專利名稱：碳納米管場發(fā)射電子源的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種場發(fā)射電子源的制造方法，尤其涉及一種碳納米管場發(fā)射電子源的制造方法。
背景技術(shù)：
碳納米管(Carbon Nanotube，CNT)是一種新型碳材料，由日本研究人員Iijima在1991年發(fā)現(xiàn)，請參見″Helical Microtubules of Graphitic Carbon″，S.Iijima，Nature，vol.354，p56(1991)。碳納米管具有極優(yōu)異的導(dǎo)電性能、良好的化學(xué)穩(wěn)定性和大的長徑比，且其具有幾乎接近理論極限的尖端表面積(尖端表面積愈小，其局部電場愈集中)，因而碳納米管在場發(fā)射真空電子源領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用前景。目前的研究表明，碳納米管是已知的最好的場發(fā)射材料之一，它的尖端尺寸只有幾納米至幾十納米，具有極低的場發(fā)射電壓(小于100伏)，可傳輸極大的電流密度，并且電流極穩(wěn)定，使用壽命長，因而非常適合作為一種極佳的點電子源，應(yīng)用在掃描電子顯微鏡(ScanningElectron Microscope)、透射電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope)等設(shè)備的電子發(fā)射部件中。
現(xiàn)有的碳納米管場發(fā)射電子源一般至少包括一導(dǎo)電基體和作為發(fā)射端的碳納米管，該碳納米管形成于該導(dǎo)電基體上。目前，碳納米管形成于導(dǎo)電基體上的方法主要包括機(jī)械方法和原位生長法。其中，機(jī)械方法是通過原子力顯微鏡操縱合成好的碳納米管，將碳納米管用導(dǎo)電膠固定到導(dǎo)電基體上，此種方法程序簡單，但操作不容易且效率低。另外，通過該方法得到的碳納米管場發(fā)射電子源中碳納米管是通過導(dǎo)電膠粘覆于導(dǎo)電基體上，在使用時，碳納米管與導(dǎo)電基體的電接觸狀態(tài)沒有預(yù)想的好，不易充分發(fā)揮碳納米管的場發(fā)射性能。
原位生長法是先在導(dǎo)電基體上鍍上金屬催化劑，然后通過化學(xué)氣相沉積電弧放電或激光蒸發(fā)法等方法在導(dǎo)電基體上直接生長出碳納米管，此種方法雖然操作簡單，碳納米管與導(dǎo)電基體的電接觸良好。但是，碳納米管與導(dǎo)電基體的結(jié)合能力較弱，在使用時碳納米管易脫落或被電場力拔出，從而導(dǎo)致場發(fā)射電子源損壞。而且，由于該方法無法控制碳納米管的生長方向，所以仍存在效率低且可控性差的問題，另外，該方法的生產(chǎn)成本較高。
此外，碳納米管應(yīng)用于場發(fā)射電子源往往需要通過碳納米管發(fā)射較大電流。根據(jù)福勒-諾德漢(Fowler-Nordheim，F(xiàn)-N)方程，場發(fā)射電流的大小決定于局域電場大小以及場發(fā)射陰極的逸出功(Work Function)的大小。在同一電場的作用下，選擇具有更低逸出功的材料作為場發(fā)射陰極能夠獲得更大的場發(fā)射電流。現(xiàn)有的方法制造得到的碳納米管場發(fā)射電子源雖然具有極佳的場發(fā)射幾何結(jié)構(gòu)和較高的場增強因子(Enhancement Factor)，但是，碳納米管本身的逸出功為4.55電子伏特(eV)，僅與鎢的逸出功相當(dāng)。
因此，有必要提供一種生產(chǎn)效率高、成本低、可控性強的制造碳納米管場發(fā)射電子源的方法，該方法還能有效降低碳納米管場發(fā)射電子源電子發(fā)射端的逸出功，進(jìn)而增大該碳納米管場發(fā)射電子源的場發(fā)射電流。

發(fā)明內(nèi)容以下，將以若干實施例說明一種生產(chǎn)效率高、成本低且可控性強的制造碳納米管場發(fā)射電子源的方法。
一種碳納米管場發(fā)射電子源的制造方法，包括以下步驟(一)提供一組裝有碳納米管的導(dǎo)電基體；(二)在該碳納米管表面形成一金屬層；(三)碳化該碳納米管表面的金屬層，形成一表面修飾層。
步驟(三)通過退火處理該碳納米管表面金屬層使其碳化，形成表面修飾層。
步驟(三)還可通過在真空環(huán)境中，施加電壓于該碳納米管持續(xù)發(fā)射電子預(yù)定時間，以使該碳納米管表面的金屬層與碳納米管發(fā)生化學(xué)反應(yīng)被碳化而形成表面修飾層。
步驟(一)進(jìn)一步包括以下步驟提供兩個頂部相對的導(dǎo)電基體，使其相對的兩頂部共同浸入同一含碳納米管的溶液中；施加一交流電壓于該兩導(dǎo)電基體之間，以使至少一碳納米管組裝至該相對的兩頂部之間；
切斷兩導(dǎo)電基體之間的電流并移除上述兩導(dǎo)電基體相對兩頂部之間的溶液；分開上述兩相對的導(dǎo)電基體，以使至少一碳納米管附著于至少一導(dǎo)電基體的頂部。
該金屬層厚度為1～10納米，材料選自金屬鈦或金屬鋯。
該金屬層的形成方法選自磁控濺射法或電子束蒸發(fā)法。
該預(yù)定時間為30分鐘至2小時。
該表面修飾層厚度為1～10納米，材料為碳化鈦或碳化鋯。
所述的含碳納米管的溶液包括作為主要溶劑的異丙醇和用作穩(wěn)定劑的乙基纖維素。
所述的相對的兩頂部之間的距離為10～20微米。
步驟(一)進(jìn)一步包括以下步驟監(jiān)控碳納米管的組裝過程，以確定碳納米管組裝于該兩相對的導(dǎo)電基體頂部之間。
所述的監(jiān)控方法包括在兩導(dǎo)電基體所在的電路中串聯(lián)一個電阻；在該電阻兩端并聯(lián)一示波器。
相較于現(xiàn)有技術(shù)，碳納米管場發(fā)射電子源的制造方法一般只需要幾秒至幾十秒，耗時短，效率高。并且，整個組裝過程均可實現(xiàn)自動化操作與監(jiān)測，生產(chǎn)效率高，可控性強。同時所需的生產(chǎn)設(shè)備簡單，生產(chǎn)成本低，適合進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。另外，碳納米管的表面碳化修飾過程能夠在維持碳納米管極佳的場發(fā)射幾何結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，降低碳納米管場發(fā)射電子源的碳納米管電子發(fā)射端的逸出功，進(jìn)而能夠增大該碳納米管場發(fā)射電子源的場發(fā)射電流，有利于增強碳納米管場發(fā)射電子源的場發(fā)射性能。

圖1為本發(fā)明實施例的碳納米管場發(fā)射電子源的立體示意圖。
圖2為圖1中II部分的縱向剖視圖。
圖3為本發(fā)明實施例碳納米管場發(fā)射電子源的制造方法的步驟示意圖。
圖4為本發(fā)明實施例組裝碳納米管場發(fā)射電子源的裝置的示意圖。
圖5為本發(fā)明實施例碳納米管場發(fā)射電子源的掃描電子顯微鏡照片。
圖6為本發(fā)明實施例碳納米管場發(fā)射電子源修飾前后的電流-電壓曲線對比示意圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
請參閱圖1和圖2，本發(fā)明實施例提供一種碳納米管場發(fā)射電子源10，該碳納米管場發(fā)射電子源10包括一導(dǎo)電基體12、一碳納米管14和一表面修飾層16。該導(dǎo)電基體12由導(dǎo)電材料制成，如鎢、金、鉬、鉑等。為測量方便，本實施例導(dǎo)電基體12采用表面鍍有金層的原子力顯微鏡18(AtomicForce Microscope，AFM)的探針。該導(dǎo)電基體12具有一頂部122，該頂部122為錐形。該碳納米管14的一端142與該導(dǎo)電基體12的頂部122電性連接，并通過范德華力附著于該導(dǎo)電基體12上。該碳納米管14的另一端144沿該導(dǎo)電基體12的頂部122向遠(yuǎn)離導(dǎo)電基體12的方向延伸，作為該場發(fā)射電子源10的電子發(fā)射端。本實施例中，該碳納米管14為一多壁碳納米管，其直徑范圍為1～50納米，優(yōu)選為15納米，長度范圍為10～100微米，優(yōu)選為50微米。該表面修飾層16浸潤于碳納米管14的表面，且至少覆蓋該碳納米管14作為電子發(fā)射端的一端144的表面。該表面修飾層16材料的逸出功低于碳納米管14的逸出功。優(yōu)選的，該表面修飾層16選用碳化鈦或碳化鋯，其逸出功分別為3.82電子伏特和3.32電子伏特。該表面修飾層16的厚度為1～10納米，優(yōu)選為5納米。本實施例中，該表面修飾層16也可覆蓋整個碳納米管14與導(dǎo)電基體12的表面。由于碳納米管14作為電子發(fā)射端的一端144表面浸潤并覆蓋有比碳納米管14更低逸出功的表面修飾層16，在相同大小的電場作用下，該碳納米管場發(fā)射源10的發(fā)射電流比現(xiàn)有的碳納米管場發(fā)射電子源的發(fā)射電流顯著增大。本實施例中采用碳化鈦或碳化鋯作為表面修飾層16的碳納米管場發(fā)射電子源10的場發(fā)射電流可達(dá)到100微安培，優(yōu)選為45～65微安培，電流發(fā)射密度可達(dá)到5.7×107A/cm2。進(jìn)一步的，經(jīng)測量，本實施例碳納米管場發(fā)射電子源10場發(fā)射電流為45～65微安培時，可連續(xù)發(fā)射電子5萬秒未發(fā)現(xiàn)衰竭現(xiàn)象，因而，該經(jīng)過表面修飾的碳納米管場發(fā)射電子源10具有良好的壽命。
另外，本發(fā)明實施例中導(dǎo)電基體12還可依實際需要設(shè)計成其他形狀。該導(dǎo)電基體12的頂部也可為其他形狀，如圓臺形或細(xì)小的柱形，而不限于錐形。本實施例的碳納米管場發(fā)射電子源10可應(yīng)用于場發(fā)射平板顯示器、電子槍、微波放大器、X射線源或電子束平板印刷等場發(fā)射電子源裝置。
請參閱圖3和圖4，本發(fā)明實施例提供的一種制造碳納米管場發(fā)射電子源的方法，主要由以下步驟組成。
(1)提供兩導(dǎo)電基體32和42，其分別具有錐形頂部322和422。使該兩頂部322和422相對設(shè)置，并間隔開一定距離。移取少量含碳納米管的溶液50于該兩頂部322和422之間，并使兩者能共同浸入該溶液50中。
(2)對該兩導(dǎo)電基體32和42施加一交流電壓60，直到至少一碳納米管組裝于該兩頂部322和422之間。
(3)切斷兩導(dǎo)電基體32和42之間的電流并移除上述兩導(dǎo)電基體相對兩頂部322和422之間的溶液50。
(4)分開上述兩相對的導(dǎo)電基體32和42，以使至少一碳納米管附著于至少一導(dǎo)電基體的頂部，形成碳納米管場發(fā)射電子源。
(5)修飾該碳納米管的表面使該場發(fā)射電子源具有更低的逸出功。
在本實施例中，所述的導(dǎo)電基體32和42均采用表面鍍金的原子力顯微鏡探針。導(dǎo)電基體32和42也可以采用其他的導(dǎo)電材料制作，如鎢、金、鉬、鉑等，其自身形狀可依實際需要設(shè)計。頂部322和422也可為其他形狀，如圓臺形或細(xì)小的柱形，而不限于錐形。應(yīng)指出的是，當(dāng)頂部322和422的端面為平面時，在組裝碳納米管的過程中最好使兩頂部322和422的部分端面相對設(shè)置，如兩端面的邊緣相對設(shè)置。另外，該兩頂部322和422之間的距離應(yīng)根據(jù)所采用的碳納米管長度加以設(shè)定，最好與碳納米管長度相近，不宜太大，否則不利于組裝。該間隔距離一般小于100微米，優(yōu)選為10～20微米。
所述的含碳納米管的溶液50是以異丙醇為主要溶劑，通過超聲震蕩的方法使碳納米管在其中均勻分散而得到的。為使該溶液50穩(wěn)定，還可加入少量的乙基纖維素。碳納米管為采用低壓化學(xué)氣相沉積(Low PressureChemical Vapor Deposition，LP-CVD)合成的多壁碳納米管。當(dāng)然，溶液50還可采用其他方法制備，例如采用其他溶劑、穩(wěn)定劑或者增加分離過濾等處理步驟，以得到均勻穩(wěn)定的碳納米管溶液為宜，不必以具體實施例為限。
另外，可以理解的是，溶液50的濃度可能影響后期被組裝的碳納米管數(shù)量。一般，溶液50的濃度越大，后期則較容易組裝上多根碳納米管。因此，可根據(jù)實際需要調(diào)配溶液50的濃度，如只組裝一根碳納米管，則應(yīng)盡量降低溶液50的濃度。反之，也可以通過調(diào)整溶液50的濃度，在一定程度上控制被組裝的碳納米管數(shù)量。為避免發(fā)射電子時，碳納米管之間的相互干擾影響，本實施例只組裝一根碳納米管在導(dǎo)電基體上。
溶液50可由吸管、移液管、注射器或其他適宜的裝置移取并施加于導(dǎo)電基體頂部322和422之間。所施加的溶液50不宜過多，以使該兩頂部322和422能共同浸入同一滴溶液50即可。另外，也可將兩頂部322和422直接浸入少量的由燒杯等容器盛放的溶液50中。該溶液50需移除時，只需同樣通過吸管、移液管、注射器或其他適宜的裝置移取即可，當(dāng)兩頂部322和422是直接浸入少量的由燒杯等容器盛放的溶液50中時，只需將兩頂部322和422從溶液50中移出即可。
另外，步驟(2)中，所述的交流電壓的峰值最好在10伏以內(nèi)，頻率在1千至10兆赫茲之間。本實施例主要是依據(jù)雙向電泳法原理在交流電場中，溶液50中的碳納米管向電場強度大的方向運動，最終運動到場強最大的兩頂部322和422相對的區(qū)域，并被吸附到該兩頂部322和422上。此后，碳納米管依靠與該兩頂部322和422的范德華力牢固吸附在頂部322和422的表面上。一般，通電時間只需幾秒至幾十秒，因此該組裝方法耗時短，效率高。
步驟(5)中，該碳納米管表面的修飾方法進(jìn)一步包括以下步驟首先，在該碳納米管的表面形成一金屬層，該金屬層選用具有較低逸出功，較高的熔點，且與碳納米管表面具有良好的浸潤性的材料。本實施例中，該金屬層選用金屬鈦或金屬鋯。該金屬層的形成方法包括通過磁控濺射或電子束蒸發(fā)的方法形成一厚度為1～10納米的金屬層于該碳納米管表面。優(yōu)選的，本實施例通過磁控濺射的方法形成一厚度為5納米的金屬鋯層或金屬鈦層于該碳納米管和附著有碳納米管的導(dǎo)電基體表面。
然后，在真空環(huán)境中，施加電壓于該碳納米管持續(xù)發(fā)射電子預(yù)定時間，以使該碳納米管表面的金屬層與碳納米管發(fā)生化學(xué)反應(yīng)被碳化而形成表面修飾層，完成對碳納米管表面的修飾。本實施例中，該通電時間為30分鐘至2小時，優(yōu)選為30分鐘。如果時間太少該金屬層不能完全被碳化成表面修飾層，時間太長則會影響到碳納米管的使用壽命。優(yōu)選的，形成的表面修飾層為氧化鈦或氧化鋯層。另外，該碳化碳納米管表面金屬層的過程也可通過高溫下的退火處理來實現(xiàn)。
本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)明白，由于碳納米管主要通過其一端發(fā)射電子，實際上只需控制形成一金屬層覆蓋該碳納米管發(fā)射電子的一端，然后進(jìn)一步碳化修飾該碳納米管發(fā)射電子的一端即可。
另外，應(yīng)指出的是，可采用監(jiān)測系統(tǒng)對整個碳納米管組裝過程進(jìn)行監(jiān)控，從而實現(xiàn)實時監(jiān)控、實時調(diào)整，提高成品率。例如，根據(jù)未組裝上碳納米管的兩頂部322和422是處于斷路狀態(tài)、而組裝上碳納米管后該兩者是處于通路狀態(tài)，可方便地對這兩個狀態(tài)進(jìn)行監(jiān)測。在本實施例中，采用的監(jiān)測方法就是依據(jù)上述原理，在圖4所示的電路中串聯(lián)一電阻(圖中未顯示)，用示波器觀察該電阻兩端的波形變化。當(dāng)波形發(fā)生突變則表示碳納米管已經(jīng)組裝到兩個頂部322和422之間，這時就可以降壓斷電并移走液滴。當(dāng)然，也可以采用其他的監(jiān)測方法及設(shè)備進(jìn)行，不必限于本實施例。
進(jìn)而，整個組裝過程均可實現(xiàn)自動化操作與監(jiān)測，避免手動或半手動操作的偏差以及化學(xué)氣相沉積法中碳納米管生長的不可控性，提高生產(chǎn)效率，增強可控性，同時所需的生產(chǎn)設(shè)備簡單，生產(chǎn)成本低，適合進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。
另外，本發(fā)明實施例可進(jìn)一步制造包括多個碳納米管場發(fā)射電子源的碳納米管場發(fā)射陣列用于如平板場發(fā)射顯示器中作為電子發(fā)射源?？蓪⑿纬捎卸鄠€導(dǎo)電基體的一陰極電極層直接浸入含有碳納米管的溶液中。通過施加電壓于該陰極電極層與另一可活動的導(dǎo)電基體，并將該可活動的導(dǎo)電基體頂部逐一靠近形成于陰極電極層的導(dǎo)電基體頂部，以將碳納米管分別組裝于該多個導(dǎo)電基體上，最后通過修飾碳納米管表面形成表面修飾層即可。
請參閱圖5，從掃描電子顯微鏡照片可看出，碳納米管被組裝到原子力顯微鏡的尖端，并且已被拉直。這是因為碳納米管組裝于兩頂部過程中在電場中被極化產(chǎn)生電偶極距，兩端帶有電荷，電場對其作用力有一沿其軸向的分力，使碳納米管拉伸變直。
請參閱圖6，經(jīng)測量，本實施例通過碳化鈦或碳化鋯修飾后的碳納米管場發(fā)射電子源的開啟電場強度分別為約1.2V/μm(伏特/微米)和1.05V/μm，低于修飾前的碳納米管場發(fā)射電子源(約1.5V/μm)，修飾后的碳納米管場發(fā)射電子源場發(fā)射電流也顯著增大。另外，經(jīng)過測量，通過碳化鈦或碳化鋯修飾后的碳納米管場發(fā)射電子源對應(yīng)于開啟電場強度的碳納米管拔出力分別為35.2nN(納牛頓)和26.2nN，低于修飾前的碳納米管場發(fā)射電子源(54.4nN)。因此，修飾后的碳納米管場發(fā)射電子源中碳納米管與導(dǎo)電基體結(jié)合緊密，且電性連接良好。
本發(fā)明中碳納米管場發(fā)射電子源的組裝方法一般只需要幾秒至幾十秒，耗時短，效率高。并且，整個組裝過程均可實現(xiàn)自動化操作與監(jiān)測，提高生產(chǎn)效率，增強可控性。同時所需的生產(chǎn)設(shè)備簡單，生產(chǎn)成本低，適合進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。另外，碳納米管的表面碳化修飾過程能夠在維持碳納米管優(yōu)秀的場發(fā)射幾何結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，降低碳納米管場發(fā)射電子源的碳納米管電子發(fā)射端的逸出功，進(jìn)而能夠增大該碳納米管場發(fā)射電子源的場發(fā)射電流，有利于增強碳納米管場發(fā)射電子源的場發(fā)射性能。
本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)明白，本發(fā)明碳納米管場發(fā)射電子源的制造方法中也可通過現(xiàn)有的其他方式如顯微鏡操縱組裝法或原位生長法組裝碳納米管于導(dǎo)電基體上，再通過修飾碳納米管的電子發(fā)射端部形成具有低逸出功的表面修飾層，也可同樣增大碳納米管場發(fā)射電子的場發(fā)射電流。
另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可在本發(fā)明精神內(nèi)做其他變化，當(dāng)然，這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種碳納米管場發(fā)射電子源的制造方法，包括以下步驟(一)提供一組裝有碳納米管的導(dǎo)電基體；(二)在該碳納米管表面形成一金屬層；(三)碳化該碳納米管表面的金屬層，形成一表面修飾層。
2.如權(quán)利要求1所述的碳納米管場發(fā)射電子源的制造方法，其特征在于，步驟(三)通過退火處理該碳納米管表面金屬層使其碳化，形成表面修飾層。
3.如權(quán)利要求1所述的碳納米管場發(fā)射電子源的制造方法，其特征在于，步驟(三)通過在真空環(huán)境中，施加電壓于該碳納米管持續(xù)發(fā)射電子預(yù)定時間，以使該碳納米管表面的金屬層與碳納米管發(fā)生化學(xué)反應(yīng)被碳化而形成表面修飾層。
4.如權(quán)利要求1所述的碳納米管場發(fā)射電子源的制造方法，其特征在于，步驟(一)進(jìn)一步包括以下步驟提供兩個頂部相對的導(dǎo)電基體，使其相對的兩頂部共同浸入同一含碳納米管的溶液中；施加一交流電壓于該兩導(dǎo)電基體之間，以使至少一碳納米管組裝至該相對的兩頂部之間；切斷兩導(dǎo)電基體之間的電流并移除上述兩導(dǎo)電基體相對兩頂部之間的溶液；分開上述兩相對的導(dǎo)電基體，以使至少一碳納米管附著于至少一導(dǎo)電基體的頂部。
5.如權(quán)利要求1所述的碳納米管場發(fā)射電子源的制造方法，其特征在于，該金屬層厚度為1～10納米，材料選自金屬鈦或金屬鋯。
6.如權(quán)利要求5所述的碳納米管場發(fā)射電子源的制造方法，其特征在于，該金屬層的形成方法選自磁控濺射法或電子束蒸發(fā)法。
7.如權(quán)利要求3所述的碳納米管場發(fā)射電子源的制造方法，其特征在于，該預(yù)定時間為30分鐘至2小時。
8.如權(quán)利要求1所述的碳納米管場發(fā)射電子源的制造方法，其特征在于，該表面修飾層厚度為1～10納米，材料為碳化鈦或碳化鋯。
9.如權(quán)利要求4所述的碳納米管場發(fā)射電子源的制造方法，其特征在于，所述的含碳納米管的溶液包括作為主要溶劑的異丙醇和用作穩(wěn)定劑的乙基纖維素。
10.如權(quán)利要求4所述的碳納米管場發(fā)射電子源的制造方法，其特征在于，所述的相對的兩頂部之間的距離距離為10～20微米。
11.如權(quán)利要求4所述的碳納米管場發(fā)射電子源的制造方法，其特征在于，進(jìn)一步包括以下步驟監(jiān)控碳納米管的組裝過程，以確定碳納米管組裝于該兩相對的導(dǎo)電基體頂部之間。
12.如權(quán)利要求11所述的碳納米管場發(fā)射電子源的制造方法，其特征在于，所述的監(jiān)控方法包括在兩導(dǎo)電基體所在的電路中串聯(lián)一個電阻，在該電阻兩端并聯(lián)一示波器。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種碳納米管場發(fā)射電子源的制造方法，其包括以下步驟提供兩個頂部相對的導(dǎo)電基體，使其相對的兩頂部共同浸入同一含碳納米管的溶液中；施加一交流電壓于該兩導(dǎo)電基體之間，以使至少一碳納米管組裝至該相對的兩頂部之間；切斷兩導(dǎo)電基體之間的電流并移除上述兩導(dǎo)電基體相對兩頂部之間的溶液；分開上述兩相對的導(dǎo)電基體，以使至少一碳納米管附著于至少一導(dǎo)電基體的頂部，形成碳納米管場發(fā)射電子源；修飾該碳納米管用于發(fā)射電子一端的表面，以使該碳納米管場發(fā)射電子源具有更大的場發(fā)射電流密度。
文檔編號C01B31/02GK101051586SQ200610060188
公開日2007年10月10日 申請日期2006年4月5日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月5日
發(fā)明者魏巍, 姜開利, 范守善 申請人:清華大學(xué), 鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司