(shè)置經(jīng)所述反應(yīng)室的下部而向所述反應(yīng)室內(nèi)導(dǎo)入所述原料氣體的多個(gè)導(dǎo)入口，在所述輻射筒上設(shè)置朝向所述導(dǎo)入口方向的開口部。
全文摘要
本發(fā)明提供一種三氯硅烷制造裝置，其簡化了抑制反應(yīng)室內(nèi)的加熱器表面的最高溫度的同時(shí)增大反應(yīng)室內(nèi)的傳熱面積且能夠以高的熱效率加熱供給氣體的結(jié)構(gòu)，且裝配及檢查等作業(yè)性優(yōu)異。其具備反應(yīng)室(101)，供給原料氣體而生成包含三氯硅烷和氯化氫的反應(yīng)氣體；多個(gè)加熱器(20)，形成有在反應(yīng)室(101)內(nèi)沿上下方向設(shè)置并加熱原料氣體的發(fā)熱部(21)；多個(gè)電極(23)，連接于這些加熱器(20)的基端部(22)；及多個(gè)輻射板(24)，設(shè)置于加熱器(20)的發(fā)熱部(21)彼此之間。
文檔編號(hào)C01B33/107GK102190304SQ201110052378
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2011年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月8日
發(fā)明者三宅政美, 齋木涉, 村上直也, 水島一樹 申請(qǐng)人:三菱綜合材料株式會(huì)社