專利名稱：碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種場(chǎng)發(fā)射電子源，尤其涉及一種碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源。
背景技術(shù)：
碳納米管(Carbon Nanotube，CNT)是一種新型碳材料，由日本研究人員Iijima在1991年發(fā)現(xiàn)，請(qǐng)參見″Helical Microtubules of Graphitic Carbon″，S.Iijima，Nature，vol.354，p56(1991)。碳納米管具有極優(yōu)異的導(dǎo)電性能、良好的化學(xué)穩(wěn)定性和大的長(zhǎng)徑比，且其具有幾乎接近理論極限的尖端表面積(尖端表面積愈小，其局部電場(chǎng)愈集中)，因而碳納米管在場(chǎng)發(fā)射真空電子源領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用前景。目前的研究表明，碳納米管是已知的最好的場(chǎng)發(fā)射材料之一，它的尖端尺寸只有幾納米至幾十納米，具有極低的場(chǎng)發(fā)射電壓(小于100伏)，可傳輸極大的電流密度，并且電流極穩(wěn)定，使用壽命長(zhǎng)，因而非常適合作為一種極佳的點(diǎn)電子源，應(yīng)用在掃描電子顯微鏡(ScanningElectron Microscope)、透射電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope)等設(shè)備的電子發(fā)射部件中。
現(xiàn)有的碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源一般至少包括一導(dǎo)電基體和作為發(fā)射端的碳納米管，該碳納米管形成于該導(dǎo)電基體上。目前，碳納米管形成于導(dǎo)電基體上的方法主要包括機(jī)械方法和原位生長(zhǎng)法。其中，機(jī)械方法是通過原子力顯微鏡操縱合成好的碳納米管，將碳納米管用導(dǎo)電膠固定到導(dǎo)電基體上，此種方法程序簡(jiǎn)單，但操作不容易且效率低。另外，通過該方法得到的碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源中碳納米管是通過導(dǎo)電膠粘覆于導(dǎo)電基體上，在使用時(shí)，碳納米管與導(dǎo)電基體的電接觸狀態(tài)沒有預(yù)想的好，不易充分發(fā)揮碳納米管的場(chǎng)發(fā)射性能。
原位生長(zhǎng)法是先在導(dǎo)電基體上鍍上金屬催化劑，然后通過化學(xué)氣相沉積、電弧放電或激光蒸發(fā)法等方法在導(dǎo)電基體上直接生長(zhǎng)出碳納米管，此種方法雖然操作簡(jiǎn)單，碳納米管與導(dǎo)電基體的電接觸良好。但是，碳納米管與導(dǎo)電基體的結(jié)合能力較弱，在使用時(shí)碳納米管易脫落或被電場(chǎng)力拔出，從而導(dǎo)致場(chǎng)發(fā)射電子源損壞。而且，由于該方法無(wú)法控制碳納米管的生長(zhǎng)方向，所以仍存在效率低且可控性差的問題，另外，該方法的生產(chǎn)成本較高。
此外，碳納米管應(yīng)用于場(chǎng)發(fā)射電子源往往需要通過碳納米管發(fā)射較大電流。根據(jù)福勒-諾德漢(Fowler-Nordheim，F(xiàn)-N)方程，場(chǎng)發(fā)射電流的大小決定于局域電場(chǎng)大小以及場(chǎng)發(fā)射陰極的逸出功(Work Function)的大小。在同一電場(chǎng)的作用下，選擇具有更低逸出功的材料作為場(chǎng)發(fā)射陰極能夠獲得更大的場(chǎng)發(fā)射電流?，F(xiàn)有的碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源雖然具有極佳的場(chǎng)發(fā)射幾何結(jié)構(gòu)和較高的場(chǎng)增強(qiáng)因子(Enhancement Factor)，但是，碳納米管本身的逸出功為4.55電子伏特(eV)，僅與鎢的逸出功相當(dāng)。
因此，有必要提供一種碳納米管與導(dǎo)電基體結(jié)合緊密、電性連接良好，且具有較低的逸出功，因而具有較大場(chǎng)發(fā)射電流的碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源。

發(fā)明內(nèi)容以下，將以若干實(shí)施例說(shuō)明一種能充分發(fā)揮碳納米管場(chǎng)發(fā)射性能的碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源。
一種碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源，其包括一導(dǎo)電基體、至少一碳納米管和一表面修飾層，該導(dǎo)電基體具有一頂部，該碳納米管一端與該導(dǎo)電基體頂部電性連接，另一端沿該導(dǎo)電基體頂部向外延伸，該表面修飾層均勻分布和浸潤(rùn)于該碳納米管的表面，并覆蓋該碳納米管向外延伸的一端，該表面修飾層的逸出功低于碳納米管的逸出功。
該表面修飾層覆蓋整個(gè)碳納米管和導(dǎo)電基體的表面。
該表面修飾層材料為碳化鋯或碳化鈦。
該碳化鋯的逸出功為3.32電子伏特，該碳化鈦的逸出功為3.82電子伏特。
該表面修飾層的厚度為1～10納米。
該導(dǎo)電基體的頂部為錐形、圓臺(tái)形或柱形。
該導(dǎo)電基體材料可選自鎢、金、鉬或鉑。
該碳納米管為多壁碳納米管。
該碳納米管的長(zhǎng)度為10～100微米，直徑為1～50納米。
相較于現(xiàn)有技術(shù)，碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源中碳納米管與導(dǎo)電基體結(jié)合緊密、電性連接良好，碳納米管表面的表面修飾層可以有效降低碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源電子發(fā)射端的逸出功，同時(shí)維持碳納米管原有的場(chǎng)發(fā)射幾何結(jié)構(gòu)，在相同發(fā)射電場(chǎng)不變的情況下，該碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源具有更高的電子發(fā)射密度和發(fā)射電流。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例的碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源的立體示意圖。
圖2為圖1中II部分的縱向剖視圖。
圖3為本發(fā)明實(shí)施例碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源的制造方法的步驟示意圖。
圖4為本發(fā)明實(shí)施例組裝碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源的裝置的示意圖。
圖5為本發(fā)明實(shí)施例碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源的掃描電子顯微鏡照片。
圖6為本發(fā)明實(shí)施例碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源修飾前后的電流-電壓曲線對(duì)比示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。
請(qǐng)參閱圖1和圖2，本發(fā)明實(shí)施例提供一種碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源10，該碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源10包括一導(dǎo)電基體12、一碳納米管14和一表面修飾層16。該導(dǎo)電基體12由導(dǎo)電材料制成，如鎢、金、鉬、鉑等。為測(cè)量方便，本實(shí)施例導(dǎo)電基體12采用表面鍍有金層的原子力顯微鏡18(AtomicForce Microscope，AFM)的探針。該導(dǎo)電基體12具有一頂部122，該頂部122為錐形。該碳納米管14的一端142與該導(dǎo)電基體12的頂部122電性連接，并通過范德華力附著于該導(dǎo)電基體12上。該碳納米管14的另一端144沿該導(dǎo)電基體12的頂部122向遠(yuǎn)離導(dǎo)電基體12的方向延伸，作為該場(chǎng)發(fā)射電子源10的電子發(fā)射端。本實(shí)施例中，該碳納米管14為一多壁碳納米管，其直徑范圍為1～50納米，優(yōu)選為15納米，長(zhǎng)度范圍為10～100微米，優(yōu)選為50微米。該表面修飾層16浸潤(rùn)于碳納米管14的表面，且至少覆蓋該碳納米管14作為電子發(fā)射端的一端144的表面。該表面修飾層16材料的逸出功低于碳納米管14的逸出功。優(yōu)選的，該表面修飾層16選用碳化鈦或碳化鋯，其選出功分別為3.82電子伏特和3.32電子伏特。該表面修飾層16的厚度為1～10納米，優(yōu)選為5納米。本實(shí)施例中，該表面修飾層16也可覆蓋整個(gè)碳納米管14與導(dǎo)電基體12的表面。由于碳納米管14作為電子發(fā)射端的一端144表面浸潤(rùn)并覆蓋有比碳納米管14更低逸出功的表面修飾層16，在相同大小的電場(chǎng)作用下，該碳納米管場(chǎng)發(fā)射源10的發(fā)射電流比現(xiàn)有的碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源的發(fā)射電流顯著增大。本實(shí)施例中采用碳化鈦或碳化鋯作為表面修飾層16的碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源10的場(chǎng)發(fā)射電流可達(dá)到100微安培，優(yōu)選為45～65微安培，電流發(fā)射密度可達(dá)到5.7×107A/cm2。進(jìn)一步的，經(jīng)測(cè)量，本實(shí)施例碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源10場(chǎng)發(fā)射電流為45～65微安培時(shí)，可連續(xù)發(fā)射電子5萬(wàn)秒未發(fā)現(xiàn)衰竭現(xiàn)象，因而，該經(jīng)過表面修飾的碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源10具有良好的壽命。
另外，本發(fā)明實(shí)施例中導(dǎo)電基體12還可依實(shí)際需要設(shè)計(jì)成其他形狀。該導(dǎo)電基體12的頂部也可為其他形狀，如圓臺(tái)形或細(xì)小的柱形，而不限于錐形。本實(shí)施例的碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源10可應(yīng)用于場(chǎng)發(fā)射平板顯示器、電子槍、微波放大器、X射線源或電子束平板印刷等場(chǎng)發(fā)射電子源裝置。
請(qǐng)參閱圖3和圖4，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種制造碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源的方法，主要由以下步驟組成。
(1)提供兩導(dǎo)電基體32和42，其分別具有錐形頂部322和422。使該兩頂部322和422相對(duì)設(shè)置，并間隔開一定距離。移取少量含碳納米管的溶液50于該兩頂部322和422之間，并使兩者能共同浸入該溶液50中。
(2)對(duì)該兩導(dǎo)電基體32和42施加一交流電壓60，直到至少一碳納米管組裝于該兩頂部322和422之間。
(3)切斷兩導(dǎo)電基體32和42之間的電流并移除上述兩導(dǎo)電基體相對(duì)兩頂部322和422之間的溶液50。
(4)分開上述兩相對(duì)的導(dǎo)電基體32和42，以使至少一碳納米管附著于至少一導(dǎo)電基體的頂部，形成碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源。
(5)修飾該碳納米管的表面使該場(chǎng)發(fā)射電子源具有更低的逸出功。
在本實(shí)施例中，所述的導(dǎo)電基體32和42均采用表面鍍金的原子力顯微鏡探針。導(dǎo)電基體32和42也可以采用其他的導(dǎo)電材料制作，如鎢、金、鉬、鉑等，其自身形狀可依實(shí)際需要設(shè)計(jì)。頂部322和422也可為其他形狀，如圓臺(tái)形或細(xì)小的柱形，而不限于錐形。應(yīng)指出的是，當(dāng)頂部322和422的端面為平面時(shí)，在組裝碳納米管的過程中最好使兩頂部322和422的部分端面相對(duì)設(shè)置，如兩端面的邊緣相對(duì)設(shè)置。另外，該兩頂部322和422之間的距離應(yīng)根據(jù)所采用的碳納米管長(zhǎng)度加以設(shè)定，最好與碳納米管長(zhǎng)度相近，不宜太大，否則不利于組裝。該間隔距離一般小于100微米，優(yōu)選為10～20微米。
所述的含碳納米管的溶液50是以異丙醇為主要溶劑，通過超聲震蕩的方法使碳納米管在其中均勻分散而得到的。為使該溶液50穩(wěn)定，還可加入少量的乙基纖維素。碳納米管為采用低壓化學(xué)氣相沉積(Low PressureChemical Vapor Deposition，LP-CVD)合成的多壁碳納米管。當(dāng)然，溶液50還可采用其他方法制備，例如采用其他溶劑、穩(wěn)定劑或者增加分離過濾等處理步驟，以得到均勻穩(wěn)定的碳納米管溶液為宜，不必以具體實(shí)施例為限。
另外，可以理解的是，溶液50的濃度可能影響后期被組裝的碳納米管數(shù)量。一般，溶液50的濃度越大，后期則較容易組裝上多根碳納米管。因此，可根據(jù)實(shí)際需要調(diào)配溶液50的濃度，如只組裝一根碳納米管，則應(yīng)盡量降低溶液50的濃度。反之，也可以通過調(diào)整溶液50的濃度，在一定程度上控制被組裝的碳納米管數(shù)量。為避免發(fā)射電子時(shí)，碳納米管之間的相互干擾影響，本實(shí)施例只組裝一根碳納米管在導(dǎo)電基體上。
溶液50可由吸管、移液管、注射器或其他適宜的裝置移取并施加于導(dǎo)電基體頂部322和422之間。所施加的溶液50不宜過多，以使該兩頂部322和422能共同浸入同一滴溶液50即可。另外，也可將兩頂部322和422直接浸入少量的由燒杯等容器盛放的溶液50中。該溶液50需移除時(shí)，只需同樣通過吸管、移液管、注射器或其他適宜的裝置移取即可，當(dāng)兩頂部322和422是直接浸入少量的由燒杯等容器盛放的溶液50中時(shí)，只需將兩頂部322和422從溶液50中移出即可。
另外，步驟(2)中，所述的交流電壓的峰值最好在10伏以內(nèi)，頻率在1千至10兆赫茲之間。本實(shí)施例主要是依據(jù)雙向電泳法原理在交流電場(chǎng)中，溶液50中的碳納米管向電場(chǎng)強(qiáng)度大的方向運(yùn)動(dòng)，最終運(yùn)動(dòng)到場(chǎng)強(qiáng)最大的兩頂部322和422相對(duì)的區(qū)域，并被吸附到該兩頂部322和422上。此后，碳納米管依靠與該兩頂部322和422的范德華力牢固吸附在頂部322和422的表面上。一般，通電時(shí)間只需幾秒至幾十秒，因此該組裝方法耗時(shí)短，效率高。
步驟(5)中，該碳納米管表面的修飾方法進(jìn)一步包括以下步驟首先，在該碳納米管的表面形成一金屬層，該金屬層選用具有較低逸出功，較高的熔點(diǎn)，且與碳納米管表面具有良好的浸潤(rùn)性的材料。本實(shí)施例中，該金屬層選用金屬鈦或金屬鋯。該金屬層的形成方法包括通過磁控濺射或電子束蒸發(fā)的方法形成一厚度為1～10納米的金屬層于該碳納米管表面。優(yōu)選的，本實(shí)施例通過磁控濺射的方法形成一厚度為5納米的金屬鋯層或金屬鈦層于該碳納米管和附著有碳納米管的導(dǎo)電基體表面。
然后，在真空環(huán)境中，在該附著有碳納米管的導(dǎo)電基體上施加一較高電流發(fā)射電子預(yù)定時(shí)間，以使該碳納米管表面的金屬層與碳納米管發(fā)生化學(xué)反應(yīng)被碳化而形成表面修飾層，完成對(duì)碳納米管表面的修飾。本實(shí)施例中，該通電時(shí)間為30分鐘至2小時(shí)，優(yōu)選為30分鐘。如果時(shí)間太少該金屬層不能完全被碳化，時(shí)間太長(zhǎng)則會(huì)影響到碳納米管的使用壽命。優(yōu)選的，形成的表面修飾層為氧化鈦或氧化鋯層。另外，該碳化碳納米管表面金屬層的過程也可通過退火處理來(lái)實(shí)現(xiàn)。
本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)明白，由于碳納米管主要通過其一端發(fā)射電子，實(shí)際上只需控制形成一金屬層覆蓋該碳納米管發(fā)射電子的一端，然后進(jìn)一步碳化修飾該碳納米管發(fā)射電子的一端即可。
另外，應(yīng)指出的是，可采用監(jiān)測(cè)系統(tǒng)對(duì)整個(gè)碳納米管組裝過程進(jìn)行監(jiān)控，從而實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)監(jiān)控、實(shí)時(shí)調(diào)整，提高成品率。例如，根據(jù)未組裝上碳納米管的兩頂部322和422是處于斷路狀態(tài)、而組裝上碳納米管后該兩者是處于通路狀態(tài)，可方便地對(duì)這兩個(gè)狀態(tài)進(jìn)行監(jiān)測(cè)。在本實(shí)施例中，采用的監(jiān)測(cè)方法就是依據(jù)上述原理，在圖4所示的電路中串聯(lián)一電阻(圖中未顯示)，用示波器觀察該電阻兩端的波形變化。當(dāng)波形發(fā)生突變則表示碳納米管已經(jīng)組裝到兩個(gè)頂部322和422之間，這時(shí)就可以降壓斷電并移走液滴。當(dāng)然，也可以采用其他的監(jiān)測(cè)方法及設(shè)備進(jìn)行，不必限于本實(shí)施例。
進(jìn)而，整個(gè)組裝過程均可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化操作與監(jiān)測(cè)，避免手動(dòng)或半手動(dòng)操作的偏差以及化學(xué)氣相沉積法中碳納米管生長(zhǎng)的不可控性，提高生產(chǎn)效率，增強(qiáng)可控性，同時(shí)所需的生產(chǎn)設(shè)備簡(jiǎn)單，生產(chǎn)成本低，適合進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。
另外，本發(fā)明實(shí)施例可進(jìn)一步制造包括多個(gè)碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源的碳納米管場(chǎng)發(fā)射陣列用于如平板場(chǎng)發(fā)射顯示器中作為電子發(fā)射源?？蓪⑿纬捎卸鄠€(gè)導(dǎo)電基體的一陰極電極層直接浸入含有碳納米管的溶液中。通過施加電壓于該陰極電極層與另一可活動(dòng)的導(dǎo)電基體，并將該可活動(dòng)的導(dǎo)電基體頂部逐一靠近形成于陰極電極層的導(dǎo)電基體頂部，以將碳納米管分別組裝于該多個(gè)導(dǎo)電基體上，最后通過修飾碳納米管表面形成表面修飾層即可。
請(qǐng)參閱圖5，從掃描電子顯微鏡照片可看出，碳納米管被組裝到原子力顯微鏡的尖端，并且已被拉直。這是因?yàn)樘技{米管組裝于兩頂部過程中在電場(chǎng)中被極化產(chǎn)生電偶極距，兩端帶有電荷，電場(chǎng)對(duì)其作用力有一沿其軸向的分力，使碳納米管拉伸變直。
請(qǐng)參閱圖6，經(jīng)測(cè)量，本實(shí)施例通過碳化鈦或碳化鋯修飾后的碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源的開啟電場(chǎng)強(qiáng)度分別為約1.2V/μm(伏特/微米)和1.05V/μm，低于修飾前的碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源(約1.5V/μm)，修飾后的碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源場(chǎng)發(fā)射電流也顯著增大。另外，經(jīng)過測(cè)量，通過碳化鈦或碳化鋯修飾后的碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源對(duì)應(yīng)于開啟電場(chǎng)強(qiáng)度的碳納米管拔出力分別為35.2nN(納牛頓)和26.2nN，低于修飾前的碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源(54.4nN)。因此，修飾后的碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源中碳納米管與導(dǎo)電基體結(jié)合緊密，且電性連接良好。
本發(fā)明碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源的組裝方法一般只需要幾秒至幾十秒，耗時(shí)短，效率高。并且，整個(gè)組裝過程均可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化操作與監(jiān)測(cè)，提高生產(chǎn)效率，增強(qiáng)可控性。同時(shí)所需的生產(chǎn)設(shè)備簡(jiǎn)單，生產(chǎn)成本低，適合進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。另外，碳納米管表面的表面修飾層可以有效降低碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源電子發(fā)射端的逸出功，同時(shí)維持碳納米管原有的場(chǎng)發(fā)射幾何結(jié)構(gòu)，在維持發(fā)射電場(chǎng)不變的情況下，該碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源具有更高的電子發(fā)射密度和發(fā)射電流。
本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)明白，本發(fā)明碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源的制造方法中也可通過現(xiàn)有的其他方式如顯微鏡操縱組裝法或原位生長(zhǎng)法組裝碳納米管于導(dǎo)電基體上，再通過修飾碳納米管的電子發(fā)射端部形成具有低逸出功的表面修飾層，也可同樣增大碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子的場(chǎng)發(fā)射電流。
另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可在本發(fā)明精神內(nèi)做其他變化，當(dāng)然，這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源，其包括一導(dǎo)電基體和至少一碳納米管，該導(dǎo)電基體具有一頂部，該碳納米管一端與該導(dǎo)電基體頂部電性連接，另一端沿該導(dǎo)電基體頂部向外延伸，其特征在于，該碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源進(jìn)一步包括一表面修飾層，該表面修飾層均勻分布和浸潤(rùn)于該碳納米管的表面，并至少覆蓋該碳納米管向外延伸的一端，該表面修飾層的逸出功低于碳納米管的逸出功。
2.如權(quán)利要求1所述的碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源，其特征在于，該表面修飾層覆蓋整個(gè)碳納米管和導(dǎo)電基體的表面。
3.如權(quán)利要求1所述的碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源，其特征在于，該表面修飾層材料為碳化鋯或碳化鈦。
4.如權(quán)利要求3所述的碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源，其特征在于，該碳化鋯的逸出功為3.32電子伏特，該碳化鈦的逸出功為3.82電子伏特。
5.如權(quán)利要求1所述的碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源，其特征在于，該表面修飾層的厚度為1～10納米。
6.如權(quán)利要求1所述的碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源，其特征在于，該導(dǎo)電基體的頂部為錐形、圓臺(tái)形或柱形。
7.如權(quán)利要求6所述的碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源，其特征在于，該導(dǎo)電基體材料可選自鎢、金、鉬或鉑。
8.如權(quán)利要求1所述的碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源，其特征在于，該碳納米管為多壁碳納米管。
9.如權(quán)利要求8所述的碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源，其特征在于，該碳納米管的長(zhǎng)度為10～100微米，直徑為1～50納米。
10.如權(quán)利要求9所述的碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源，其特征在于，該碳納米管的長(zhǎng)度為50微米，直徑為15納米。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種碳納米管場(chǎng)發(fā)射電子源，其包括一導(dǎo)電基體、至少一碳納米管和一表面修飾層，該導(dǎo)電基體具有一頂部，該碳納米管一端與該導(dǎo)電基體頂部電性連接，另一端沿該導(dǎo)電基體頂部向外延伸，該表面修飾層均勻分布和浸潤(rùn)于該碳納米管的表面，并覆蓋該碳納米管向外延伸的一端，該表面修飾層的選出功低于碳納米管的逸出功。
文檔編號(hào)C01B31/00GK101051595SQ20061006018
公開日2007年10月10日 申請(qǐng)日期2006年4月5日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月5日
發(fā)明者魏巍, 姜開利, 范守善 申請(qǐng)人:清華大學(xué), 鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司