本發(fā)明涉及液晶面板制作領(lǐng)域，特別是涉及一種蒸發(fā)源裝置。

背景技術(shù)：

在信息社會的當(dāng)代，作為可視信息傳輸媒介的顯示器的重要性在進(jìn)一步加強(qiáng)，為了在未來占據(jù)主導(dǎo)地位，顯示器正朝著更輕、更薄、更低能耗、更低成本以及更好圖像質(zhì)量的趨勢發(fā)展。

oled顯示技術(shù)較之當(dāng)前主流的液晶顯示技術(shù)，具有對比度高、色域廣、柔性、輕薄、節(jié)能等突出優(yōu)點(diǎn)。近年來oled顯示技術(shù)逐漸在智能手機(jī)和平板電腦等移動設(shè)備、智能手表等柔性可穿戴設(shè)備、大尺寸弧面電視、白光照明等領(lǐng)域普及，發(fā)展勢頭強(qiáng)勁。

oled技術(shù)主要包括以真空蒸鍍技術(shù)為基礎(chǔ)的小分子oled技術(shù)和以溶液制程為基礎(chǔ)的高分子oled技術(shù)。蒸鍍機(jī)是當(dāng)前已量產(chǎn)的小分子oled器件生產(chǎn)的主要設(shè)備，其設(shè)備核心部分為蒸發(fā)源裝置，分為點(diǎn)蒸發(fā)源、線蒸發(fā)源、面蒸發(fā)源等。線蒸發(fā)源為當(dāng)前重要的oled量產(chǎn)技術(shù)，主要分為一體式線蒸發(fā)源和輸送式線蒸發(fā)源。

現(xiàn)有的線蒸發(fā)源設(shè)計(jì)為直線型，為保證膜厚均勻性，蒸發(fā)源要做的比基板更長，導(dǎo)致材料利用率低，且其使用圓孔型噴射口，易造成材料堵塞，降低了量產(chǎn)的稼動率。

因此，現(xiàn)有技術(shù)存在缺陷，急需改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種改進(jìn)的蒸發(fā)源裝置。

為解決上述問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明提供一種蒸發(fā)源裝置，包括：

本體以及加熱構(gòu)件；

所述加熱構(gòu)件用于加熱蒸鍍材料形成蒸鍍氣體，所述本體設(shè)置有用于收容所述蒸鍍氣體的第一腔體；

所述本體包括第一壁體，所述第一壁體的外壁面呈向所述第一腔體內(nèi)彎曲的曲面狀；

所述第一壁體上設(shè)有一呈縫隙狀的噴射口并與所述第一腔體連通，所述噴射口沿著所述第一壁體的彎曲方向彎曲分布，并將所述第一腔體內(nèi)的蒸鍍氣體導(dǎo)出到外界。

在一些實(shí)施例中，所述呈縫隙狀的噴射口的寬度由中間至兩端逐漸變大。

在一些實(shí)施例中，所述加熱結(jié)構(gòu)用于控制所述第一腔體在沿所述第一壁體的彎曲方向上的溫度先增后減。

在一些實(shí)施例中，所述加熱構(gòu)件用于分段控制所述第一腔體在沿所述第一壁體的彎曲方向上的溫度。

在一些實(shí)施例中，所述第一壁體的內(nèi)壁面呈向所述第一腔體內(nèi)彎曲的曲面狀。

在一些實(shí)施例中，所述加熱構(gòu)件設(shè)置于所述第一腔體內(nèi)。

在一些實(shí)施例中，所述本體設(shè)置有第二腔體，所述本體包括第二壁體，所述第二壁體上設(shè)有與所述第二腔體連通的開口部；所述本體包括第三壁體，所述第三壁體設(shè)有與所述第一腔體連通的輸入口；所述第二腔體通過所述開口部與所述輸入口連通。

在一些實(shí)施例中，所述本體還包括氣體傳輸管道，用于連通所述開口部與所述輸入口。

在一些實(shí)施例中，所述加熱構(gòu)件設(shè)置于所述第二腔體內(nèi)。

在一些實(shí)施例中，所述第一腔體內(nèi)設(shè)置有若干個加熱絲，以分段控制所述第一腔體在沿所述第一壁體的彎曲方向上的溫度。

相較于現(xiàn)有的蒸發(fā)源裝置，本發(fā)明提供的蒸發(fā)源裝置包括本體以及加熱構(gòu)件；所述加熱構(gòu)件用于加熱蒸鍍材料形成蒸鍍氣體，所述本體設(shè)置有用于收容所述蒸鍍氣體的第一腔體；所述本體包括第一壁體，所述第一壁體的外壁面呈向所述第一腔體內(nèi)彎曲的曲面狀；所述第一壁體上設(shè)有一呈縫隙狀的噴射口并與所述第一腔體連通，所述噴射口沿著所述第一壁體的彎曲方向彎曲分布，并將所述第一腔體內(nèi)的蒸鍍氣體導(dǎo)出到外界。該方案可通過彎曲型的縫隙狀噴射口改變蒸鍍氣體流向，使其更多地沉積到基板上，提高材料利用率，同時，噴射口設(shè)計(jì)為縫隙狀可降低堵孔風(fēng)險(xiǎn)，提高量產(chǎn)的稼動率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中蒸發(fā)源裝置的一種立體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2a為圖1所示的蒸發(fā)源裝置的一種正視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2b為圖1所示的蒸發(fā)源裝置的一種俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2c為圖1所示的蒸發(fā)源裝置的另一種俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2d為圖2c所示的蒸發(fā)源裝置的俯視結(jié)構(gòu)示意圖的局部圖。

圖2e為圖1所示的蒸發(fā)源裝置的應(yīng)用場景示意圖。

圖3為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中蒸發(fā)源裝置的另一種立體結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4a為圖3所示的蒸發(fā)源裝置中蒸發(fā)源本體的一種分解示意圖。

圖4b為圖3所示的蒸發(fā)源裝置的一種正視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4c為圖3所示的蒸發(fā)源裝置的一種俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4d為圖3所示的蒸發(fā)源裝置的另一種俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4e為圖3所示的蒸發(fā)源裝置的應(yīng)用場景示意圖。

具體實(shí)施方式

以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。

在圖中，結(jié)構(gòu)相似的模塊是以相同標(biāo)號表示。

此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特征。在本發(fā)明的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。另外，術(shù)語“包括”及其任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含。

參閱圖1，圖1為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例提供的蒸發(fā)源裝置的立體結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本優(yōu)選實(shí)施例的蒸發(fā)源裝置100，包括本體11以及加熱構(gòu)件12；

其中，加熱構(gòu)件12用于加熱蒸鍍材料形成蒸鍍氣體，本體11設(shè)置有用于收容該蒸鍍氣體的腔體111；

該本體11包括壁體112，該壁體112的外壁面呈向該腔體111內(nèi)彎曲的曲面狀；

壁體112上設(shè)有一呈縫隙狀的噴射口1121并與該腔體111連通，該噴射口1121沿著該壁體112的彎曲方向彎曲分布，并將該腔體111內(nèi)的蒸鍍氣體導(dǎo)出到外界。

具體地，參考圖2a，圖2a為圖1所示的蒸發(fā)源裝置的一種正視結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2a所示，該壁體112的外壁面由兩端向中間部分逐漸彎曲，形成曲面(即弧面)。其中，該曲面狀的壁體112的彎曲程度可根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)置。

參考圖2e，圖2e為圖1所示的蒸發(fā)源裝置的應(yīng)用場景示意圖。如圖2e所示，在該呈曲面狀的壁體112上設(shè)置噴射口1121，可改變蒸鍍氣體的氣流方向，使蒸鍍氣體更多地往中間部分聚攏沉積到基板a上。

在一些實(shí)施方式中，該壁體112的內(nèi)壁面可呈向該腔體111內(nèi)彎曲的曲面狀，也可呈平面狀，還可以呈向該壁體112的外壁面彎曲的曲面狀。

參考圖2b，圖2b為圖1所示的蒸發(fā)源裝置的一種俯視結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2b所示，該呈縫隙狀的噴射口1121可以為寬度均勻的狹縫。

在一些實(shí)施方式中，配合該壁體112的彎曲程度，該呈縫隙狀的噴射口1121的寬度可為寬度不均勻的狹縫。更進(jìn)一步地，為了提升在基板a上沉積蒸鍍材料膜厚的均勻性，該呈縫隙狀的噴射口1121的寬度可由中間至兩端逐漸變大。

比如，參考圖2c和圖2d。圖2c為圖1所示的蒸發(fā)源裝置的另一種俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖2d為圖2c所示的蒸發(fā)源裝置的俯視結(jié)構(gòu)示意圖的局部圖。如圖2c所示，該呈縫隙狀的噴射口1121可以為寬度不均勻的狹縫。具體地，如圖2d所示，x1-x1方向?yàn)閲娚淇?121長度所在方向，該呈縫隙狀的噴射口1121的寬度由中間(y1-y1方向上的寬度)至兩端(y2-y2方向、y3-y3方向上的寬度)逐漸變大然后減小，以使噴射口1121噴射出外界的蒸鍍氣體在基板a上沉積為薄膜時的厚度更加均勻。

在本發(fā)明實(shí)施例中，該噴射口1121的長度與該壁體112的呈曲面狀的外壁面的長度相當(dāng)，也即與該外壁面的弧長相當(dāng)。

在一些實(shí)施方式中，參考圖1，加熱構(gòu)件12設(shè)置于該腔體111內(nèi)。實(shí)際應(yīng)用中，該腔體111內(nèi)可設(shè)置有坩堝，該加熱構(gòu)件12以及蒸鍍材料可設(shè)置于該坩堝內(nèi)，以加熱形成蒸鍍氣體。

實(shí)際應(yīng)用中，該蒸發(fā)源裝置還可包括制冷構(gòu)件，該制冷構(gòu)件可設(shè)置于該腔體111內(nèi)，用于與加熱構(gòu)件112協(xié)調(diào)工作以控制腔體111內(nèi)的溫度。

此外，該蒸發(fā)源裝置還可包括pid控制系統(tǒng)，用于精確控制腔體111內(nèi)的溫度。

在一些實(shí)施方式中，加熱結(jié)構(gòu)12用于控制該腔體111在沿該壁體112的彎曲方向上的溫度先增后減。

在一些實(shí)施方式中，為了進(jìn)一步提升蒸鍍氣體在基板a上沉積時膜厚的均勻性，加熱構(gòu)件12可用于分段控制該腔體111在沿該壁體112的彎曲方向上的溫度。如圖1所示，該加熱構(gòu)件12可為若干根間隔設(shè)置的加熱絲，以分段控制該腔體111在沿該壁體112的彎曲方向上的溫度。比如，在噴射口1121的寬度均勻時，由于蒸發(fā)氣體更多地往基板a中心沉積，因此可以控制中間的加熱絲的溫度低于兩端加熱絲的溫度。

參考圖3，圖3為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中蒸發(fā)源裝置的另一種立體結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，本優(yōu)選實(shí)施例的蒸發(fā)源裝置200，包括本體21以及加熱構(gòu)件22；

其中，加熱構(gòu)件22用于加熱蒸鍍材料形成蒸鍍氣體，本體21設(shè)置有用于收容該蒸鍍氣體的第一腔體211；

該本體21包括第一壁體212，第一壁體212的外壁面呈向第一腔體內(nèi)211彎曲的曲面狀；

第一壁體212上設(shè)有一呈縫隙狀的噴射口2121并與該第一腔體211連通，該噴射口2121沿著該第一壁體212的彎曲方向彎曲分布，并將該第一腔體內(nèi)211的蒸鍍氣體導(dǎo)出到外界。

具體地，參考圖4b，圖4b為圖1所示的蒸發(fā)源裝置的一種正視結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4b所示，該第一壁體212的外壁面由兩端向中間部分逐漸彎曲，形成弧面(即曲面)。其中，該曲面狀的第一壁體212的彎曲程度可根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)置。

參考圖4e，圖4e為圖3所示的蒸發(fā)源裝置的應(yīng)用場景示意圖。如圖4e所示，在該呈曲面狀的第一壁體212上設(shè)置噴射口2121，可改變蒸鍍氣體的氣流方向，使蒸鍍氣體更多地往中間部分聚攏沉積到基板b上。

在一些實(shí)施方式中，該第一壁體212的內(nèi)壁面可呈向該第一腔體211內(nèi)彎曲的曲面狀，也可呈平面狀，還可以呈向該第一壁體212的外壁面彎曲的曲面狀。

參考圖4c，圖4c為圖3所示的蒸發(fā)源裝置的一種俯視結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4c所示，該呈縫隙狀的噴射口2121可以為寬度均勻的狹縫。

在一些實(shí)施方式中，配合該第一壁體212的彎曲程度，該呈縫隙狀的噴射口2121的寬度可為寬度不均勻的狹縫。更進(jìn)一步地，為了提升在基板b上沉積蒸鍍材料時膜厚的均勻性，該呈縫隙狀的噴射口2121的寬度可由中間至兩端逐漸變大。

比如，參考圖4d，圖4d為圖3所示的蒸發(fā)源裝置的另一種俯視結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4d所示，該呈縫隙狀的噴射口1121可為寬度由中間至兩端逐漸變大后減小的狹縫，以使噴射口2121噴射出外界的蒸鍍氣體在基板b上沉積為薄膜時的厚度更加均勻。

在本發(fā)明實(shí)施例中，該噴射口2121的長度與該第一壁體212的呈曲面狀的外壁面的長度相當(dāng)，也即與該外壁面的弧長相當(dāng)。

在一些實(shí)施方式中，參考圖3和圖4a，圖4a為圖3所示的蒸發(fā)源裝置中蒸發(fā)源本體的一種分解示意圖。如圖4a所示，本體21設(shè)置有第二腔體213。具體地，該本體21還包括第二壁體214，該第二壁體214上設(shè)有與第二腔體213連通的開口部2141。該本體21還包括第三壁體215，該第三壁體215設(shè)有與第一腔體211連通的輸入口2151。該第二腔體213通過開口部2141與輸入口2151連通，以使該第一腔體211與第二腔體213連通。

繼續(xù)參考圖3和圖4a，在一些實(shí)施方式中，本體21還包括氣體傳輸管道216，該氣體傳輸管道216用于連通開口部2141與輸入口2151。其中，該氣體傳輸管道216的形狀可以由多種，比如，可以為圓筒狀、方筒狀、通芯棱鏡狀等等，本發(fā)明對此不作具體限定。

具體地，該氣體傳輸管道216具有第一端口2161和第二端口2162。其中，第一端口2161與第一腔體211的輸入口2151連通，第二端口2162與第二腔體213的開口部2141連通，以使該第一腔體211與第二腔體213連通。

在一些實(shí)施方式中，參考圖3，該加熱構(gòu)件22設(shè)置于第二腔體213內(nèi)。實(shí)際應(yīng)用中，該第一腔體211內(nèi)可設(shè)置有坩堝，該加熱構(gòu)件22以及蒸鍍材料可設(shè)置與該坩堝內(nèi)，避免直接灼燒蒸發(fā)源本體，以加熱形成蒸鍍氣體。從而使得位于該第二腔體213內(nèi)的加熱構(gòu)件22加熱蒸鍍材料后形成蒸鍍氣體，該蒸鍍氣體經(jīng)氣體傳輸管道216后收容于第一腔體211中，再由噴射口2121噴射到基板b上沉積為薄膜。

繼續(xù)參考圖3，在一些實(shí)施方式中，為了進(jìn)一步提升蒸鍍氣體在基板b上沉積時膜厚的均勻性，第一腔體211內(nèi)可設(shè)置有若干個加熱絲23，以分段控制第一腔體211在沿第一壁體212的彎曲方向上的溫度。比如，在噴射口2121的寬度均勻時，由于蒸發(fā)氣體更多地往基板b中心沉積，因此可以控制中間的加熱絲23的溫度低于兩端加熱絲的溫度。

由上可知，本發(fā)明實(shí)施例提供的蒸發(fā)源裝置，包括本體以及加熱構(gòu)件；加熱構(gòu)件用于加熱蒸鍍材料形成蒸鍍氣體，本體設(shè)置有用于收容所述蒸鍍氣體的第一腔體，該本體包括第一壁體，第一壁體的外壁面呈向第一腔體內(nèi)彎曲的曲面狀；第一壁體上設(shè)有一呈縫隙狀的噴射口并與第一腔體連通，該噴射口沿著第一壁體的彎曲方向彎曲分布，并將第一腔體內(nèi)的蒸鍍氣體導(dǎo)出到外界。該方案通過彎曲型的縫隙狀噴射口改變，使其更多地沉積到基板上，提高材料利用率，改善蒸鍍陰影效應(yīng)，并可縮短本體的長度，從而縮小設(shè)備規(guī)模、節(jié)約成本。同時，噴射口設(shè)計(jì)為縫隙狀可降低堵孔風(fēng)險(xiǎn)，提高量產(chǎn)的稼動率。

綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。